JPH10340896A - プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法

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JPH10340896A
JPH10340896A JP9163571A JP16357197A JPH10340896A JP H10340896 A JPH10340896 A JP H10340896A JP 9163571 A JP9163571 A JP 9163571A JP 16357197 A JP16357197 A JP 16357197A JP H10340896 A JPH10340896 A JP H10340896A
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】サセプタへのウエハ基板の吸着を防止し，プロ
セス安定性及び再現性の高いサセプタを与える。 【解決手段】プラズマＣＶＤ用のサセプタが与えられ
る。サセプタ表面は連続して形成された凹部及び凸部を
有し，該凸部において急峻な突起部が完全に除去されて
いる。該サセプタはアルミニウムまたはアルミニウム合
金から成り，その表面のRa値は１μm≦Ra≦８μmに制御
され，サセプタのウエハ保持面積の５０〜８０％がウエ
ハと接触する。サセプタの表面を粗化処理する方法は，
サセプタの表面を機械的に平坦加工する工程と，平坦加
工されたサセプタの表面をショットブラスト処理する工
程と，ショットブラスト処理されたサセプタの表面を化
学的，電気化学的及び／又は機械的に研磨処理する工程
とから成る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，プラズマ励起ＣＶ
Ｄ装置内でウエハ基板を載置し保持するためのサセプタ
に関し，特にその表面構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空排気機構を備えた真空容器中で，高
周波プラズマにより励起されたソースガスを用いて，ウ
エハ基板上に薄膜を成長させるＣＶＤ装置が，半導体及
び液晶ディスプレイ製造工程に一般的に使用されてい
る。ウエハ基板は，高周波電極の一方を構成するサセプ
タ上に載置され，良好な成長膜質を得るために400℃程
度の所定の温度まで加熱される。真空容器中に供給され
たソースガスは，高周波電力が供給された上部電極と，
接地された下部電極との間で形成されるプラズマ空間内
に導入され，活性状態に励起される。
【０００３】プラズマ励起ＣＶＤ法によりウエハ上にシ
リコン酸化膜(SiO2)を形成する際には，ソースガスとし
て，モノシラン(SiH4)ガス及び一酸化二窒素(N2O)ガス
が使用される。またウエハ基板上にシリコン窒化膜(Si
N)を形成する際には，ソースガスとして，モノシラン(S
iH4)ガス，アンモニア(NH3)ガス及び窒素(N2)ガスが使
用される。
【０００４】ウエハ基板上へ成膜処理する工程におい
て，真空容器内部の基板以外の場所，例えば，上部電極
表面またはウエハ基板外周より外側のサセプタの表面部
にも膜が形成される。それら不所望の膜は，徐々に厚さ
を増し，表面の温度変化により剥離して，反応炉内を浮
遊した後ウエハ基板上に落下付着するといった問題を起
こす。それを防止するべく，従来のプラズマ励起ＣＶＤ
装置では，上記不所望の生成膜を除去するために，定期
的に反応炉内部をプラズマエッチングにより清掃してい
る。プラズマエッチングによる炉内部の清掃には，一般
にソースガスとして，CF4,C2F6またはNF3などのフッ素
を含んだガスが用いられる。フッ素を含んだ活性イオン
種は，電極表面，サセプタ表面または反応炉内壁に付着
した生成物を化学的に除去する。
【０００５】従来のサセプタは，一般にアルミニウムま
たはアルミニウム合金から成り，その表面は１μm以下
の平均粗さ(Ra)まで平滑に機械加工されている。ここで
Ra値とは算術平均粗さを示し，"JIS B0601-1994 日本規
格協会発行 1994"に定義された粗さの指標値である。Ra
値の数値が大きいほど表面が粗いことを意味する。
【０００６】アルミニウムはフッ素と反応しやすく副生
成物による汚染の可能性があるため，米国特許第5,039,
388号に記載されるように，当該サセプタ表面にはフッ
素プラズマから保護するための陽極酸化膜がコーティン
グされる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしこの従来のサセ
プタ構造には以下のような問題がある。H.P.W.Heyらに
よる"SOLID STATE TECHNOLOGY, P139, April 1990"が指
摘するように，表面が陽極酸化膜処理されたサセプタ上
に載置されたウエハ基板は，プラズマ空間で発生した電
場中に置かれることになり，そこでイオン衝撃を受ける
結果，反応炉内でのプラズマ処理工程において帯電して
サセプタに吸着してしまう。成膜が終了した後にウエハ
基板がサセプタに吸着していればサセプタから基板を容
易に取り外すことができず，次の基板処理工程及び基板
搬出後に実行されるプラズマエッチングによる反応炉内
部の清掃処理がスムーズに実行できなくなる。
【０００８】そこで，従来のサセプタ表面上には，ショ
ットブラスト処理によって凹凸が設けられている。この
ように加工するのは，サセプタ表面とウエハ基板裏面の
接触割合を減少させ吸着力を低減させるためである。
【０００９】しかし従来のこの方法では突出した急峻な
先端部がサセプタ表面上に形成されてしまう。該先端部
はウエハ基板との接触を繰り返すことにより徐々に磨耗
し，そこで発生する固体粒子が不純物汚染の原因のひと
つになる。
【００１０】また，該先端部の磨耗は，汚染以外に，形
成される薄膜の膜質にも重大な影響を及ぼす。磨耗が進
むとサセプタとウエハの接触割合が増大するため，サセ
プタからウエハへの熱伝導が変化し，ウエハ温度は設定
値からずれていく。ウエハ温度が設定値よりも高いと膜
の成長速度は遅くなり所定の成膜時間では一般に膜厚の
薄いものができる。また，磨耗が進みサセプタとウエハ
の接触割合が増大すると，ウエハ基板のポテンシャルは
サセプタと同様の接地状態（ポテンシャルゼロ状態）に
