JP2003086571A - プラズマエッチング装置用部材 - Google Patents
プラズマエッチング装置用部材Info
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Classifications
-
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマによるエッチング耐性が高く、かつ異
常なエッチングの発生がなく長時間使用できるプラズマ
エッチング装置用部材を提供すること。 【解決手段】表面がフッ素樹脂又はエンジニアリングプ
ラスチックで膜厚５０μｍ以上、被膜の面粗さＲａ１μ
ｍ以下に被覆されたことを特徴とするプラズマエッチン
グ装置用部材。
常なエッチングの発生がなく長時間使用できるプラズマ
エッチング装置用部材を提供すること。 【解決手段】表面がフッ素樹脂又はエンジニアリングプ
ラスチックで膜厚５０μｍ以上、被膜の面粗さＲａ１μ
ｍ以下に被覆されたことを特徴とするプラズマエッチン
グ装置用部材。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスのプラ
ズマエッチング装置に用いる部材に関し、さらに詳しく
はフッ素樹脂又はエンジニアリングプラスチックで部材
表面を被覆したプラズマエッチング装置用部材に関する
ものである。
ズマエッチング装置に用いる部材に関し、さらに詳しく
はフッ素樹脂又はエンジニアリングプラスチックで部材
表面を被覆したプラズマエッチング装置用部材に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体デバイスの製造プロセス
では、プラズマを使用したエッチング処理が行われてい
る。このプラズマエッチング処理ではプラズマ内で発生
したイオンやラジカルでＳｉウェーハ表面の薄膜を化学
的なエッチングメカニズムで、又は物理的なエッチング
メカニズムで、さらには電気的にイオンのスピードを加
速させて、Ｓｉウェーハ表面に引き寄せて薄膜を異方的
にエッチングする方法が採られている。そして、このプ
ラズマエッチング処理に用いるエッチング装置には、石
英ガラス、アルミ、アルマイト、セラミックスなどの部
品や容器（以下部材という）が装着されているのが一般
的である。ところが、これらの部材はエッチング処理中
にその表面がエッチングされ、パーティクルが発生する
ことが起こる。そのため、従来、部材表面にフッ素樹脂
やエンジニアリングプラスチック製のテープを簡易的に
貼って、パーティクルの発生を防ぐことが行われてい
た。また、表面に膜をコーティングしても、面の平滑性
が悪く、面が粗れているとの問題があった。
では、プラズマを使用したエッチング処理が行われてい
る。このプラズマエッチング処理ではプラズマ内で発生
したイオンやラジカルでＳｉウェーハ表面の薄膜を化学
的なエッチングメカニズムで、又は物理的なエッチング
メカニズムで、さらには電気的にイオンのスピードを加
速させて、Ｓｉウェーハ表面に引き寄せて薄膜を異方的
にエッチングする方法が採られている。そして、このプ
ラズマエッチング処理に用いるエッチング装置には、石
英ガラス、アルミ、アルマイト、セラミックスなどの部
品や容器（以下部材という）が装着されているのが一般
的である。ところが、これらの部材はエッチング処理中
にその表面がエッチングされ、パーティクルが発生する
ことが起こる。そのため、従来、部材表面にフッ素樹脂
やエンジニアリングプラスチック製のテープを簡易的に
貼って、パーティクルの発生を防ぐことが行われてい
た。また、表面に膜をコーティングしても、面の平滑性
が悪く、面が粗れているとの問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記テ
ープを貼る方法では、テープ自体の膜厚が薄く、エッチ
ング耐性の効果が十分でないことや、テープを貼ること
によりつなぎ目が形成されて、この部分の隙間にプラズ
マのイオンが染み込んで生地を部分的にエッチングする
問題があった。また、テープを均一に表面に貼るのが難
しく、部分的に生地とテープの間に隙間ができてしま
い、この隙間により表面に凹凸が形成され表面での電気
的特性にムラが生じ、それが原因で部分的な絶縁破壊が
起こり、テープにピンホールが発生するなどの不具合も
あった。さらに、テープの粘着材から汚染物質が放出さ
れ、ウェーハの特性を劣化させる問題もあった。また、
面が粗れていることから、プラズマがうまく発生しなか
ったり、膜にピンホールが形成されてしまうことがあっ
た。
ープを貼る方法では、テープ自体の膜厚が薄く、エッチ
ング耐性の効果が十分でないことや、テープを貼ること
によりつなぎ目が形成されて、この部分の隙間にプラズ
マのイオンが染み込んで生地を部分的にエッチングする
