JP5299359B2 - エピタキシャル成長装置 - Google Patents
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Description
図7に示すエピタキシャル成長装置101は、外気と遮断した状態で、反応ガス供給手段104から反応ガスをチャンバー102内へと供給し(反応後のガスは反応ガス排出手段105によりチャンバー102外へと排出される)、チャンバー102内に配置されサポートシャフト107(主支柱171及び副支柱172からなる)により支持されているサセプタ103上のウェーハW´を処理することにより、ウェーハW´に薄膜をエピタキシャル成長させるものである。
このような貫通孔を有するサセプタを具備するエピタキシャル成長装置として、例えば特許文献1や特許文献2に記載されたものを挙げることができる。
少なくとも、チャンバーと、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板を載置する、複数の貫通孔を有するサセプタと、該サセプタを支持するサポートシャフトと、前記チャンバー内の前記サセプタ上に載置された基板に反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、反応後のガスを前記チャンバー外に排出する反応ガス排出手段とを具備するエピタキシャル成長装置であって、
前記サセプタの裏面側を覆うカバーを具備するものであることを特徴とするエピタキシャル成長装置を提供する。
またこの場合、前記カバーのサポートシャフトへの固定が溶接によるものであることが好ましい。
このように、カバーがサポートシャフトに固定、特には溶接により固定されているものであれば、基板裏面側への反応ガスの侵入をより効果的に防ぐことができる。
このように、カバーがサポートシャフトから脱着できるものであれば、カバーが老朽化した際にもカバーのみを取り替えることができるので、経済的である。
このように、カバー内にキャリアガスを供給するための、キャリアガス供給手段を具備するものであれば、必要に応じて基板裏面側にキャリアガスを供給することもできる。
このように、カバーとサセプタとの間に5mm以下のクリアランスを設けたものであれば、反応ガスがカバー内へと侵入する隙間を与えることなく、カバー内に供給されたキャリアガスをカバー外に排出することができる。
このように、キャリアガス供給手段のキャリアガス噴出口にガスノズルを設けたものであれば、キャリアガスを多量に供給する場合であっても、基板中心部の温度を下げることなく、キャリアガスを供給することができる。
このように、キャリアガス供給手段のキャリアガス噴出口にシャワー板を設けたものであれば、キャリアガスをより均一に供給することができる。
このように、石英製のカバーであれば、外部環境の影響を受けにくいため、カバーが老朽化し難く、経済的である。
少なくとも、チャンバーと、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板を載置する、複数の貫通孔を有するサセプタと、該サセプタを支持するサポートシャフトと、前記チャンバー内の前記サセプタ上に載置された基板に反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、反応後のガスを前記チャンバー外に排出する反応ガス排出手段とを具備するエピタキシャル成長装置を用いて、前記サセプタ上に載置された基板に前記反応ガス供給手段から反応ガスを供給しながら基板上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、
前記前記サセプタの裏面側をカバーで覆い、その後、前記気相成長を行うことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
このように、石英製のカバーを用いれば、外部環境の影響を受けにくいため、カバーが老朽化し難く、経済的である。
前述のように、リフトピンを用いたり、基板裏面にH2を供給したりする際には、また、基板の滑りを防止したり、処理後の基板を剥離し易くする目的から、基板を載置するサセプタとして、複数の貫通孔を有するサセプタが用いられることがあるが、このような貫通孔を複数有するサセプタを具備するエピタキシャル装置を用いて基板にエピタキシャル成長を行うと、基板裏面側にもエピタキシャル層が形成されてしまい、その結果、基板裏面の平坦度が悪化し、フォトリソグラフィ工程でデフォーカスを引き起こすことがあった。
図1は本発明のエピタキシャル成長装置の一例を示す概略図である。
図1に示すように、本発明のエピタキシャル成長装置1は、例えばSUSからなるチャンバーベース21と、チャンバーベース21を上下から挟む透明石英部材22と、チャンバーベース21をカバーする不透明石英部材23とからなるチャンバー2を備え、チャンバー2内には、エピタキシャル成長させるウェーハWを載置するためのサセプタ3(黒鉛製)が配置されている。
そして、サセプタ3の裏面を覆う形で、副支柱72の内側にカバー91が配置されている。
このとき、図1のようにカバー91は副支柱72に溶接等により固定されていてもよいが、図2のように副支柱72に嵌合できるようにして脱着式のカバー92としてもよい。
また、図6のようにキャリアガス供給手段にシャワー板14を併設したものであれば、キャリアガスをカバー96内に、より均一に供給することができる。