近づくため，上部の高周波電極からのイオン衝撃が大き
くなり，圧縮応力の大きい硬い膜が生成される。このよ
うに，サセプタ表面に形成された急峻な先端部の磨耗は
膜のプロセス条件に重大な影響を及ぼすのである。
【００１１】したがって，本発明の目的は，基板が吸着
することのないサセプタを与えることである。
【００１２】また，本発明の他の目的は，汚染の少ない
プラズマＣＶＤ装置を与えることである。
【００１３】さらに，本発明の目的は，表面が磨耗変化
しないサセプタを与えることである。
【００１４】さらにまた本発明の目的は，長時間の連続
使用に対しプロセス条件の調整の必要のない，安定した
成膜処理が可能なサセプタを与えることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るサセプタは以下のような構成を有する。
【００１６】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置用のサセ
プタは，その表面が連続して形成された凹部及び凸部を
有し，該凸部において急峻な突起部が完全に除去されて
いることを特徴とする。
【００１７】また，サセプタ表面のRa値は好適には１μ
m≦Ra≦８μmである。
【００１８】具体的には，該サセプタのウエハ保持面積
の５０〜８０％がウエハと接触している。
【００１９】当該サセプタの材質としては，アルミニウ
ムまたはアルミニウム合金を使用することができる。
【００２０】さらに，当該サセプタの表面には，酸化ア
ルミニウム，窒化アルミニウムまたはアルマイト薄膜が
被膜処理されることもできる。
【００２１】一方本発明に係るプラズマＣＶＤ装置用の
サセプタの表面を粗化処理する方法は，前記サセプタの
表面を機械的に平坦加工する工程と，前記平坦加工され
た前記サセプタの表面をショットブラスト処理する工程
と,前記ショットブラスト処理された前記サセプタの表
面を化学的，電気化学的及び／又は機械的に研磨処理す
る工程と，から成り，前記サセプタの表面から急峻な突
起部が完全に除去され，前記サセプタ表面のRa値は１μ
m≦Ra≦８μmであることを特徴とする。
【００２２】当該方法はさらに，酸化アルミニウム，窒
化アルミニウムまたはアルマイト薄膜を前記サセプタの
表面に被膜処理する工程を含むことができる。
【００２３】また，当該方法におけるサセプタは，好適
にはアルミニウムまたはアルミニウム合金から形成され
得る。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は，本発明に係るサセプタの
好適実施例の表面部分拡大断面図を略示したものであ
る。本発明に係るサセプタ1の表面は連続して形成され
た凹部2及び先端が平坦な凸部3から成る。図から明らか
なように，本発明に係るサセプタ1の表面凸部3には急峻
な突起部は存在しない。凸部3の幅Ｌは50〜200μmであ
り，凹部2の幅Ｍは50〜100μmである。また凹部2の深さ
Ｄは平均0.8mmである。サセプタ表面全体のうち凸部3の
占める割合は，50〜80％であり，好適には60％である。
したがって，ウエハ基板をサセプタ上に載置した場合に
サセプタのウエハ保持面積の50〜80％がウエハ基板の裏
面と接触することになる。本発明に係るサセプタ表面の
Ra値は1〜8μmに制御され，好適には2〜7μmである。サ
セプタの材料として，好適にはアルミニウムまたはアル
ミニウム合金が使用されるが，ニッケルまたは窒化アル
ミニウムを用いることもできる。また，好適には，サセ
プタ表面上に酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウム
薄膜が被膜処理されるが，サセプタがアルミニウムまた
はアルミニウム合金製の場合にはアルマイト膜が被膜処
理されてもよい。サセプタ表面に被膜処理される薄膜の
厚さは5〜100μmであり，特にアルマイト膜の場合には1
0〜30μmである。
【００２５】次に本発明に係るサセプタの表面粗化処理
方法を説明する。本発明に係るサセプタの表面粗化処理
方法は，サセプタの表面を機械的に平坦加工する工程
と，平坦加工されたサセプタの表面をショットブラスト
処理する工程と，ショットブラスト処理されたサセプタ
の表面を化学的に研磨処理する工程と，から成る。まず
機械的に平坦加工する工程において，サセプタは旋盤加
工により平坦化される（図２(A)参照）。次にショット
ブラスト処理工程において，当該サセプタ表面は研掃材
を３気圧で吹き付けることによりRa値＝5μmまで粗化さ
れる（図２(B)参照）。最後に化学的研磨処理工程にお
いて，当該サセプタは６０℃，８％の水酸化ナトリウム
水溶液に８分間浸せきされ，突起部が選択的に除去され
る（図２(C)参照）。ここで，水酸化ナトリウム水溶液
の代わりに水酸化ナトリウムとリン酸ナトリウムの混合
液を使用してもよい。また，化学研磨処理の代わりにリ
ン酸溶液中での電解研磨又はバフ研磨処理を実行するこ
ともできる。
【００２６】さらに，本発明に係る方法は，サセプタ表
面上に酸化アルミニウム若しくは窒化アルミニウム薄
膜，または該サセプタがアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金製の場合にはアルマイト膜を被膜処理する工程を
含むことができる。アルマイト被膜処理は硫酸法等の従
来の方法で実行することが可能である。
【００２７】
【実施例】次に，本発明に係るサセプタと従来のサセプ
タを使用して成膜したときの膜質の違いを比較するため
に行った実験について説明する。 （実験の内容）実験は，本発明に係るサセプタ（アルミ
ニウム合金A5052製）のRa値を約4.0μmに，従来のサセ
プタのRa値を約5.0μmにそれぞれ調節して行った。従来
のサセプタは，エメリー＃60研掃材を３気圧で吹き付け
て粗化処理しただけのものである。Ra値の計測は，
（株）東京精密社製のサーフコム570Aを使用し，サセプ
タの中心部及び十字４方向に50mm離れた位置４カ所の計
５カ所を4mmスキャンし，それらを算術平均して行った
ものである。
【００２８】図３は，実験に使用したプラズマＣＶＤ装
置を略示したものである。ソースガスであるTEOS（テト
ラエトシキシランSi(OC2H5)4）と酸素ガスの混合ガス
が，サセプタ1上に載置されたウエハ8の上部のシャワー
