KR100628393B1 - 챔버내 부품, 챔버내 부품의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

챔버내 부품, 챔버내 부품의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100628393B1
KR100628393B1 KR1020037014519A KR20037014519A KR100628393B1 KR 100628393 B1 KR100628393 B1 KR 100628393B1 KR 1020037014519 A KR1020037014519 A KR 1020037014519A KR 20037014519 A KR20037014519 A KR 20037014519A KR 100628393 B1 KR100628393 B1 KR 100628393B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
components
component
coating film
plasma
Prior art date
Application number
KR1020037014519A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040007543A (ko
Inventor
나가야마노부유키
미츠하시코지
나카야마히로유키
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR20040007543A publication Critical patent/KR20040007543A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100628393B1 publication Critical patent/KR100628393B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

플라즈마 처리 용기의 챔버에 사용되는 챔버내 부품은 피복제로 이루어지는 피복막을 갖는다. 피복막 상에 형성된 디포지트를 갖는 챔버내 부품은 챔버와 분리되어 아세톤등의 박리액에 침지된다. 피복제는 고리화 고무-비스아지드 등의 주성분과 감광제로 이루어지기 때문에, 디포지트는 분리되는 피복막과 함께 챔버내 부품으로 부터 분리될 수 있다.

Description

챔버내 부품, 챔버내 부품의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치{IN-CHAMBER MEMBER, A CLEANING METHOD THEREFOR AND A PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 챔버내 부품, 챔버내 부품의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 플라즈마를 여기하여 피 처리물의 표면을 미세 가공하는 플라즈마 처리 장치의 챔버 내부에 배치되는 챔버내 부품, 챔버내 부품의 클리닝 방법 및 챔버내 부품을 구비하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 제조 공정에서는 예컨대 플라즈마 에칭 장치에 의해서 반도체 웨이퍼 등의 피 처리물의 표면에 미세 가공을 실시하는 것이 실행되고 있다.
이러한 종류의 플라즈마 에칭 장치에서는 장치의 기밀된 플라즈마 처리 용기의 챔버 내부에 상부 전극과 하부 전극이 대향하여 배치되어 있다. 이 하부 전극 에는 피 처리물이 탑재된다. 이들 상부 전극과 하부 전극에 고주파 전력이 인가되면, 상부 전극과 하부 전극 사이에 글로 방전이 발생한다. 이 글로 방전은 플라즈마 처리 용기의 챔버로 공급된 처리 가스를 플라즈마화하기 때문에, 피 처리물에 플라즈마에 의한 에칭 가공을 실시할 수 있다. 처리 가스로서는 종래부터 CF(플루오르화탄소계 가스가 널리 사용되고 있다.
이 플라즈마 에칭 장치의 플라즈마 처리 용기에는 알루마이트 처리된 Al(알루미늄) 금속이 모재로서 사용되고 있다. 또한, 소결 처리된 Al2O3(알루미나)로 만든 세라믹스부재가 챔버의 내주면 전역에 걸쳐서 장착 및 분리 가능하게 장착되어 있다.
즉, 종래의 플라즈마 에칭 장치에서는 플라즈마 처리 용기가 Al로 만들어진 외벽부와, 이 외벽부의 내주면에 장착 및 분리 가능하게 장착된 Al2O3(알루미나)로 만든 세라믹스재료로 이루어지는 내벽부로 구성되어 있다. 이 때문에, 플라즈마 처리 용기의 내벽이 플라즈마에 의해 깎이고 손상된 경우라도, 내벽부 만을 교환함으로써 수복할 수 있다.
또한, 종래의 플라즈마 에칭 장치에서는 상부 전극과 하부 전극 사이에 플라즈마를 효과적으로 가두어 피 처리물에 소망하는 에칭 처리를 실시하기 위해서, 포커스 링과 배기 링 등의 내플라즈마성 부품(이하, 「챔버내 부품」이라고 함)이 상부 전극 및 하부 전극의 주변 소정 위치에 배치되어 있다.
