JPS58111380A - アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法Info
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- JPS58111380A JPS58111380A JP56214729A JP21472981A JPS58111380A JP S58111380 A JPS58111380 A JP S58111380A JP 56214729 A JP56214729 A JP 56214729A JP 21472981 A JP21472981 A JP 21472981A JP S58111380 A JPS58111380 A JP S58111380A
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコン太陽電池の製造方法に関
する。
する。
本発明の目的は特性が優れ外蒙の良好なアモルファスシ
リコン太陽電池を得ることである。
リコン太陽電池を得ることである。
モノシラン（ＳｉＨ４）あるいは四フッ化硅素（８１Ｆ
４ ）をプラズマ分解して得られるアモルファスシリコ
ンは太陽光に対する光吸収係数が大である。
４ ）をプラズマ分解して得られるアモルファスシリコ
ンは太陽光に対する光吸収係数が大である。
光伝導度が高い、基板の自由度が大である等の理由から
低価格太陽電池の有望材料として注目を集めている。
低価格太陽電池の有望材料として注目を集めている。
その主たる製造方法は真空槽内に所定のガスを導入して
所定の内圧とし、該真空槽内１１ｃｂけるグロー放電に
より膜形成を行なうプラズマＯＶＤ法である。
所定の内圧とし、該真空槽内１１ｃｂけるグロー放電に
より膜形成を行なうプラズマＯＶＤ法である。
第１図にプラズマＯＶＤ装冒の概要を示す。
図にシいて１，２．３は各々モノシラン、ホスフィン、
ジボランであに各ガスとも水素ガスで希釈してい！、４
，５．６Ｆｉマスフローコントローラでガス流量の精密
制御を行なう、７は真空槽、８はシャワーで高周波の一
方の電極を兼用している。
ジボランであに各ガスとも水素ガスで希釈してい！、４
，５．６Ｆｉマスフローコントローラでガス流量の精密
制御を行なう、７は真空槽、８はシャワーで高周波の一
方の電極を兼用している。
９はす竜ブタ、１０は基板加熱と−タ、１１は高周波電
Ｗ（通常１五５６ＭＨ）、１２は試料基板である。１３
は排気口で真空ポンプ系に接続されている。
Ｗ（通常１五５６ＭＨ）、１２は試料基板である。１３
は排気口で真空ポンプ系に接続されている。
排気口１３により真空排気を行ないながらマス７０−コ
ントローラ４によりモノシランガスヲ導入し所定の内圧
（（１１〜５丁ｏｒｒ ）とした螢、高馬波電ｌ１１１
によ抄電力を供給すると、電ＩＩ８とサセプタ９との間
でグロー放電を起こしプラズマを発生する。このグロー
放電によ〉モノシランが分震され、試料基板１２０表面
にアモルファスシリコン膜が形成される。
ントローラ４によりモノシランガスヲ導入し所定の内圧
（（１１〜５丁ｏｒｒ ）とした螢、高馬波電ｌ１１１
によ抄電力を供給すると、電ＩＩ８とサセプタ９との間
でグロー放電を起こしプラズマを発生する。このグロー
放電によ〉モノシランが分震され、試料基板１２０表面
にアモルファスシリコン膜が形成される。
なお試料基板としてはガラス、金属（ステンレス、モリ
ブデン岬）、高分子フィルム等が使用される。
ブデン岬）、高分子フィルム等が使用される。
アモルファスシリーン属に不純物ドープを行なう場合、
モノシランガスと同時にマス７ｍ−：１７トローラ５又
は６によりホスフィン又はジボランが形成され、徒者の
場合Ｐ形アモルファスシリコン膜が形成される。なおホ
スフィンの代わＩＫフルシンｒＡｓＨａ）を用いても同
様である。
モノシランガスと同時にマス７ｍ−：１７トローラ５又
は６によりホスフィン又はジボランが形成され、徒者の
場合Ｐ形アモルファスシリコン膜が形成される。なおホ
スフィンの代わＩＫフルシンｒＡｓＨａ）を用いても同
様である。
希釈ガスとして水素、ヘリウム、アルゴン等が用いられ
ているが、特に水素が多用されている。
ているが、特に水素が多用されている。
これはアモルファスシリコンを形成する場合、シリコン
原子のダングリングボンドを水素が補償し局在準位密度
を減少させるためである。
原子のダングリングボンドを水素が補償し局在準位密度
を減少させるためである。
従来＃７モル７アスシリコン層形威時には試料基板上に
薄い金属マスクを載量して成膜していた。
薄い金属マスクを載量して成膜していた。
この場合試料基板とマスクの密着性が不十分であると不
要部分にまでアモルファスシリコｙ Ｍｌ １１ 成膜
され外−不良となったシ、逆に所要部分に成膜されない
九め上下の電極がシ璽−卜する等の問題点を有してい喪
。
要部分にまでアモルファスシリコｙ Ｍｌ １１ 成膜
