JP2566796B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/08—Preparation of the foundation plate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は絶縁被膜で覆った半導体基板の表面上に気
相成長法により厚い多結晶成長膜を堆積する誘電体分離
基板の支持基板の製造に使用する縦型の気相成長装置の
改良に関するものである。
相成長法により厚い多結晶成長膜を堆積する誘電体分離
基板の支持基板の製造に使用する縦型の気相成長装置の
改良に関するものである。
従来の技術 特開昭60−160611号公報に開示されているように、各
種の気相成長装置が既に公知である。
種の気相成長装置が既に公知である。
例えば、従来の縦型気相成長装置は、反応炉の中にサ
セプターが水平姿勢を維持して設けられ、そのサセプタ
ーの下部に加熱用の高周波コイルが設けられている。
セプターが水平姿勢を維持して設けられ、そのサセプタ
ーの下部に加熱用の高周波コイルが設けられている。
サセプターは炭素基材の全面に同じ20〜200μｍ厚のS
iC膜が形成されている。
iC膜が形成されている。
発明が解決しようとする問題点 最近、サセプターが大型になるにつけ、サセプターの
周辺部が下向きにそってしまう欠点が目立つようになっ
てきた。これによりサセプターに設置するウエーハに悪
影響を受けることが判明した。
周辺部が下向きにそってしまう欠点が目立つようになっ
てきた。これによりサセプターに設置するウエーハに悪
影響を受けることが判明した。
発明の目的 この発明は前述のような従来装置の欠点を解消して、
サセプターのそり現象を回避することのできる気相成長
装置を提供することを目的としている。
サセプターのそり現象を回避することのできる気相成長
装置を提供することを目的としている。
発明の要旨 前述の目的を達成するために、この発明は特許請求の
範囲第１項に記載それた気相成長装置を要旨としてい
る。
範囲第１項に記載それた気相成長装置を要旨としてい
る。
問題点を解決するための手段 この発明においては、サセプター12の上面側のSiC膜
と下面側のSiC膜とが異なる膜厚を有する。すなわち、
上面側の膜厚（たとえば90μｍ）を下面側の膜厚（たと
えば60μｍ）の1.1〜1.5倍に設定する。これによってサ
セプター12のそりを防止するのである。
と下面側のSiC膜とが異なる膜厚を有する。すなわち、
上面側の膜厚（たとえば90μｍ）を下面側の膜厚（たと
えば60μｍ）の1.1〜1.5倍に設定する。これによってサ
セプター12のそりを防止するのである。
そのようなサセプター12を備えるものであれば気相成
長装置の構造は任意のものでよいが、好ましくはガス管
14の外側に支持管11を同心に設け、その支持管11のう
ち、少なくともサセプター12と接触するフランジ部分11
aをSi3N4焼結体またはそれと同等の熱膨脹係数の基材で
構成し、その表面に更にSi3N4のコーティング層を設け
る。フランジ部分11aだけでなく、支持管11の全体をSi3
N4焼結体またはそれと同等の熱膨脹係数の基材で構成
し、その表面全体をSi3N4のコーティング層で被覆する
と、さらに効果的である。
長装置の構造は任意のものでよいが、好ましくはガス管
14の外側に支持管11を同心に設け、その支持管11のう
ち、少なくともサセプター12と接触するフランジ部分11
aをSi3N4焼結体またはそれと同等の熱膨脹係数の基材で
構成し、その表面に更にSi3N4のコーティング層を設け
る。フランジ部分11aだけでなく、支持管11の全体をSi3
N4焼結体またはそれと同等の熱膨脹係数の基材で構成
し、その表面全体をSi3N4のコーティング層で被覆する
と、さらに効果的である。
作用効果 サセプター12の下面側のSiC膜が上面側のSiC膜よりも
厚いので、サセプター12の周辺部が下向きにそることが
阻止される。そのため、サセプター12の上面は常に平坦
に保持でき、ウエーハを良好な状態で処理できる。
厚いので、サセプター12の周辺部が下向きにそることが
阻止される。そのため、サセプター12の上面は常に平坦
に保持でき、ウエーハを良好な状態で処理できる。
実施例 以下、図面を参照して、この発明の好適な実施例を説
明する。
明する。
この発明による気相成長装置は特にサセプターの構造
を改良したものであり、その他の部分の構成は従来と同
様のものを採用できる。
を改良したものであり、その他の部分の構成は従来と同
様のものを採用できる。
さて、この発明においては、炭素基材のサセプター12
の上面側に薄い（たとえば60μｍ）厚みのSiC膜を形成
し、下面側には厚い（たとえば90μｍ）厚みのSiC膜を
形成する。上面側と下面側の膜厚の比を1.1〜1.5に設定
する。
の上面側に薄い（たとえば60μｍ）厚みのSiC膜を形成
し、下面側には厚い（たとえば90μｍ）厚みのSiC膜を
形成する。上面側と下面側の膜厚の比を1.1〜1.5に設定
する。
ガス管14の外側に支持管11を同心状態に設け、その支
持管11を特別な構成としている。すなわち、支持管11の
全体または少なくともフランジ部分11aをSi3N4焼結体ま
たはそれと同等の熱膨脹係数の基材で構成し、その表面
にさらにSi3N4のコーティング層を設けている。このSi3
N4のコーティング層の厚さはその基材中の不純物が外部
に飛出さない程度の厚みにするのが望ましい。
持管11を特別な構成としている。すなわち、支持管11の
全体または少なくともフランジ部分11aをSi3N4焼結体ま
たはそれと同等の熱膨脹係数の基材で構成し、その表面
にさらにSi3N4のコーティング層を設けている。このSi3
N4のコーティング層の厚さはその基材中の不純物が外部
に飛出さない程度の厚みにするのが望ましい。
フランジ部分11aは図示した形状のみでなく、他の種
々の形状を採用することができる。例えば、フランジ部
分11aを支持管11の一定位置に固定しないで、必要に応
じて上下に位置を調節できるように構成することもでき
る。
々の形状を採用することができる。例えば、フランジ部
分11aを支持管11の一定位置に固定しないで、必要に応
じて上下に位置を調節できるように構成することもでき
る。
サセプター12は中心に貫通孔を有し、その内周部が支
持管11のフランジ部分11aによって支持されている。サ
セプター12は水平を保ちつつ支持管11と一緒に回転可能
となっている。ガス管14は固定されたままである。
持管11のフランジ部分11aによって支持されている。サ
セプター12は水平を保ちつつ支持管11と一緒に回転可能
となっている。ガス管14は固定されたままである。
高周波コイル13がそのサセプター12の下方部に配置さ
れており、加熱に供される。
れており、加熱に供される。
ウエーハ５はサセプター12の上側に設置される。
ガス管14の内部を通ってシリコンエピタキシャルガス
がガス管14の上方部の孔から吹き出され、各ウエーハ５
に至り、周知の気相成長が行なわれる。
がガス管14の上方部の孔から吹き出され、各ウエーハ５
に至り、周知の気相成長が行なわれる。
この結果、従来の方法で得たサセプターのSiウエーハ
の不良発生は1000枚につき３〜５枚であった。本発明の
実施例によれば表−１に示すように改善された。
の不良発生は1000枚につき３〜５枚であった。本発明の
実施例によれば表−１に示すように改善された。
第１図はこの発明による縦型気相成長装置の主要部分を
示す概略縦断面図である。 11……支持管 12……サセプター 13……高周波コイル 14……ガス管 ５……ウエーハ 11a……フランジ部分