ヘッド7から，真空排気された反応チャンバ4のプラズマ
反応領域5内に導入される。サセプタ1及びウエハ基板8
はヒータ6により所定の温度360℃に加熱され，反応チャ
ンバ4内部は３torrに減圧維持される。シャワーヘッド7
に，周波数の異なる二種類の高周波電力（285Wの13.56M
Hzと225Wの430KHz）を合成したものを印加することによ
り，反応領域5内にプラズマが発生する。これによって
ウエハ基板上に47秒間で約500nmのシリコン酸化膜を成
長させることができる。この操作をウエハ500枚につい
て繰り返し，シリコン酸化膜の膜厚と圧縮応力を測定し
てグラフ化したものが図４及び図５である。尚，使用さ
れた反応チャンバ4の内部はウエハ1枚を処理する度毎に
ドライエッチングで清掃した。 （実験結果）図４(A)及び(B)は，それぞれ従来のサセプ
タと本発明に係るサセプタによる膜厚の変化を表してい
る。図４(A)に注目すると，従来のサセプタでは，処理
ウエハの枚数が増えるに従い，膜厚が徐々に薄くなって
いくのがわかる。これは，サセプタとウエハとの度重な
る接触によってサセプタ表面の突起物が磨耗したことに
よりサセプタとウエハとの接触面積が増大し，その結果
サセプタからウエハへの熱伝導が増加してウエハ温度が
上昇し，それによって膜成長速度が低下したためであ
る。これに対して，図４(B)に注目すると，本発明に係
るサセプタでは，処理ウエハの枚数が増えても，膜厚は
ほとんど変化しないことがわかる。
【００２９】一方図５(A)及び(B)は，それぞれ従来のサ
セプタと本発明に係るサセプタによる圧縮応力の変化を
表している。図５(A)に注目すると，従来のサセプタで
は，処理ウエハの枚数が増えるとともに圧縮応力が徐々
に大きくなっていくのがわかる。これは，サセプタとウ
エハの度重なる接触によってサセプタ表面の突起物が磨
耗したことによりサセプタとウエハ間の電位差が小さく
なり，その結果相対的に印加電極とウエハ間の電位差が
大きくなってイオン衝撃が増大したためである（ここ
で，高周波印加電極と接地電極（サセプタ）間の電位差
は一定である）。これに対して，図５(B)に注目する
と，本発明に係るサセプタでは，処理ウエハの枚数が増
えても，圧縮応力はほとんど変化しないことがわかる。
【００３０】以上により，従来のサセプタに比べ本発明
に係るサセプタの方がプロセス安定性及び再現性が高い
という結論が得られた。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係るサセプタにより，ウエハ基
板とサセプタ表面との接触割合が低減されるため，帯電
による吸着を防止することができ，より迅速なプロセス
処理及び反応炉内部の清掃が実行できるようになった。
【００３２】また本発明に係るサセプタにより，サセプ
タ表面の突起部が完全に除去されたため，磨耗によるパ
ーティクル汚染の心配が無くなり，歩留まりが向上し
た。
【００３３】さらに本発明に係るサセプタにより，サセ
プタ表面のRa値が磨耗で変化することが無くなったた
め，プロセス安定性が向上し，再現性の高い成膜処理を
実行できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は，本発明に係るサセプタの好適実施例の
拡大断面図である。
【図２】図２(A)〜(C)は，本発明に係るサセプタの製造
工程を略示したものである。
【図３】図３は，本発明のサセプタの評価実験に使用し
たプラズマＣＶＤ装置を略示したものである。
【図４】図４は，ウエハ枚数による膜厚の変化を表した
実験結果であり，(A)は従来のサセプタ，(B)は本発明に
係るサセプタを使用したものである。
【図５】図５は，ウエハ枚数による圧縮応力の変化を表
した実験結果であり，(A)は従来のサセプタ，(B)は本発
明に係るサセプタを使用したものである。
【符号の説明】
1 サセプタ 2 凹部 3 凸部 4 反応チャンバ 5 プラズマ反応領域 6 ヒータ 7 シャワーヘッド 8 ウエハ基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１０月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】図３は，実験に使用したプラズマＣＶＤ装
置を略示したものである。ソースガスであるＴＥＯＳ
（テトラエチルオルソシリケートＳｉ（ＯＣ
２Ｈ５）４）と酸素ガスの混合ガスが，サセプタ１上に
載置されたウエハ８の上部のシャワーヘッド７から，真
空排気された反応チャンバ４のプラズマ反応領域５内に
導入される。サセプタ１及びウエハ基板８はヒータ６に
より所定の温度３６０℃に加熱され，反応チャンバ４内
部は３ｔｏｒｒに減圧維持される。シャワーヘッド７
に，周波数の異なる二種類の高周波電力（２８５Ｗの１
３．５６ＭＨｚと２２５Ｗの４３０ＫＨｚ）を合成した
ものを印加することにより，反応領域５内にプラズマが
発生する。これによってウエハ基板上に４７秒間で約５
００ｎｍのシリコン酸化膜を成長させることができる。
この操作をウエハ５００枚について繰り返し，シリコン
酸化膜の膜厚と圧縮応力を測定してグラフ化したものが
図４及び図５である。尚，使用された反応チャンバ４の
内部はウエハ１枚を処理する度毎にドライエッチングで
清掃した。 （実験結果）図４（Ａ）及び（Ｂ）は，それぞれ従来の
サセプタと本発明に係るサセプタによる膜厚の変化を表
している。図４（Ａ）に注目すると，従来のサセプタで
は，処理ウエハの枚数が増えるに従い，膜厚が徐々に薄
くなっていくのがわかる。これは，サセプタとウエハと
の度重なる接触によってサセプタ表面の突起物が磨耗し
たことによりサセプタとウエハとの接触面積が増大し，
その結果サセプタからウエハへの熱伝導が増加してウエ
ハ温度が上昇し，それによって膜成長速度が低下したた
めである。これに対して，図４（Ｂ）に注目すると，本
発明に係るサセプタでは，処理ウエハの枚数が増えて
も，膜厚はほとんど変化しないことがわかる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】プラズマＣＶＤ装置用のサセプタであっ
    て，該表面は連続して形成された凹部及び凸部を有し，
    該凸部において急峻な突起部が完全に除去されているこ