그런데, 상기 종래의 CF계 가스를 메인으로 한 플라즈마 에칭 장치에서는 챔버의 내벽에 플라즈마 처리에 의한 반응 부산물(CF계 폴리머)이 생성되어 버린다. 이 부산물은 어느 일정 시간 퇴적하면 박리, 비산하여 이물질이 된다. 이 이물질의 발생을 막기 위해서, 챔버내 부품 등은 정기적으로 습식 클리닝되고 있다.
도 3은 종래의 챔버내 부품의 클리닝을 도시하는 도면으로, 도 3의 (a)는 챔버내 부품에 CF계 폴리머 입자가 퇴적하기 전의 상태를 도시하고, 도 3의 (b)는 챔버내 부품에 CF계 폴리머 입자가 퇴적한 후의 상태를 도시하고, 도 3의 (c)는 세정후의 챔버내 부품의 상태를 도시하고, 도 3의 (d)는 잔류한 CF계 폴리머 입자를 물리적으로 제거한 상태를 도시한다.
플라즈마 에칭 장치의 챔버 내부에서 에칭 처리가 실행되면, 챔버내 부품(60)은 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이 CF계 폴리머 입자가 퇴적하지 않은 상태로부터 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이 CF계 폴리머 입자의 퇴적물(61)이 형성된 상태, 즉 디포지트가 퇴적한 상태로 된다. 이러한 상태가 되었을 때에 정기 클리닝이 실행된다. 정기 클리닝은 챔버내 부품(60)을 세정액과 박리액에 침지하여 실행된다. 그러나, 챔버내 부품(60)을 세정액 등에 침지한 것만으로는 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이 퇴적물(61)은 챔버내 부품(60)으로부터 완전히 박리 되지는 않고, 일부가 잔류해 버린다. 이 때문에, 도 3의 (d)에 도시하는 바와 같이 주걱(62)으로 잔류물을 제거하거나, 블라스트로 잔류물을 제거하거나 하는 물리적 방법으로 잔류물을 제거하고 있다.
그러나, 상술한 바와 같은 물리적 방법으로 잔류물을 제거하는 경우, 정기 클리닝의 공정수가 그만큼 증가하기 때문에 클리닝에 걸리는 시간이 길어짐과 동시에 비용도 든다고 하는 문제가 발생한다. 또한, 챔버내 부품(60)이 물리적 손상을 받는다고 하는 문제도 발생한다. 그래서, 세정액과 박리액을 보다 강력한 것으로 함으로써 물리적 방법에 의한 잔류물의 제거공정을 생략하는 것도 고려된다. 그러나, 잔류물을 완전히 제거할 수 있는 것 같은 세정액 등은 챔버내 부품(60)에 부식 등의 화학적 손상을 부여해 버린다고 하는 새로운 문제가 발생한다.
그래서, 본 발명의 목적은 플라즈마 처리 장치의 챔버 내부의 챔버내 부품에 있어서, 플라즈마에 의한 손상을 방지한 챔버내 부품 및 플라즈마 처리에 기인하여 챔버내 부품에 부착한 반응 부산물을 용이하고 또한 신속하게 제거하는 챔버내 부품의 클리닝 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 챔버내 부품은 플라즈마 처리를 실행하는 챔버의 내부에 배치되는 챔버내 부품에 있어서, 상기 플라즈마 처리에 기인하는 반응 부산물이 부착하고, 박리액 속에서 상기 챔버내 부품으로부터 박리하는, 레지스트로 이루어지는 피복막을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버내 부품에 의하면, 챔버내 부품은 레지스트로 이루어지는 피복막을 가지므로 플라즈마에 의한 손상이 방지되고, 또한 플라즈마 처리에 기인하는 반응 부산물이 피복막에 부착하므로, 피복막을 박리액 속에서 챔버내 부품으로부터 박리시킴으로써, 반응 부산물을 챔버내 부품으로부터 용이하고 또한 신속하게 제거할 수 있다.
바람직하게는, 상기 피복막은 상기 레지스토로부터 상기 감광제 성분을 제거한 것에 의해서 형성한 것이다.