され外−不良となったシ、逆に所要部分に成膜されない
九め上下の電極がシ璽−卜する等の問題点を有してい喪
。
本発明はかかる欠点を除去するもので、試料基板の固定
方法を工夫することＫよ抄特性が優れ外―の良好なアモ
ルファスシリコン太陽電池が得られ丸。
方法を工夫することＫよ抄特性が優れ外―の良好なアモ
ルファスシリコン太陽電池が得られ丸。
する。
槙２図はアモルファスシリコン太陽電池の断面図を示す
。
。
ここで２１はガラス基板、２２は下部電極（工Ｔｏ、８
ｍ伽 等の透明電響）、２３はＰ形アモルファスシリコ
ン層、２４はノンドープ層（ｉｌｌ）、２５はＮ形アモ
ルファスシリコン層、２６は上部電１ｉ（ムｊ、 Ｎｉ
、 Ｏｒ 岬の金属電極にある。
ｍ伽 等の透明電響）、２３はＰ形アモルファスシリコ
ン層、２４はノンドープ層（ｉｌｌ）、２５はＮ形アモ
ルファスシリコン層、２６は上部電１ｉ（ムｊ、 Ｎｉ
、 Ｏｒ 岬の金属電極にある。
第Ｓ図は他のアモルファスシリコン太陽電池のｍｔｉｉ
図である。
図である。
ここで３１はガラス基板、３２は上部電極（工Ｔｏ、Ｆ
ｍＯ雪等の透明電極）、３５けＰ形アモル７アユッリ、
７層、５４はノンドープ層（１層）、３５はＮ形アモル
ファスシリコン層、３６は下部電１Ｍ （Ａｔ、 Ｎｉ
、 Ｏｒ等の金属電極）である。
ｍＯ雪等の透明電極）、３５けＰ形アモル７アユッリ、
７層、５４はノンドープ層（１層）、３５はＮ形アモル
ファスシリコン層、３６は下部電１Ｍ （Ａｔ、 Ｎｉ
、 Ｏｒ等の金属電極）である。
上１太陽電池はいずれも透明電極側から光が入射する。
第４図は多段式アモルファスシリコン太陽電池の上面図
である。
である。
ここで４１はガラス基板、４２は下部電接、４３はアモ
ルファスシリコン層（ｐ、ｉ、ｎ層）、４６は上部電極
である。
ルファスシリコン層（ｐ、ｉ、ｎ層）、４６は上部電極
である。
ガラス基板４１上に透、明電極４２０ノ（ターンを形成
し該透明電極パターンの一部をマスキングしアモルファ
スシリコン層を形成する。
し該透明電極パターンの一部をマスキングしアモルファ
スシリコン層を形成する。
第５ ＷＩ！Ｊ（ａ）は本発明に基づくアモルファスシ
リコン膜形成時の試料基板、マスク及びマグネット郷の
セット状況を示す上面図、同じ＜（ｂ）けＡ−ム′にシ
ける断面図を示す。
リコン膜形成時の試料基板、マスク及びマグネット郷の
セット状況を示す上面図、同じ＜（ｂ）けＡ−ム′にシ
ける断面図を示す。
ここで５１は基板ホルダー、５２ｔｉ試料基板、５３は
マグネット、５４けマスク−２ちる。
マグネット、５４けマスク−２ちる。
該アそルファスシリコン膜形成時試料基板は通常３００
℃前後に加熱される６本考案は従来使用されていたステ
ンレスマスクに代えて、鉄、ニッケル、コバルト等の強
磁性材料（例えばモネル、イン−ネル岬）をマスクとし
て使用し、希土類−コバルト系磁石（例えば８ｍ０ｏｉ
、 ５ｍｍ０ｏｔマ岬の焼結磁石）等の耐熱性磁性
材料を基板ホルダー中に環設してマスクと試料基板の密
着性を向上させるものである。
℃前後に加熱される６本考案は従来使用されていたステ
ンレスマスクに代えて、鉄、ニッケル、コバルト等の強
磁性材料（例えばモネル、イン−ネル岬）をマスクとし
て使用し、希土類−コバルト系磁石（例えば８ｍ０ｏｉ
、 ５ｍｍ０ｏｔマ岬の焼結磁石）等の耐熱性磁性
材料を基板ホルダー中に環設してマスクと試料基板の密
着性を向上させるものである。
本発明の製造方法によに製造されたアモルファスシリコ
ン太陽電池はマスクと試料基板との密着性が良好な丸め
安定し丸太−電池特性が得られ、しかも外替が優れてい
る。
ン太陽電池はマスクと試料基板との密着性が良好な丸め
安定し丸太−電池特性が得られ、しかも外替が優れてい
る。
この為、総合歩留が向上し従来６〇−前後の傭から８０
嘔前後の値となった。
嘔前後の値となった。
以上詳述した如く本発明はアモルファスゲル１ニウム等
他の非晶質半導体にも適用で−る新規なアモルファスシ
リコン太陽電池の製造方法を提供するものである。
他の非晶質半導体にも適用で−る新規なアモルファスシ
リコン太陽電池の製造方法を提供するものである。
第１図はプラズマｏｖ”ｎ＊曾の概要を示す。
第２図はアモルファスシリコン太隆電池０１１＃図を示
す。 第５図は他のアモルファスシリコン太陽電池のＩＦ＋ｒ
Ｍ５１１を示ス。 第４図は多段式アモルファスシリコン太陽電池９上＃Ｕ
図を示す。 第５ 図（ａ）、 （ｂ）は本発明に基づくアモルファ
スシリコン膜形成時の試料基板、マスク及びマグネット
岬のセット状況を示す上面図及び断面図である。 以 上 出星人 株式会社 諏訪精工金 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図 第４図
す。 第５図は他のアモルファスシリコン太陽電池のＩＦ＋ｒ
Ｍ５１１を示ス。 第４図は多段式アモルファスシリコン太陽電池９上＃Ｕ
図を示す。 第５ 図（ａ）、 （ｂ）は本発明に基づくアモルファ
スシリコン膜形成時の試料基板、マスク及びマグネット