問題があった。また、テープを均一に表面に貼るのが難
しく、部分的に生地とテープの間に隙間ができてしま
い、この隙間により表面に凹凸が形成され表面での電気
的特性にムラが生じ、それが原因で部分的な絶縁破壊が
起こり、テープにピンホールが発生するなどの不具合も
あった。さらに、テープの粘着材から汚染物質が放出さ
れ、ウェーハの特性を劣化させる問題もあった。また、
面が粗れていることから、プラズマがうまく発生しなか
ったり、膜にピンホールが形成されてしまうことがあっ
た。
【０００４】こうした現状に鑑み、本発明者等は、半導
体デバイスのプラズマエッチング工程で使用するエッチ
ング装置用部材について鋭意研究を重ねた結果、部材表
面にフッ素樹脂又はエンジニアリングプラスチックを５
０μｍ以上の厚さに被覆することで、プラズマによるエ
ッチング耐性が高くなり、さらにその被膜の表面粗さＲ
ａを１μｍ以下とすることで、部分的な電気的特性の変
化による異常エッチングがなくなり、部材を長時間使用
できることを見出して、本発明を完成したものである。
すなわち、
体デバイスのプラズマエッチング工程で使用するエッチ
ング装置用部材について鋭意研究を重ねた結果、部材表
面にフッ素樹脂又はエンジニアリングプラスチックを５
０μｍ以上の厚さに被覆することで、プラズマによるエ
ッチング耐性が高くなり、さらにその被膜の表面粗さＲ
ａを１μｍ以下とすることで、部分的な電気的特性の変
化による異常エッチングがなくなり、部材を長時間使用
できることを見出して、本発明を完成したものである。
すなわち、
【０００５】本発明は、プラズマによるエッチング耐性
が高く、かつ異常エッチングがなく、長時間の使用が可
能なないプラズマエッチング装置用部材を提供すること
を目的とする。
が高く、かつ異常エッチングがなく、長時間の使用が可
能なないプラズマエッチング装置用部材を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、表面がフッ素樹脂又はエンジニアリングプラスチ
ックで膜厚５０μｍ以上、被膜の面粗さＲａ１μｍ以下
に被覆されたことを特徴とするプラズマエッチング装置
用部材に係る。
明は、表面がフッ素樹脂又はエンジニアリングプラスチ
ックで膜厚５０μｍ以上、被膜の面粗さＲａ１μｍ以下
に被覆されたことを特徴とするプラズマエッチング装置
用部材に係る。
【０００７】上述のとおり本発明の部材の表面はフッ素
樹脂又はエンジニアリングプラスチックで被覆されてい
るが、その部材は、一般的には石英ガラス、アルミ、ア
ルマイト、セラミックス又はそれらの組み合わせで作成
される。そして、この石英ガラス、アルミ、アルマイ
ト、セラミックス又はそれらの組み合わせの部材はその
表面がフッ素樹脂又はエンジニアリングプラスチックで
膜厚５０μｍ以上、被膜の面粗さＲａが１μｍ以下に被
覆されている。前記フッ素樹脂としては、テトラフルオ
ロエチレン樹脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテル樹脂、パーフルオロエチレン
−プロピレン樹脂、エチレン−テトラフルオロエチレン
樹脂、クロロトリフルオロエチレン樹脂、エチレン−ク
ロロトリフルオロエチレン樹脂、ビニリデンジフルオラ
イド樹脂、ビニルフルオライド樹脂及びテトラフルオロ
エチレン−パーフルオロジオキソール樹脂から選ばれる
少なくとも１種が挙げられ、特に耐熱性、耐薬品性、耐
食性、耐摩耗性に優れたテトラフルオロエチレン樹脂が
好ましい。また、エンジニアリングプラスチックとして
は、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、
ポリエチレンフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアルリ
ルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリアリレー
ト、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオキシベンジレ
ン、ポリイミド、ポリアミノビスマレイミド、ＢＴポリ
マー、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリメ
チルペンテン及び液晶ポリマーからえらばれる少なくと
も１種が挙げられる。前記フッ素樹脂又はエンジニアリ
ングプラスチックを部材表面に被覆するに当たっては吹
付塗装法、静電塗装法、ロールコーター法、浸漬法など
の塗装法が用いられるが、中でも吹付法、静電塗装法が
好ましい。前記塗装法で部材表面にフッ素樹脂又はエン
ジニアリングプラスチックの塗布液を複数回塗布し、そ
の膜厚を５０μｍ以上、被膜の表面粗さＲａを１μｍ以
下に形成する。さらに、好ましくは膜厚のばらつきを１
