JPS58111380A - アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS58111380A JPS58111380A JP56214729A JP21472981A JPS58111380A JP S58111380 A JPS58111380 A JP S58111380A JP 56214729 A JP56214729 A JP 56214729A JP 21472981 A JP21472981 A JP 21472981A JP S58111380 A JPS58111380 A JP S58111380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- mask
- sample
- solar cell
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 diborane Chemical compound 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- JCLFHZLOKITRCE-UHFFFAOYSA-N 4-pentoxyphenol Chemical compound CCCCCOC1=CC=C(O)C=C1 JCLFHZLOKITRCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWNRRUFOJXFKCU-UHFFFAOYSA-N Bromadiolone Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(Br)=CC=2)C=CC=1C(O)CC(C=1C(OC2=CC=CC=C2C=1O)=O)C1=CC=CC=C1 OWNRRUFOJXFKCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000219289 Silene Species 0.000 description 1
- 206010047700 Vomiting Diseases 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008673 vomiting Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコン太陽電池の製造方法に関
する。
する。
本発明の目的は特性が優れ外蒙の良好なアモルファスシ
リコン太陽電池を得ることである。
リコン太陽電池を得ることである。
モノシラン（ＳｉＨ４）あるいは四フッ化硅素（８１Ｆ
４ ）をプラズマ分解して得られるアモルファスシリコ
ンは太陽光に対する光吸収係数が大である。
４ ）をプラズマ分解して得られるアモルファスシリコ
ンは太陽光に対する光吸収係数が大である。
光伝導度が高い、基板の自由度が大である等の理由から
低価格太陽電池の有望材料として注目を集めている。
低価格太陽電池の有望材料として注目を集めている。
その主たる製造方法は真空槽内に所定のガスを導入して
所定の内圧とし、該真空槽内１１ｃｂけるグロー放電に
より膜形成を行なうプラズマＯＶＤ法である。
所定の内圧とし、該真空槽内１１ｃｂけるグロー放電に
より膜形成を行なうプラズマＯＶＤ法である。
第１図にプラズマＯＶＤ装冒の概要を示す。
図にシいて１，２．３は各々モノシラン、ホスフィン、
ジボランであに各ガスとも水素ガスで希釈してい！、４
，５．６Ｆｉマスフローコントローラでガス流量の精密
制御を行なう、７は真空槽、８はシャワーで高周波の一
方の電極を兼用している。
ジボランであに各ガスとも水素ガスで希釈してい！、４
，５．６Ｆｉマスフローコントローラでガス流量の精密
制御を行なう、７は真空槽、８はシャワーで高周波の一
方の電極を兼用している。
９はす竜ブタ、１０は基板加熱と−タ、１１は高周波電
Ｗ（通常１五５６ＭＨ）、１２は試料基板である。１３
は排気口で真空ポンプ系に接続されている。
Ｗ（通常１五５６ＭＨ）、１２は試料基板である。１３
は排気口で真空ポンプ系に接続されている。
排気口１３により真空排気を行ないながらマス７０−コ
ントローラ４によりモノシランガスヲ導入し所定の内圧
（（１１〜５丁ｏｒｒ ）とした螢、高馬波電ｌ１１１
によ抄電力を供給すると、電ＩＩ８とサセプタ９との間
でグロー放電を起こしプラズマを発生する。このグロー
放電によ〉モノシランが分震され、試料基板１２０表面
にアモルファスシリコン膜が形成される。
ントローラ４によりモノシランガスヲ導入し所定の内圧
（（１１〜５丁ｏｒｒ ）とした螢、高馬波電ｌ１１１
によ抄電力を供給すると、電ＩＩ８とサセプタ９との間
でグロー放電を起こしプラズマを発生する。このグロー
放電によ〉モノシランが分震され、試料基板１２０表面
にアモルファスシリコン膜が形成される。
なお試料基板としてはガラス、金属（ステンレス、モリ
ブデン岬）、高分子フィルム等が使用される。
ブデン岬）、高分子フィルム等が使用される。
アモルファスシリーン属に不純物ドープを行なう場合、
モノシランガスと同時にマス７ｍ−：１７トローラ５又
は６によりホスフィン又はジボランが形成され、徒者の
場合Ｐ形アモルファスシリコン膜が形成される。なおホ
スフィンの代わＩＫフルシンｒＡｓＨａ）を用いても同
様である。
モノシランガスと同時にマス７ｍ−：１７トローラ５又
は６によりホスフィン又はジボランが形成され、徒者の
場合Ｐ形アモルファスシリコン膜が形成される。なおホ
スフィンの代わＩＫフルシンｒＡｓＨａ）を用いても同
様である。
希釈ガスとして水素、ヘリウム、アルゴン等が用いられ