示す概略縦断面図である。 11……支持管 12……サセプター 13……高周波コイル 14……ガス管 ５……ウエーハ 11a……フランジ部分
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁被膜で覆った半導体基板の表面上に気
相成長法により厚い多結晶成長膜を堆積する誘電体分離
基板の支持基板の製造に使用する縦型の気相成長装置に
おいて、反応炉中に水平に配置したサセプターが炭素基
材の表面にSiC膜を形成したものであって、かつサセプ
ターの上面側の膜厚に比較して下面側の膜厚が1.1〜1.5
倍になっていることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283054A JP2566796B2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 気相成長装置 |
| KR1019880013517A KR930004238B1 (ko) | 1987-11-11 | 1988-10-17 | 세로형 기상(氣相)성장장치 및 방법 |
| IT8822503A IT1227859B (it) | 1987-11-11 | 1988-11-04 | Apparecchiatura verticale di accrescimento in fase vapore e relativo procedimento |
| DE3837584A DE3837584A1 (de) | 1987-11-11 | 1988-11-05 | Verfahren und vorrichtung zum vertikalen aufdampfaufwachsen |
| FR888814668A FR2622899B1 (fr) | 1987-11-11 | 1988-11-10 | Appareil vertical de cristallisation en phase vapeur,et procede pour son utilisation |
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|---|---|---|---|
| JP62283054A JP2566796B2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 気相成長装置 |
Publications (2)
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| JPH01125819A JPH01125819A (ja) | 1989-05-18 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62283054A Expired - Fee Related JP2566796B2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 気相成長装置 |
Country Status (5)
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| KR (1) | KR930004238B1 (ja) |
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| DE19631168C1 (de) * | 1996-08-01 | 1998-01-08 | Siemens Ag | Verfahren zur Vorbehandlung von Substratträgern für Gasphasenepitaxie |
| DE19803423C2 (de) * | 1998-01-29 | 2001-02-08 | Siemens Ag | Substrathalterung für SiC-Epitaxie und Verfahren zum Herstellen eines Einsatzes für einen Suszeptor |
| US6770144B2 (en) * | 2000-07-25 | 2004-08-03 | International Business Machines Corporation | Multideposition SACVD reactor |
| JP4183945B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2008-11-19 | コバレントマテリアル株式会社 | ウェーハ熱処理用部材 |
| KR102051668B1 (ko) * | 2016-12-20 | 2019-12-04 | 주식회사 티씨케이 | SiC 증착층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
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| US3399651A (en) * | 1967-05-26 | 1968-09-03 | Philco Ford Corp | Susceptor for growing polycrystalline silicon on wafers of monocrystalline silicon |
| JPS58125608A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-26 | Nec Corp | グラフアイト板の表面に均一なＳｉＣ膜を形成する方法とその装置 |
| JP2671914B2 (ja) * | 1986-01-30 | 1997-11-05 | 東芝セラミックス 株式会社 | サセプタ |
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1987
- 1987-11-11 JP JP62283054A patent/JP2566796B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-10-17 KR KR1019880013517A patent/KR930004238B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 1988-11-05 DE DE3837584A patent/DE3837584A1/de active Granted
- 1988-11-10 FR FR888814668A patent/FR2622899B1/fr not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE3837584A1 (de) | 1989-05-24 |
| JPH01125819A (ja) | 1989-05-18 |
| KR890008939A (ko) | 1989-07-13 |
| IT8822503A0 (it) | 1988-11-04 |
| IT1227859B (it) | 1991-05-10 |
| DE3837584C2 (ja) | 1993-01-28 |
| FR2622899B1 (fr) | 1992-01-03 |
| KR930004238B1 (ko) | 1993-05-22 |
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