JPH10107130A - ウエハ保持具 - Google Patents

ウエハ保持具

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JPH10107130A
JPH10107130A JP25814296A JP25814296A JPH10107130A JP H10107130 A JPH10107130 A JP H10107130A JP 25814296 A JP25814296 A JP 25814296A JP 25814296 A JP25814296 A JP 25814296A JP H10107130 A JPH10107130 A JP H10107130A
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JP
Japan
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wafer
heat
resistant resin
wafer holder
resin film
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JP25814296A
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English (en)
Inventor
Akira Omae
朗 大前
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ウエハへのパティクルの付着を低減する。 【解決手段】半導体ウエハの周縁を保持する略リング状
をしたセラミック製の板状体からなるウエハ保持具の少
なくとも頂面及び内壁面に耐熱性樹脂膜を被着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程におけるエッチングや成膜、あるいはフォトレジス
トに対する露光処理等に用いられる各種処理装置におい
て、半導体ウエハを保持するために使用するウエハ保持
具に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程におけるエ
ッチングや成膜、あるいはフォトレジストに対する露光
処理等に用いられる各種処理装置においては、半導体ウ
エハを載置台の上に配置し、該ウエハの周縁を略リング
状をしたウエハ保持具で押さえ付けて保持するようにし
たものがあった。
【0003】例えば、半導体ウエハにエッチング処理を
施す場合、上記半導体ウエハを保持した載置台を有する
処理室内にエッチング用ガスとしてフッ素系や塩素系の
腐食性ガスを供給するとともに、プラズマを発生させる
ことにより、半導体ウエハに微細加工を施すようになっ
ていた。
【0004】そして、上記半導体ウエハを保持するウエ
ハ保持具には、処理中プラズマに常に曝されるとともに
高温に加熱されることから、耐熱性及び耐プラズマ性を
有する材質により形成する必要があり、これらを構成す
る材質として石英、あるいは高純度のアルミナセラミッ
クスや窒化アルミニウム質セラミックスで形成したもの
があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ウエハ保持
具を石英で形成したものではエッチングされ易く、短期
間で寿命となってしまうとともに、剛性が低いために高
精度に半導体ウエハを保持することができないといった
課題があった。
【0006】また、ウエハ保持具をアルミナセラミック
スや窒化アルミニウム質セラミックスで形成したものは
耐プラズマ性には優れているものの、腐食性ガスと反応
し易く反応膜を形成するために、該反応膜が電位勾配に
より加速されたイオンとの衝突によりエッチングされ、
その微粉がウエハにパーティクルとして付着するために
悪影響を与えるといった課題があった。
【0007】即ち、上記ウエハ保持具を構成するアルミ
ナセラミックスや窒化アルミニウム質セラミックスは、
エッチング用ガスとして処理室内に供給された腐食性ガ
ス、特にフッ素系ガスと反応して、ウエハ保持具の頂部
や内外壁面に反応膜としてAlF3 膜を形成する。そし
て、このAlF3 膜は電位勾配により加速されたイオン
との衝突によりエッチングされ、その微粉がウエハにパ
ーティクルとして付着することになる。
【0008】また、エッチングされた微粉は処理室内に
残留しているため、エッチング処理を終えたウエハを搬
送し、次のウエハを保持するまでの間、載置台が処理室
内に露出するため、載置台の支持面には処理室内に残留
した反応膜の微粉が堆積し、その上にウエハを載置する
と、微粉がウエハにパーティクルとして付着することに
なる。
【0009】その為、ウエハ保持具の表面に形成された
反応膜を定期的に除去しなければならないことは勿論の
こと、処理室内にも反応膜の微粉が付着することから、
処理室の洗浄も定期的に行う必要があり、その度に装置
を停止しなければならず、製造効率を向上させることが
できなかった。
【0010】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、半導体ウエハの周縁を保持する略リング状を
