JPS5850410B2 - 半導体気相成長用サセプタ - Google Patents

半導体気相成長用サセプタ

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Publication number
JPS5850410B2
JPS5850410B2 JP6268476A JP6268476A JPS5850410B2 JP S5850410 B2 JPS5850410 B2 JP S5850410B2 JP 6268476 A JP6268476 A JP 6268476A JP 6268476 A JP6268476 A JP 6268476A JP S5850410 B2 JPS5850410 B2 JP S5850410B2
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JP
Japan
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susceptor
vapor phase
layer
phase growth
wafer
Prior art date
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Expired
Application number
JP6268476A
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English (en)
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JPS52146174A (en
Inventor
朝治 川鍋
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体気相成長用サセプタに関する。
横型の半導体気相成長法では、半導体ウェハ載置面に炭
化ケイ素ＳｉＣを被覆した板状のカーボンサセプタを用
い、このサセプタのウェハ載置面にケイ素ウェハを置き
、反応管内に配置して、少量の不純物ガスを含有する不
活性雰囲気をキャリヤガスとする四塩化ケイ素５ｉｃｋ
４又はトリクロルシラン５ｉＨＣＡ？３等のガス雰囲気
にして反応管外からの加熱を行う。
この方式の場合にはサセプタに載装置されたウェハの外
側周縁を基点とする結晶欠陥、特にスリップ欠陥が多く
発生し、ウェハの直径が５０〜６０ｍ７ｎ径になるとこ
の結晶欠陥の面積は５０〜７０％に達することがある。
そしてこの結晶欠陥によりトランジスタ素子、集積回路
素子等半導体素子の雑音特性を悪化させ、又ウェハの反
りを増加させて製造工程に適しない各種の問題を持込む
に到る。
このような結晶欠陥を除くために第１図に示すサセプタ
がすすめられた。
この例のサセプタ１１は、ウェハ載置面１２に半球状の
くぼみ１３１゜１３２．１３３・・・が設けられ、これ
等のくぼみにウェハ１４Ｌ１４２，１４３・・・を載置
するものである。
このサセプタでは各ウェハは底縁の隅角で支えられウェ
ハ直径が小径である時結果が良好に得られるが、７５關
〜１５０關径の大直径ウェハでは改善されず、気相成長
時の加熱並びにウェハの自重によって反り発生頻度を高
める。
この現象から応力集中による結晶欠陥を増大し、半導体
素子製造工程に適しないウェハが形成されることになる
。
この発明はこのような欠点を除き改良されたサセプタを
提供するもので、即ちカーボン本体層と、この本体層に
表面を露出して中心領域で浅く外側領域に向ってより深
く埋設され且つ本体層に比較して電気型導度のより良好
なカーボン埋設層から成り、埋設層露出表面に半導体ウ
ェハを載置して気相成長層を形成させるための半導体気
相成長用サセプタにある。
このようなこの発明のサセプタに載置されて気相成長さ
れた半導体ウェハは反り並びに結晶欠陥の発生を防止さ
れて半導体素子製造に好適するものとなる。
以下実施例のサセプタを示す第２図について更に詳細に
説明する。
第２図でこの例のサセプタ２１は、カーボン本体層２５
の中に本体層に比較して電気伝導度の良好なカーボン埋
設層２６１．２６２，２６３が埋設されている。
これ等の埋設層は表面２６１’、２６２’、２６３’を
露出し中心領域で浅く外側領域に向ってより深く埋設さ
れている。
埋設層の露出表面は、本体層表面と同一面をなすように
平面加工され、炭化ケイ素ＳｉＣを被覆しである。
この露出表面上に例えばケイ素ウェハ２４Ｌ２４２，２
４３を載置するために埋設層の直径はウェハ直径より犬
に設計される。
このサセプタ上に載置されたウェハは、常法に従い少量
の不純物ガス及び不活性雰囲気をキャリヤとする四塩化
ケイ素、トリクロルシラン等のガスが流通する反応管中
に配置され、反応管外側から高周波加熱されて、表面に
ケイ素気相成長層を生成される。
この場合高周波電流はサセプタの本体層よりも電気伝導
度のより良好な埋設層に多く流れ、埋設層形状が中心領
域で埋設容量を小に、外側領域に向って埋設容量を増大
しているために、ウェハ温度分布の外周での低下を防止
する。
従ってこのサセプタは、大直径ウェハになるにつれて増
加する、ウェハ周辺部起点の結晶欠陥発生を防止する。
又サセプタの埋設層表面にウェハの全体が支持されるた
め、大直径ウコハであっても自重により加熱時に発生す
る反りを招くようのことがない。
それ故このサセプタによれば半導体素子用無欠陥大直径
気相成長ウェハを容易に提供出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のサセプタを、第２図はこの発明のサセプ
タを倒れも半導体ウェハを載置して示す断面図である。 第２図で、２５・・・・・・本体層、２６Ｌ２６２゜２
６３・・・・・・埋設層、２１・・・・・・サセプタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ カーボン本体層と、この本体層に表面を露出して中
    心領域で浅く外側領域に向ってより深く埋設され且つ本
    体層に比較して電気伝導度のより良好なカーボン埋設層
    とから成り、埋設層露出表面に半導体ウェハを載置して
    気相成長層を形成させるための半導体気相成長用サセプ
    タ。
JP6268476A 1976-05-29 1976-05-29 半導体気相成長用サセプタ Expired JPS5850410B2 (ja)

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JPS52146174A JPS52146174A (en) 1977-12-05
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JPS5742174Y2 (ja) * 1978-07-28 1982-09-17
JPS55121649A (en) * 1979-03-14 1980-09-18 Pioneer Electronic Corp Cvd device
JPS5932123A (ja) * 1982-08-18 1984-02-21 Sony Corp 気相成長法
JP5668275B2 (ja) * 2009-04-08 2015-02-12 株式会社Sumco Ｓｏｉウェーハの製造方法及び貼り合わせ装置

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JPS52146174A (en) 1977-12-05

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