ているが、特に水素が多用されている。
ているが、特に水素が多用されている。
これはアモルファスシリコンを形成する場合、シリコン
原子のダングリングボンドを水素が補償し局在準位密度
を減少させるためである。
原子のダングリングボンドを水素が補償し局在準位密度
を減少させるためである。
従来＃７モル７アスシリコン層形威時には試料基板上に
薄い金属マスクを載量して成膜していた。
薄い金属マスクを載量して成膜していた。
この場合試料基板とマスクの密着性が不十分であると不
要部分にまでアモルファスシリコｙ Ｍｌ １１ 成膜
され外−不良となったシ、逆に所要部分に成膜されない
九め上下の電極がシ璽−卜する等の問題点を有してい喪
。
要部分にまでアモルファスシリコｙ Ｍｌ １１ 成膜
され外−不良となったシ、逆に所要部分に成膜されない
九め上下の電極がシ璽−卜する等の問題点を有してい喪
。
本発明はかかる欠点を除去するもので、試料基板の固定
方法を工夫することＫよ抄特性が優れ外―の良好なアモ
ルファスシリコン太陽電池が得られ丸。
方法を工夫することＫよ抄特性が優れ外―の良好なアモ
ルファスシリコン太陽電池が得られ丸。
する。
槙２図はアモルファスシリコン太陽電池の断面図を示す
。
。
ここで２１はガラス基板、２２は下部電極（工Ｔｏ、８
ｍ伽 等の透明電響）、２３はＰ形アモルファスシリコ
ン層、２４はノンドープ層（ｉｌｌ）、２５はＮ形アモ
ルファスシリコン層、２６は上部電１ｉ（ムｊ、 Ｎｉ
、 Ｏｒ 岬の金属電極にある。
ｍ伽 等の透明電響）、２３はＰ形アモルファスシリコ
ン層、２４はノンドープ層（ｉｌｌ）、２５はＮ形アモ
ルファスシリコン層、２６は上部電１ｉ（ムｊ、 Ｎｉ
、 Ｏｒ 岬の金属電極にある。
第Ｓ図は他のアモルファスシリコン太陽電池のｍｔｉｉ
図である。
図である。
ここで３１はガラス基板、３２は上部電極（工Ｔｏ、Ｆ
ｍＯ雪等の透明電極）、３５けＰ形アモル７アユッリ、
７層、５４はノンドープ層（１層）、３５はＮ形アモル
ファスシリコン層、３６は下部電１Ｍ （Ａｔ、 Ｎｉ
、 Ｏｒ等の金属電極）である。
ｍＯ雪等の透明電極）、３５けＰ形アモル７アユッリ、
７層、５４はノンドープ層（１層）、３５はＮ形アモル
ファスシリコン層、３６は下部電１Ｍ （Ａｔ、 Ｎｉ
、 Ｏｒ等の金属電極）である。
上１太陽電池はいずれも透明電極側から光が入射する。
第４図は多段式アモルファスシリコン太陽電池の上面図
である。
である。
ここで４１はガラス基板、４２は下部電接、４３はアモ
ルファスシリコン層（ｐ、ｉ、ｎ層）、４６は上部電極
である。
ルファスシリコン層（ｐ、ｉ、ｎ層）、４６は上部電極
である。
ガラス基板４１上に透、明電極４２０ノ（ターンを形成
し該透明電極パターンの一部をマスキングしアモルファ
スシリコン層を形成する。
し該透明電極パターンの一部をマスキングしアモルファ
スシリコン層を形成する。
第５ ＷＩ！Ｊ（ａ）は本発明に基づくアモルファスシ
リコン膜形成時の試料基板、マスク及びマグネット郷の
セット状況を示す上面図、同じ＜（ｂ）けＡ−ム′にシ
ける断面図を示す。
リコン膜形成時の試料基板、マスク及びマグネット郷の
セット状況を示す上面図、同じ＜（ｂ）けＡ−ム′にシ
ける断面図を示す。
ここで５１は基板ホルダー、５２ｔｉ試料基板、５３は
マグネット、５４けマスク−２ちる。
マグネット、５４けマスク−２ちる。
該アそルファスシリコン膜形成時試料基板は通常３００
℃前後に加熱される６本考案は従来使用されていたステ
ンレスマスクに代えて、鉄、ニッケル、コバルト等の強
磁性材料（例えばモネル、イン−ネル岬）をマスクとし
て使用し、希土類−コバルト系磁石（例えば８ｍ０ｏｉ
、 ５ｍｍ０ｏｔマ岬の焼結磁石）等の耐熱性磁性
材料を基板ホルダー中に環設してマスクと試料基板の密
着性を向上させるものである。
℃前後に加熱される６本考案は従来使用されていたステ
ンレスマスクに代えて、鉄、ニッケル、コバルト等の強
磁性材料（例えばモネル、イン−ネル岬）をマスクとし
て使用し、希土類−コバルト系磁石（例えば８ｍ０ｏｉ
、 ５ｍｍ０ｏｔマ岬の焼結磁石）等の耐熱性磁性
材料を基板ホルダー中に環設してマスクと試料基板の密
着性を向上させるものである。
本発明の製造方法によに製造されたアモルファスシリコ
ン太陽電池はマスクと試料基板との密着性が良好な丸め
安定し丸太−電池特性が得られ、しかも外替が優れてい
る。
ン太陽電池はマスクと試料基板との密着性が良好な丸め
安定し丸太−電池特性が得られ、しかも外替が優れてい
る。
この為、総合歩留が向上し従来６〇−前後の傭から８０
嘔前後の値となった。
嘔前後の値となった。
以上詳述した如く本発明はアモルファスゲル１ニウム等
他の非晶質半導体にも適用で−る新規なアモルファスシ
リコン太陽電池の製造方法を提供するものである。
他の非晶質半導体にも適用で−る新規なアモルファスシ
リコン太陽電池の製造方法を提供するものである。
第１図はプラズマｏｖ”ｎ＊曾の概要を示す。
第２図はアモルファスシリコン太隆電池０１１＃図を示
す。 第５図は他のアモルファスシリコン太陽電池のＩＦ＋ｒ
Ｍ５１１を示ス。 第４図は多段式アモルファスシリコン太陽電池９上＃Ｕ
図を示す。 第５ 図（ａ）、 （ｂ）は本発明に基づくアモルファ
スシリコン膜形成時の試料基板、マスク及びマグネット
岬のセット状況を示す上面図及び断面図である。 以 上 出星人 株式会社 諏訪精工金 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図 第４図
す。 第５図は他のアモルファスシリコン太陽電池のＩＦ＋ｒ
Ｍ５１１を示ス。 第４図は多段式アモルファスシリコン太陽電池９上＃Ｕ
