JPS6299474A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6299474A JPS6299474A JP23875585A JP23875585A JPS6299474A JP S6299474 A JPS6299474 A JP S6299474A JP 23875585 A JP23875585 A JP 23875585A JP 23875585 A JP23875585 A JP 23875585A JP S6299474 A JPS6299474 A JP S6299474A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- quartz glass
- wafers
- vapor phase
- phase growth
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野Ｊ
不発明は気相成長装置に関し、特に多結晶シリコン成長
に用いる気相成長装置のサセプターの保護に関する。
に用いる気相成長装置のサセプターの保護に関する。
第２図は現在一般的に用いられている高周波誘導加熱に
よる縦型気相成長装置である。ガス噴出口の石英ノズル
１の下部にサセプター３が設けられ、高周波誘導加熱コ
イル４でサセプター上のウェハ２を加熱し気相成長を行
う。従来の誘電体分離基板の支持基板の形成は、前述の
装置を用いて、成長ガス（８ｉＣ１４、Ｓ １ｆ−１２
ＣＩ□、８ｉＨＣ１３等）にょ９第３図に示す様に、ウ
ェハー上に均一に厚膜３００μｍ〜６００ｕｎの多結晶
シリコンを一度に堆積させる。
よる縦型気相成長装置である。ガス噴出口の石英ノズル
１の下部にサセプター３が設けられ、高周波誘導加熱コ
イル４でサセプター上のウェハ２を加熱し気相成長を行
う。従来の誘電体分離基板の支持基板の形成は、前述の
装置を用いて、成長ガス（８ｉＣ１４、Ｓ １ｆ−１２
ＣＩ□、８ｉＨＣ１３等）にょ９第３図に示す様に、ウ
ェハー上に均一に厚膜３００μｍ〜６００ｕｎの多結晶
シリコンを一度に堆積させる。
上述した従来の誘電体分離支持基板形成に於いては第３
図に示す様にウェハー上だけでなくウェハー以外のサセ
プター表面上にも多結晶シリコンが堆積する。このため
、一度の気相成長サイクルが終る毎にサセプター表面上
に堆積した多結品別を塩化水素ＣＨＣＩ）等を用いてサ
セプターエッチ（１）ｒｙ Ｅｔｃｈ） を行ない除去
する必要がある。このようにサセプターエッチは、サイ
クル毎に行なうので無駄な工数がかかり、また多量かつ
頻度多く長時間Ｈｅｌを使用するため、サセプター表面
を被覆しているシリコンカーバイト（８ｉＣ）層に欠陥
が生じやすくなり、サセプターの寿命が短くなると言う
欠点を有していた。
図に示す様にウェハー上だけでなくウェハー以外のサセ
プター表面上にも多結晶シリコンが堆積する。このため
、一度の気相成長サイクルが終る毎にサセプター表面上
に堆積した多結品別を塩化水素ＣＨＣＩ）等を用いてサ
セプターエッチ（１）ｒｙ Ｅｔｃｈ） を行ない除去
する必要がある。このようにサセプターエッチは、サイ
クル毎に行なうので無駄な工数がかかり、また多量かつ
頻度多く長時間Ｈｅｌを使用するため、サセプター表面
を被覆しているシリコンカーバイト（８ｉＣ）層に欠陥
が生じやすくなり、サセプターの寿命が短くなると言う
欠点を有していた。
本発明の気相成長装置は、サセプター上にセットされる
ウェハーυ外の部分のサセプター表面を石英ガラスで覆
うこと全特徴とする。
ウェハーυ外の部分のサセプター表面を石英ガラスで覆
うこと全特徴とする。
次に本発明について図面全参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。第２図の縦
型気相成長装置を用いサセプター上にウェハー以外のサ
セプター表面ヲ欅う石英ガラス板をセットする。次にウ
ェハー全すセ１ター上のザグリ部分ヘセットして誘電体
分離支持基板の多結晶ｓ＋４堆積させる。この後、ウェ
ハー及び石英ガラス板を取り外し、ウェハーは研磨工程
へ進める。
型気相成長装置を用いサセプター上にウェハー以外のサ
セプター表面ヲ欅う石英ガラス板をセットする。次にウ
ェハー全すセ１ター上のザグリ部分ヘセットして誘電体
分離支持基板の多結晶ｓ＋４堆積させる。この後、ウェ
ハー及び石英ガラス板を取り外し、ウェハーは研磨工程
へ進める。
石英ガラス板上に唯積した多結晶シリコンはエツチング
処理にて取り除く。石英ガラス板は、交換が容易であり
、またエツチングに対しても耐性がある。
処理にて取り除く。石英ガラス板は、交換が容易であり
、またエツチングに対しても耐性がある。
以上説明した様に不発明は気相成長装置においてサセプ
ター上にウェハー全セットする部分以外のサセプター表
面を石英ガラス板等で覆うことにより １）多結晶シリコン推檀後のサセプターエッチが省略で
きまた縦型気相成長装置の稼働率をあげることができる
。
ター上にウェハー全セットする部分以外のサセプター表
面を石英ガラス板等で覆うことにより １）多結晶シリコン推檀後のサセプターエッチが省略で
きまた縦型気相成長装置の稼働率をあげることができる
。
２）塩化水素ガスの消費喰が少なくなる。
３）サセプターの寿命が長くなる。
等の効果がある。
第１図は本発明による誘電体分離支持基板形成後のサセ
プタ一部の断面図。第２図は誘電体分離支持基板形成に
用いる気相ｒｉ！ｊ長装置のｌＩ型リすクタ一部の断面
図。第３図は従来の誘電体分離支持基板形成後のサセプ
タ一部の断面図。 １・・・ガス噴出口石英ノズル、２・・・ウェハー（半
導体基板）、３・・・サセプター、４・・・高周波誘導
加熱コイル、５・・・唯積した多結晶シリコン層、６・
・・不発明による石英ガラス板。
プタ一部の断面図。第２図は誘電体分離支持基板形成に
用いる気相ｒｉ！ｊ長装置のｌＩ型リすクタ一部の断面
図。第３図は従来の誘電体分離支持基板形成後のサセプ
タ一部の断面図。 １・・・ガス噴出口石英ノズル、２・・・ウェハー（半
導体基板）、３・・・サセプター、４・・・高周波誘導
加熱コイル、５・・・唯積した多結晶シリコン層、６・
・・不発明による石英ガラス板。
Claims (1)
- 気相成長装置に於いて、サセプター上にセットされるウ
ェハー以外の部分のサセプター表面を石英ガラス等で覆
ったことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23875585A JPS6299474A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23875585A JPS6299474A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6299474A true JPS6299474A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17034779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23875585A Pending JPS6299474A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6299474A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951774A (en) * | 1995-01-27 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Cold-wall operated vapor-phase growth system |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP23875585A patent/JPS6299474A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951774A (en) * | 1995-01-27 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Cold-wall operated vapor-phase growth system |
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