０％以下にするのがよい。膜厚が５０μｍ未満ではエッ
チング処理時に被膜にピンホールが発生し易い上に、部
材の稜部の膜厚が極端に薄くなりクラックが発生する。
また、被膜の表面粗さＲａが１μｍを超えると被膜表面
の電気特性に部分的な変化が生じ、異常なエッチングが
起こる。さらに、膜厚のばらつきが１０％を超えると、
被膜の表面粗さＲａが１μｍ以下でも大きなうねりが生
じ、このうねりにより被膜の電気的特性が劣化し、プラ
ズマによるピンホールの発生が容易となる。
樹脂又はエンジニアリングプラスチックで被覆されてい
るが、その部材は、一般的には石英ガラス、アルミ、ア
ルマイト、セラミックス又はそれらの組み合わせで作成
される。そして、この石英ガラス、アルミ、アルマイ
ト、セラミックス又はそれらの組み合わせの部材はその
表面がフッ素樹脂又はエンジニアリングプラスチックで
膜厚５０μｍ以上、被膜の面粗さＲａが１μｍ以下に被
覆されている。前記フッ素樹脂としては、テトラフルオ
ロエチレン樹脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテル樹脂、パーフルオロエチレン
−プロピレン樹脂、エチレン−テトラフルオロエチレン
樹脂、クロロトリフルオロエチレン樹脂、エチレン−ク
ロロトリフルオロエチレン樹脂、ビニリデンジフルオラ
イド樹脂、ビニルフルオライド樹脂及びテトラフルオロ
エチレン−パーフルオロジオキソール樹脂から選ばれる
少なくとも１種が挙げられ、特に耐熱性、耐薬品性、耐
食性、耐摩耗性に優れたテトラフルオロエチレン樹脂が
好ましい。また、エンジニアリングプラスチックとして
は、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、
ポリエチレンフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアルリ
ルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリアリレー
ト、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオキシベンジレ
ン、ポリイミド、ポリアミノビスマレイミド、ＢＴポリ
マー、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリメ
チルペンテン及び液晶ポリマーからえらばれる少なくと
も１種が挙げられる。前記フッ素樹脂又はエンジニアリ
ングプラスチックを部材表面に被覆するに当たっては吹
付塗装法、静電塗装法、ロールコーター法、浸漬法など
の塗装法が用いられるが、中でも吹付法、静電塗装法が
好ましい。前記塗装法で部材表面にフッ素樹脂又はエン
ジニアリングプラスチックの塗布液を複数回塗布し、そ
の膜厚を５０μｍ以上、被膜の表面粗さＲａを１μｍ以
下に形成する。さらに、好ましくは膜厚のばらつきを１
０％以下にするのがよい。膜厚が５０μｍ未満ではエッ
チング処理時に被膜にピンホールが発生し易い上に、部
材の稜部の膜厚が極端に薄くなりクラックが発生する。
また、被膜の表面粗さＲａが１μｍを超えると被膜表面
の電気特性に部分的な変化が生じ、異常なエッチングが
起こる。さらに、膜厚のばらつきが１０％を超えると、
被膜の表面粗さＲａが１μｍ以下でも大きなうねりが生
じ、このうねりにより被膜の電気的特性が劣化し、プラ
ズマによるピンホールの発生が容易となる。
【０００８】上記に加えて、本発明の部材は、被覆する
前の部材の稜部をＲ０．５ｍｍ以上にまるめ加工を行う
のがよい。これにより部材の稜部における被膜の薄化が
防止できピンホールの発生が少なくなる。前記まるめ加
工法としては、石英ガラスからなる部材の場合には、酸
水素火炎で稜部を加熱する方法、グラインダー等で稜部
を機械的に擦る方法、結晶質二酸化珪素粉、炭化珪素粉
などを稜部に吹きつける方法等が挙げられる。また、ア
ルミ、アルマイト、セラミックからなる部材の場合に
は、前記グラインダー等で機械的に擦る方法や結晶質二
酸化珪素粉、炭化珪素粉などを吹きつけ方法などが使用
される。
前の部材の稜部をＲ０．５ｍｍ以上にまるめ加工を行う
のがよい。これにより部材の稜部における被膜の薄化が
防止できピンホールの発生が少なくなる。前記まるめ加
工法としては、石英ガラスからなる部材の場合には、酸
水素火炎で稜部を加熱する方法、グラインダー等で稜部
を機械的に擦る方法、結晶質二酸化珪素粉、炭化珪素粉
などを稜部に吹きつける方法等が挙げられる。また、ア
ルミ、アルマイト、セラミックからなる部材の場合に
は、前記グラインダー等で機械的に擦る方法や結晶質二
酸化珪素粉、炭化珪素粉などを吹きつけ方法などが使用
される。
【０００９】また、部材が石英ガラスからなる場合、部
材表面とフッ素樹脂被膜やエンジニアリングプラスチッ