したセラミック製の板状体からなり、該板状体の少なく
とも頂面及び内壁面に耐熱性樹脂膜を被着してウエハ保
持具を構成したものである。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図1は本発明に係るウエハ保持具を用いたプ
ラズマエッチング装置を示す概略図であり、処理室25
内に配置する載置台21の上にシリコン等のウエハ20
を配置し、上記ウエハ20の周縁を略リング状をしたウ
エハ保持具10により押さえ付けて保持してある。ま
た、載置台21を挟んで上下部にはプラズマ発生用電極
22、23を配設してあり、高周波電圧を印加して腐食
性ガス下でプラズマを発生させることにより、ウエハ2
0をプラズマエッチングするようになっている。
【0012】また、図2(a)、(b)に上記ウエハ保
持具10の詳細を示すように、中央に開口部2を有する
とともに、該開口部2に連通し、ウエハ20の外形状に
合致する第1の凹部3aと、該凹部3aに連通し、載置
台21の外形状に合致する第2の凹部3bをそれぞれ備
え、かつ外周部に段差部4を備えてなる略リング状をし
た板状体1をしたもので、該板状体1はセラミックスに
より形成するとともに、その頂面1a及び内外壁面1
c、1dに耐熱性樹脂膜5を被着してある。
【0013】このように、本発明はウエハ保持具10を
なす板状体1そのものを高剛性を有するセラミックスで
形成してあることから、載置台21に配置するウエハ2
0を確実に保持することができる。また、板状体1の少
なくとも頂面1a及び内壁面1cに耐熱性樹脂膜5を被
着してあることから、ウエハ20へのパーティクルの付
着を大幅に低減することができる。
【0014】即ち、耐熱性樹脂はセラミックスの耐プラ
ズマ性と同等あるいは若干劣る程度であるものの、処理
室25内に供給される腐食性ガスと反応膜を作ることな
く蒸発し、ガスとして排出させることができるため、従
来のセラミックスのみからなるウエハ保持具のように反
応膜がエッチングされることによる微粉の発生がなく、
それ故、ウエハ20へのパーティクルの付着を防ぐこと
ができるとともに、反応膜除去の洗浄を施す必要も殆ど
ない。しかも、微粉の発生がないため処理室25内への
パーティクルの付着も少ないことから処理室25内の洗
浄を施す必要も殆どない。
【0015】また、板状体1に被着した耐熱性樹脂膜5
がエッチングにより摩耗したとしても、再度、被着し直
せばよく、セラミックスからなる板状体1はそのまま再
使用することができるため経済的である。
【0016】ところで、板状体1に被着する耐熱性樹脂
膜5としてはエッチング処理の雰囲気温度(200〜5
00℃程度)に耐えるとともに、フッ素系や塩素系等の
腐食性ガスに対し高い耐蝕性を有するものが良く、例え
ば、ポリテトラフルオルエチレン(PTFE)、テトラ
フルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン(FE
P)、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体(E
TFE)、テトラフルオロエチレン・ハーフルオロアル
キルビニールエーテル共重合体(PFA)等のフッ素樹
脂やポリイミド樹脂(PABM)、ポリベンズイミダゾ
ール樹脂(PBI)等が好適に使用することができる。
【0017】これらの樹脂は表1にその特性を示すよう
に、耐熱温度がエッチング処理や低温の成膜処理、ある
いはクリーニング処理の雰囲気温度である200〜50
0℃程度の範囲にあり、また、使用する腐食性ガスによ
っては従来より使用されている石英や窒化アルミニウム
質セラミックスより優れた耐蝕性を有している。
【0018】
【表1】
【0019】これらの中でも特にポリベンズイミダゾー
ル樹脂(PBI)は耐熱温度が600℃と充分な耐熱性
を有するとともに、腐食性ガスに対するエッチングレー
トも480〜560A/minとアルミナセラミックス
に対し2倍程度腐食し易いだけであるため、樹脂膜5の
再被着回数が少なくて済み経済的である。
【0020】なお、本発明でいう耐熱樹脂膜5は表1に
示したものだけに限定されるものではなく、少なくとも
200℃以上の耐熱性を有するとともに、フッ素系や塩
素系等の腐食性ガスに対し高い耐蝕性を有するものであ
れば良い。また、これらの耐熱性樹脂膜5を板状体1に
被着する手段としては、スプレーやスクリーン印刷、あ
るいは浸漬等により適宜行えば良い。
【0021】ただし、被着する耐熱性樹脂膜5の厚みt
が薄すぎると、短期間のうちにプラズマによりエッチン
グされて摩耗して使用不能となることから、少なくとも
10μm以上の厚みtをもって被着することが良い。ま
た、耐熱性樹脂膜5の表面状態が粗すぎるとエッチング
の影響を受け易いことから、耐熱性樹脂膜5の表面状態
は中心線平均粗さ(Ra)で3μm以下とすることが良
い。
【0022】一方、板状体1を構成するセラミックスと
しては、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニ
ウム等のセラミックスで形成すれば良い。これらのセラ
ミックスは表2に示すように比剛性が0.3×109
m以上と充分な剛性を有するとともに、熱膨張係数が