상기 챔버내 부품에 의하면, 레지스트로부터 감광제 성분이 제거되어 있기 때문에, 감광제 성분을 포함하지 않는 만큼 피복막의 형성에 드는 비용이 저하하고, 나아가서는 챔버내 부품의 비용을 저하시킬 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 챔버내 부품의 클리닝 방법은 플라즈마 처리가 실행되는 챔버의 내부에 배치되고, 상기 플라즈마 처리에 기인하는 반응 부산물이 부착하는 챔버내 부품의 클리닝 방법에 있어서, 상기 챔버내 부품의 표면에 레지스트로 이루어지는 피복막을 미리 형성하고, 플라즈마 처리 후에 상기 챔버내 부품을 박리액에 침지하여 상기 피복막에 부착한 반응 부산물을 상기 피복막과 함께 상기 챔버내 부품으로부터 제거한다.
상기 챔버내 부품의 클리닝 방법에 의하면, 플라즈마 처리에 기인하여 피복막에 부착한 반응 부산물은 박리액에 침지한 챔버내 부품으로부터 피복막이 박리할 때에 피복막과 함께 떨어지므로, 반응 부산물을 챔버내 부품으로부터 용이하고 또한 신속하게 제거할 수 있다.
바람직하게는, 챔버내 부품의 클리닝 방법에 있어서의 상기 피복막은 상기 레지스트로부터 감광제 성분을 제거한 것에 의해서 형성된 것이다.
상기 챔버내 부품의 클리닝 방법에 의하면, 레지스트로부터 감광제 성분이 제거되어 있으므로, 감광제 성분을 포함하지 않는 만큼 클리닝 방법의 비용을 저하시킬 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 챔버내 부품은 플라즈마 처리를 하는 챔버의 내부에 배치되는 챔버내 부품에 있어서, 챔버내 부품의 표면에 형성된 반응 부산물이 상기 기재된 클리닝 방법중 하나에 의해서 제거되는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버내 부품에 의하면, 박리액에 침지함으로써 피복막이 박리하고, 이 박리하는 피복막과 함께 플라즈마 처리에 기인하여 피복막에 부착한 반응 부산물이 챔버내 부품으로부터 떨어지기 때문에, 반응 부산물을 용이하고 또한 신속하게 제거할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 챔버의 내부에서 플라즈마를 여기시켜 피 처리물의 표면을 미세 가공하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 챔버는 상기 기재된 챔버내 부품을 내부에 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 플라즈마 처리 장치에 의하면, 챔버내 부품을 박리액에 침지함으로써 챔버내 부품에 부착한 반응 부산물을 용이하고 또한 신속하게 제거할 수 있기 때문에, 유지 보수에 우수한 플라즈마 처리 장치가 된다.
삭제
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 챔버내 부품을 구비한 플라즈마 처리 장치의 내부 구조도이고,
도 2는 도 1의 플라즈마 처리 장치에 구비되는 챔버내 부품과 그 피복막의 상태를 도시하는 도면으로, 도 2의 (a)는 피복제가 도포되기 이전의 챔버내 부품을 도시하고, 도 2의 (b)는 피복제가 도포되어 피복막이 형성된 챔버내 부품을 도시하고, 도 2의 (c)는 피복막 위에 디포지트가 퇴적한 상태의 챔버내 부품을 도시하고, 도 2의 (d)는 도 2의 (c)의 챔버내 부품으로부터 피복막을 박리하는 상태를 도시하고, 도 2의 (e)는 피복막을 챔버내 부품으로부터 완전히 제거한 상태를 도시하고,
도 3은 종래의 챔버내 부품의 클리닝을 도시하는 도면으로, 도 3의 (a)는 챔버내 부품에 CF계 폴리머 입자가 퇴적하기 전의 상태를 도시하고, 도 3의 (b)는 챔버내 부품에 CF계 폴리머 입자가 퇴적한 후의 상태를 도시하고, 도 3의 (c)는 세정후의 챔버내 부품의 상태를 도시하고, 도 3의 (d)는 잔류한 CF계 폴리머 입자를 물리적으로 제거하는 상태를 도시한다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 피복제 및 이 피복제에 의해서 피복막을 형성한 내플라즈마성 부품을 구비한 플라즈마 처리 장치를 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 피복제에 의해서 형성된 내플라즈마성 부품을 구비한 플라즈마 처리 장치의 내부 구조도이다.
