JPS6132513A - 薄膜生成装置 - Google Patents
薄膜生成装置Info
- Publication number
- JPS6132513A JPS6132513A JP15484684A JP15484684A JPS6132513A JP S6132513 A JPS6132513 A JP S6132513A JP 15484684 A JP15484684 A JP 15484684A JP 15484684 A JP15484684 A JP 15484684A JP S6132513 A JPS6132513 A JP S6132513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metal mask
- magnetic material
- thin film
- equalizing plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、例えばプラズマＣＶＤ法により非晶質シリコ
ンなどの反応生成物を基板上に成膜する薄膜生成装置に
関する。
ンなどの反応生成物を基板上に成膜する薄膜生成装置に
関する。
太陽電池の充電変換領域として広く用いられている非晶
質シリコン（以下ａ−５ｔと記す）膜は、シランガスを
導入した真空槽内にグロー放電を発生させ、シランガス
の分解により生ずるシリコンを基板上に堆積せしめるプ
ラズマＣＶＤ法により生成する。太陽電池の低価格のた
めに基板として安価なガラスを用い、加熱は一面に均熱
板として熱伝導率のよいアルミニウム板を重ねて輻射熱
により行う、一方ａ−５ｉ膜↓よ基板上にパターンとし
て形成されることが多いため、基板の他面にステン、レ
ス鯛などからなる金属マスクを用いて選択的に膜付けす
る。しかし、この場合マスクが厚いとパターンの精度が
悪くなるので薄い金属マスクを使用するためマスクが軽
くなり、ＣＶＤ法の過程中にマスクが基板から浮きやす
く、ａ −５ｉｌｌが望ましくない個所にまで付着して
しまう欠点があつた。
質シリコン（以下ａ−５ｔと記す）膜は、シランガスを
導入した真空槽内にグロー放電を発生させ、シランガス
の分解により生ずるシリコンを基板上に堆積せしめるプ
ラズマＣＶＤ法により生成する。太陽電池の低価格のた
めに基板として安価なガラスを用い、加熱は一面に均熱
板として熱伝導率のよいアルミニウム板を重ねて輻射熱
により行う、一方ａ−５ｉ膜↓よ基板上にパターンとし
て形成されることが多いため、基板の他面にステン、レ
ス鯛などからなる金属マスクを用いて選択的に膜付けす
る。しかし、この場合マスクが厚いとパターンの精度が
悪くなるので薄い金属マスクを使用するためマスクが軽
くなり、ＣＶＤ法の過程中にマスクが基板から浮きやす
く、ａ −５ｉｌｌが望ましくない個所にまで付着して
しまう欠点があつた。
本発明は、基板の一面に輻射熱により加熱される均熱板
を重ねて基板全体を均一性のよい温度に保ち、他面に金
属マスクを重ねてその面上に選択的に薄膜を生成する際
に金属マスクが薄膜生成遇程中に浮き上がることなく、
所望のノイターンの薄膜を精度よく生成できる薄膜生成
装置を提供することを目的とする。
を重ねて基板全体を均一性のよい温度に保ち、他面に金
属マスクを重ねてその面上に選択的に薄膜を生成する際
に金属マスクが薄膜生成遇程中に浮き上がることなく、
所望のノイターンの薄膜を精度よく生成できる薄膜生成
装置を提供することを目的とする。
本発明による薄膜生成装置は、基板の一面に重ねら、れ
る均熱板は非磁性材料からなって磁石が取り付けられ、
他面に重ねられる金属マスクが磁性材料からなることに
よって上記の目的を達成するものである。さらに均熱板
の反基板側に磁性材料からなる板を重ねることも有効で
ある。
る均熱板は非磁性材料からなって磁石が取り付けられ、
他面に重ねられる金属マスクが磁性材料からなることに
よって上記の目的を達成するものである。さらに均熱板
の反基板側に磁性材料からなる板を重ねることも有効で
ある。
第１図に本発明の一実施例を示し、ガラス基板１の上面
に重ねられたアルミニウム均熱板２の上面には稀土類磁
石３が埋め込まれている。基板ｌの下面には磁性ステン
レス鋼からなる金属マスク４が重ねられ、これらがステ
ンレス鋼枠５の中に支持される。均熱板２は上方に配置
された図示しないヒータからの輻射熱６により３００℃
に加熱され、それによって基板１も加熱される。基板１
の下面側にグロー放電を発生させることにより、シラン
ガスから分解されたシリコン７が磁性材料からなる金属
マスク４の窓部を通じて基板１の下面に堆積する。この
堆積過程中、金属マスク４は磁石３に吸着されてガラス
基板１に密着し、浮き上がることがないため、ａ−３＋
膜はマスク４のパターンどおりに精度よく形成される。 また均熱板も基板に密着するため、基板の全面が均一な
温度に保持される 第２図は別の実施例を示し、第１図と共通の部分には同
一の符号が付されている。この場合は均熱板２の上面に
は磁石３を覆って強磁性体、例えば鉄あるいは磁性ステ
ンレス鋼などの板８が取り付けられている。この磁性材
料板８により磁力線が閉ざされるため、金属マスク４の
吸着力をさらに強化させることができる。
に重ねられたアルミニウム均熱板２の上面には稀土類磁
石３が埋め込まれている。基板ｌの下面には磁性ステン
レス鋼からなる金属マスク４が重ねられ、これらがステ
ンレス鋼枠５の中に支持される。均熱板２は上方に配置
された図示しないヒータからの輻射熱６により３００℃
に加熱され、それによって基板１も加熱される。基板１
の下面側にグロー放電を発生させることにより、シラン