岬のセット状況を示す上面図及び断面図である。 以 上 出星人 株式会社 諏訪精工金 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図 第４図
Claims (1)
- 絶縁基板上く形成され丸下部電極上ＫＰｉｎ構造のアモ
ルファスシリコン層を形成し、更に上部電極を形成して
成るアモルファスシリコン太陽電池にお−て、該アモル
ファスシリコン層は真空ａＳ系によシ減圧にし得る真空
槽内に所定のガス（モノシラン、ジボラン、ホスフィン
勢）を導入して所定の内圧とし、該真空槽内における放
電現象により成膜を行ない、該アモルファスシリコン層
形成時、強磁性材料をマスクとし基板ホルダー中に堀設
し九耐熱性磁性材料によ抄該マスクと試料基板を密着保
持して成膜することを特徴とするアモルファスシリコン
太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56214729A JPS58111380A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56214729A JPS58111380A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111380A true JPS58111380A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16660639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56214729A Pending JPS58111380A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111380A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59194480A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池の製造法 |
| JPS61116885A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置作製方法 |
| JPH07202229A (ja) * | 1994-07-07 | 1995-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 選択的被膜形成方法 |
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| US8445897B2 (en) | 2008-02-08 | 2013-05-21 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method for manufacturing a multi-layer stack structure with improved WVTR barrier property |
| US8702999B2 (en) | 2008-02-01 | 2014-04-22 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate |
| CN103968664A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-08-06 | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 | 用于太阳能电池的感应烧结炉 |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP56214729A patent/JPS58111380A/ja active Pending
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| US8338307B2 (en) | 2007-02-13 | 2012-12-25 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Substrate plasma treatment using magnetic mask device |
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| CN103968664A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-08-06 | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 | 用于太阳能电池的感应烧结炉 |
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