JPS6126217A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6126217A JPS6126217A JP14801084A JP14801084A JPS6126217A JP S6126217 A JPS6126217 A JP S6126217A JP 14801084 A JP14801084 A JP 14801084A JP 14801084 A JP14801084 A JP 14801084A JP S6126217 A JPS6126217 A JP S6126217A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding plate
- reaction tube
- wafer
- gas
- semiconductor film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ウェハ上に半導体膜を気相成長させる
だめの装置に関し、特に横型の気相成長装置に関するも
のである。
だめの装置に関し、特に横型の気相成長装置に関するも
のである。
従来例の構成とその問題点
第１図に従来の横型気相成長装置の一例の断面図を示し
ている。図において、反応管１の内部には、サセプタ４
が治められ、ウェハ６を載置した状態を示している。前
記反応管１の一端のガス導入口２よシ反応ガスをキャリ
ヤガスで希釈して反応管１内に送入し、既反応ガスはキ
ャリヤガスとともにガス排出口３より排出される。反応
管１の外部には加熱ヒータ６が設けられ、サセプタ４は
加熱ヒータ５により加熱され、従ってウェハ６も加熱さ
れ、必要な成長温度まで昇温する。そうすると導入され
た反応ガスが反応または分解してウェハ上面に半導体膜
を形成する。
ている。図において、反応管１の内部には、サセプタ４
が治められ、ウェハ６を載置した状態を示している。前
記反応管１の一端のガス導入口２よシ反応ガスをキャリ
ヤガスで希釈して反応管１内に送入し、既反応ガスはキ
ャリヤガスとともにガス排出口３より排出される。反応
管１の外部には加熱ヒータ６が設けられ、サセプタ４は
加熱ヒータ５により加熱され、従ってウェハ６も加熱さ
れ、必要な成長温度まで昇温する。そうすると導入され
た反応ガスが反応または分解してウェハ上面に半導体膜
を形成する。
しかしながら、導入された反応ガスは、ウェハのみなら
ず、反応管内壁においても反応または分解し、その結果
不要堆積物となって反応管内壁に付着する。このため繰
り返し成長を行なうと不要堆積物が剥離してウェハ６の
上に落下し半導体膜の異常成長や汚れの原因となる。ま
た反応管内壁に付着した不要堆積物の層が厚くなると反
応管と膨張係数が異なるため、反応管にクラックが生じ
てしまう問題があった。
ず、反応管内壁においても反応または分解し、その結果
不要堆積物となって反応管内壁に付着する。このため繰
り返し成長を行なうと不要堆積物が剥離してウェハ６の
上に落下し半導体膜の異常成長や汚れの原因となる。ま
た反応管内壁に付着した不要堆積物の層が厚くなると反
応管と膨張係数が異なるため、反応管にクラックが生じ
てしまう問題があった。
このような事態を回避するには、複数回成長を行なった
後、塩化水素Ｈ（Ｊ 等のガスを流してエツチングする
などの方法によシネ要堆積物を定期的に除去すればよい
が４これでは作業数が増え問題が残る。
後、塩化水素Ｈ（Ｊ 等のガスを流してエツチングする
などの方法によシネ要堆積物を定期的に除去すればよい
が４これでは作業数が増え問題が残る。
発明の目的
本発′明は、上記従来の欠点を解消し、効果的に良質の
半導体膜を成長せしめる気相成長装置を提供するもので
ある。
半導体膜を成長せしめる気相成長装置を提供するもので
ある。
発明の構成
回転可能々反応管を備えた気相成長装置において、前記
反応管を回転方向に２室に分離する遮蔽板と、前記反応
管の端部にあって回転しない壁面に前記遮蔽板をはさん
で反応ガスを供給排気する手段とエツチングガスを供給
排気する手段を設けることにより、反応管の内壁に付着
した不要堆積物を反応管を反転させることにより、半導
体膜の成長と同時にエツチング除去するものである。
反応管を回転方向に２室に分離する遮蔽板と、前記反応
管の端部にあって回転しない壁面に前記遮蔽板をはさん
で反応ガスを供給排気する手段とエツチングガスを供給
排気する手段を設けることにより、反応管の内壁に付着
した不要堆積物を反応管を反転させることにより、半導
体膜の成長と同時にエツチング除去するものである。
本発明に使用する反応管は回転可能であれば、その形状
に限定はなく、その断面が環状あるいは矩形状をした反
応管等が使用でき、′その材質はステンレス、石英等を
用いることができる。
に限定はなく、その断面が環状あるいは矩形状をした反
応管等が使用でき、′その材質はステンレス、石英等を
用いることができる。