2.5〜7.5×10-6/℃とシリコン等のウエハ20
の熱膨張係数に近似していることから、ウエハ20を確
実に押さえ付けて保持することができる。
【0023】
【表2】
【0024】また、図1に示すウエハ保持具10では板
状体1の頂面1a及び内外壁面1c、1dに耐熱性樹脂
5を被着した例を示したが、板状体1の頂面1aと内壁
面1cにのみ耐熱性樹脂膜5を被着した場合、外壁面1
dがプラズマ及び腐食性ガスに曝されることになるた
め、このような場合には板状体をセラミックスの中でも
耐プラズマ性及び耐蝕性に優れるアルミナや窒化アルミ
ニウムにより形成することが好ましい。
【0025】さらに、耐熱性樹脂膜5を被着する部位の
板状体1の表面が粗すぎると耐熱性樹脂膜5を被着した
時に欠け等が発生して密着性が低下し、逆に滑らか過ぎ
ると耐熱性樹脂膜5を被着することができなくなる。そ
の為、耐熱性樹脂膜5を被着する板状体1の表面は中心
線平均粗さ(Ra)で0.5〜6μmとすることが必要
である。
【0026】なお、本発明に係るウエハ保持具10は図
1に示す形状をしたものだけに限らず、少なくともウエ
ハ保持具10そのものがセラミックスからなり、少なく
とも頂面1a及び内壁面1cに耐熱性樹脂膜5を被着し
たものであれば良い。
【0027】
【実施例】本発明に係るウエハ保持具10と従来のウエ
ハ保持具を用意し、これらを図1に示すようなエッチン
グ装置に組み込んで6インチのウエハ20にエッチング
加工を施し、ウエハ20に付着するパーティクル数につ
いて測定を行った。
【0028】本実験ではプラズマ発生用電極22、23
に600Wの電力を印加してプラズマを発生させるとと
もに、処理室25内にエッチング用ガスとしてCH4
CHF3 の混合ガスと雰囲気ガスであるArを供給して
エッチング処理を施し、ウエハ処理枚数が100枚目の
ウエハ20に付着するパーティクル数をパーティクルカ
ウンターにより測定した。
【0029】また、本発明のウエハ保持具10には、純
度99.5%のアルミナセラミックスからなる板状体1
の頂面1a及び内外壁面1c、1dに耐熱性樹脂膜5と
してポリベンズイミダゾール樹脂(PBI)を被着した
ものを使用し、従来のウエハ保持具には、純度99.5
%のアルミナセラミックス及び石英で形成したものをそ
れぞれ用意した。
【0030】測定結果は表3に示す通りである。
【0031】
【表3】
【0032】この結果、石英からなる従来のウエハ保持
具は、パーティクル数が150個程度とほとんど付着が
見られなかったものの、摩耗量が10μmと大きく、短
期間で寿命となってしまった。
【0033】また、アルミナセラミックスからなる従来
のウエハ保持具はプラズマによる大きな摩耗は見られな
かったものの、表面に形成された腐食性ガスとの反応膜
がエッチングされ、ウエハ20に3650個のパーティ
クルが付着していた。
【0034】これに対し、本発明のウエハ保持具10は
プラズマによる摩耗が2.5μmとアルミナセラミック
スと比べて若干劣る程度で大きな摩耗は見られず、ま
た、パーティクル数も55個と殆どウエハ20に微粉の
付着が見られなかった。
【0035】このように、本発明に係るウエハ保持具1
0を用いれば、ウエハ20へのパーティクルの付着が殆
どなく、また、ウエハ保持具10そのものの洗浄を殆ど
行う必要がない。また、プラズマによる耐熱性樹脂膜5
の摩耗も少ないことから、長期間にわたり使用できると
ともに、耐熱性樹脂膜5が摩滅したとしても再被着し直
すだけで再使用することができる。
【0036】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
ウエハの周縁を保持する略リング状をしたセラミック製
の板状体からなり、該板状体の少なくとも頂面及び内壁
面に耐熱性樹脂膜を被着してウエハ保持具を構成したこ
とにより、腐食性ガスとの反応生成物を生成することが
なく、ウエハへのパティクルの付着を大幅に低減するこ
とができる。その為、ウエハ保持具及び処理室内の洗浄
を殆ど施す必要がないため、製造効率を向上させること
ができる。しかも、耐熱性樹脂膜が摩耗したとしても再
被着し直すだけで再使用することができ経済的である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るウエハ保持具を用いたプラズマエ
ッチング装置を示す概略図である。
【図2】本発明に係るウエハ保持具を示す図であり、
(a)は斜視図、(b)はX−X線断面図である。
【符号の説明】
1・・・板状体、 2・・・開口部、孔3a,3b・・
・凹部、4・・・段差部、 5・・・耐熱性樹脂膜、
10・・・ウエハ保持具

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウエハの周縁を保持する略リング状
    をしたセラミック製の板状体からなり、該板状体の少な
    くとも頂面及び内壁面に耐熱性樹脂層が被着してあるこ
    とを特徴とするウエハ保持具。
JP25814296A 1996-09-30 1996-09-30 ウエハ保持具 Pending JPH10107130A (ja)

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