ク被膜との密着性を高めるため、石英ガラス表面を事前
にフロスト処理して凹凸を形成しておくのがよい。この
フロスト処理で石英ガラス表面の被膜の剥離を一段と低
減でき、部材がより長い時間使用できる。前記フロスト
処理とは、前述のとおり物理的手段や化学的手段で石英
ガラス表面に凹凸を設けることをいうが、物理的手段と
しては、結晶質二酸化珪素粉、炭化珪素粉等を加圧空気
で吹きつけるいわゆるサンドブラスト法、ブラシに結晶
質二酸化珪素粉、炭化珪素粉等をつけ、水で濡らして磨
く方法などがある。また、化学的手段としてはフッ化水
素、フッ化アンモニウムの混合試薬に浸漬する薬液処理
方法などがある。特に化学的手段では表面にマイクロク
ラックの発生がなく、表面での石英ガラスの機械的強度
が低下しないので好適である。前記フロスト処理で形成
される表面粗さＲａは０．１〜１０μｍの範囲がよい。
前記範囲を逸脱すると、フッ素樹脂被膜やエンジニアリ
ングプラスチック被膜との密着性が十分に改善されるこ
とがなく好ましくない。
材表面とフッ素樹脂被膜やエンジニアリングプラスチッ
ク被膜との密着性を高めるため、石英ガラス表面を事前
にフロスト処理して凹凸を形成しておくのがよい。この
フロスト処理で石英ガラス表面の被膜の剥離を一段と低
減でき、部材がより長い時間使用できる。前記フロスト
処理とは、前述のとおり物理的手段や化学的手段で石英
ガラス表面に凹凸を設けることをいうが、物理的手段と
しては、結晶質二酸化珪素粉、炭化珪素粉等を加圧空気
で吹きつけるいわゆるサンドブラスト法、ブラシに結晶
質二酸化珪素粉、炭化珪素粉等をつけ、水で濡らして磨
く方法などがある。また、化学的手段としてはフッ化水
素、フッ化アンモニウムの混合試薬に浸漬する薬液処理
方法などがある。特に化学的手段では表面にマイクロク
ラックの発生がなく、表面での石英ガラスの機械的強度
が低下しないので好適である。前記フロスト処理で形成
される表面粗さＲａは０．１〜１０μｍの範囲がよい。
前記範囲を逸脱すると、フッ素樹脂被膜やエンジニアリ
ングプラスチック被膜との密着性が十分に改善されるこ
とがなく好ましくない。
【００１０】上記フッ素樹脂やエンジニアリングプラス
チックの被膜の形成後、表面を平滑にするためフッ素樹
脂にあっては焼成を、またポリイミドなどの熱硬化性樹
脂にあっては加熱硬化処理を行う。前記焼成や加熱硬化
温度は従来慣用されている温度が採用される。特に、フ
ッ素樹脂にあっては、焼成前の表面の面粗さが焼成後の
表面粗さに影響を及ぼすので、焼成前の被膜の表面粗さ
Ｒａを１μｍ以下にすることが重要である。
チックの被膜の形成後、表面を平滑にするためフッ素樹
脂にあっては焼成を、またポリイミドなどの熱硬化性樹
脂にあっては加熱硬化処理を行う。前記焼成や加熱硬化
温度は従来慣用されている温度が採用される。特に、フ
ッ素樹脂にあっては、焼成前の表面の面粗さが焼成後の
表面粗さに影響を及ぼすので、焼成前の被膜の表面粗さ
Ｒａを１μｍ以下にすることが重要である。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について述べ
るが、これにより本発明は何ら限定されるものではな
い。
るが、これにより本発明は何ら限定されるものではな
い。
【００１２】
【実施例】実施例１
８インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用チャ
ンバーを石英ガラスで作成した。この石英ガラスチャン
バーの内表面に結晶質二酸化珪素粉を吹きつけて、チャ
ンバーの稜部をＲ２ｍｍにまるめ加工を行った。さら
に、チャンバー内表面全体にも結晶質二酸化珪素粉（粒
径１００〜３００μｍ）を吹き付けて、表面粗さＲａ
２．５μｍ、Ｒｍａｘ２０μｍの凹凸面にした。得られ
た石英ガラスチャンバー内表面をテトラフルオロエチレ
ン樹脂を用いて静電塗装法で面粗さＲａ０．２μｍで、
厚さ４００μｍの被膜を形成し、焼成した。焼成後のテ
トラフルオロエチレン樹脂被膜の面粗さＲａは０．２μ
ｍであった。また、膜厚のばらつきは５％であった。
ンバーを石英ガラスで作成した。この石英ガラスチャン
バーの内表面に結晶質二酸化珪素粉を吹きつけて、チャ
ンバーの稜部をＲ２ｍｍにまるめ加工を行った。さら
に、チャンバー内表面全体にも結晶質二酸化珪素粉（粒
径１００〜３００μｍ）を吹き付けて、表面粗さＲａ
２．５μｍ、Ｒｍａｘ２０μｍの凹凸面にした。得られ
た石英ガラスチャンバー内表面をテトラフルオロエチレ
ン樹脂を用いて静電塗装法で面粗さＲａ０．２μｍで、
厚さ４００μｍの被膜を形成し、焼成した。焼成後のテ
トラフルオロエチレン樹脂被膜の面粗さＲａは０．２μ
ｍであった。また、膜厚のばらつきは５％であった。
【００１３】上記石英ガラスチャンバー内でＣＦ4＋Ｏ2