ガスから分解されたシリコン７が磁性材料からなる金属
マスク４の窓部を通じて基板１の下面に堆積する。この
堆積過程中、金属マスク４は磁石３に吸着されてガラス
基板１に密着し、浮き上がることがないため、ａ−３＋
膜はマスク４のパターンどおりに精度よく形成される。 また均熱板も基板に密着するため、基板の全面が均一な
温度に保持される 第２図は別の実施例を示し、第１図と共通の部分には同
一の符号が付されている。この場合は均熱板２の上面に
は磁石３を覆って強磁性体、例えば鉄あるいは磁性ステ
ンレス鋼などの板８が取り付けられている。この磁性材
料板８により磁力線が閉ざされるため、金属マスク４の
吸着力をさらに強化させることができる。
本発明は薄膜生成装置において選択的に膜を形成するた
めに基板上に重ねられる金属マスクを磁性材料によって
作り、基板の反対側に重ねられる非磁性材料からなる均
熱板に磁石を取り付けることによって金属マスクおよび
均熱板を基板に密着させるもので゛、均一な温度に保持
される基板上に均一な特性の所定のパターンの選択成膜
を精度よく形成することができる。従って、例えば太陽
電池製造のためのａ −５ｌｌｌの生成に極めて有効に
使用されるほか、所定の温度に保持した基板上への各種
の気相成長にも有効に適用できる。
めに基板上に重ねられる金属マスクを磁性材料によって
作り、基板の反対側に重ねられる非磁性材料からなる均
熱板に磁石を取り付けることによって金属マスクおよび
均熱板を基板に密着させるもので゛、均一な温度に保持
される基板上に均一な特性の所定のパターンの選択成膜
を精度よく形成することができる。従って、例えば太陽
電池製造のためのａ −５ｌｌｌの生成に極めて有効に
使用されるほか、所定の温度に保持した基板上への各種
の気相成長にも有効に適用できる。
第１図は本発明の一実施例の要部断面図、第２図は別の
実施例の要部断面図である。 １ニガラス基板、２：均熱板、３７Ｍ石、４：磁性材料
からなる金属マスク、６：輻射熱、７：Ｉモ理大弁理士
山 口 凰、７、 ７Ｎ＋シーｌ 第１図 第２図
実施例の要部断面図である。 １ニガラス基板、２：均熱板、３７Ｍ石、４：磁性材料
からなる金属マスク、６：輻射熱、７：Ｉモ理大弁理士
山 口 凰、７、 ７Ｎ＋シーｌ 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板の一面に輻射熱により均熱板を重ねて基板を所
定の温度に保ち、基板の他面に金属マスクを重ねて該面
上に選択的に薄膜を生成するものにおいて、均熱板が非
磁性材料からなって磁石が取り付けられ、金属マスクが
磁性材料からなることを特徴とする薄膜生成装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の装置において、均熱板
の反基板側に磁性材料からなる板が重ねられたことを特
徴とする薄膜生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15484684A JPS6132513A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 薄膜生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15484684A JPS6132513A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 薄膜生成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132513A true JPS6132513A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=15593173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15484684A Pending JPS6132513A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 薄膜生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132513A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011001634A (ja) * | 2010-09-16 | 2011-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長装置および気相成長方法 |
| JP2016003386A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 株式会社システム技研 | 成膜ホルダ |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15484684A patent/JPS6132513A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011001634A (ja) * | 2010-09-16 | 2011-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長装置および気相成長方法 |
| JP2016003386A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 株式会社システム技研 | 成膜ホルダ |
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