플라즈마 처리 장치의 플라즈마 처리 용기(1)는 알루마이트 처리된 Al로 만들어진 외벽부(1a)와, 이 외벽부(1a)의 내주면 전역에 걸쳐서 장착 및 분리 가능하게 장착된 Al2O3로 만들어진 세라믹스부재로 형성되어 있는 내벽부(1b)로 구성되어 있다. 이 내벽부(1b)에 둘러싸여 기밀된 챔버(22)(플라즈마 처리 용기 내부)가 형성되어 있다. 이 챔버(22)내에서 하기의 반도체 웨이퍼에 에칭 처리가 실행된다.
챔버(22)에는 전극 보호부재(8) 외에 배기 링(12), 포커스 링(13), 절연체 링(40), 및 제 1 및 제 2 벨로스 커버(14, 15) 등의 플라즈마분위기에 노출되는 챔버내 부품(내플라즈마성 부품)이 각각의 소정 위치에 배치되어 있다.
이 플라즈마 처리 용기(1)에는 도전성재료로 형성된 하부 전극(2)이 배치되어 있다. 이 하부 전극(2)의 상면에는 피 처리물로서의 반도체 웨이퍼(3)를 흡착 유지하기 위한 정전 척(4)이 설치되어 있다.
하부 전극(2)의 바닥면 및 측면은 상기한 챔버내 부품의 하나인 전극 보호부재(8)로 보호되어 있다. 이 전극 보호부재(8)의 하면(8a) 및 측면은 도전성부재(9)로 피복되어 있다. 이 도전성부재(9)의 하면(9a)의 중앙부에는 개구 부(9b)가 형성되어 있다. 이 개구부(9b)에 노출된 전극 보호부재(8)의 하면(8a)의 중앙부에는 도전성부재(9)의 개구부(9b)보다 개구 면적이 작은 개구부(8b)가 형성되어 있다. 이 개구부(9b)를 관통하여 전극 보호부재(8)의 하면(8a)에 관 형상의 관 형상부재(11)의 선단이 고정되어 있다. 이 관 형상 부재(11)는 산화 처리된 Al 등의 도전성재료로 이루어진다. 관 형상 부재(11)의 개구면적은 개구부(8b)보다 크고, 선단은 개구부(8b)를 둘러싸는 위치에 있다. 이 관 형상 부재(11) 및 전극 보호부재(8)의 개구부(8b)를 관통하고, 화살표 A 방향으로 승강 가능한 승강축(5)의 선단부가 하부 전극(2)의 바닥면에 직접 고정되어 있다. 이 승강축(5)에 의해서 하부 전극(2)은 지지되어 있다. 이 승강축(5)은 정합기(6)를 거쳐서 고주파 전원(7)에 접속되어 있고, 급전막대의 역할을 하고 있다. 이 도전성부재(9)와 플라즈마 처리 용기(1)의 바닥면 사이에는 스테인레스 등의 도전성재료로 형성된 신축 가능한 벨로스(10)가 착석되어 있다.
전극 보호부재(8)의 측면에는 배기 링(12)이 플랜지 형상으로 고착되어 있다. 전극 보호부재(8)의 단면과 정전 척(4)의 측면 사이에는 포커스 링(13) 및 절연체 링(40)이 개재되어 있다. 또한, 배기 링(12)의 하면에는 제 1 벨로스 커버(14)가 늘어뜨려 설치되고, 또한 플라즈마 처리 용기(1)의 바닥면에는 제 1 벨로스 커버(14)에 일부가 중첩되도록 제 2 벨로스 커버(15)가 세워서 설치되어 있다.