また、遮蔽板はステンレス、石英あるいは炭化シリコン
で被覆した炭素等が使用でき、サセプタとして構成する
ことも可能である。
で被覆した炭素等が使用でき、サセプタとして構成する
ことも可能である。
さらに本発明において、サセプタを加熱する手段として
反応管の外部に加熱源が設けられており、この加熱源に
は抵抗（ヒータ）加熱、ランプ加熱。
反応管の外部に加熱源が設けられており、この加熱源に
は抵抗（ヒータ）加熱、ランプ加熱。
高周波誘導加熱等が使用可能である。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を第２〜第３図にもとづいて説
明する。図において、石英製の円筒反応管７は石英製の
遮蔽板１２により上下に２室に分離されている。石英管
７の一端には、上に位置する室に反応ガスを供給する反
応ガス導入口８と、下に位置する室にエツチングガスを
供給するエツチングガス導入口１ｏが配設され、石英管
の他端には、反応ガス排出口９と、エツチングガス排出
口１１が設けられている。１３は加熱ヒータである０ 上記構成の気相成長装置において、その動作を説明する
と、まずウエノ・１４を遮蔽板１２の上面に載置しウエ
ノ・表面の温度を加熱ヒータ１３で所望の値にする。気
相成長は、反応ガスにジクロルシラン５ｉＨ２Ｃ１２及
び水素Ｈ２の混合ガスを使用し、反応ガス導入口８よシ
毎分５０７の流量で供給してウェハ１４の上面に半導体
膜を成長させた。
明する。図において、石英製の円筒反応管７は石英製の
遮蔽板１２により上下に２室に分離されている。石英管
７の一端には、上に位置する室に反応ガスを供給する反
応ガス導入口８と、下に位置する室にエツチングガスを
供給するエツチングガス導入口１ｏが配設され、石英管
の他端には、反応ガス排出口９と、エツチングガス排出
口１１が設けられている。１３は加熱ヒータである０ 上記構成の気相成長装置において、その動作を説明する
と、まずウエノ・１４を遮蔽板１２の上面に載置しウエ
ノ・表面の温度を加熱ヒータ１３で所望の値にする。気
相成長は、反応ガスにジクロルシラン５ｉＨ２Ｃ１２及
び水素Ｈ２の混合ガスを使用し、反応ガス導入口８よシ
毎分５０７の流量で供給してウェハ１４の上面に半導体
膜を成長させた。
この際、上に位置する反応管の内壁及び遮蔽板の上面に
も不要堆積物が付着する。次に、上記気相成長後のウェ
ハを数多出したのち、反応管を１８０度回転、させ、前
回成長を行なった室を下に位置するようにする。さらに
、新たなウェハを上に位置する室の遮蔽板１２の上面に
載せ、半導体膜を上記と同様な反応ガスにょシ成長させ
ると同時に、エツチングガス導入口１０からは塩化水素
を流し、反応管内壁及び遮蔽板１２の下面に付着してい
る不要堆積物をエツチング除去する。このときエツチン
グガスとして塩化水素ＨＣ／を使用し、流量は毎分１０
７とした。更に気相成長を行なう場合は上記のウェハ取
９出し以降の操作を繰シ返す。
も不要堆積物が付着する。次に、上記気相成長後のウェ
ハを数多出したのち、反応管を１８０度回転、させ、前
回成長を行なった室を下に位置するようにする。さらに
、新たなウェハを上に位置する室の遮蔽板１２の上面に
載せ、半導体膜を上記と同様な反応ガスにょシ成長させ
ると同時に、エツチングガス導入口１０からは塩化水素
を流し、反応管内壁及び遮蔽板１２の下面に付着してい
る不要堆積物をエツチング除去する。このときエツチン
グガスとして塩化水素ＨＣ／を使用し、流量は毎分１０
７とした。更に気相成長を行なう場合は上記のウェハ取
９出し以降の操作を繰シ返す。
なお、上記実施例においてはエツチングガスとして塩化
水素ＨＣ１を使用したが、反応ガスの種類等の条件によ
り適当なエツチングガスを選択できることは言うまでも
ない。
水素ＨＣ１を使用したが、反応ガスの種類等の条件によ
り適当なエツチングガスを選択できることは言うまでも
ない。
また上記実施例においては、気相成長を１回行なうごと
に反応管７を回転させ不要堆積物の付着量やその他の状
況に応じて複数回の気相成長毎に反応管７を回転させ、
エツチングを行なってもよい。
に反応管７を回転させ不要堆積物の付着量やその他の状
況に応じて複数回の気相成長毎に反応管７を回転させ、
エツチングを行なってもよい。
発明の効果
このように本発明では、回転可能な反応管を遮蔽板で２
室に分離し、これらの２室にそれぞれ反応ガスとエツチ
ングガスを同時に供給するため、気相成長と反応管内壁
に付着した不要堆積物のエツチング除去を同時に行なう
ことができ、異常成長や汚れの少ない半導体膜を効率よ
く成長させることができその実用的効果は大なるもので
ある。
室に分離し、これらの２室にそれぞれ反応ガスとエツチ
ングガスを同時に供給するため、気相成長と反応管内壁
に付着した不要堆積物のエツチング除去を同時に行なう
ことができ、異常成長や汚れの少ない半導体膜を効率よ
く成長させることができその実用的効果は大なるもので
ある。
第１図は従来の気相成長装置の一例の断面図、第２図は