    とを特徴とするサセプタ。
  2. 【請求項２】請求項１に記載のサセプタであって，サセ
    プタ表面のRa値が１μm≦Ra≦８μmである，ところのサ
    セプタ。
  3. 【請求項３】請求項１に記載のサセプタであって，サセ
    プタのウエハ保持面積の５０〜８０％がウエハと接触し
    ている，ところのサセプタ。
  4. 【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載のサセプ
    タであって，アルミニウムまたはアルミニウム合金から
    成る，ところのサセプタ。
  5. 【請求項５】請求項１から４のいずれかに記載のサセプ
    タであって，さらに，酸化アルミニウム，窒化アルミニ
    ウムまたはアルマイトの薄膜が被膜処理されている，と
    ころのサセプタ。
  6. 【請求項６】プラズマＣＶＤ装置用のサセプタの表面を
    粗化処理する方法であって，前記サセプタの表面を機械
    的に平坦加工する工程と，前記平坦加工された前記サセ
    プタの表面をショットブラスト処理する工程と,前記シ
    ョットブラスト処理された前記サセプタの表面を化学
    的，電気化学的及び／又は機械的に研磨処理する工程
    と，から成り，前記サセプタの表面から急峻な突起部が
    完全に除去され，前記サセプタ表面のRa値は１μm≦Ra
    ≦８μmであることを特徴とする方法。
  7. 【請求項７】請求項６に記載の方法であって，さらに酸
    化アルミニウム，窒化アルミニウムまたはアルマイト薄
    膜を前記サセプタの表面に被膜処理する工程を含む，と
    ころの方法。
  8. 【請求項８】請求項６または７に記載の方法であって，
    前記サセプタがアルミニウムまたはアルミニウム合金か
    ら成る，ところの方法。
JP16357197A 1997-06-06 1997-06-06 プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法 Expired - Lifetime JP3160229B2 (ja)

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TW (1) TW411594B (ja)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338878A (ja) * 2000-03-21 2001-12-07 Sharp Corp サセプタおよび表面処理方法
US6524955B2 (en) 2000-03-27 2003-02-25 Asm Japan K.K. Method of forming thin film onto semiconductor substrate
US6625862B2 (en) 1999-04-16 2003-09-30 Hitachi Ltd. Method of manufacturing a processing apparatus
WO2005104204A1 (ja) * 2004-04-21 2005-11-03 Hitachi Kokusai Electric Inc. 熱処理装置
JP2006188720A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 表面処理された軽合金部材およびその製造方法
JP2007053359A (ja) * 2005-08-12 2007-03-01 Asm Japan Kk 均一な膜を形成するためのプラズマｃｖｄ装置及び方法
JP2007051367A (ja) * 2005-07-15 2007-03-01 Applied Materials Inc サセプタの粗面化による静電荷の削減
JP2008138283A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Applied Materials Inc 表面テクスチャリングを組み込んだプラズマリアクタ基板
CN100411133C (zh) * 2005-06-17 2008-08-13 东京毅力科创株式会社 基板载置台、基板处理装置和基板载置台的制造方法
JP2008198843A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 基板載置台及びその表面処理方法
JP2008223110A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜処理装置
US7601224B2 (en) 2002-03-08 2009-10-13 Asm America, Inc. Method of supporting a substrate in a gas cushion susceptor system
JP2009239300A (ja) * 2003-05-09 2009-10-15 Applied Materials Inc 陽極酸化処理された基板支持体
US7648579B2 (en) 2004-02-13 2010-01-19 Asm America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
US7691205B2 (en) * 2005-10-18 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-supporting device
JP2011515854A (ja) * 2008-03-20 2011-05-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ロール成形表面を有するサセプター、及び同サセプターを形成する方法
JP2011119326A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 基板載置台、その製造方法及び基板処理装置
US8173228B2 (en) 2006-01-27 2012-05-08 Applied Materials, Inc. Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus
US8372205B2 (en) 2003-05-09 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
JP2016028379A (ja) * 2014-07-10 2016-02-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の部品、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置用の部品の製造方法
US20170204505A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Tokyo Electron Limited Method of performing a surface treatment on a mounting table, the mounting table and a plasma processing apparatus
JP2020198420A (ja) * 2019-05-28 2020-12-10 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法及びサセプタ
US11508586B2 (en) 2017-06-30 2022-11-22 Mico Ceramics Ltd. Aluminum nitride sintered body and member for semiconductor manufacuting apparatus comprising same

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030032879A1 (en) * 1997-07-07 2003-02-13 Steven Quay Microbubble formation using ultrasound
JP3837736B2 (ja) * 2001-07-02 2006-10-25 ウシオ電機株式会社 レジスト硬化装置のワークステージ
US20030047464A1 (en) * 2001-07-27 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces
US6899507B2 (en) 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
US20030178145A1 (en) * 2002-03-25 2003-09-25 Applied Materials, Inc. Closed hole edge lift pin and susceptor for wafer process chambers
AU2003255942A1 (en) * 2002-09-12 2004-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Support plate for semiconductor components
DE10261362B8 (de) * 2002-12-30 2008-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Substrat-Halter
JP2005064284A (ja) * 2003-08-14 2005-03-10 Asm Japan Kk 半導体基板保持装置
JP4422671B2 (ja) * 2005-12-06 2010-02-24 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
US7964430B2 (en) * 2007-05-23 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Silicon layer on a laser transparent conductive oxide layer suitable for use in solar cell applications
US20080289686A1 (en) * 2007-05-23 2008-11-27 Tae Kyung Won Method and apparatus for depositing a silicon layer on a transmitting conductive oxide layer suitable for use in solar cell applications
JP2009064913A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
TWI409358B (zh) * 2008-04-11 2013-09-21 Innolux Corp 電漿輔助化學氣相沉積裝置
US20100107974A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Asm America, Inc. Substrate holder with varying density
WO2010064298A1 (ja) * 2008-12-02 2010-06-10 株式会社神戸製鋼所 プラズマ処理装置用部材およびその製造方法
US10160093B2 (en) 2008-12-12 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Carrier head membrane roughness to control polishing rate
US20130264309A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Ian J. Kenworthy Acoustic energy utilization in plasma processing
US9916998B2 (en) 2012-12-04 2018-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer
US9685356B2 (en) 2012-12-11 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having metal bonded protective layer