플라즈마 처리 용기(1)의 위쪽에는 도전성재료로 형성된 상부 전극(16)이 하부 전극(2)에 대향하여 배치되어 있다. 이 상부 전극(16)에는 다수의 가스 토출 구멍(17)이 관통 형성되어 있다. 플라즈마 처리 용기(1)의 상면에는 가스 공급구(18)가 설치되어 있다. 이 가스 공급구(18)는 유량 조정 밸브(19) 및 개폐 밸브(20)를 거쳐서 가스 공급원(21)에 접속되어 있다. 이 가스 공급원(21)으로부터는 CF(플루오르화탄소)계 가스를 포함하는 처리 가스가 공급된다. 따라서, 가스 공급원(21)으로부터의 처리 가스는 개폐 밸브(20) 및 유량 조정 밸브(19)를 거쳐서 가스 공급구(18)로 공급되고, 가스 토출 구멍(17)으로부터 토출되어 챔버(22)로 도입된다.
플라즈마 처리 용기(1)의 바닥부에는 처리 가스를 배기하기 위한 배기구(23)가 관통 형성되어 있고, 이 배출구(23)에는 진공 펌프(24)가 접속되어 있다. 또한, 플라즈마 처리 용기(1)의 아래쪽 측면에는 피 처리물 반송구(25)가 관통 형성되어 있다. 이 피 처리물 반송구(25)는 반도체 웨이퍼(3)를 챔버(22)로 반입하거나, 처리 완료된 반도체 웨이퍼(3)를 챔버(22)로부터 반출하기 위한 개구부이다.
플라즈마 처리 용기(1)의 외주에는 정전 척(4)에 흡착된 반도체 웨이퍼(3)의 피 처리면에 대하여 자력선의 방향이 평행해지는 자장을 발생시키기 위한 영구자석(26)이 배치되어 있다.
이와 같이 구성된 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 도시하지 않은 구동 장치에 의해서 승강축(5)을 화살표 A 방향으로 승강시켜서 반도체 웨이퍼(3)의 위치조정을 실행한다. 고주파 전원(7)으로부터 승강축(5)을 거쳐서, 예컨대 13.56MHz의 고주파 전력이 하부 전극(2)에 인가되면, 하부 전극(2)과 상부 전극(16) 사이에 글로 방전이 발생하여 전기장과 자기장이 직교하는 직교 전자기장이 형성된다.
챔버(22)가 진공 펌프(24)에 의해서 소정의 진공 분위기로 감압되고, 가스 공급원(21)으로부터의 처리 가스가 가스 공급구(18)를 통해서 챔버(22)로 공급되면, 처리 가스가 플라즈마화한다. 이에 따라, 마스킹되어 있는 반도체 웨이퍼(3)의 피 처리면에 소망하는 미세 가공이 실시된다. 이 때, CF계 가스와 반도체 웨이퍼(3)의 반응 부산물 및 플라즈마에 의한 CF계 가스의 분해 성분, 래디컬 등이 생성되고, 그들의 고체입자가 비산하여 챔버내 부품 등의 표면에 고착하여 퇴적한다. 이른바 디포지트가 챔버 내 부품 등의 표면에 퇴적한다.
도 2는 도 1의 플라즈마 처리 장치에 구비되는 내플라즈마성 부품과 그 피복막의 상태를 도시하는 도면으로, 도 2의 (a)는 피복제가 도포되기 이전의 챔버내 부품을 도시하고, 도 2의 (b)는 피복제가 도포되어 피복막이 형성된 챔버내 부품을 도시하고, 도 2의 (c)는 피복막 위에 디포지트가 퇴적한 상태의 챔버내 부품을 도시하고, 도 2의 (d)는 도 2의 (c)의 챔버내 부품으로부터 피복막을 박리하는 상태를 도시하고, 도 2의 (e)는 피복막을 챔버내 부품으로부터 완전히 제거한 상태를 도시한다.
도 2에 있어서, 도 2의 (a)에는 정기 클리닝 등이 끝난 챔버내 부품(50)이 도시되어 있다. 챔버내 부품(50)에는 AlF3입자의 퇴적물(디포지트)은 잔류하고 있지 않다. 이 챔버내 부품(50)에, 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이 피복제(51)를 도포한다. 이 피복제(51)는 챔버내 부품(50)의 전체에 도포될 필요는 없고, 디포지트가 퇴적하는 장소만이라도 무방하다. 이 피복제(51)의 소재는 반도체 웨이퍼에 패턴을 형성하기 위해서 사용되는 레지스트이며, 챔버내 부품(50)에 도포되면, 건조하여 피복막(레지스트 막)을 형성한다.