図を示す。 第５ 図（ａ）、 （ｂ）は本発明に基づくアモルファ
スシリコン膜形成時の試料基板、マスク及びマグネット
岬のセット状況を示す上面図及び断面図である。 以 上 出星人 株式会社 諏訪精工金 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図 第４図
Claims (1)
- 絶縁基板上く形成され丸下部電極上ＫＰｉｎ構造のアモ
ルファスシリコン層を形成し、更に上部電極を形成して
成るアモルファスシリコン太陽電池にお−て、該アモル
ファスシリコン層は真空ａＳ系によシ減圧にし得る真空
槽内に所定のガス（モノシラン、ジボラン、ホスフィン
勢）を導入して所定の内圧とし、該真空槽内における放
電現象により成膜を行ない、該アモルファスシリコン層
形成時、強磁性材料をマスクとし基板ホルダー中に堀設
し九耐熱性磁性材料によ抄該マスクと試料基板を密着保
持して成膜することを特徴とするアモルファスシリコン
太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56214729A JPS58111380A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56214729A JPS58111380A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111380A true JPS58111380A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16660639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56214729A Pending JPS58111380A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111380A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59194480A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池の製造法 |
| JPS61116885A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置作製方法 |
| JPH07202229A (ja) * | 1994-07-07 | 1995-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 選択的被膜形成方法 |
| WO2008100139A1 (en) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Substrate plasma treatment using magnetic mask device |
| US8323753B2 (en) | 2006-05-30 | 2012-12-04 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method for deposition using pulsed atmospheric pressure glow discharge |
| US8445897B2 (en) | 2008-02-08 | 2013-05-21 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method for manufacturing a multi-layer stack structure with improved WVTR barrier property |
| US8702999B2 (en) | 2008-02-01 | 2014-04-22 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate |
| CN103968664A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-08-06 | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 | 用于太阳能电池的感应烧结炉 |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP56214729A patent/JPS58111380A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59194480A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池の製造法 |
| JPS6320027B2 (ja) * | 1983-04-18 | 1988-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS61116885A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置作製方法 |
| JPH0554711B2 (ja) * | 1984-11-12 | 1993-08-13 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| JPH07202229A (ja) * | 1994-07-07 | 1995-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 選択的被膜形成方法 |