のガスをプラズマ化して、８インチウェーハの酸化膜を
エッチングした。２週間使用したが、石英ガラスの露出
がなく、かつＳｉウェーハ表面に異常なパーティクルの
発生もなかった。２週間後、テトラフルオロエチレン樹
脂被膜を剥離し、再度テトラフルオロエチレン樹脂を４
００μｍの厚さに被覆してエッチング装置にセッテング
したところ、問題なく使用できた。
のガスをプラズマ化して、８インチウェーハの酸化膜を
エッチングした。２週間使用したが、石英ガラスの露出
がなく、かつＳｉウェーハ表面に異常なパーティクルの
発生もなかった。２週間後、テトラフルオロエチレン樹
脂被膜を剥離し、再度テトラフルオロエチレン樹脂を４
００μｍの厚さに被覆してエッチング装置にセッテング
したところ、問題なく使用できた。
【００１４】実施例２
８インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用チャ
ンバーを石英ガラスで作成し、その稜部を酸水素火炎で
加熱して、Ｒ１ｍｍにまるめ加工を行った。次いで、石
英ガラスチャンバーの内表面をフッ化水素とフッ化アン
モニウムとの薬液でフロスト処理して表面粗さＲａ１．
５μｍ、Ｒｍａｘ１３μｍの凹凸面にした。このチャン
バー内を吹付け塗装法でポリイミド塗布液を塗布し、加
熱硬化して、２００μｍのポリイミド被膜を形成した。
チャンバー内表面の表面粗さＲａは０．５μｍで、膜厚
のばらつきは８％であった。
ンバーを石英ガラスで作成し、その稜部を酸水素火炎で
加熱して、Ｒ１ｍｍにまるめ加工を行った。次いで、石
英ガラスチャンバーの内表面をフッ化水素とフッ化アン
モニウムとの薬液でフロスト処理して表面粗さＲａ１．
５μｍ、Ｒｍａｘ１３μｍの凹凸面にした。このチャン
バー内を吹付け塗装法でポリイミド塗布液を塗布し、加
熱硬化して、２００μｍのポリイミド被膜を形成した。
チャンバー内表面の表面粗さＲａは０．５μｍで、膜厚
のばらつきは８％であった。
【００１５】上記石英ガラスチャンバー内でＣＦ4＋Ｏ2
のガスをプラズマ化して、８インチウェーハの酸化膜を
エッチングした。２週間使用したが、石英ガラスの露出
がなく、かつＳｉウェーハ表面に異常なパーティクルの
発生もなかった。２週間後、ポリイミド被膜を剥離し
て、再度ポリイミド被膜を２００μｍの厚さに被覆して
エッチング装置にセッテングしたが、問題なく使用でき
た。
のガスをプラズマ化して、８インチウェーハの酸化膜を
エッチングした。２週間使用したが、石英ガラスの露出
がなく、かつＳｉウェーハ表面に異常なパーティクルの
発生もなかった。２週間後、ポリイミド被膜を剥離し
て、再度ポリイミド被膜を２００μｍの厚さに被覆して
エッチング装置にセッテングしたが、問題なく使用でき
た。
【００１６】実施例３
８インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用カバ
ーをアルミで作成し、アルマイト処理を行った。このア
ルミカバーの稜部をサンドブラスト処理でＲ１ｍｍにま
るめ加工を行い、その外表面にポリイミドをロールコー
ター法で塗布し、加熱硬化して３００μｍのポリイミド
被膜を形成した。その表面粗さＲａは０．１μｍで、膜
厚のばらつきは３％であった。
ーをアルミで作成し、アルマイト処理を行った。このア
ルミカバーの稜部をサンドブラスト処理でＲ１ｍｍにま
るめ加工を行い、その外表面にポリイミドをロールコー
ター法で塗布し、加熱硬化して３００μｍのポリイミド
被膜を形成した。その表面粗さＲａは０．１μｍで、膜
厚のばらつきは３％であった。
【００１７】上記アルミカバーを備えたエッチング装置
内で内でＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化し、８インチウ
ェーハの酸化膜をエッチングした。２週間使用したが、
アルミが露出することがなく、かつＳｉウェーハ表面に
異常なパーティクルの発生もなかった。８週間後、ポリ
イミド被膜を剥離して、再度ポリイミド被膜を２００μ
ｍの厚さに被覆してエッチング装置にセッテングした
が、問題なく使用できた。
内で内でＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化し、８インチウ
ェーハの酸化膜をエッチングした。２週間使用したが、
アルミが露出することがなく、かつＳｉウェーハ表面に
異常なパーティクルの発生もなかった。８週間後、ポリ
イミド被膜を剥離して、再度ポリイミド被膜を２００μ
ｍの厚さに被覆してエッチング装置にセッテングした
が、問題なく使用できた。
【００１８】実施例４
８インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用カバ
ーをアルミナで作成し、その稜部をサンドブラスト処理
でＲ１ｍｍにまるめ加工を行なったのち、その外表面に
