JP4113406B2 - プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品 - Google Patents
プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4113406B2 JP4113406B2 JP2002277476A JP2002277476A JP4113406B2 JP 4113406 B2 JP4113406 B2 JP 4113406B2 JP 2002277476 A JP2002277476 A JP 2002277476A JP 2002277476 A JP2002277476 A JP 2002277476A JP 4113406 B2 JP4113406 B2 JP 4113406B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- processing apparatus
- exposed surface
- plasma processing
- chamber container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品に関し、特に、プラズマ暴露面に絶縁体溶射膜が形成される石英製のプラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ等の被処理体Ｗの製造に用いられる酸化膜エッチャーやシリコンエッチャー等のプラズマ処理装置６０は、図６に示すように当該被処理体Ｗに対してエッチング等のプロセスを施す処理室容器６１を有し、エッチング等のプロセスの間、処理室容器６１内部における処理領域６２においてプラズマを発生させる。
【０００３】
また、当該プラズマ処理装置６０は、１プロセスが終了した際に、処理領域６２における処理ガスを排気するための排気領域６３を処理領域６２の下流に備える。処理領域６２と排気領域６３は、プロセスの間における処理領域６２からのプラズマの漏れを防止するために、隔離板６４で仕切られるが、隔離板６４には処理領域６２及び排気領域６３の通気を確保するための通気孔６５が設けられており、プラズマが通気孔６５を通って排気領域６３に廻り込む場合がある。
【０００４】
処理室容器６１の内部における処理領域６２及び排気領域６３には、絶縁材料から成る処理室容器内部品が数多く配設され、当該処理室容器内部品の材料としては、入手の容易さやコストの観点から石英が多く用いられている。
【０００５】
但し、石英はプロセスの間、プラズマによってアタックされて消耗するため、処理室容器６１において処理室容器内部品の石英を処理領域６２や排気領域６３の雰囲気に直接暴露すると、プロセスを繰り返す内に処理室容器内部品が消耗し、その結果、プラズマ処理装置６０のＣＯＣ（Cost of Consumable）が高くなる。
【０００６】
そこで、従来のプラズマ処理装置６０では、プロセスの繰り返しにおける処理室容器内部品の消耗を防止するために、当該処理室容器内部品の表面のうち少なくとも処理領域６２や排気領域６３の雰囲気に直接暴露されるプラズマ暴露面を、絶縁体であるアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等のセラミックの溶射により形成される絶縁体溶射膜によって保護することが行われている。
【０００７】
例えば、処理室容器６１の頂部における円筒状の上部電極６６の外周部にはめ込まれた石英製の環状のシールドリング６７や、処理室容器６１の下部における円柱状の下部電極６８上の被処理体Ｗの周辺部に配設された石英製の環状のフォーカスリング６９のプラズマ暴露面に絶縁体溶射膜が形成される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
当該処理室容器内部品と形成された絶縁体溶射膜との密着力を高めるためには、処理室容器内部品においてプラズマ暴露面の粗さを所定値以上に設定する必要があり、そのため、上述したセラミックの溶射に先立ってプラズマ暴露面にブラスト処理を施す。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−３３９８９５号公報（第４頁、第１図）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、石英は機械的入力に対して破砕し易いため、上述したブラスト処理によりプラズマ暴露面の粗さを所望の値に設定する際に、当該プラズマ暴露面において、当該所望の値に応じた凹凸が形成されると共にマイクロクラックが発生する。このマイクロクラックにより、プラズマ暴露面の実質的な粗さが小さくなるため、絶縁体溶射膜の密着力が小となり、プロセスの繰り返しにおいて絶縁体溶射膜の剥離が発生するという問題があった。
【００１１】
また、ブラスト処理を強化してプラズマ暴露面において多くの凹凸を形成させたとしても、マイクロクラックの発生は偶発的であるため、プラズマ暴露面の実質的な粗さは不均一となることが避けられない。その結果、必ず実質的な粗さが小となる箇所が発生し、絶縁体溶射膜の密着力のばらつきが大となり、密着力小の箇所から絶縁体溶射膜の剥離が発生する。
【００１２】
本発明の目的は、プラズマ暴露面に形成される絶縁体溶射膜の剥離を防止できるプラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法は、被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の内部に配設されると共に、プラズマに暴露され且つ絶縁体溶射膜が形成されるプラズマ暴露面を有する石英製のプラズマ処理装置内部品の製造方法において、前記プラズマ暴露面に薬液により粗面を形成する粗面形成工程を有し、前記粗面形成工程では、不動体である化合物を生成し、該化合物を前記プラズマ暴露面上に分散して沈殿させ、さらに前記プラズマ暴露面を部分的にエッチングすることを特徴とする。
【００２４】
請求項１記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によれば、プラズマ暴露面に薬液により粗面を形成するが、このとき、不動体である化合物を生成し、該化合物をプラズマ暴露面上に分散して沈殿させ、さらにプラズマ暴露面を部分的にエッチングするので、プラズマ暴露面にマイクロクラックを発生させることなく、所定の粗さの凹凸を形成することができ、絶縁体溶射膜の剥離をより確実に防止できる。
【００２５】
請求項２記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法は、請求項１記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法において、前記粗面形成工程の前に、前記プラズマ暴露面にメカポリッシュ又はファイアポリッシュを施す研磨工程を実行し、前記研磨工程では、前記プラズマ暴露面に存在する凹凸を削除することを特徴とする。
【００２６】
請求項２記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によれば、粗面形成工程の前に、プラズマ暴露面にメカポリッシュ又はファイアポリッシュを施してプラズマ暴露面に存在する凹凸を削除するので、生成された化合物をプラズマ暴露面上に均一に分散させてプラズマ暴露面に所定の粗さの凹凸をより確実に形成することができ、絶縁体溶射膜の剥離を十分に防止できる。
【００２７】
上記目的を達成するために、請求項３記載のプラズマ処理装置内部品は、請求項１又は２記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によって製造されることを特徴とする。
【００２８】
請求項３記載のプラズマ処理装置内部品によれば、プラズマ暴露面に所定の粗さの凹凸を形成しつつマイクロクラックを発生させないので、絶縁体溶射膜の剥離を防止できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品について詳述する。
【００３０】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品が配設されるプラズマ処理装置の概略構成を示す図である。
【００３１】
図１において、マグネトロン方式平行平板プラズマ処理装置１０は、円筒状の処理室容器１１を有し、処理室容器１１は、その頂部に円筒状の上部電極１２を有し、その下部に被処理体としての半導体ウエハＷを載置する載置面を頂部に備えた円柱状の下部電極１３を有する。下部電極１３は、上部電極１２との間に、半導体ウエハＷをプラズマ処理するための適切な間隔を形成し、かつ、上部電極１２とほぼ平行となるように配置されている。また、処理室容器１１は、下部電極１３の近傍かつ頂部よりも下の位置において、処理室容器１１の内部を処理領域１４と排気領域１５とに隔離する隔離板１６を有する。上部電極１２は、処理領域１４に処理ガスを導入するガス導入孔（不図示）を有する。
【００３２】
隔離板１６は、処理領域１４内の処理領域内ガスを排気領域１５に排気すべく処理領域１４と排気領域１５を連通する複数のガス通路孔１７を有する。処理室容器１１は、その下部に、排気領域１５を介して処理領域１４を減圧排気するために真空ポンプ（不図示）に接続された排気口１８を有する。
【００３３】
上部電極１２は接地されているのに対して、下部電極１３には整合回路（不図示）を介して少なくとも１つの高周波電源（不図示）が接続されており、処理室容器１１の上部の回りには環状の永久磁石１９が配されている。
【００３４】
また、処理室容器１１の内部において、上部電極１２の外周部には石英製の環状のシールドリング２０がはめ込まれ、下部電極６８上の被処理体Ｗの周辺部に石英製の環状のフォーカスリング２１が配設される。
【００３５】
このプラズマ処理装置１０において、上部電極１２に設けられたガス導入孔を介して処理領域内ガスが導入された処理領域１４は、真空ポンプにより、ガス通路孔１７や排気領域１５を介して減圧排気されて所定圧力に制御される。さらに、高周波電源は上部電極１２及び下部電極１３間において処理領域１４で高周波電界を励起し、永久磁石１９はこの高周波電界と直交する平行磁界を発生して、これら直交した高周波電界及び平行磁界により高密度のプラズマが発生する。
【００３６】
半導体ウエハＷをプラズマ処理する間、発生したプラズマを安定させるために、シールドリング２０、フォーカスリング２１及び処理室容器１１を構成する構成部品等の処理室容器内部品（プラズマ処理装置内部品）の材料として、絶縁体である石英が用いられる。但し、発生したプラズマは、上述したように処理領域１４だけでなく排気領域１５にも回り込んで処理室容器内部品に接触するため、処理室容器内部品のうちプラズマに暴露されるプラズマ暴露面には消耗防止のための絶縁体溶射膜であるアルミナ膜が形成される。
【００３７】
このアルミナ膜が形成されるプラズマ暴露面は、アルミナ膜の処理室容器内部品に対する密着力を向上させるため、平均粗さ（Ｒａ）が２〜１０μｍの凹凸を有する。この凹凸は後述する凹凸形成処理によって形成されるため、当該プラズマ暴露面はマイクロクラックを発生させない。
【００３８】
本第１の実施の形態に係る処理室容器内部品によれば、プラズマ暴露面が平均粗さが２〜１０μｍの凹凸を有し且つマイクロクラックを発生させないので、プラズマ暴露面の実質的な粗さが小さくなることがなく、密着力の不足によるアルミナ膜の剥離を確実に防止できる。
【００３９】
ここで、本第１の実施の形態に係る処理室容器内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する凹凸形成処理について説明する。
【００４０】
図２は、本第１の実施の形態に係る処理室容器内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する凹凸形成処理のフローチャートである。
【００４１】
まず、石英のブロックを切削加工等して所定の形状に成形することによって処理室容器内部品を作製し（ステップＳ２１）、該作製された処理室容器内部品における少なくともプラズマに暴露されるプラズマ暴露面に対して粗さ番目が６０〜１００のブラスト材を、ブラスト圧をほぼ４ＫＰａに維持してプラズマ暴露面に吹き付けるブラスト処理（砂刷り工程）を施す（ステップＳ２２）。このブラスト処理においてプラズマ暴露面に粗さ番目が６０〜１００のブラスト材が吹き付けられるので、プラズマ暴露面には平均粗さが２〜１０μｍの凹凸が形成されるが、同時に、この凹凸の表面には石英の易破砕性に起因するマイクロクラックが発生する。従って、プラズマ暴露面の表面形状は、平均粗さが２〜１０μｍの凹凸及びマイクロクラックが呈する微小な凹凸が組み合わさった凹凸形状となる（図３（ａ））。
【００４２】
次いで、ステップＳ２３において、上記ブラスト処理が施されたプラズマ暴露面を濃度が５〜３０％のフッ酸溶液に１０〜９０分間、好ましくは、ほぼ１５ｗｔ％のフッ酸溶液に２０〜４０分間に亘って浸漬して洗浄する浸漬洗浄処理（洗浄工程）を実行する。この浸漬洗浄処理において、フッ酸溶液は処理室容器内部品の材料である石英と反応して石英を溶融するが、このとき、マイクロクラックが呈する微小な凹凸におけるその体積に対するその表面積の割合が、平均粗さが２〜１０μｍの凹凸におけるその体積に対するその表面積の割合より大きいため、フッ酸溶液は優先的にマイクロクラックが呈する微小な凹凸を溶融し、その結果、プラズマ暴露面からマイクロクラックが呈する微小な凹凸は削除され、プラズマ暴露面は平均粗さが２〜１０μｍの凹凸のみを有する（図３（ｂ））。
【００４３】
その後、浸漬洗浄処理が施されたプラズマ暴露面にアルミナを溶射し（ステップＳ２４）（図３（ｃ））、本処理を終了する。
【００４４】
本処理によれば、プラズマに暴露されるプラズマ暴露面に対してブラスト処理を施し（ステップＳ２２）、該ブラスト処理が施されたプラズマ暴露面に浸漬洗浄処理を施す（ステップＳ２３）ので、ブラスト処理においてプラズマ暴露面に発生したマイクロクラックが呈する微小な凹凸を削除することができ、アルミナ膜の剥離をより確実に防止できる。
【００４５】
また、本処理によれば、浸漬洗浄処理に使用される酸性の溶液は石英との反応速度が速いフッ酸溶液であるので、マイクロクラックが呈する微小な凹凸を効率よく削除することができると共に、使用されるフッ酸溶液の濃度は一般に流通するフッ酸溶液の濃度と同じ５〜３０％であるので、当該フッ酸溶液を安価に調達でき、プラズマ処理装置１０のコストを削減することができる。
【００４６】
さらに、本処理によれば、浸漬洗浄処理においてプラズマ暴露面をフッ酸溶液に浸漬する時間は１０〜９０分間であるので、効率よくプラズマ暴露面を洗浄することができ、もってプラズマ処理装置１０のコストをより削減することができると共に、長時間の浸漬に起因する平均粗さが２〜１０μｍの凹凸の溶融を抑えることができる。その結果、プラズマ暴露面の凹凸のばらつきを抑えることができる。
【００４７】
また、本処理によれば、ブラスト処理において粗さ番目が６０〜１００のブラスト材を、ブラスト圧をほぼ４ＫＰａに維持してプラズマ暴露面に吹き付けるので、平均粗さが２〜１０μｍの凹凸をより確実に形成することができ、アルミナ膜の剥離を十分に防止できる。
【００４８】
本処理における平均粗さが２〜１０μｍの凹凸の形成は、プラズマ暴露面の砂目が粗さ番目で表すと６０〜１００となる処理であれば、如何なる処理で達成されてもよい。
【００４９】
このとき、プラズマ暴露面の砂目が粗さ番目で表すと６０〜１００であれば、平均粗さが２〜１０μｍの凹凸を確実に形成することができ、アルミナ膜の剥離を十分に防止できる。
【００５０】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品について詳述する。
【００５１】
本第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品が配設されたプラズマ処理装置は、その構成が上記第１の実施の形態におけるプラズマ処理装置と基本的に同じであり、同じ構成要素については同一の符号を付して重複した説明を省略し、以下に、異なる部分のみ説明する。
【００５２】
本第２の実施の形態におけるプラズマ処理装置１０においても、上記第１の実施の形態におけるプラズマ処理装置１０と同様、半導体ウエハＷをプラズマ処理する間、発生したプラズマを安定させるために、処理室容器内部品の材料として、絶縁体である石英が用いられ、処理室容器内部品のうちプラズマに暴露されるプラズマ暴露面には消耗防止のための絶縁体溶射膜であるアルミナ膜が形成される。
【００５３】
このアルミナ膜が形成されるプラズマ暴露面は、アルミナ膜の処理室容器内部品に対する密着力を向上させるため、平均粗さが２〜１０μｍ、特に６〜７μｍの凹凸を有する。この凹凸は後述する他の凹凸形成処理によって形成されるため、当該プラズマ暴露面はマイクロクラックを発生させない。
【００５４】
本第２の実施の形態に係る処理室容器内部品によれば、プラズマ暴露面が平均粗さが２〜１０μｍ、特に６〜７μｍの凹凸を有し且つマイクロクラックを発生させないので、プラズマ暴露面の実質的な粗さが小さくなることがなく、プロセスの繰り返しにおけるアルミナ膜の剥離を確実に防止できる。
【００５５】
ここで、本第２の実施の形態に係る処理室容器内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する他の凹凸形成処理について説明する。
【００５６】
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る処理室容器内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する他の凹凸形成処理のフローチャートである。
【００５７】
まず、石英のブロックを切削加工等して所定の形状に成形することによって処理室容器内部品を作製し（ステップＳ４１）、該作製された処理室容器内部品における少なくともプラズマに暴露されるプラズマ暴露面に存在する切削加工等による凹凸を削除するファイアポリッシュやメカポリッシュ等の研磨処理を実行する（ステップＳ４２）。
【００５８】
次いで、ステップＳ４３において、上記研磨処理が施されたプラズマ暴露面に薬液により粗面を形成する粗面形成処理を実行する。この粗面形成処理では、フッ酸を主成分とし且つ後述する化合物を発生する化合物発生成分を含む薬液が使用される。この薬液に含まれる化合物発生成分は、フッ酸溶液中に溶融した石英と反応して不動体である化合物を生成し、該生成された化合物はプラズマ暴露面上に分散して沈殿する。このとき、上記研磨処理においてプラズマ暴露面に存在する凹凸が削除されているので（図５（ａ））、生成された化合物は凹凸に起因して偏在することなく、プラズマ暴露面上に均一に分散する（図５（ｂ））。
【００５９】
化合物が沈殿した箇所の石英はフッ酸溶液と接触することがないので溶融しない一方、化合物が沈殿していない箇所の石英はフッ酸溶液と接触して溶融するので、プラズマ暴露面は部分的にエッチングされる。これにより、プラズマ暴露面は平均粗さが２〜１０μｍ、特に６〜７μｍの凹凸を有する。本処理では、上述した本第１の実施の形態に係る凹凸形成処理のように、プラズマ暴露面にブラスト処理を施すことがないため、マイクロクラックは発生しない（図５（ｃ））。
【００６０】
その後、粗面形成処理が施されたプラズマ暴露面にアルミナを溶射し（ステップＳ４４）（図５（ｄ））、本処理を終了する。
【００６１】
本処理によれば、プラズマに暴露されるプラズマ暴露面に対して研磨処理を施し（ステップＳ４２）、その後、当該研磨処理が施されたプラズマ暴露面に粗面形成処理を施す（ステップＳ４３）ので、プラズマ暴露面においてマイクロクラックを発生させることなく平均粗さが２〜１０μｍの凹凸を形成することができ、アルミナ膜の剥離をより確実に防止できる。
【００６２】
また、本処理によれば、研磨処理においてプラズマ暴露面にメカポリッシュ又はファイアポリッシュを施すので、粗面形成処理において生成された化合物をプラズマ暴露面上に均一に分散することができ、もって、プラズマ暴露面において平均粗さが６〜７μｍの凹凸を形成することができ、アルミナ膜の剥離をより確実に防止できる。
【００６３】
上述した図２の凹凸形成処理及び図４の他の凹凸形成処理において、石英を溶融する溶液としてフッ酸溶液を使用したが、石英を溶融する溶液であれば如何なるものを使用してもよく、また、プラズマ暴露面にはアルミナを溶射したが、この他、セラミックスに属する絶縁体であれば如何なるものを溶射してもよい。
【００６４】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００６５】
まず、φ２５×５ｍｍの円柱状の石英部材を５つ準備し、該石英部材の片端面にブラスト処理を施して凹凸を形成し（ステップＳ２２）、該凹凸が形成された面に浸漬洗浄処理を施して当該面に発生したマイクロクラックを削除した（ステップＳ２３）後、当該面にアルミナを溶射する（ステップＳ２４）ことによって実施例１として５つのテストピースを得た。
【００６６】
次に、実施例１と同様にφ２５×５ｍｍの円柱状の石英部材を５つ準備し、該石英部材の片端面に研磨処理を施し（ステップＳ４２）、さらに、当該面に粗面形成処理を施してマイクロクラックを発生させることなく凹凸を形成し（ステップＳ４３）、当該面にアルミナを溶射する（ステップＳ４４）ことによって実施例２として５つのテストピースを得た。
【００６７】
最後に、実施例１と同様にφ２５×５ｍｍの円柱状の石英部材を５つ準備し、該石英部材の片端面に粗さ番目が８０であるブラストを吹き付けることによって凹凸を形成した。その後、該凹凸が形成された面に発生したマイクロクラックを削除することなく、当該面を純水によって精密洗浄し、該精密洗浄された面にアルミナを溶射することによって比較例１として５つのテストピースを得た。
【００６８】
そして、このようにして得られたテストピースの両端面の各々に接着剤を介して引張り部材を貼着し、引張り部材に万能引張り試験機により引張り荷重を与えることによって石英部材とアルミナを剥離させ、これらが剥離した際の引張り力から石英部材とアルミナの密着圧力を測定した。その測定結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
表１の結果より、凹凸が形成された面にマイクロクラックが存在する比較例１の密着圧力の平均値に比べ、凹凸が形成された面にマイクロクラックが存在しない実施例１及び２の密着圧力の平均値が大きいことが確認された。これにより、本第１の実施の形態に係る図２の凹凸形成処理及び本第２の実施の形態に係る図４の他の凹凸形成処理が施された処理室容器内部品をプラズマ処理装置１０に用いると、プロセスの繰り返しにおいてアルミナ膜の剥離を防止できることが分かった。
【００７０】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、請求項１記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によれば、プラズマ暴露面に薬液により粗面を形成するが、このとき、不動体である化合物を生成し、該化合物をプラズマ暴露面上に分散して沈殿させ、さらにプラズマ暴露面を部分的にエッチングするので、プラズマ暴露面にマイクロクラックを発生させることなく、所定の粗さの凹凸を形成することができ、絶縁体溶射膜の剥離をより確実に防止できる。
【００７６】
請求項２記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によれば、粗面形成工程の前に、プラズマ暴露面にメカポリッシュ又はファイアポリッシュを施してプラズマ暴露面に存在する凹凸を削除するので、生成された化合物をプラズマ暴露面上に均一に分散させてプラズマ暴露面に所定の粗さの凹凸をより確実に形成することができ、絶縁体溶射膜の剥離を十分に防止できる。
【００７７】
請求項３記載のプラズマ処理装置内部品によれば、プラズマ暴露面に所定の粗さの凹凸を形成しつつマイクロクラックを発生させないので、絶縁体溶射膜の剥離を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品が配設されるプラズマ処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する凹凸形成処理のフローチャートである。
【図３】図２の凹凸形成処理によるプラズマ暴露面の形状変化を示す図であり、（ａ）はブラスト処理後の形状であり、（ｂ）は浸漬洗浄処理後の形状であり、（ｃ）はアルミナ溶射後の形状である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する他の凹凸形成処理のフローチャートである。
【図５】図４の他の凹凸形成処理によるプラズマ暴露面の形状変化を示す図であり、（ａ）は研磨処理後の形状であり、（ｂ）は化合物の沈殿後の形状であり、（ｃ）は粗面形成処理後の形状であり、（ｄ）はアルミナ溶射後の形状である。
【図６】従来のプラズマ処理装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１０，６０ プラズマ処理装置
１１，６１ 処理室容器
１４，６２ 処理領域
１５，６３ 排気領域
【産業上の利用分野】
本発明は、プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品に関し、特に、プラズマ暴露面に絶縁体溶射膜が形成される石英製のプラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ等の被処理体Ｗの製造に用いられる酸化膜エッチャーやシリコンエッチャー等のプラズマ処理装置６０は、図６に示すように当該被処理体Ｗに対してエッチング等のプロセスを施す処理室容器６１を有し、エッチング等のプロセスの間、処理室容器６１内部における処理領域６２においてプラズマを発生させる。
【０００３】
また、当該プラズマ処理装置６０は、１プロセスが終了した際に、処理領域６２における処理ガスを排気するための排気領域６３を処理領域６２の下流に備える。処理領域６２と排気領域６３は、プロセスの間における処理領域６２からのプラズマの漏れを防止するために、隔離板６４で仕切られるが、隔離板６４には処理領域６２及び排気領域６３の通気を確保するための通気孔６５が設けられており、プラズマが通気孔６５を通って排気領域６３に廻り込む場合がある。
【０００４】
処理室容器６１の内部における処理領域６２及び排気領域６３には、絶縁材料から成る処理室容器内部品が数多く配設され、当該処理室容器内部品の材料としては、入手の容易さやコストの観点から石英が多く用いられている。
【０００５】
但し、石英はプロセスの間、プラズマによってアタックされて消耗するため、処理室容器６１において処理室容器内部品の石英を処理領域６２や排気領域６３の雰囲気に直接暴露すると、プロセスを繰り返す内に処理室容器内部品が消耗し、その結果、プラズマ処理装置６０のＣＯＣ（Cost of Consumable）が高くなる。
【０００６】
そこで、従来のプラズマ処理装置６０では、プロセスの繰り返しにおける処理室容器内部品の消耗を防止するために、当該処理室容器内部品の表面のうち少なくとも処理領域６２や排気領域６３の雰囲気に直接暴露されるプラズマ暴露面を、絶縁体であるアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等のセラミックの溶射により形成される絶縁体溶射膜によって保護することが行われている。
【０００７】
例えば、処理室容器６１の頂部における円筒状の上部電極６６の外周部にはめ込まれた石英製の環状のシールドリング６７や、処理室容器６１の下部における円柱状の下部電極６８上の被処理体Ｗの周辺部に配設された石英製の環状のフォーカスリング６９のプラズマ暴露面に絶縁体溶射膜が形成される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
当該処理室容器内部品と形成された絶縁体溶射膜との密着力を高めるためには、処理室容器内部品においてプラズマ暴露面の粗さを所定値以上に設定する必要があり、そのため、上述したセラミックの溶射に先立ってプラズマ暴露面にブラスト処理を施す。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−３３９８９５号公報（第４頁、第１図）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、石英は機械的入力に対して破砕し易いため、上述したブラスト処理によりプラズマ暴露面の粗さを所望の値に設定する際に、当該プラズマ暴露面において、当該所望の値に応じた凹凸が形成されると共にマイクロクラックが発生する。このマイクロクラックにより、プラズマ暴露面の実質的な粗さが小さくなるため、絶縁体溶射膜の密着力が小となり、プロセスの繰り返しにおいて絶縁体溶射膜の剥離が発生するという問題があった。
【００１１】
また、ブラスト処理を強化してプラズマ暴露面において多くの凹凸を形成させたとしても、マイクロクラックの発生は偶発的であるため、プラズマ暴露面の実質的な粗さは不均一となることが避けられない。その結果、必ず実質的な粗さが小となる箇所が発生し、絶縁体溶射膜の密着力のばらつきが大となり、密着力小の箇所から絶縁体溶射膜の剥離が発生する。
【００１２】
本発明の目的は、プラズマ暴露面に形成される絶縁体溶射膜の剥離を防止できるプラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法は、被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の内部に配設されると共に、プラズマに暴露され且つ絶縁体溶射膜が形成されるプラズマ暴露面を有する石英製のプラズマ処理装置内部品の製造方法において、前記プラズマ暴露面に薬液により粗面を形成する粗面形成工程を有し、前記粗面形成工程では、不動体である化合物を生成し、該化合物を前記プラズマ暴露面上に分散して沈殿させ、さらに前記プラズマ暴露面を部分的にエッチングすることを特徴とする。
【００２４】
請求項１記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によれば、プラズマ暴露面に薬液により粗面を形成するが、このとき、不動体である化合物を生成し、該化合物をプラズマ暴露面上に分散して沈殿させ、さらにプラズマ暴露面を部分的にエッチングするので、プラズマ暴露面にマイクロクラックを発生させることなく、所定の粗さの凹凸を形成することができ、絶縁体溶射膜の剥離をより確実に防止できる。
【００２５】
請求項２記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法は、請求項１記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法において、前記粗面形成工程の前に、前記プラズマ暴露面にメカポリッシュ又はファイアポリッシュを施す研磨工程を実行し、前記研磨工程では、前記プラズマ暴露面に存在する凹凸を削除することを特徴とする。
【００２６】
請求項２記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によれば、粗面形成工程の前に、プラズマ暴露面にメカポリッシュ又はファイアポリッシュを施してプラズマ暴露面に存在する凹凸を削除するので、生成された化合物をプラズマ暴露面上に均一に分散させてプラズマ暴露面に所定の粗さの凹凸をより確実に形成することができ、絶縁体溶射膜の剥離を十分に防止できる。
【００２７】
上記目的を達成するために、請求項３記載のプラズマ処理装置内部品は、請求項１又は２記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によって製造されることを特徴とする。
【００２８】
請求項３記載のプラズマ処理装置内部品によれば、プラズマ暴露面に所定の粗さの凹凸を形成しつつマイクロクラックを発生させないので、絶縁体溶射膜の剥離を防止できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品について詳述する。
【００３０】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品が配設されるプラズマ処理装置の概略構成を示す図である。
【００３１】
図１において、マグネトロン方式平行平板プラズマ処理装置１０は、円筒状の処理室容器１１を有し、処理室容器１１は、その頂部に円筒状の上部電極１２を有し、その下部に被処理体としての半導体ウエハＷを載置する載置面を頂部に備えた円柱状の下部電極１３を有する。下部電極１３は、上部電極１２との間に、半導体ウエハＷをプラズマ処理するための適切な間隔を形成し、かつ、上部電極１２とほぼ平行となるように配置されている。また、処理室容器１１は、下部電極１３の近傍かつ頂部よりも下の位置において、処理室容器１１の内部を処理領域１４と排気領域１５とに隔離する隔離板１６を有する。上部電極１２は、処理領域１４に処理ガスを導入するガス導入孔（不図示）を有する。
【００３２】
隔離板１６は、処理領域１４内の処理領域内ガスを排気領域１５に排気すべく処理領域１４と排気領域１５を連通する複数のガス通路孔１７を有する。処理室容器１１は、その下部に、排気領域１５を介して処理領域１４を減圧排気するために真空ポンプ（不図示）に接続された排気口１８を有する。
【００３３】
上部電極１２は接地されているのに対して、下部電極１３には整合回路（不図示）を介して少なくとも１つの高周波電源（不図示）が接続されており、処理室容器１１の上部の回りには環状の永久磁石１９が配されている。
【００３４】
また、処理室容器１１の内部において、上部電極１２の外周部には石英製の環状のシールドリング２０がはめ込まれ、下部電極６８上の被処理体Ｗの周辺部に石英製の環状のフォーカスリング２１が配設される。
【００３５】
このプラズマ処理装置１０において、上部電極１２に設けられたガス導入孔を介して処理領域内ガスが導入された処理領域１４は、真空ポンプにより、ガス通路孔１７や排気領域１５を介して減圧排気されて所定圧力に制御される。さらに、高周波電源は上部電極１２及び下部電極１３間において処理領域１４で高周波電界を励起し、永久磁石１９はこの高周波電界と直交する平行磁界を発生して、これら直交した高周波電界及び平行磁界により高密度のプラズマが発生する。
【００３６】
半導体ウエハＷをプラズマ処理する間、発生したプラズマを安定させるために、シールドリング２０、フォーカスリング２１及び処理室容器１１を構成する構成部品等の処理室容器内部品（プラズマ処理装置内部品）の材料として、絶縁体である石英が用いられる。但し、発生したプラズマは、上述したように処理領域１４だけでなく排気領域１５にも回り込んで処理室容器内部品に接触するため、処理室容器内部品のうちプラズマに暴露されるプラズマ暴露面には消耗防止のための絶縁体溶射膜であるアルミナ膜が形成される。
【００３７】
このアルミナ膜が形成されるプラズマ暴露面は、アルミナ膜の処理室容器内部品に対する密着力を向上させるため、平均粗さ（Ｒａ）が２〜１０μｍの凹凸を有する。この凹凸は後述する凹凸形成処理によって形成されるため、当該プラズマ暴露面はマイクロクラックを発生させない。
【００３８】
本第１の実施の形態に係る処理室容器内部品によれば、プラズマ暴露面が平均粗さが２〜１０μｍの凹凸を有し且つマイクロクラックを発生させないので、プラズマ暴露面の実質的な粗さが小さくなることがなく、密着力の不足によるアルミナ膜の剥離を確実に防止できる。
【００３９】
ここで、本第１の実施の形態に係る処理室容器内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する凹凸形成処理について説明する。
【００４０】
図２は、本第１の実施の形態に係る処理室容器内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する凹凸形成処理のフローチャートである。
【００４１】
まず、石英のブロックを切削加工等して所定の形状に成形することによって処理室容器内部品を作製し（ステップＳ２１）、該作製された処理室容器内部品における少なくともプラズマに暴露されるプラズマ暴露面に対して粗さ番目が６０〜１００のブラスト材を、ブラスト圧をほぼ４ＫＰａに維持してプラズマ暴露面に吹き付けるブラスト処理（砂刷り工程）を施す（ステップＳ２２）。このブラスト処理においてプラズマ暴露面に粗さ番目が６０〜１００のブラスト材が吹き付けられるので、プラズマ暴露面には平均粗さが２〜１０μｍの凹凸が形成されるが、同時に、この凹凸の表面には石英の易破砕性に起因するマイクロクラックが発生する。従って、プラズマ暴露面の表面形状は、平均粗さが２〜１０μｍの凹凸及びマイクロクラックが呈する微小な凹凸が組み合わさった凹凸形状となる（図３（ａ））。
【００４２】
次いで、ステップＳ２３において、上記ブラスト処理が施されたプラズマ暴露面を濃度が５〜３０％のフッ酸溶液に１０〜９０分間、好ましくは、ほぼ１５ｗｔ％のフッ酸溶液に２０〜４０分間に亘って浸漬して洗浄する浸漬洗浄処理（洗浄工程）を実行する。この浸漬洗浄処理において、フッ酸溶液は処理室容器内部品の材料である石英と反応して石英を溶融するが、このとき、マイクロクラックが呈する微小な凹凸におけるその体積に対するその表面積の割合が、平均粗さが２〜１０μｍの凹凸におけるその体積に対するその表面積の割合より大きいため、フッ酸溶液は優先的にマイクロクラックが呈する微小な凹凸を溶融し、その結果、プラズマ暴露面からマイクロクラックが呈する微小な凹凸は削除され、プラズマ暴露面は平均粗さが２〜１０μｍの凹凸のみを有する（図３（ｂ））。
【００４３】
その後、浸漬洗浄処理が施されたプラズマ暴露面にアルミナを溶射し（ステップＳ２４）（図３（ｃ））、本処理を終了する。
【００４４】
本処理によれば、プラズマに暴露されるプラズマ暴露面に対してブラスト処理を施し（ステップＳ２２）、該ブラスト処理が施されたプラズマ暴露面に浸漬洗浄処理を施す（ステップＳ２３）ので、ブラスト処理においてプラズマ暴露面に発生したマイクロクラックが呈する微小な凹凸を削除することができ、アルミナ膜の剥離をより確実に防止できる。
【００４５】
また、本処理によれば、浸漬洗浄処理に使用される酸性の溶液は石英との反応速度が速いフッ酸溶液であるので、マイクロクラックが呈する微小な凹凸を効率よく削除することができると共に、使用されるフッ酸溶液の濃度は一般に流通するフッ酸溶液の濃度と同じ５〜３０％であるので、当該フッ酸溶液を安価に調達でき、プラズマ処理装置１０のコストを削減することができる。
【００４６】
さらに、本処理によれば、浸漬洗浄処理においてプラズマ暴露面をフッ酸溶液に浸漬する時間は１０〜９０分間であるので、効率よくプラズマ暴露面を洗浄することができ、もってプラズマ処理装置１０のコストをより削減することができると共に、長時間の浸漬に起因する平均粗さが２〜１０μｍの凹凸の溶融を抑えることができる。その結果、プラズマ暴露面の凹凸のばらつきを抑えることができる。
【００４７】
また、本処理によれば、ブラスト処理において粗さ番目が６０〜１００のブラスト材を、ブラスト圧をほぼ４ＫＰａに維持してプラズマ暴露面に吹き付けるので、平均粗さが２〜１０μｍの凹凸をより確実に形成することができ、アルミナ膜の剥離を十分に防止できる。
【００４８】
本処理における平均粗さが２〜１０μｍの凹凸の形成は、プラズマ暴露面の砂目が粗さ番目で表すと６０〜１００となる処理であれば、如何なる処理で達成されてもよい。
【００４９】
このとき、プラズマ暴露面の砂目が粗さ番目で表すと６０〜１００であれば、平均粗さが２〜１０μｍの凹凸を確実に形成することができ、アルミナ膜の剥離を十分に防止できる。
【００５０】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品について詳述する。
【００５１】
本第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品が配設されたプラズマ処理装置は、その構成が上記第１の実施の形態におけるプラズマ処理装置と基本的に同じであり、同じ構成要素については同一の符号を付して重複した説明を省略し、以下に、異なる部分のみ説明する。
【００５２】
本第２の実施の形態におけるプラズマ処理装置１０においても、上記第１の実施の形態におけるプラズマ処理装置１０と同様、半導体ウエハＷをプラズマ処理する間、発生したプラズマを安定させるために、処理室容器内部品の材料として、絶縁体である石英が用いられ、処理室容器内部品のうちプラズマに暴露されるプラズマ暴露面には消耗防止のための絶縁体溶射膜であるアルミナ膜が形成される。
【００５３】
このアルミナ膜が形成されるプラズマ暴露面は、アルミナ膜の処理室容器内部品に対する密着力を向上させるため、平均粗さが２〜１０μｍ、特に６〜７μｍの凹凸を有する。この凹凸は後述する他の凹凸形成処理によって形成されるため、当該プラズマ暴露面はマイクロクラックを発生させない。
【００５４】
本第２の実施の形態に係る処理室容器内部品によれば、プラズマ暴露面が平均粗さが２〜１０μｍ、特に６〜７μｍの凹凸を有し且つマイクロクラックを発生させないので、プラズマ暴露面の実質的な粗さが小さくなることがなく、プロセスの繰り返しにおけるアルミナ膜の剥離を確実に防止できる。
【００５５】
ここで、本第２の実施の形態に係る処理室容器内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する他の凹凸形成処理について説明する。
【００５６】
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る処理室容器内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する他の凹凸形成処理のフローチャートである。
【００５７】
まず、石英のブロックを切削加工等して所定の形状に成形することによって処理室容器内部品を作製し（ステップＳ４１）、該作製された処理室容器内部品における少なくともプラズマに暴露されるプラズマ暴露面に存在する切削加工等による凹凸を削除するファイアポリッシュやメカポリッシュ等の研磨処理を実行する（ステップＳ４２）。
【００５８】
次いで、ステップＳ４３において、上記研磨処理が施されたプラズマ暴露面に薬液により粗面を形成する粗面形成処理を実行する。この粗面形成処理では、フッ酸を主成分とし且つ後述する化合物を発生する化合物発生成分を含む薬液が使用される。この薬液に含まれる化合物発生成分は、フッ酸溶液中に溶融した石英と反応して不動体である化合物を生成し、該生成された化合物はプラズマ暴露面上に分散して沈殿する。このとき、上記研磨処理においてプラズマ暴露面に存在する凹凸が削除されているので（図５（ａ））、生成された化合物は凹凸に起因して偏在することなく、プラズマ暴露面上に均一に分散する（図５（ｂ））。
【００５９】
化合物が沈殿した箇所の石英はフッ酸溶液と接触することがないので溶融しない一方、化合物が沈殿していない箇所の石英はフッ酸溶液と接触して溶融するので、プラズマ暴露面は部分的にエッチングされる。これにより、プラズマ暴露面は平均粗さが２〜１０μｍ、特に６〜７μｍの凹凸を有する。本処理では、上述した本第１の実施の形態に係る凹凸形成処理のように、プラズマ暴露面にブラスト処理を施すことがないため、マイクロクラックは発生しない（図５（ｃ））。
【００６０】
その後、粗面形成処理が施されたプラズマ暴露面にアルミナを溶射し（ステップＳ４４）（図５（ｄ））、本処理を終了する。
【００６１】
本処理によれば、プラズマに暴露されるプラズマ暴露面に対して研磨処理を施し（ステップＳ４２）、その後、当該研磨処理が施されたプラズマ暴露面に粗面形成処理を施す（ステップＳ４３）ので、プラズマ暴露面においてマイクロクラックを発生させることなく平均粗さが２〜１０μｍの凹凸を形成することができ、アルミナ膜の剥離をより確実に防止できる。
【００６２】
また、本処理によれば、研磨処理においてプラズマ暴露面にメカポリッシュ又はファイアポリッシュを施すので、粗面形成処理において生成された化合物をプラズマ暴露面上に均一に分散することができ、もって、プラズマ暴露面において平均粗さが６〜７μｍの凹凸を形成することができ、アルミナ膜の剥離をより確実に防止できる。
【００６３】
上述した図２の凹凸形成処理及び図４の他の凹凸形成処理において、石英を溶融する溶液としてフッ酸溶液を使用したが、石英を溶融する溶液であれば如何なるものを使用してもよく、また、プラズマ暴露面にはアルミナを溶射したが、この他、セラミックスに属する絶縁体であれば如何なるものを溶射してもよい。
【００６４】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００６５】
まず、φ２５×５ｍｍの円柱状の石英部材を５つ準備し、該石英部材の片端面にブラスト処理を施して凹凸を形成し（ステップＳ２２）、該凹凸が形成された面に浸漬洗浄処理を施して当該面に発生したマイクロクラックを削除した（ステップＳ２３）後、当該面にアルミナを溶射する（ステップＳ２４）ことによって実施例１として５つのテストピースを得た。
【００６６】
次に、実施例１と同様にφ２５×５ｍｍの円柱状の石英部材を５つ準備し、該石英部材の片端面に研磨処理を施し（ステップＳ４２）、さらに、当該面に粗面形成処理を施してマイクロクラックを発生させることなく凹凸を形成し（ステップＳ４３）、当該面にアルミナを溶射する（ステップＳ４４）ことによって実施例２として５つのテストピースを得た。
【００６７】
最後に、実施例１と同様にφ２５×５ｍｍの円柱状の石英部材を５つ準備し、該石英部材の片端面に粗さ番目が８０であるブラストを吹き付けることによって凹凸を形成した。その後、該凹凸が形成された面に発生したマイクロクラックを削除することなく、当該面を純水によって精密洗浄し、該精密洗浄された面にアルミナを溶射することによって比較例１として５つのテストピースを得た。
【００６８】
そして、このようにして得られたテストピースの両端面の各々に接着剤を介して引張り部材を貼着し、引張り部材に万能引張り試験機により引張り荷重を与えることによって石英部材とアルミナを剥離させ、これらが剥離した際の引張り力から石英部材とアルミナの密着圧力を測定した。その測定結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
【００７０】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、請求項１記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によれば、プラズマ暴露面に薬液により粗面を形成するが、このとき、不動体である化合物を生成し、該化合物をプラズマ暴露面上に分散して沈殿させ、さらにプラズマ暴露面を部分的にエッチングするので、プラズマ暴露面にマイクロクラックを発生させることなく、所定の粗さの凹凸を形成することができ、絶縁体溶射膜の剥離をより確実に防止できる。
【００７６】
請求項２記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によれば、粗面形成工程の前に、プラズマ暴露面にメカポリッシュ又はファイアポリッシュを施してプラズマ暴露面に存在する凹凸を削除するので、生成された化合物をプラズマ暴露面上に均一に分散させてプラズマ暴露面に所定の粗さの凹凸をより確実に形成することができ、絶縁体溶射膜の剥離を十分に防止できる。
【００７７】
請求項３記載のプラズマ処理装置内部品によれば、プラズマ暴露面に所定の粗さの凹凸を形成しつつマイクロクラックを発生させないので、絶縁体溶射膜の剥離を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品が配設されるプラズマ処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する凹凸形成処理のフローチャートである。
【図３】図２の凹凸形成処理によるプラズマ暴露面の形状変化を示す図であり、（ａ）はブラスト処理後の形状であり、（ｂ）は浸漬洗浄処理後の形状であり、（ｃ）はアルミナ溶射後の形状である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置内部品のプラズマ暴露面に凹凸を形成する他の凹凸形成処理のフローチャートである。
【図５】図４の他の凹凸形成処理によるプラズマ暴露面の形状変化を示す図であり、（ａ）は研磨処理後の形状であり、（ｂ）は化合物の沈殿後の形状であり、（ｃ）は粗面形成処理後の形状であり、（ｄ）はアルミナ溶射後の形状である。
【図６】従来のプラズマ処理装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１０，６０ プラズマ処理装置
１１，６１ 処理室容器
１４，６２ 処理領域
１５，６３ 排気領域
Claims (3)
- 被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の内部に配設されると共に、プラズマに暴露され且つ絶縁体溶射膜が形成されるプラズマ暴露面を有する石英製のプラズマ処理装置内部品の製造方法において、
前記プラズマ暴露面に薬液により粗面を形成する粗面形成工程を有し、
前記粗面形成工程では、不動体である化合物を生成し、該化合物を前記プラズマ暴露面上に分散して沈殿させ、さらに前記プラズマ暴露面を部分的にエッチングすることを特徴とするプラズマ処理装置内部品の製造方法。 - 前記粗面形成工程の前に、前記プラズマ暴露面にメカポリッシュ又はファイアポリッシュを施す研磨工程を実行し、
前記研磨工程では、前記プラズマ暴露面に存在する凹凸を削除することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法。 - 請求項１又は２記載のプラズマ処理装置内部品の製造方法によって製造されることを特徴とするプラズマ処理装置内部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002277476A JP4113406B2 (ja) | 2002-09-24 | 2002-09-24 | プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002277476A JP4113406B2 (ja) | 2002-09-24 | 2002-09-24 | プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004119475A JP2004119475A (ja) | 2004-04-15 |
| JP4113406B2 true JP4113406B2 (ja) | 2008-07-09 |
Family
ID=32273065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002277476A Expired - Fee Related JP4113406B2 (ja) | 2002-09-24 | 2002-09-24 | プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4113406B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200132817A (ko) | 2017-11-21 | 2020-11-25 | 두산중공업 주식회사 | 외부 냉각시스템을 포함하는 가스터빈 및 이의 냉각방법 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3967318B2 (ja) | 2003-12-26 | 2007-08-29 | 株式会社東芝 | 光伝送路保持部材 |
| JP4649126B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2011-03-09 | 学校法人 中央大学 | 密着性に優れた溶射皮膜を形成する溶射方法 |
| JP5797595B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置のパーツ保護方法および成膜方法 |
| JP7162153B1 (ja) | 2022-04-01 | 2022-10-27 | テクノクオーツ株式会社 | 溶射皮膜の密着性を高めた石英ガラス基材と、その製造方法、および溶射皮膜を有する石英ガラス部品の製造方法 |
-
2002
- 2002-09-24 JP JP2002277476A patent/JP4113406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200132817A (ko) | 2017-11-21 | 2020-11-25 | 두산중공업 주식회사 | 외부 냉각시스템을 포함하는 가스터빈 및 이의 냉각방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004119475A (ja) | 2004-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100299569B1 (ko) | 알루미늄부재의표면처리방법및플라즈마처리장치 | |
| US8475622B2 (en) | Method of reusing a consumable part for use in a plasma processing apparatus | |
| JP4532479B2 (ja) | 処理部材のためのバリア層およびそれと同じものを形成する方法。 | |
| WO2002015248A1 (fr) | Gabarit en verre de silice pour dispositif de traitement au plasma | |
| JPH10340896A (ja) | プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法 | |
| JP2003174012A (ja) | 絶縁膜エッチング装置 | |
| JPH1050663A (ja) | 電極の製造方法およびこの電極を備えるプラズマ処理装置 | |
| JP4785834B2 (ja) | 半導体被覆基板の製造方法 | |
| JP4113406B2 (ja) | プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品 | |
| JP3148878B2 (ja) | アルミニウム板、その製造方法及び該アルミニウム板を用いた防着カバー | |
| JP2016207788A (ja) | 上部電極の表面処理方法、プラズマ処理装置及び上部電極 | |
| US20040200804A1 (en) | Method of processing quartz member for plasma processing device, quartz member for plasma processing device, and plasma processing device having quartz member for plasma processing device mounted thereon | |
| US6545245B2 (en) | Method for dry cleaning metal etching chamber | |
| JP2007243159A (ja) | シリコンウェハの表面層の除去方法 | |
| KR100628393B1 (ko) | 챔버내 부품, 챔버내 부품의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| KR20060057571A (ko) | Ｐｖｄ 부재 및 코일의 리퍼비싱 방법 | |
| JPH09289198A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用保護部材 | |
| JP6638334B2 (ja) | プラズマ処理装置部品のクリーニング方法及びクリーニング装置 | |
| US20160056059A1 (en) | Component for semiconductor process chamber having surface treatment to reduce particle emission | |
| KR20060095018A (ko) | 금속 증착챔버의 실드 세정방법 | |
| JP2004296753A (ja) | プラズマ露出部品及びその表面処理方法並びにプラズマ処理装置 | |
| JPH06283484A (ja) | プラズマ装置のクリーニング方法 | |
| KR100785994B1 (ko) | 반도체 소자 제조용 플라즈마 챔버의 제조 방법 | |
| JP2008172270A (ja) | プラズマ露出部品及びプラズマ処理装置 | |
| JP4887910B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050613 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060427 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070515 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070522 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070723 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071113 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071204 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080115 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080408 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080411 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |