JPS58125608A - グラフアイト板の表面に均一なＳｉＣ膜を形成する方法とその装置 - Google Patents
グラフアイト板の表面に均一なＳｉＣ膜を形成する方法とその装置Info
- Publication number
- JPS58125608A JPS58125608A JP837382A JP837382A JPS58125608A JP S58125608 A JPS58125608 A JP S58125608A JP 837382 A JP837382 A JP 837382A JP 837382 A JP837382 A JP 837382A JP S58125608 A JPS58125608 A JP S58125608A
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- Japan
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- graphite plate
- sic film
- furnace
- forming
- plate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炉内でクラファイト板の表面に均一なＳｉＣ膜
を形成する方法と、その装置に関するものである。
を形成する方法と、その装置に関するものである。
半導体装置の製造工程において、例えばシリコンのエピ
タキシャル成長は、５ｉＣ１４の蒸気と１もカスを混合
し、高温に７１１１熱されたシリコン・ウニ・・−に送
り ５ｉｃ１４ ＋２ ＩＩ ： Ｓｉ ＋４１ｉｃｇの反
応により、生じたＳｉを基板のウニ・・−に付着させて
基板と同じ単結晶として成長させるものである。したが
って、グラファイト板の表面にＳｉＣ膜を形成し、この
グラファイト板をエピタキシャル底隅に用いろ場合には
、その表面に均一なＳｉＣ膜が形成されていることが必
要である。
タキシャル成長は、５ｉＣ１４の蒸気と１もカスを混合
し、高温に７１１１熱されたシリコン・ウニ・・−に送
り ５ｉｃ１４ ＋２ ＩＩ ： Ｓｉ ＋４１ｉｃｇの反
応により、生じたＳｉを基板のウニ・・−に付着させて
基板と同じ単結晶として成長させるものである。したが
って、グラファイト板の表面にＳｉＣ膜を形成し、この
グラファイト板をエピタキシャル底隅に用いろ場合には
、その表面に均一なＳｉＣ膜が形成されていることが必
要である。
従来より、グラファイト板にＳｉＣ膜を形成するＫは炉
内にグラファイト板を設置してこれを高温（／ＣｔＪｎ
熱すると共に、シリコン、炭素を含む気体を送入し、こ
れをクラファイト板の表面に添加してＳ２Ｃ膜を形成し
ていたのであるが、グラファイト板を定位置に設置して
いたため、１度の操作でＳｉＣ膜を均一に形成すること
が困難である。このため、従来は炉内温度のｎ幅、降臨
をくり返し、ｎ幅、降臨毎に毎回グラファイト板の保持
位置を変え、数回に分けてＳｉＣ膜の形成を行っていた
。したがって、１枚のグラファイト板ｖｃｓｉｃ膜を形
成するＶＣは多大の時間を必要と１−るのみならず、谷
間のＳｉＣ膜形成温度の差によってＳｉＣ膜の剥１ｉｉ
ｆ＃が生じゃ丁いという欠点があった。
内にグラファイト板を設置してこれを高温（／ＣｔＪｎ
熱すると共に、シリコン、炭素を含む気体を送入し、こ
れをクラファイト板の表面に添加してＳ２Ｃ膜を形成し
ていたのであるが、グラファイト板を定位置に設置して
いたため、１度の操作でＳｉＣ膜を均一に形成すること
が困難である。このため、従来は炉内温度のｎ幅、降臨
をくり返し、ｎ幅、降臨毎に毎回グラファイト板の保持
位置を変え、数回に分けてＳｉＣ膜の形成を行っていた
。したがって、１枚のグラファイト板ｖｃｓｉｃ膜を形
成するＶＣは多大の時間を必要と１−るのみならず、谷
間のＳｉＣ膜形成温度の差によってＳｉＣ膜の剥１ｉｉ
ｆ＃が生じゃ丁いという欠点があった。
本発明（はＬ記問題点を解消するもので、炉内温度の外
需、降臨を繰返すことなく、−回のｎ幅、降臨の期間内
でＳｉＣ膜の形成工程と、グラノアイト板の１呆持位置
の変更工程とを交ｎ−に行ない、均一なＳｉＣ膜をり”
ラファイト板に形成１−るようＶＣしたことを特徴と′
１−ろものである。以下に本発明の実、怖例を図によっ
て説明する。図において、炉Ａ内には、高周波コイル１
が設置され、その外商が石英カバー ２で覆われ、該カ
バー ２の中火部ｔ／こ気体導入管３が開口されている
。また、カバー ２の上面Ｖこは、グラファイト板４ヶ
支えるグラファイト支持棒５が要所ｙｃ設けられている
。本発明（′：ｉ、気体導入管６の周囲で、カバー２の
同〕１．・上の位置に、クラファイト板４の内縁を受（
するフランジ６をイＩ＃ｉえた石英回転筒７を上下動並
びに回’％（１１］ ｉ止（・η設置したものである。
需、降臨を繰返すことなく、−回のｎ幅、降臨の期間内
でＳｉＣ膜の形成工程と、グラノアイト板の１呆持位置
の変更工程とを交ｎ−に行ない、均一なＳｉＣ膜をり”
ラファイト板に形成１−るようＶＣしたことを特徴と′
１−ろものである。以下に本発明の実、怖例を図によっ
て説明する。図において、炉Ａ内には、高周波コイル１
が設置され、その外商が石英カバー ２で覆われ、該カ
バー ２の中火部ｔ／こ気体導入管３が開口されている