US8941969B2 (en) 2012-12-21 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Single-body electrostatic chuck
US9358702B2 (en) * 2013-01-18 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck
US9669653B2 (en) 2013-03-14 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck refurbishment
US9887121B2 (en) 2013-04-26 2018-02-06 Applied Materials, Inc. Protective cover for electrostatic chuck
US9666466B2 (en) 2013-05-07 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk
US10020218B2 (en) 2015-11-17 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with deposited surface features

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5539609A (en) * 1992-12-02 1996-07-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck usable in high density plasma
US5350479A (en) * 1992-12-02 1994-09-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for high power plasma processing
US5460684A (en) * 1992-12-04 1995-10-24 Tokyo Electron Limited Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same
US5581874A (en) * 1994-03-28 1996-12-10 Tokyo Electron Limited Method of forming a bonding portion
US5531835A (en) * 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
US5656093A (en) * 1996-03-08 1997-08-12 Applied Materials, Inc. Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6625862B2 (en) 1999-04-16 2003-09-30 Hitachi Ltd. Method of manufacturing a processing apparatus
JP2001338878A (ja) * 2000-03-21 2001-12-07 Sharp Corp サセプタおよび表面処理方法
US6524955B2 (en) 2000-03-27 2003-02-25 Asm Japan K.K. Method of forming thin film onto semiconductor substrate
US7601224B2 (en) 2002-03-08 2009-10-13 Asm America, Inc. Method of supporting a substrate in a gas cushion susceptor system
US7732010B2 (en) 2003-05-09 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Method for supporting a glass substrate to improve uniform deposition thickness
JP2009239300A (ja) * 2003-05-09 2009-10-15 Applied Materials Inc 陽極酸化処理された基板支持体
US8372205B2 (en) 2003-05-09 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
US7648579B2 (en) 2004-02-13 2010-01-19 Asm America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
US8088225B2 (en) 2004-02-13 2012-01-03 Asm America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
WO2005104204A1 (ja) * 2004-04-21 2005-11-03 Hitachi Kokusai Electric Inc. 熱処理装置
US7865070B2 (en) 2004-04-21 2011-01-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Heat treating apparatus
JP4727226B2 (ja) * 2004-12-28 2011-07-20 三菱重工業株式会社 表面処理された軽合金部材およびその製造方法
JP2006188720A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 表面処理された軽合金部材およびその製造方法
CN100411133C (zh) * 2005-06-17 2008-08-13 东京毅力科创株式会社 基板载置台、基板处理装置和基板载置台的制造方法
JP2007051367A (ja) * 2005-07-15 2007-03-01 Applied Materials Inc サセプタの粗面化による静電荷の削減