다음에, 레지스트의 주성분과 감광제와 이들을 녹이는 유기용제의 예를 든다. 주성분의 예로서는 고리화 고무-비스아지드, 폴리 신남산 비닐, 나프탈렌화합물, 페놀 수지, 아크릴 수지, 노볼락 수지 등이 있다. 감광제의 예로서는 디아조 나프토퀴논 화합물과 방향족 비스아지드 등이 있다. 유기용제의 예로서는 에틸 랙테이트, 에틸 피루베이트, 크실렌 등이 있다.
플라즈마 처리 용기(1)의 내부에서 에칭 처리가 실행되면, 도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이 디포지트(52)가 챔버내 부품(50)의 피복제(51)의 피복막 상에 퇴적해 온다. 정기 클리닝 등으로 챔버내 부품(50)을 세정할 때에는 챔버(22)내로부터 분리한 챔버내 부품(50)을 박리액에 침지한다. 박리액은 예컨대 아세톤, 신나, 알콜류 등의 유기용제이다. 피복제(51)는 이러한 박리액에 용해하기 때문에, 챔버내 부품(50)을 박리액에 침지하면, 도 2의 (d)에 도시하는 바와 같이 디포지트(52)는 피복제(51)의 피복막에 부착한 채로 피복막의 박리와 함께 챔버내 부품(50)으로부터 분리된다. 피복제(51)의 피복막이 챔버내 부품(50)으로부터 박리하면, 도 2의 (e)에 도시하는 바와 같이 챔버내 부품(50)은 완전히 클리닝된 상태로 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 피복제(51)에 의하면, 챔버내 부품(50)에 형성된 피복제(51)의 피복막은 아세톤, 신나, 알콜 등의 유기용제에 침지함으로써 완전히 박리할 수 있기 때문에 편리성이 좋다. 또한, 아세톤 등은 순 알루미늄에 손상을 부여하지 않기 때문에 챔버내 부품(50)의 손상을 걱정하는 일 없이 사용할 수 있다.
또한, 상술한 레지스트 대신에 레지스트로부터 감광제 성분을 제외한 것을 피복제로서 사용해도 무방하다. 이 경우, 피복제의 취급이 보다 용이해짐과 동시에 비용도 저하한다.
이상 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 챔버내 부품에 의하면, 챔버내 부품은 레지스트로 이루어지는 피복막을 가지므로 플라즈마에 의한 손상이 방지되고, 또한 플라즈마 처리에 기인하는 반응 부산물이 피복막에 부착하므로, 피복막을 박리액 중에서 챔버내 부품으로부터 박리시킴으로써, 반응 부산물을 챔버내 부품으로부터 용이하고 신속하게 제거할 수 있다.
또한, 레지스트로부터 감광제 성분을 제거한 것에 의해서 피복막이 형성된 챔버내 부품에 의하면, 레지스트에 감광제 성분을 포함하지 않는 만큼 피복막의 형성에 드는 비용이 저하하고, 나아가서는 챔버내 부품의 비용을 저하시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 챔버내 부품의 클리닝 방법에 의하면, 플라즈마 처리에 기인하는 반응 부산물이 미리 형성되어 있는 피복막에 부착하고, 이 피복막은 챔버내 부품을 박리액에 침지함으로써 박리하므로, 이 박리하는 피복막과 함께 반응 부산물을 챔버내 부품으로부터 용이하게 제거할 수 있다.
또한, 챔버내 부품의 클리닝 방법에 의하면, 레지스트로부터 감광제 성분이 제거되어 있으므로, 감광제 성분을 포함하지 않는 만큼 클리닝 방법의 비용을 저하시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 챔버내 부품에 의하면, 박리액에 침지함으로써 피복막이 박리하고, 이 박리하는 피복막과 함께 플라즈마 처리에 기인하여 피복막에 부착한 반응 부산물이 챔버내 부품으로부터 떨어지므로, 반응 부산물을 용이하고 또한 신속하게 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 처리 장치에 의하면, 챔버내 부품을 박리액에 침지함으로써 챔버내 부품에 부착한 반응 부산물을 용이하고 또한 신속하게 제거할 수 있으므로, 유지 보수에 우수한 플라즈마 처리 장치가 된다.