次に、ウェーハWの主表面に形成されている自然酸化膜を除去する為の気相エッチングを行う。この気相エッチングは、次工程である気相成長の直前まで行われる。
[実施例1〜6]
それぞれ図1〜6に示す、本発明のエピタキシャル成長装置(実施例1〜6)を用いて、直径300mmのシリコンウェーハ表面側に5μm厚さのエピタキシャル層を形成し、その際の半径148mm位置のウェーハ裏面側8点の平均デポ厚(以下、便宜上「エピタキシャル層厚」とする)を測定した。結果を表1及び図8(実施例平均)に示す。
尚、本実施例では、図中のカバーとして、直径330mm、深さ30mm(石英製)のものを用い、サセプタにはSiコートを施さなかった。
まずエピタキシャル成長前後のウェーハ厚を光学干渉式フラットネス測定器で求め、これらの差分からウェーハ表面側と裏面側の両方に成長したウェーハ全体のエピタキシャル層厚を求めた。
次に、エピタキシャル成長後ウェーハをFT−IR測定器で測定して、ウェーハ表面側のみのエピタキシャル層厚を求めた。
そして、ウェーハ全体とウェーハ表面側のエピタキシャル層厚の差分を取ることによって、ウェーハ裏面側のエピタキシャル層厚を求めた。
[比較例]
一方、従来のエピタキシャル成長装置を用いた比較例では、ウェーハ裏面側外周領域でエピタキシャル層の形成が顕著であり、そのエピタキシャル層厚は65nmとなった。
21…チャンバーベース、 22…透明石英部材、 23…不透明石英部材、
3、103…サセプタ、 4、104…反応ガス供給手段、
5、105…反応ガス排出手段、 6、106…貫通孔、
7、107…サポートシャフト、 71、171…主支柱、 72、172…副支柱、
8…ウェーハ回転機構、
91、92、93、94、95、96…カバー(石英カバー)、
10…キャリアガス供給手段、 11…クリアランス、 12…キャリアガス噴出口、
13…ガスノズル、 14…シャワー板、 W、W´…ウェーハ。
Claims (6)
- 少なくとも、チャンバーと、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板を載置する、複数の貫通孔を有するサセプタと、該サセプタを支持するサポートシャフトと、前記チャンバー内の前記サセプタ上に載置された基板に反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、反応後のガスを前記チャンバー外に排出する反応ガス排出手段とを具備するエピタキシャル成長装置であって、
前記サセプタの裏面側を覆うカバーを具備するものであり、
前記カバーが、前記サポートシャフトに溶接により固定されているものであり、
更に、前記カバー内にキャリアガスを供給するための、キャリアガス供給手段を具備するものであり、
前記カバーと前記サセプタとの間に5mm以下のクリアランスを設けたものであることを特徴とするエピタキシャル成長装置。 - 少なくとも、チャンバーと、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板を載置する、複数の貫通孔を有するサセプタと、該サセプタを支持するサポートシャフトと、前記チャンバー内の前記サセプタ上に載置された基板に反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、反応後のガスを前記チャンバー外に排出する反応ガス排出手段とを具備するエピタキシャル成長装置であって、
前記サセプタの裏面側を覆うカバーを具備するものであり、
前記カバーが、前記サポートシャフトに溶接により固定されているものであり、
更に、前記カバー内にキャリアガスを供給するための、キャリアガス供給手段を具備するものであり、
前記キャリアガス供給手段のキャリアガス噴出口にガスノズルを設けたものであることを特徴とするエピタキシャル成長装置。 - 少なくとも、チャンバーと、該チャンバー内に配置され、エピタキシャル成長させる基板を載置する、複数の貫通孔を有するサセプタと、該サセプタを支持するサポートシャフトと、前記チャンバー内の前記サセプタ上に載置された基板に反応ガス供給源からの反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、反応後のガスを前記チャンバー外に排出する反応ガス排出手段とを具備するエピタキシャル成長装置であって、
前記サセプタの裏面側を覆うカバーを具備するものであり、
前記カバーが、前記サポートシャフトに溶接により固定されているものであり、
更に、前記カバー内にキャリアガスを供給するための、キャリアガス供給手段を具備するものであり、
前記キャリアガス供給手段のキャリアガス噴出口にシャワー板を設けたものであることを特徴とするエピタキシャル成長装置。 - 前記キャリアガス供給手段のキャリアガス噴出口にガスノズルを設けたものであることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記キャリアガス供給手段のキャリアガス噴出口にシャワー板を設けたものであることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記カバーが石英製であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のエピタキシャル成長装置。
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