。また、カバー ２の上面Ｖこは、グラファイト板４ヶ
支えるグラファイト支持棒５が要所ｙｃ設けられている
。本発明（′：ｉ、気体導入管６の周囲で、カバー２の
同〕１．・上の位置に、クラファイト板４の内縁を受（
するフランジ６をイＩ＃ｉえた石英回転筒７を上下動並
びに回’％（１１］ ｉ止（・η設置したものである。
実施例Ｖておいて、まず、グラファイト板４を支持棒４
七に設侍し、気体導入管６を通して炉Ａ内に水素／Ｊス
な導入する一方、図示を略す高周波発振器の出力を高尚
ｒ皮コイル１に印ｉ！ＩＩＩ してクラファイト仮４を
高温にυｌ）熱する。次いで、気体導入％゛６を通して
炉Ａ内ｉ□ｔンリコン、炭素を含む気体を導入１−１こ
の気体をダラファイト板４に添Ｄ［１シ、該クラファイ
ト板４にＳ７（ｇｌ勇８を形成さぜろ。第１回のＳｉＣ
膜形成工程でクラファイト板４の表面に一定厚さのＳｉ
Ｃ膜８を形成した後、気体導入管６を通して炉Ａ内に水
素カスを送りこみ、炉Ａ内のシリコン、炭素を含む気体
を排気する５、その後、石英回転筒７を−Ｊ−昇させ、
クラファイト板４をフランジ６で支え、該クラファイト
板４を、支持棒５ ＶＣ接触しない０’Ｌ置まで持ち上
げろ。ついで、石英［ｒ！１転筒７を一定角度回転した
後、内びこれを下降させ、クラファイト板４を支持棒５
ｊ−に着座させることにより該板４の第１回の保持位
置を変史丁８を行なう。次いで、気体導入管３よりシリ
コン、炭素を含む気体を導入し、第２回のＳｉＣ膜形成
工程を行なう。以下この工程を数度に渡り繰収し、最終
的にグラファイト板４の表面全体に均一なＳｉＣ膜を形
成した後、炉Ａ内の温度を隆部し、その作業を完了する
。
七に設侍し、気体導入管６を通して炉Ａ内に水素／Ｊス
な導入する一方、図示を略す高周波発振器の出力を高尚
ｒ皮コイル１に印ｉ！ＩＩＩ してクラファイト仮４を
高温にυｌ）熱する。次いで、気体導入％゛６を通して
炉Ａ内ｉ□ｔンリコン、炭素を含む気体を導入１−１こ
の気体をダラファイト板４に添Ｄ［１シ、該クラファイ
ト板４にＳ７（ｇｌ勇８を形成さぜろ。第１回のＳｉＣ
膜形成工程でクラファイト板４の表面に一定厚さのＳｉ
Ｃ膜８を形成した後、気体導入管６を通して炉Ａ内に水
素カスを送りこみ、炉Ａ内のシリコン、炭素を含む気体
を排気する５、その後、石英回転筒７を−Ｊ−昇させ、
クラファイト板４をフランジ６で支え、該クラファイト
板４を、支持棒５ ＶＣ接触しない０’Ｌ置まで持ち上
げろ。ついで、石英［ｒ！１転筒７を一定角度回転した
後、内びこれを下降させ、クラファイト板４を支持棒５
ｊ−に着座させることにより該板４の第１回の保持位
置を変史丁８を行なう。次いで、気体導入管３よりシリ
コン、炭素を含む気体を導入し、第２回のＳｉＣ膜形成
工程を行なう。以下この工程を数度に渡り繰収し、最終
的にグラファイト板４の表面全体に均一なＳｉＣ膜を形
成した後、炉Ａ内の温度を隆部し、その作業を完了する
。
本発明は以上のように、炉内温度をｎ幅した後、ＳｉＣ
膜形成工程と、グラファイト板の保持位置の変更工程と
を交豆に行ない、数回の繰返しによってグラファイト板
の表面に均一なＳｉＣ膜を形成１−るもので、炉内温度
の昇温、降臨を繰返す必要が、今いため、Ｓｉｃ膜形成
に要する時間を大幅ＶＣ短縮て゛き、作業能率の向トを
図ることができる。また本発明によれば、列降、降臨を
繰返すことがないため、剥離のないＳｉＣ膜の形成が１
井能となる。
膜形成工程と、グラファイト板の保持位置の変更工程と
を交豆に行ない、数回の繰返しによってグラファイト板
の表面に均一なＳｉＣ膜を形成１−るもので、炉内温度
の昇温、降臨を繰返す必要が、今いため、Ｓｉｃ膜形成
に要する時間を大幅ＶＣ短縮て゛き、作業能率の向トを
図ることができる。また本発明によれば、列降、降臨を
繰返すことがないため、剥離のないＳｉＣ膜の形成が１
井能となる。
したがって本発明により得られた均一なＳｉＣ膜を有す
るグラファイト板をＳｉエピタキシアル成長Ｃ′こ用い
ろことにより、抵抗率の均一なエビタキノアル層を得を
）ことができる効果を有するものである。
るグラファイト板をＳｉエピタキシアル成長Ｃ′こ用い
ろことにより、抵抗率の均一なエビタキノアル層を得を
）ことができる効果を有するものである。
図は本発明装置の一実施例を示す要部ｉｔ’１１面図で
あイ）。 １・高周波コイル、 ２・・石英カバー６・気体導入
管 ４・・クラファイＩ・板５・支持棒
６・・フランジ ７・・石英回転筒 ８・・・ＳｉＣ膜特許出願人
日本電気株式会社
あイ）。 １・高周波コイル、 ２・・石英カバー６・気体導入
管 ４・・クラファイＩ・板５・支持棒
６・・フランジ ７・・石英回転筒 ８・・・ＳｉＣ膜特許出願人
日本電気株式会社
Claims (2)
- （１）炉内で高嵩に加熱されたグラファイト板に、シリ
コン、炭素を含む気体を添加して該グラファイト板の表
面にＳｉＣ膜を形成する工程と、炉内でのグラファイト
板の保持位置を変更する工程とを父互に行なうことを特
徴とするグラファイト板の表面に均一なＳｉＣ膜を形成
する方法。 - （２）グラファイト板支持俸を上面に有する石英カバー
を設置し、且つ気体導入管を開口した炉内に、前記石英
カバーと同心上の位置に、クラファイト板の一部を支持
するフランジを備えた回転筒を上下並びに回転可能に設