ポリイミドをロールコーター法で塗布し、加熱硬化して
１５０μｍのポリイミド被膜を形成した。その表面粗さ
Ｒａは０．６μｍで、膜厚のばらつきは７％であった。
ーをアルミナで作成し、その稜部をサンドブラスト処理
でＲ１ｍｍにまるめ加工を行なったのち、その外表面に
ポリイミドをロールコーター法で塗布し、加熱硬化して
１５０μｍのポリイミド被膜を形成した。その表面粗さ
Ｒａは０．６μｍで、膜厚のばらつきは７％であった。
【００１９】上記アルミナカバーを備えたエッチング装
置内で内でＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化し、８インチ
ウェーハの酸化膜をエッチングした。２週間使用した
が、アルミナが露出することがなく、かつＳｉウェーハ
表面に異常なパーティクルの発生もなかった。３週間
後、ポリイミド被膜を剥離して、再度ポリイミド被膜を
１５０μｍの厚さに被覆してエッチング装置にセッテン
グしたが、問題なく使用できた。
置内で内でＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化し、８インチ
ウェーハの酸化膜をエッチングした。２週間使用した
が、アルミナが露出することがなく、かつＳｉウェーハ
表面に異常なパーティクルの発生もなかった。３週間
後、ポリイミド被膜を剥離して、再度ポリイミド被膜を
１５０μｍの厚さに被覆してエッチング装置にセッテン
グしたが、問題なく使用できた。
【００２０】比較例１
８インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用チャ
ンバーを石英ガラスで作成し、このチャンバー内でＣＦ
4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、８インチウェーハの酸
化膜をエッチングした。２週間使用したが、石英ガラス
の露出がなく、かつＳｉウェーハ表面に異常なパーティ
クルの発生もなかった。２週間後、チャンバーを使用し
たが、Ｓｉウェーハ表面に異常なパーティクルが発生
し、１週間で使用を中止した。
ンバーを石英ガラスで作成し、このチャンバー内でＣＦ
4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、８インチウェーハの酸
化膜をエッチングした。２週間使用したが、石英ガラス
の露出がなく、かつＳｉウェーハ表面に異常なパーティ
クルの発生もなかった。２週間後、チャンバーを使用し
たが、Ｓｉウェーハ表面に異常なパーティクルが発生
し、１週間で使用を中止した。
【００２１】比較例２
８インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用カバ
ーをアルミで作成し、その表面をアルマイト処理した。
このアルミカバーの外表面に１２５μｍのポリイミドの
テープを貼り付けたのち、エッチング装置に装着し、Ｃ
Ｆ4＋Ｏ2のガスを用いて、８インチウェーハの酸化膜を
エッチングした。２週間使用したところ、ポリイミドテ
ープの隙間が異常にエッチングされアルミが露出し、ま
た、表面に凹凸ができ、部分的にエッチングが加速さ
れ、ポリイミドテープにピンホールが発生していた。２
週間後、ポリイミドテープを剥離して、再度ポリイミド
テープを貼り付け装置にセッテングしたところ、異常な
汚染がウェーハに認められ、使用をを中止した。
ーをアルミで作成し、その表面をアルマイト処理した。
このアルミカバーの外表面に１２５μｍのポリイミドの
テープを貼り付けたのち、エッチング装置に装着し、Ｃ
Ｆ4＋Ｏ2のガスを用いて、８インチウェーハの酸化膜を
エッチングした。２週間使用したところ、ポリイミドテ
ープの隙間が異常にエッチングされアルミが露出し、ま
た、表面に凹凸ができ、部分的にエッチングが加速さ
れ、ポリイミドテープにピンホールが発生していた。２
週間後、ポリイミドテープを剥離して、再度ポリイミド
テープを貼り付け装置にセッテングしたところ、異常な
汚染がウェーハに認められ、使用をを中止した。
【００２２】比較例３
８インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用カバ
ーをアルミで作成し、その表面をアルマイト処理した。
このアルミカバーを備えたエッチング装置を用い、ＣＦ
4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、８インチウェーハの酸
化膜をエッチングした。２週間使用したが、１週間後か
らアルマイトが剥離して、ウェーハ表面にパーティクル
の発生が認められ、使用を中止した。
ーをアルミで作成し、その表面をアルマイト処理した。
このアルミカバーを備えたエッチング装置を用い、ＣＦ