KR101441858B1 (ko) * 2005-07-15 2014-09-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 서셉터를 러프닝함으로써 정전하를 감소시키는 장치
JP2007053359A (ja) * 2005-08-12 2007-03-01 Asm Japan Kk 均一な膜を形成するためのプラズマｃｖｄ装置及び方法
US7691205B2 (en) * 2005-10-18 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-supporting device
US8173228B2 (en) 2006-01-27 2012-05-08 Applied Materials, Inc. Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus
JP2008138283A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Applied Materials Inc 表面テクスチャリングを組み込んだプラズマリアクタ基板
US9214376B2 (en) 2007-02-14 2015-12-15 Tokyo Electron Limited Substrate mounting stage and surface treatment method therefor
JP2008198843A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 基板載置台及びその表面処理方法
JP2008223110A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜処理装置
JP2011515854A (ja) * 2008-03-20 2011-05-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ロール成形表面を有するサセプター、及び同サセプターを形成する方法
US9243328B2 (en) 2008-03-20 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Susceptor with roll-formed surface and method for making same
JP2011119326A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 基板載置台、その製造方法及び基板処理装置
US10808309B2 (en) 2014-07-10 2020-10-20 Tokyo Electron Limited Component for use in plasma processing apparatus, plasma processing apparatus, and method for manufacturing the component
JP2016028379A (ja) * 2014-07-10 2016-02-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の部品、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置用の部品の製造方法
US11473182B2 (en) 2014-07-10 2022-10-18 Tokyo Electron Limited Component for use in plasma processing apparatus, plasma processing apparatus, and method for manufacturing the component
US20170204505A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Tokyo Electron Limited Method of performing a surface treatment on a mounting table, the mounting table and a plasma processing apparatus
US10738374B2 (en) 2016-01-15 2020-08-11 Tokyo Electron Limited Method of performing a surface treatment on a mounting table, the mounting table and a plasma processing apparatus
KR20190044608A (ko) * 2016-01-15 2019-04-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 적재대의 표면 처리 방법, 적재대 및 플라즈마 처리 장치
JP2017126717A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 東京エレクトロン株式会社 載置台の表面処理方法、載置台及びプラズマ処理装置
US11508586B2 (en) 2017-06-30 2022-11-22 Mico Ceramics Ltd. Aluminum nitride sintered body and member for semiconductor manufacuting apparatus comprising same
JP2020198420A (ja) * 2019-05-28 2020-12-10 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法及びサセプタ

Also Published As

Publication number Publication date
TW411594B (en) 2000-11-11
US6063203A (en) 2000-05-16
JP3160229B2 (ja) 2001-04-25

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