JP5999511B2 - 気相エピタキシャル成長装置及びそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置及びそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 Download PDFInfo
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Description
はじめに、従来の図6〜8に示されるサセプタサポート103を用いた従来の気相エピタキシャル成長装置を使用して、基板Wの表面にエピタキシャル層を成層した。成層条件は以下の通りである。
不純物としてボロンを含有した抵抗率が8.0〜12.0Ω・cm、直径が200mmのシリコン基板を用意した。そのシリコン基板上に、成長温度1130度、ドーパントガスにBH3、成層ガスにトリクロロシラン(TCS)を用いてエピタキシャル層抵抗率10.0Ω・cm、エピタキシャル層厚2μmとなるようなエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長(CVD法)を行うことによってエピタキシャルウェーハを製造し、ウェーハ裏面外周部のSi堆積層厚を測定した。図5にウェーハ裏面外周部のSi堆積層厚を示す。図5に示したように、比較例では、ウェーハ裏面外周部に30nmのSi層が堆積されていた。
次に、図1〜4に示されるサセプタサポート13を用いた本発明の気相エピタキシャル成長装置を使用して、基板Wの表面にエピタキシャル層を成層した。成層条件は以下の通りである。不純物としてボロンを含有した抵抗率が8.0〜12.0Ω・cm、直径が200mmのシリコン基板を用意した。そのシリコン基板上に、成長温度1130度、ドーパントガスにBH3、成層ガスにトリクロロシラン(TCS)を用いてエピタキシャル層抵抗率10.0Ω・cm、エピタキシャル層厚2μmとなるようなエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長(CVD法)を行うことによってエピタキシャルウェーハを製造し、ウェーハ裏面外周部のSi堆積層厚を測定した。図5にウェーハ裏面外周部のSi堆積層厚を示す。図5に示したように、実施例では、ウェーハ裏面外周部に0.5nmのSi層が堆積されていた。
Claims (2)
- 反応ガスを基板に対して水平に導入して、基板上に薄膜を気相成長させるための反応容器と、前記反応容器内に水平に配置され、前記基板を載置するための座ぐり部を備え、該座ぐり部の最外周部より内側に2以上のサセプタ貫通孔が設けられているサセプタと、前記サセプタの上下に配設される加熱手段と、前記サセプタの下面に設けられ、前記サセプタを支持するサセプタサポートと、を有し、
前記サセプタサポート が、前記サセプタ貫通孔の全てを覆う領域まで前記サセプタ下面をカバーするようにその周縁端部を前記サセプタ下面に当接せしめて前記サセプタ下面との接触面に間隙がないように円周支持する漏斗状サセプタ下面カバー部と、前記サセプタ下面カバー部の中心に設けられたサポートシャフトと、前記サセプタ下面カバー部の中心付近に設けられた少なくとも一つのサセプタ下面カバー部貫通孔と、を備え、前記サセプタ下面カバー部貫通孔が、前記サセプタ下面カバー部の周縁端部よりも下方に位置することを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。 - 請求項1記載の気相エピタキシャル成長装置を用い、前記気相エピタキシャル成長装置のサセプタの座ぐり部に基板を載置し、前記加熱手段にて前記基板を加温し、反応ガスを前記反応容器内に前記基板に対して水平に導入しながら前記基板上にエピタキシャル層の気相成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
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