| US8323753B2 (en) | 2006-05-30 | 2012-12-04 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method for deposition using pulsed atmospheric pressure glow discharge |
| WO2008100139A1 (en) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Substrate plasma treatment using magnetic mask device |
| US8338307B2 (en) | 2007-02-13 | 2012-12-25 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Substrate plasma treatment using magnetic mask device |
| US8702999B2 (en) | 2008-02-01 | 2014-04-22 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate |
| US8445897B2 (en) | 2008-02-08 | 2013-05-21 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method for manufacturing a multi-layer stack structure with improved WVTR barrier property |
| CN103968664A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-08-06 | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 | 用于太阳能电池的感应烧结炉 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07263732A (ja) | 多結晶シリコンデバイス | |
| US4292343A (en) | Method of manufacturing semiconductor bodies composed of amorphous silicon | |
| JPS62152171A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS58111380A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 | |
| JPH07230960A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS62151572A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| US4533450A (en) | Control of the hydrogen bonding in reactively sputtered amorphous silicon | |
| JPH0650780B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JPS58102569A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 | |
| JP2000178749A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS58102570A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 | |
| JPS5651878A (en) | Manufacture of mis composition amorphous silicon solar cell | |
| JPS59219927A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS58102571A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 | |
| JPS60128610A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS58102568A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 | |
| JPS59177920A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS5873111A (ja) | 非晶質半導体膜製造装置 | |
| JPS61256625A (ja) | 薄膜半導体素子の製造方法 | |
| JPS63274125A (ja) | 高周波印加電極体構造 | |
| JPS60175413A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6431468A (en) | Manufacture of thin film transistor | |
| JPH01253271A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS5832411A (ja) | アモルフアスシリコンの製造方法 | |
| JPS6299465A (ja) | 堆積膜形成法 |