本発明の一実施例における気相成長装置の断面図、第３
図は第２図の線Ａ−Ａ上でみた本発明による気相成長装
置の反応管の断面図である。 ７・・・・・・反応管、８・・・・・・反応ガス導入口
、１ｏ・・・ρへエツチングガス導入口、１２・・・・
・・遮蔽板、１３・・・・・・加熱ヒータ、１４・・・
・・・ウェハ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
本発明の一実施例における気相成長装置の断面図、第３
図は第２図の線Ａ−Ａ上でみた本発明による気相成長装
置の反応管の断面図である。 ７・・・・・・反応管、８・・・・・・反応ガス導入口
、１ｏ・・・ρへエツチングガス導入口、１２・・・・
・・遮蔽板、１３・・・・・・加熱ヒータ、１４・・・
・・・ウェハ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
Claims (1)
- 回転可能な反応管と、この反応管の回転方向に反応管
を２室に分離する遮蔽板と、前記反応管の端部の回転し
ない壁面に前記遮蔽板をはさんで反応ガスを供給排気す
る手段とエッチングガスを供給排気する手段とを設けた
気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14801084A JPS6126217A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14801084A JPS6126217A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126217A true JPS6126217A (ja) | 1986-02-05 |
Family
ID=15443081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14801084A Pending JPS6126217A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126217A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5711811A (en) * | 1994-11-28 | 1998-01-27 | Mikrokemia Oy | Method and equipment for growing thin films |
| US5855680A (en) * | 1994-11-28 | 1999-01-05 | Neste Oy | Apparatus for growing thin films |
| US6015590A (en) * | 1994-11-28 | 2000-01-18 | Neste Oy | Method for growing thin films |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14801084A patent/JPS6126217A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5711811A (en) * | 1994-11-28 | 1998-01-27 | Mikrokemia Oy | Method and equipment for growing thin films |
| US5855680A (en) * | 1994-11-28 | 1999-01-05 | Neste Oy | Apparatus for growing thin films |
| US6015590A (en) * | 1994-11-28 | 2000-01-18 | Neste Oy | Method for growing thin films |
| US6572705B1 (en) | 1994-11-28 | 2003-06-03 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for growing thin films |
| US7404984B2 (en) | 1994-11-28 | 2008-07-29 | Asm America, Inc. | Method for growing thin films |
| US7498059B2 (en) | 1994-11-28 | 2009-03-03 | Asm America, Inc. | Method for growing thin films |
| US8507039B2 (en) | 1994-11-28 | 2013-08-13 | Asm America, Inc. | Method for growing thin films |
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