置したことを特徴とするグラファイト板の表面に均一な
ＳｉＣ膜を形成する装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP837382A JPS58125608A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | グラフアイト板の表面に均一なＳｉＣ膜を形成する方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP837382A JPS58125608A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | グラフアイト板の表面に均一なＳｉＣ膜を形成する方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125608A true JPS58125608A (ja) | 1983-07-26 |
Family
ID=11691425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP837382A Pending JPS58125608A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | グラフアイト板の表面に均一なＳｉＣ膜を形成する方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125608A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2622899A1 (fr) * | 1987-11-11 | 1989-05-12 | Toshiba Ceramics Co | Appareil vertical de cristallisation en phase vapeur,et procede pour son utilisation |
| KR101034032B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2011-05-11 | (주)세미머티리얼즈 | 박막증착장치 |
| KR101034031B1 (ko) * | 2010-05-20 | 2011-05-11 | (주)세미머티리얼즈 | 박막증착장치 |
| CN103173737A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 上海硅酸盐研究所中试基地 | 碳化硅化学气相外延载物台装置 |
| JPWO2013054876A1 (ja) * | 2011-10-14 | 2015-03-30 | 東洋炭素株式会社 | Ｃｖｄ装置、該ｃｖｄ装置を用いたサセプターの製造方法、及びサセプター |
| JP2019206751A (ja) * | 2018-05-23 | 2019-12-05 | 信越化学工業株式会社 | 化学気相成長装置および被膜形成方法 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP837382A patent/JPS58125608A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2622899A1 (fr) * | 1987-11-11 | 1989-05-12 | Toshiba Ceramics Co | Appareil vertical de cristallisation en phase vapeur,et procede pour son utilisation |
| KR101034032B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2011-05-11 | (주)세미머티리얼즈 | 박막증착장치 |
| WO2011099676A1 (ko) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 주식회사 세미머티리얼즈 | 박막증착장치 |
| KR101034031B1 (ko) * | 2010-05-20 | 2011-05-11 | (주)세미머티리얼즈 | 박막증착장치 |
| JPWO2013054876A1 (ja) * | 2011-10-14 | 2015-03-30 | 東洋炭素株式会社 | Ｃｖｄ装置、該ｃｖｄ装置を用いたサセプターの製造方法、及びサセプター |
| CN103173737A (zh) * | 2011-12-23 | 2013-06-26 | 上海硅酸盐研究所中试基地 | 碳化硅化学气相外延载物台装置 |
| JP2019206751A (ja) * | 2018-05-23 | 2019-12-05 | 信越化学工業株式会社 | 化学気相成長装置および被膜形成方法 |
| US11885022B2 (en) | 2018-05-23 | 2024-01-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition |
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