4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、８インチウェーハの酸
化膜をエッチングした。２週間使用したが、１週間後か
らアルマイトが剥離して、ウェーハ表面にパーティクル
の発生が認められ、使用を中止した。
【００２３】比較例４
８インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用カバ
ーをアルミナで作成し、エッチング装置に装着し、ＣＦ
4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、８インチウェーハの酸
化膜をエッチングした。使用開始から、異常な汚染がウ
ェーハに認められ、使用を中止した。
ーをアルミナで作成し、エッチング装置に装着し、ＣＦ
4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、８インチウェーハの酸
化膜をエッチングした。使用開始から、異常な汚染がウ
ェーハに認められ、使用を中止した。
【００２４】比較例５
８インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用チャ
ンバーを石英ガラスで作成した。この石英ガラスチャン
バーの内表面に炭化珪素（ＧＣ粉）を吹き付けて、表面
粗さＲａ４μｍ、Ｒｍａｘ３５μｍの凹凸面にした。得
られた石英ガラスチャンバー内表面をテトラフルオロエ
チレン樹脂を用いて静電塗装法で、厚さ３０μｍの被膜
を形成し、焼成した。焼成後のテトラフルオロエチレン
樹脂被膜の面粗さＲａは２．５μｍであった。また、膜
厚のばらつきは２０％であった。
ンバーを石英ガラスで作成した。この石英ガラスチャン
バーの内表面に炭化珪素（ＧＣ粉）を吹き付けて、表面
粗さＲａ４μｍ、Ｒｍａｘ３５μｍの凹凸面にした。得
られた石英ガラスチャンバー内表面をテトラフルオロエ
チレン樹脂を用いて静電塗装法で、厚さ３０μｍの被膜
を形成し、焼成した。焼成後のテトラフルオロエチレン
樹脂被膜の面粗さＲａは２．５μｍであった。また、膜
厚のばらつきは２０％であった。
【００２５】上記石英ガラスチャンバー内でＣＦ4＋Ｏ2
のガスをプラズマ化し、８インチウェーハの酸化膜をエ
ッチングした。テトラフルオロエチレン樹脂被膜にピン
ホールが多数存在したために、テトラフルオロエチレン
樹脂被膜が部分的に剥離してしまい使用できなかった。
のガスをプラズマ化し、８インチウェーハの酸化膜をエ
ッチングした。テトラフルオロエチレン樹脂被膜にピン
ホールが多数存在したために、テトラフルオロエチレン
樹脂被膜が部分的に剥離してしまい使用できなかった。
【００２６】
【発明の効果】本発明の部材は、プラズマによるエッチ
ング耐性が高く、かつ異常なエッチングを起こすことな
く、半導体デバイスを良好にかつ長時間エッチング処理
ができる。
ング耐性が高く、かつ異常なエッチングを起こすことな
く、半導体デバイスを良好にかつ長時間エッチング処理
ができる。
Claims (10)
- 【請求項１】表面がフッ素樹脂又はエンジニアリングプ
ラスチックで膜厚５０μｍ以上、被膜の面粗さＲａ１μ
ｍ以下に被覆されたことを特徴とするプラズマエッチン
グ装置用部材。 - 【請求項２】部材が石英ガラス、セラミックス、アル
ミ、アルマイトまたはそれらの組合せからなることを特
徴とする請求項１記載のプラズマエッチング装置用部
材。 - 【請求項３】部材が石英ガラスからなることを特徴とす
る請求項２記載のプラズマエッチング装置用部材。 - 【請求項４】部材の稜部がＲ０．５ｍｍ以上に丸め加工
されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
か１記載のプラズマエッチング装置用部材。 - 【請求項５】フッ素樹脂がテトラフルオロエチレン樹
脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビ
ニルエーテル樹脂、パーフルオロエチレン−プロピレン
樹脂、エチレン−テトラフルオロエチレン樹脂、クロロ
トリフルオロエチレン樹脂、エチレン−クロロトリフル
オロエチレン樹脂、ビニリデンジフルオライド樹脂、ビ
ニルフルオライド樹脂及びテトラフルオロエチレン−パ
ーフルオロジオキソール樹脂から選ばれる少なくとも１
種であることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッ
チング装置用部材。 - 【請求項６】フッ素樹脂がテトラフルオロエチレン樹脂
であることを特徴とする請求項５記載のプラズマエッチ
ング装置用部材。 - 【請求項７】エンジニアリングプラスチックがポリアミ
ド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエチレン
フタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニ
レンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホ
ン、ポリエーテルスルホン、ポリアルリルスルホン、ポ
リフェニレンスルホン、ポリアリレート、ポリエーテル
エーテルケトン、ポリオキシベンジレン、ポリイミド、
ポリアミノビスマレイミド、ＢＴポリマー、ポリエーテ
ルイミド、ポリアミドイミド、ポリメチルペンテン及び
液晶ポリマーからえらばれる少なくとも１種であること
を特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング装置用
部材。 - 【請求項８】被膜の厚さのばらつきが１０％以下である
ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１記載の
プラズマエッチング装置用部材。 - 【請求項９】石英ガラスエッチング装置用部材にフロス
ト処理を施したのち、その面にフッ素樹脂又はエンジニ
アリングプラスチックを厚さ５０μｍ以上、被膜の面粗
さＲａ１μｍ以下に被覆したことを特徴とするプラズマ
エッチング装置用部材。 - 【請求項１０】フロスト処理が薬液による表面処理であ
ることを特徴とする請求項９記載のプラズマエッチング
装置用部材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001279080A JP2003086571A (ja) | 2001-09-14 | 2001-09-14 | プラズマエッチング装置用部材 |
| TW091104563A TW550702B (en) | 2001-09-14 | 2002-03-12 | Resin coating material for semiconductor device processing and the manufacturing method thereof |
| KR10-2002-0014251A KR100524174B1 (ko) | 2001-09-14 | 2002-03-16 | 반도체소자처리용 수지피복부재 및 그 제조방법 |
| SG200201757A SG102672A1 (en) | 2001-09-14 | 2002-03-27 | Resin coated member for use in semiconductor device treatment and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001279080A JP2003086571A (ja) | 2001-09-14 | 2001-09-14 | プラズマエッチング装置用部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003086571A true JP2003086571A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19103339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001279080A Pending JP2003086571A (ja) | 2001-09-14 | 2001-09-14 | プラズマエッチング装置用部材 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR100524174B1 (ja) |
| SG (1) | SG102672A1 (ja) |
| TW (1) | TW550702B (ja) |
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-
2001
- 2001-09-14 JP JP2001279080A patent/JP2003086571A/ja active Pending
-
2002
- 2002-03-12 TW TW091104563A patent/TW550702B/zh active
- 2002-03-16 KR KR10-2002-0014251A patent/KR100524174B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-27 SG SG200201757A patent/SG102672A1/en unknown
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|---|---|---|---|---|
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