Claims (6)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 플라즈마 처리가 실행되는 챔버의 내부에 배치되고, 상기 플라즈마 처리에 기인하는 반응 부산물이 부착하는 챔버내 부품의 클리닝 방법에 있어서,
    상기 챔버내 부품의 표면에 레지스트로 이루어지는 피복막을 미리 형성하는 단계,
    상기 챔버내에서 플라즈마 처리를 수행하는 단계,
    상기 플라즈마 처리 후에 상기 챔버내 부품을 상기 챔버내로부터 꺼내는 단계,
    상기 챔버내로부터 꺼낸 상기 챔버내 부품을 박리액에 침지하여, 상기 피복막에 부착한 반응 부산물을 상기 피복막의 박리와 함께 상기 챔버내 부품으로부터 제거하는 단계를 포함하는
    챔버내 부품의 클리닝 방법.
  4. 플라즈마 처리가 실행되는 챔버의 내부에 배치되고, 상기 플라즈마 처리에 기인하는 반응 부산물이 부착하는 챔버내 부품의 클리닝 방법에 있어서,
    상기 챔버내 부품의 표면에 감광제 성분이 제외된 레지스트의 나머지 부분으로 이루어지는 피복막을 미리 형성하는 단계,
    상기 챔버내에서 플라즈마 처리를 수행하는 단계,
    상기 플라즈마 처리 후에 상기 챔버내 부품을 상기 챔버내로부터 꺼내는 단계,
    상기 챔버내로부터 꺼낸 상기 챔버내 부품을 박리액에 침지하여, 상기 피복막에 부착한 반응 부산물을 상기 피복막의 박리와 함께 상기 챔버내 부품으로부터 제거하는 단계를 포함하는
    챔버내 부품의 클리닝 방법.
  5. 제 3 또는 4 항에 있어서,
    상기 챔버내 부품의 표면에 피복막을 미리 형성하는 단계는 도포한 후 건조하는 것에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는
    챔버내 부품의 클리닝 방법.
  6. 삭제
KR1020037014519A 2001-05-09 2002-04-03 챔버내 부품, 챔버내 부품의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치 KR100628393B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001138383A JP2002334866A (ja) 2001-05-09 2001-05-09 被覆剤及びそれを施した耐プラズマ性部品
JPJP-P-2001-00138383 2001-05-09
PCT/JP2002/003333 WO2002091445A1 (en) 2001-05-09 2002-04-03 Coating agent, plasma-resistant component having coating film formed by the coating agent, plasma processing device provided with the plasma-resistant component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040007543A KR20040007543A (ko) 2004-01-24
KR100628393B1 true KR100628393B1 (ko) 2006-09-26

Family

ID=18985328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037014519A KR100628393B1 (ko) 2001-05-09 2002-04-03 챔버내 부품, 챔버내 부품의 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20040163591A1 (ko)
JP (1) JP2002334866A (ko)
KR (1) KR100628393B1 (ko)
CN (1) CN1276478C (ko)
WO (1) WO2002091445A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7722778B2 (en) * 2006-06-28 2010-05-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for sensing unconfinement in a plasma processing chamber
CN105002477B (zh) * 2015-08-27 2018-06-29 广东先导稀材股份有限公司 一种石墨沉积装置及其制备方法
GB201603988D0 (en) * 2016-03-08 2016-04-20 Semblant Ltd Plasma deposition method
JP6146841B1 (ja) * 2016-08-04 2017-06-14 日本新工芯技株式会社 リング状電極
JP7140110B2 (ja) * 2017-04-13 2022-09-21 Jsr株式会社 半導体基板洗浄用組成物

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52142970A (en) * 1976-05-25 1977-11-29 Nec Corp Plasma treating device
JPS61166030A (ja) * 1985-01-17 1986-07-26 Matsushita Electronics Corp レジストエツチ速度抑制方法
JPH03294488A (ja) * 1990-04-13 1991-12-25 Fujitsu Ltd イオンエッチング装置
JPH04313223A (ja) * 1991-04-04 1992-11-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US5486235A (en) * 1993-08-09 1996-01-23 Applied Materials, Inc. Plasma dry cleaning of semiconductor processing chambers
JPH09186137A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Sony Corp 半導体製造装置
US6147010A (en) * 1996-11-14 2000-11-14 Micron Technology, Inc. Solvent prewet and method to dispense the solvent prewet
US6010967A (en) * 1998-05-22 2000-01-04 Micron Technology, Inc. Plasma etching methods
JP4165845B2 (ja) * 1998-12-07 2008-10-15 株式会社エフオーアイ 表面処理方法および洗浄装置
JP2000243742A (ja) * 1999-02-24 2000-09-08 Hitachi Chem Co Ltd プラズマ発生装置、そのチャンバー内壁保護部材及びその製造法、チャンバー内壁の保護方法並びにプラズマ処理方法
JP4223621B2 (ja) * 1999-03-12 2009-02-12 ナガセケムテックス株式会社 レジスト剥離剤組成物の使用方法
JP2000292941A (ja) * 1999-04-12 2000-10-20 Hitachi Ltd フォトマスク作製方法
JP4138166B2 (ja) * 1999-07-09 2008-08-20 株式会社東芝 銅被膜の選択形成方法および半導体装置の製造方法
US6368974B1 (en) * 1999-08-02 2002-04-09 United Microelectronics Corp. Shrinking equal effect critical dimension of mask by in situ polymer deposition and etching
US6322716B1 (en) * 1999-08-30 2001-11-27 Cypress Semiconductor Corp. Method for conditioning a plasma etch chamber
JP2001077088A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US6762132B1 (en) * 2000-08-31 2004-07-13 Micron Technology, Inc. Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040007543A (ko) 2004-01-24
WO2002091445A1 (en) 2002-11-14
CN1507652A (zh) 2004-06-23
CN1276478C (zh) 2006-09-20
JP2002334866A (ja) 2002-11-22
US20080196744A1 (en) 2008-08-21
US20040163591A1 (en) 2004-08-26
US7892361B2 (en) 2011-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102632725B1 (ko) 기판 지지 플레이트 및 이를 포함하는 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법
US5507874A (en) Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors
US7628864B2 (en) Substrate cleaning apparatus and method
JP2568371B2 (ja) 真空チャンバ用の新規な蓋および扉、並びにそれに対する前処理
US7811409B2 (en) Bare aluminum baffles for resist stripping chambers
WO2005048289A2 (en) Method and apparatus comprising an improved focus ring
KR100572907B1 (ko) 플라즈마 처리 용기 내부재 및 이 플라즈마 처리 용기 내부재를 구비하는 플라즈마 처리 장치
US7892361B2 (en) In-chamber member, a cleaning method therefor and a plasma processing apparatus
KR100674735B1 (ko) 기판세정장치 및 기판세정방법
KR100737753B1 (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법
JP4622972B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4398091B2 (ja) 半導体処理装置の部品の洗浄液及び洗浄方法
TW556269B (en) Method of processing quartz member for plasma processing device, quartz member for plasma processing device, and plasma processing device having quartz member for plasma processing device mounted thereon
JP2000124197A (ja) プラズマ処理装置
JP4113406B2 (ja) プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品
JPH108269A (ja) ドライエッチング装置
JP2005012217A (ja) 半導体製造装置
CN113097041B (zh) 防止产生污染物的零部件处理方法及等离子体处理装置
KR20040110845A (ko) 기판 처리 챔버 내부 장착용 부품표면 가공방법
JP2007525820A (ja) 処理システムのための適応可能な処理部材ならびにその製造方法
JP2005217106A (ja) プラズマｃｖｄ装置及びクリーニング方法及び成膜方法
KR20060005169A (ko) 반도체 제조 장치
JP2004296753A (ja) プラズマ露出部品及びその表面処理方法並びにプラズマ処理装置
JP2002064083A (ja) アッシング処理装置および処理方法
JP2008172270A (ja) プラズマ露出部品及びプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120907

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130903

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140901

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee