JP2003224077A - プラズマ処理装置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、および、表面処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、および、表面処理方法Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好に絶縁されたプラズマ処理装置および電
極部材を提供する。 【解決手段】 第２の高周波電源３７に、給電棒３５を
介して接続され、高周波電力を印加可能な上部電極２８
の給電棒３５との接続部、および、給電棒３５の表面
を、絶縁膜４１で覆う。絶縁膜４１は、ＰＴＦＥ等の絶
縁性材料を、給電棒３５等の表面に溶射することにより
形成される。
極部材を提供する。 【解決手段】 第２の高周波電源３７に、給電棒３５を
介して接続され、高周波電力を印加可能な上部電極２８
の給電棒３５との接続部、および、給電棒３５の表面
を、絶縁膜４１で覆う。絶縁膜４１は、ＰＴＦＥ等の絶
縁性材料を、給電棒３５等の表面に溶射することにより
形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装
置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、およ
び、表面処理方法に関する。
置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、およ
び、表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、ＬＣＤ等の電子デバイスの製造
に、プラズマを利用して成膜処理、エッチング処理等の
処理を行うプラズマ処理装置が用いられている。図１
に、平行平板型のプラズマ処理装置の一例を示す。
に、プラズマを利用して成膜処理、エッチング処理等の
処理を行うプラズマ処理装置が用いられている。図１
に、平行平板型のプラズマ処理装置の一例を示す。
【０００３】図１に示すように、プラズマ処理装置１１
は、真空引き可能なチャンバ１２と、被処理体Ｗが載置
され、下部電極として機能するサセプタ１９と、電極板
３０を備え、チャンバ１２内に処理ガスを供給する上部
電極２８と、を備える。
は、真空引き可能なチャンバ１２と、被処理体Ｗが載置
され、下部電極として機能するサセプタ１９と、電極板
３０を備え、チャンバ１２内に処理ガスを供給する上部
電極２８と、を備える。
【０００４】上記プラズマ処理装置１１において、上部
電極２８とサセプタ１９（下部電極）との間に形成され
る処理空間に処理ガスを供給し、上下の電極２８、１９
に高周波電力を印加することにより、プラズマが生成す
る。発生した処理ガスのプラズマにより、サセプタ１９
上に載置されたウェハ等の被処理体Ｗに、所定の処理が
施される。
電極２８とサセプタ１９（下部電極）との間に形成され
る処理空間に処理ガスを供給し、上下の電極２８、１９
に高周波電力を印加することにより、プラズマが生成す
る。発生した処理ガスのプラズマにより、サセプタ１９
上に載置されたウェハ等の被処理体Ｗに、所定の処理が
施される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記プラズマ処理装置
１１には、以下の（１）〜（４）に示すような問題があ
った。 （１）上部電極２８には、高周波電力を印加するための
給電棒３５が接続されている。給電棒３５は、周囲と絶
縁するため、その外部表面が絶縁膜４１で覆われてい
る。一般に、絶縁膜４１を構成する低誘電率材料とし
て、ＰＴＦＥ（PolyTetraFluoro Ethyrene）が用いられ
ている。ＰＴＦＥは、優れた絶縁材料であるが、成型し
た場合、その比誘電率は２．１程度が限界である。この
ため、給電棒３５とその周囲等の絶縁距離をこれまで以
上に小さくすることはできない。このように、従来の絶
縁材料は、誘電損失を低く抑えつつ、上部電極２８を十
分に絶縁できるものではなく、プラズマの利用効率を十
分に高められない、装置サイズの縮小が図れない等の問
題があった。
１１には、以下の（１）〜（４）に示すような問題があ
った。 （１）上部電極２８には、高周波電力を印加するための
給電棒３５が接続されている。給電棒３５は、周囲と絶
縁するため、その外部表面が絶縁膜４１で覆われてい
る。一般に、絶縁膜４１を構成する低誘電率材料とし
て、ＰＴＦＥ（PolyTetraFluoro Ethyrene）が用いられ
ている。ＰＴＦＥは、優れた絶縁材料であるが、成型し
た場合、その比誘電率は２．１程度が限界である。この
ため、給電棒３５とその周囲等の絶縁距離をこれまで以
上に小さくすることはできない。このように、従来の絶
縁材料は、誘電損失を低く抑えつつ、上部電極２８を十
分に絶縁できるものではなく、プラズマの利用効率を十
分に高められない、装置サイズの縮小が図れない等の問
題があった。
【０００６】（２）また、発生したプラズマを処理空間
に閉じこめ、高い処理効率を得るため、サセプタ１９の
周囲にはバッフル板２４が設けられている。バッフル板
２４は、環状の平板形状部材からなり、サセプタ１９を
包囲するようチャンバ１２の壁に固定されている。バッ
フル板２４は多数の細口２４ａを備え、細口２４ａを介
してガスは通過させるが、プラズマの通過を妨げる構成
となっている。バッフル板２４の細口２４ａは、プラズ
マの閉じこめと、コンダクタンスの確保と、を両立させ
るため、できるだけ、微細に、多数形成されていること
が望ましい。
に閉じこめ、高い処理効率を得るため、サセプタ１９の
周囲にはバッフル板２４が設けられている。バッフル板
２４は、環状の平板形状部材からなり、サセプタ１９を
包囲するようチャンバ１２の壁に固定されている。バッ
フル板２４は多数の細口２４ａを備え、細口２４ａを介
してガスは通過させるが、プラズマの通過を妨げる構成
となっている。バッフル板２４の細口２４ａは、プラズ
マの閉じこめと、コンダクタンスの確保と、を両立させ
るため、できるだけ、微細に、多数形成されていること
が望ましい。
【０００７】バッフル板は、従来より、切削加工により
形成されている。このため、バッフル板の厚さは、加工
負荷の点からある程度の厚さが必要であり、細口のサイ
ズ、数、形状等には製造上の限界がある。従って、従来
の切削加工により形成されたバッフル板には、微細な細
口を可能な限り多く形成することは難しい。このため、
十分なコンダクタンスを確保して、十分に高い処理効率
を得ることは難しかった。
形成されている。このため、バッフル板の厚さは、加工
負荷の点からある程度の厚さが必要であり、細口のサイ
ズ、数、形状等には製造上の限界がある。従って、従来
の切削加工により形成されたバッフル板には、微細な細
口を可能な限り多く形成することは難しい。このため、
十分なコンダクタンスを確保して、十分に高い処理効率
を得ることは難しかった。
【０００８】（３）また、サセプタ１９は、被処理体Ｗ
の搬送のため、図示しない駆動装置によって昇降可能と
されている。駆動装置は、チャンバ１２の外部に設けら
れているため、駆動装置に接続されたサセプタ１９の下
方は、伸縮可能なベローズ２３により覆われ、チャンバ
１２内を気密に保つ構造となっている。
の搬送のため、図示しない駆動装置によって昇降可能と
されている。駆動装置は、チャンバ１２の外部に設けら
れているため、駆動装置に接続されたサセプタ１９の下
方は、伸縮可能なベローズ２３により覆われ、チャンバ
１２内を気密に保つ構造となっている。
【０００９】ベローズ２３として、バネ性に優れた鉄系
（主にＳＵＳ系）材料、あるいは、樹脂材料または樹脂
コートが使用される。しかし、鉄系材料を用いた場合に
は、プラズマ、腐食性ガス等との接触によりパーティク
ルが発生し、いわゆるメタルコンタミが発生しやすい。
また、樹脂材料を用いた場合には、使用温度域に限界が
ある。このように、従来、メタルコンタミを回避可能
な、使用温度範囲の広いベローズ２３は開発されておら
ず、信頼性の高い処理が行われないおそれがあった。
（主にＳＵＳ系）材料、あるいは、樹脂材料または樹脂
コートが使用される。しかし、鉄系材料を用いた場合に
は、プラズマ、腐食性ガス等との接触によりパーティク
ルが発生し、いわゆるメタルコンタミが発生しやすい。
また、樹脂材料を用いた場合には、使用温度域に限界が
ある。このように、従来、メタルコンタミを回避可能
な、使用温度範囲の広いベローズ２３は開発されておら
ず、信頼性の高い処理が行われないおそれがあった。
【００１０】（４）また、チャンバ１２は、通常、導電
性の良好なアルミニウムから構成され、その表面には、
平滑面が形成された後、絶縁、耐プラズマ性確保等のた
めアルマイト処理が施される。アルマイトに起因するパ
ーティクルを抑制するため、チャンバ１２の内壁を構成
する平滑面は仕上げ粗度が厳しく、機械加工後に主に手
作業で磨き工程を行っている。しかし、手作業による磨
きは、磨きによる傷の深さ、方向がばらつきやすく、面
粗度は確保されていてもアルマイト処理を施すと色ムラ
が発生しやすい。色調が薄いアルマイトは色ムラが顕著
であり、外観不良となり、歩留まりが低下する。このよ
うに、従来のチャンバ１２を構成する平滑面を有する金
属部材は、高い歩留まりで製造することができず、製造
コストを増加させるという問題があった。
性の良好なアルミニウムから構成され、その表面には、
平滑面が形成された後、絶縁、耐プラズマ性確保等のた
めアルマイト処理が施される。アルマイトに起因するパ
ーティクルを抑制するため、チャンバ１２の内壁を構成
する平滑面は仕上げ粗度が厳しく、機械加工後に主に手
作業で磨き工程を行っている。しかし、手作業による磨
きは、磨きによる傷の深さ、方向がばらつきやすく、面
粗度は確保されていてもアルマイト処理を施すと色ムラ
が発生しやすい。色調が薄いアルマイトは色ムラが顕著
であり、外観不良となり、歩留まりが低下する。このよ
うに、従来のチャンバ１２を構成する平滑面を有する金
属部材は、高い歩留まりで製造することができず、製造
コストを増加させるという問題があった。
【００１１】上記事情を鑑みて、本発明は、誘電損失を
抑えつつ、良好に絶縁されたプラズマ処理装置および電
極部材を提供することを目的とする。さらに、本発明
は、高い処理効率が得られるバッフル板の製造方法を提
供することを目的とする。また、本発明は、信頼性の高
い処理の可能な処理装置を提供することを目的とする。
さらにまた、本発明は、低コストでの製造が可能な表面
処理方法を提供することを目的とする。
抑えつつ、良好に絶縁されたプラズマ処理装置および電
極部材を提供することを目的とする。さらに、本発明
は、高い処理効率が得られるバッフル板の製造方法を提
供することを目的とする。また、本発明は、信頼性の高
い処理の可能な処理装置を提供することを目的とする。
さらにまた、本発明は、低コストでの製造が可能な表面
処理方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点にかかるプラズマ処理装置は、
チャンバを備え、前記チャンバ内で被処理体に所定のプ
ラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記被処
理体が載置される載置台と、前記載置台に平行に対向し
て設けられた上部電極と、前記上部電極に接続され、該
上部電極に高周波電力を供給する給電部材と、絶縁性材
料の溶射により形成され、前記給電部材、および、少な
くとも前記上部電極の前記給電部材と接続された部分の
表面を覆う絶縁膜と、を備えたことを特徴とする。
め、本発明の第１の観点にかかるプラズマ処理装置は、
チャンバを備え、前記チャンバ内で被処理体に所定のプ
ラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記被処
理体が載置される載置台と、前記載置台に平行に対向し
て設けられた上部電極と、前記上部電極に接続され、該
上部電極に高周波電力を供給する給電部材と、絶縁性材
料の溶射により形成され、前記給電部材、および、少な
くとも前記上部電極の前記給電部材と接続された部分の
表面を覆う絶縁膜と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】上記構成によれば、絶縁性材料を溶射して
形成された絶縁膜は多孔性が付与された低誘電率の膜で
ある。従って、給電部材、例えば、給電棒の表面を上記
絶縁膜で覆うことにより、絶縁膜による誘電損失を低減
しつつ、高い絶縁性をもって絶縁することができる。
形成された絶縁膜は多孔性が付与された低誘電率の膜で
ある。従って、給電部材、例えば、給電棒の表面を上記
絶縁膜で覆うことにより、絶縁膜による誘電損失を低減
しつつ、高い絶縁性をもって絶縁することができる。
【００１４】上記構成において、例えば、前記絶縁性材
料はＰＴＦＥから構成されている。
料はＰＴＦＥから構成されている。
【００１５】上記構成において、前記絶縁膜に覆われる
前記給電部材および前記上部電極の表面は、ショットブ
ラストにより所定の粗度とされていることが望ましい。
すなわち、表面を粗面化してから溶射することにより、
溶射膜と該表面との密着性が高められ、溶射膜の剥離等
は抑えられる。
前記給電部材および前記上部電極の表面は、ショットブ
ラストにより所定の粗度とされていることが望ましい。
すなわち、表面を粗面化してから溶射することにより、
溶射膜と該表面との密着性が高められ、溶射膜の剥離等
は抑えられる。
【００１６】上記目的を達成するため、本発明の第２の
観点にかかる電極部材は、高周波電源に接続される導電
部材と、前記導電部材に接続され、高周波電力を印加可
能な電極と、絶縁性材料の溶射によって形成され、前記
導電部材、および、前記導電部材と前記電極の接続部分
の少なくとも一部を覆う絶縁膜と、を備える、ことを特
徴とする。
観点にかかる電極部材は、高周波電源に接続される導電
部材と、前記導電部材に接続され、高周波電力を印加可
能な電極と、絶縁性材料の溶射によって形成され、前記
導電部材、および、前記導電部材と前記電極の接続部分
の少なくとも一部を覆う絶縁膜と、を備える、ことを特
徴とする。
【００１７】上記構成によれば、絶縁性材料を溶射して
形成された絶縁膜は多孔性が付与された低誘電率の膜で
ある。従って、導電部材の表面を上記絶縁膜で覆うこと
により、絶縁膜による誘電損失を低減しつつ、高い絶縁
性をもって絶縁することができる。
形成された絶縁膜は多孔性が付与された低誘電率の膜で
ある。従って、導電部材の表面を上記絶縁膜で覆うこと
により、絶縁膜による誘電損失を低減しつつ、高い絶縁
性をもって絶縁することができる。
【００１８】上記目的を達成するため、本発明の第３の
観点にかかるバッフル板の製造方法は、複数の孔を備
え、プラズマの通過を妨げつつ、前記孔を介して処理ガ
スが導通可能なバッフル板の製造方法であって、板状の
金属部材を形成する工程と、前記金属部材をエッチング
して、複数の穴を形成する工程と、を備える、ことを特
徴とする。
観点にかかるバッフル板の製造方法は、複数の孔を備
え、プラズマの通過を妨げつつ、前記孔を介して処理ガ
スが導通可能なバッフル板の製造方法であって、板状の
金属部材を形成する工程と、前記金属部材をエッチング
して、複数の穴を形成する工程と、を備える、ことを特
徴とする。
【００１９】上記構成によれば、バッフル板はエッチン
グにより、所定のパターンにパターニングされる。従っ
て、切削加工におけるような、加工の物理的な限界は低
く、より薄い板状金属から、より微細な孔を、より多く
備えるバッフル板を製造することができる。これによ
り、高い処理効率が得られるバッフル板が提供される。
グにより、所定のパターンにパターニングされる。従っ
て、切削加工におけるような、加工の物理的な限界は低
く、より薄い板状金属から、より微細な孔を、より多く
備えるバッフル板を製造することができる。これによ
り、高い処理効率が得られるバッフル板が提供される。
【００２０】上記目的を達成するため、本発明の第４の
観点にかかる処理装置は、真空引き可能な容器と、前記
容器内に設けられ、所定の物体を保持した状態で可動な
保持部材と、前記容器の外部に設けられ、前記保持部材
を前記容器の内部で駆動する駆動機構と、純ニッケルあ
るいは純アルミニウムから構成され、その両端が前記保
持部材と前記容器とにそれぞれ固定され、前記保持部材
の駆動時において前記容器の内外を気密に隔絶するベロ
ーズと、を備える、ことを特徴とする。
観点にかかる処理装置は、真空引き可能な容器と、前記
容器内に設けられ、所定の物体を保持した状態で可動な
保持部材と、前記容器の外部に設けられ、前記保持部材
を前記容器の内部で駆動する駆動機構と、純ニッケルあ
るいは純アルミニウムから構成され、その両端が前記保
持部材と前記容器とにそれぞれ固定され、前記保持部材
の駆動時において前記容器の内外を気密に隔絶するベロ
ーズと、を備える、ことを特徴とする。
【００２１】すなわち、純ニッケルあるいは純アルミニ
ウム、例えば、純度９９％超のニッケルからなるベロー
ズを用いた場合には、メタルコンタミの量が実質的に低
減されるなど、信頼性の高いプラズマ処理等の処理が可
能となる。
ウム、例えば、純度９９％超のニッケルからなるベロー
ズを用いた場合には、メタルコンタミの量が実質的に低
減されるなど、信頼性の高いプラズマ処理等の処理が可
能となる。
【００２２】上記目的を達成するため、本発明の第５の
観点にかかる表面処理方法は、機械加工により、金属表
面に平滑面を形成する工程と、前記機械加工により前記
平滑面に形成されたクラックをエッチングにより除去す
る工程と、を備える、ことを特徴とする。
観点にかかる表面処理方法は、機械加工により、金属表
面に平滑面を形成する工程と、前記機械加工により前記
平滑面に形成されたクラックをエッチングにより除去す
る工程と、を備える、ことを特徴とする。
【００２３】上記構成によれば、手作業による磨き工程
を省くことができ、さらに、磨き工程を行った場合より
も外観不良等は低減される。従って、製造時間および製
造コストの低減が可能となり、さらに、より高い歩留ま
りが得られる。
を省くことができ、さらに、磨き工程を行った場合より
も外観不良等は低減される。従って、製造時間および製
造コストの低減が可能となり、さらに、より高い歩留ま
りが得られる。
【００２４】上記構成において、例えば、前記金属はア
ルミニウムであり、さらに、エッチングされた前記平滑
面にアルマイト処理を施してもよい。
ルミニウムであり、さらに、エッチングされた前記平滑
面にアルマイト処理を施してもよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態にかかるプラ
ズマ処理装置について、以下図面を参照して説明する。
本実施の形態においては、プラズマ処理装置として、プ
ラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置を例に
とって説明する。
ズマ処理装置について、以下図面を参照して説明する。
本実施の形態においては、プラズマ処理装置として、プ
ラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置を例に
とって説明する。
【００２６】図１に、本実施の形態に係るプラズマ処理
装置１１の構成図を示す。本実施の形態のプラズマ処理
装置１１は、上下に平行に対向する電極を有する平行平
板型プラズマ処理装置であり、プラズマＣＶＤにより、
被処理体、例えば、半導体ウェハ（以下、ウェハＷ）の
表面にＳｉＯＦ膜を成膜する。
装置１１の構成図を示す。本実施の形態のプラズマ処理
装置１１は、上下に平行に対向する電極を有する平行平
板型プラズマ処理装置であり、プラズマＣＶＤにより、
被処理体、例えば、半導体ウェハ（以下、ウェハＷ）の
表面にＳｉＯＦ膜を成膜する。
【００２７】プラズマ処理装置１１は、略円筒形状のチ
ャンバ１２を備える。チャンバ１２は、例えば、アルミ
ニウムからなる金属部材を成型して形成される。金属部
材の一面、すなわち、チャンバ１２の内壁は、一般的な
方法で平滑面とされ、その平滑面の上にアルマイト処理
（陽極酸化処理）がされている。また、チャンバ１２は
接地されている。
ャンバ１２を備える。チャンバ１２は、例えば、アルミ
ニウムからなる金属部材を成型して形成される。金属部
材の一面、すなわち、チャンバ１２の内壁は、一般的な
方法で平滑面とされ、その平滑面の上にアルマイト処理
（陽極酸化処理）がされている。また、チャンバ１２は
接地されている。
【００２８】チャンバ１２の底部には排気口１３が設け
られている。排気口１３には排気装置１４が接続されて
いる。排気装置１４はターボ分子ポンプなどの真空ポン
プを備えており、チャンバ１２内を所定の減圧雰囲気、
例えば、０．０１Ｐａ以下の圧力まで真空引きする。
られている。排気口１３には排気装置１４が接続されて
いる。排気装置１４はターボ分子ポンプなどの真空ポン
プを備えており、チャンバ１２内を所定の減圧雰囲気、
例えば、０．０１Ｐａ以下の圧力まで真空引きする。
【００２９】チャンバ１２の側壁にはゲートバルブ１５
を備えた搬入出口１６が設けられている。ゲートバルブ
１５が開放された状態で、搬入出口１６を介して、ウエ
ハＷがロードロック室（図示せず）との間で搬送され
る。
を備えた搬入出口１６が設けられている。ゲートバルブ
１５が開放された状態で、搬入出口１６を介して、ウエ
ハＷがロードロック室（図示せず）との間で搬送され
る。
【００３０】チャンバ１２内の底部中央には、略円柱状
のサセプタ支持台１７が設けられている。サセプタ支持
台１７の上には、セラミックなどの絶縁体１８を介し
て、サセプタ１９が設けられている。サセプタ支持台１
７は、チャンバ１２の下方に設けられた昇降機構（図示
せず）にシャフト２０を介して接続され、サセプタ１９
とともに昇降可能に構成されている。
のサセプタ支持台１７が設けられている。サセプタ支持
台１７の上には、セラミックなどの絶縁体１８を介し
て、サセプタ１９が設けられている。サセプタ支持台１
７は、チャンバ１２の下方に設けられた昇降機構（図示
せず）にシャフト２０を介して接続され、サセプタ１９
とともに昇降可能に構成されている。
【００３１】サセプタ支持台１７の内部には、下部冷媒
室２１が設けられている。下部冷媒室２１には、下部冷
媒管２２が接続されており、下部冷媒管２２を介して下
部冷媒室２１に冷媒が導入される。冷媒は、所定の温度
に制御されており、冷媒が下部冷媒室２１を循環し、そ
の冷熱がサセプタ１９を介してウエハＷに対して伝熱さ
れることによりウエハＷは所望の温度に制御される。
室２１が設けられている。下部冷媒室２１には、下部冷
媒管２２が接続されており、下部冷媒管２２を介して下
部冷媒室２１に冷媒が導入される。冷媒は、所定の温度
に制御されており、冷媒が下部冷媒室２１を循環し、そ
の冷熱がサセプタ１９を介してウエハＷに対して伝熱さ
れることによりウエハＷは所望の温度に制御される。
【００３２】サセプタ支持台１７の下方は、ステンレス
鋼からなるベローズ２３で覆われている。ベローズ２３
は、その上端がサセプタ支持台１７の下面に、その下端
がチャンバ１２の底面にねじ等により留められている。
ベローズ２３は、サセプタ支持台１７の下方の常圧部分
と、チャンバ１２内の真空部分と、を分離している。ベ
ローズ２３は、サセプタ支持台１７の昇降動作に応じて
伸縮し、常に気密性を維持する。
鋼からなるベローズ２３で覆われている。ベローズ２３
は、その上端がサセプタ支持台１７の下面に、その下端
がチャンバ１２の底面にねじ等により留められている。
ベローズ２３は、サセプタ支持台１７の下方の常圧部分
と、チャンバ１２内の真空部分と、を分離している。ベ
ローズ２３は、サセプタ支持台１７の昇降動作に応じて
伸縮し、常に気密性を維持する。
【００３３】チャンバ１２の側壁にはバッフル板２４が
設けられている。バッフル板２４は、耐プラズマ性の導
体材料、例えば、アルマイト処理されたアルミニウムか
ら構成されている。バッフル板２４は、環状の板状部材
であり、サセプタ１９を包囲するように設けられてい
る。バッフル板２４は、例えば、５ｍｍ〜１０ｍｍ程度
の厚さを有する。なお、バッフル板２４は、サセプタ支
持台１７を包囲するように設けられてもよい。
設けられている。バッフル板２４は、耐プラズマ性の導
体材料、例えば、アルマイト処理されたアルミニウムか
ら構成されている。バッフル板２４は、環状の板状部材
であり、サセプタ１９を包囲するように設けられてい
る。バッフル板２４は、例えば、５ｍｍ〜１０ｍｍ程度
の厚さを有する。なお、バッフル板２４は、サセプタ支
持台１７を包囲するように設けられてもよい。
【００３４】バッフル板２４は、スリット状、丸穴状等
の形状を有する孔２４ａが、切削加工により多数形成さ
れている。孔２４ａは、処理ガスが通過可能である一方
で、プラズマの通過を妨げる。これにより、バッフル板
２４は、サセプタ１９と上部電極との間に生起するプラ
ズマを、チャンバ１２の上部（ウェハＷの近傍）に閉じ
こめる。これにより、発生したプラズマの効率的な利用
が可能となる。
の形状を有する孔２４ａが、切削加工により多数形成さ
れている。孔２４ａは、処理ガスが通過可能である一方
で、プラズマの通過を妨げる。これにより、バッフル板
２４は、サセプタ１９と上部電極との間に生起するプラ
ズマを、チャンバ１２の上部（ウェハＷの近傍）に閉じ
こめる。これにより、発生したプラズマの効率的な利用
が可能となる。
【００３５】サセプタ１９は、その上部中央が凸状の円
板状に形成され、その上にウエハＷと略同形の図示しな
い静電チャックが設けられている。サセプタ１９は、ウ
ェハＷの載置台であり、サセプタ１９上に載置されたウ
ェハＷは、クーロン力によって静電吸着される。
板状に形成され、その上にウエハＷと略同形の図示しな
い静電チャックが設けられている。サセプタ１９は、ウ
ェハＷの載置台であり、サセプタ１９上に載置されたウ
ェハＷは、クーロン力によって静電吸着される。
【００３６】サセプタ１９は、また、下部電極として機
能する。サセプタ１９には、第１の高周波電源２５が接
続されており、その給電線には第１の整合器２６が介在
されている。第１の高周波電源２５は、０．１〜１３Ｍ
Ｈｚの範囲の周波数を有しており、このような範囲の周
波数を印加することにより、被処理体であるウエハＷに
対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与
えることができる。また、サセプタ１９は、ハイパスフ
ィルタ（ＨＰＦ）３９を介して接地されている。
能する。サセプタ１９には、第１の高周波電源２５が接
続されており、その給電線には第１の整合器２６が介在
されている。第１の高周波電源２５は、０．１〜１３Ｍ
Ｈｚの範囲の周波数を有しており、このような範囲の周
波数を印加することにより、被処理体であるウエハＷに
対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与
えることができる。また、サセプタ１９は、ハイパスフ
ィルタ（ＨＰＦ）３９を介して接地されている。
【００３７】サセプタ１９の上端周縁部には、静電チャ
ック上に載置されたウエハＷを囲むように、環状のフォ
ーカスリング２７が配置されている。フォーカスリング
２７は、シリコンなどから構成されている。フォーカス
リング２７は、その内側に配置されたウェハＷに、プラ
ズマを効果的に集め、効率的な、均一性の高いプラズマ
処理を可能にする。
ック上に載置されたウエハＷを囲むように、環状のフォ
ーカスリング２７が配置されている。フォーカスリング
２７は、シリコンなどから構成されている。フォーカス
リング２７は、その内側に配置されたウェハＷに、プラ
ズマを効果的に集め、効率的な、均一性の高いプラズマ
処理を可能にする。
【００３８】また、サセプタ支持台１７、サセプタ１９
等は、ウエハＷ受け渡し用の図示しないリフトピンが貫
通可能に形成されている。リフトピンはシリンダにより
昇降可能となっている。リフトピンは、サセプタ１９を
突き抜けて上昇可能であり、リフトピンの昇降動作によ
りウェハＷのサセプタ１９上への載置がなされる。
等は、ウエハＷ受け渡し用の図示しないリフトピンが貫
通可能に形成されている。リフトピンはシリンダにより
昇降可能となっている。リフトピンは、サセプタ１９を
突き抜けて上昇可能であり、リフトピンの昇降動作によ
りウェハＷのサセプタ１９上への載置がなされる。
【００３９】サセプタ１９の上方には、サセプタ１９と
平行に対向して上部電極２８が設けられている。上部電
極２８は、絶縁材２９を介して、チャンバ１２の上部に
支持されている。上部電極２８は、電極板３０と、電極
支持体３１と、から構成される。
平行に対向して上部電極２８が設けられている。上部電
極２８は、絶縁材２９を介して、チャンバ１２の上部に
支持されている。上部電極２８は、電極板３０と、電極
支持体３１と、から構成される。
【００４０】電極板３０は、サセプタ１９またはウェハ
Ｗとの対向面を形成する。電極板３０は、多数のガス孔
３０ａをそのほぼ全面に備える。また、電極板３０は、
例えば、表面がアルマイト処理されたアルミニウム、シ
リコン、ＳｉＣまたはアモルファスカーボンから構成さ
れている。なお、サセプタ１９と電極板３０とは、例え
ば、１０〜６０ｍｍ程度離間している。
Ｗとの対向面を形成する。電極板３０は、多数のガス孔
３０ａをそのほぼ全面に備える。また、電極板３０は、
例えば、表面がアルマイト処理されたアルミニウム、シ
リコン、ＳｉＣまたはアモルファスカーボンから構成さ
れている。なお、サセプタ１９と電極板３０とは、例え
ば、１０〜６０ｍｍ程度離間している。
【００４１】電極支持体３１には、電極板３０がねじど
めされている。電極支持体３１は、導電性材料、例え
ば、表面がアルマイト処理されたアルミニウムから構成
されている。電極支持体３１は、その内部に上部冷媒室
３２を備え、水冷構造となっている。上部冷媒室３２
は、上部冷媒管３３に接続され、その内部に冷却水が流
通可能となっている。上部冷媒室３２への冷却水の流通
により、上部電極２８の過熱は防がれる。
めされている。電極支持体３１は、導電性材料、例え
ば、表面がアルマイト処理されたアルミニウムから構成
されている。電極支持体３１は、その内部に上部冷媒室
３２を備え、水冷構造となっている。上部冷媒室３２
は、上部冷媒管３３に接続され、その内部に冷却水が流
通可能となっている。上部冷媒室３２への冷却水の流通
により、上部電極２８の過熱は防がれる。
【００４２】電極支持体３１は、ガス導入管３４を備え
る。ガス導入管３４には、バルブ、流量制御装置等を介
して、処理用のガスが供給される。処理に用いるガスと
しては、ＳｉＯＦ膜の成膜に従来用いられている種々の
ものを採用することができ、例えば、四フッ化シラン
（ＳｉＦ４）、モノシラン（ＳｉＨ４）および酸素（Ｏ
２）を用いることができる。また、アルゴン、ヘリウム
等の希ガスや窒素を添加しても良い。
る。ガス導入管３４には、バルブ、流量制御装置等を介
して、処理用のガスが供給される。処理に用いるガスと
しては、ＳｉＯＦ膜の成膜に従来用いられている種々の
ものを採用することができ、例えば、四フッ化シラン
（ＳｉＦ４）、モノシラン（ＳｉＨ４）および酸素（Ｏ
２）を用いることができる。また、アルゴン、ヘリウム
等の希ガスや窒素を添加しても良い。
【００４３】電極支持体３１は、その内部に、電極板３
０の複数のガス孔３０ａに接続した、中空の拡散部３１
ａを備える。ガス源からガス導入管３４を介して供給さ
れたガスは、拡散部３１ａで拡散されてガス孔３０ａに
供給される。これにより、ガスは、複数のガス孔３０ａ
からウェハＷの全面に均等に供給される。
０の複数のガス孔３０ａに接続した、中空の拡散部３１
ａを備える。ガス源からガス導入管３４を介して供給さ
れたガスは、拡散部３１ａで拡散されてガス孔３０ａに
供給される。これにより、ガスは、複数のガス孔３０ａ
からウェハＷの全面に均等に供給される。
【００４４】上部電極２８には、アルミニウム等の導電
性材料からなる給電棒３５が接続されている。給電棒３
５は、第２の整合器３６を介して、第２の高周波電源３
７に接続されている。第２の高周波電源３７は、１３〜
１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、高周波電力
の印加により、下部電極であるサセプタ１９との間に高
密度のプラズマが生成する。また、上部電極２８は、ロ
ーパスフィルタ（ＬＰＦ）３８を介して接地されてい
る。
性材料からなる給電棒３５が接続されている。給電棒３
５は、第２の整合器３６を介して、第２の高周波電源３
７に接続されている。第２の高周波電源３７は、１３〜
１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、高周波電力
の印加により、下部電極であるサセプタ１９との間に高
密度のプラズマが生成する。また、上部電極２８は、ロ
ーパスフィルタ（ＬＰＦ）３８を介して接地されてい
る。
【００４５】ここで、チャンバ１２の上方の、上部電極
２８およびその接続部分の表面には、低誘電率の絶縁性
材料、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）から構成された絶縁膜４１が形成されている。絶縁
膜４１は、例えば、５〜２０ｍｍ程度の厚さで設けられ
ている。絶縁膜４１は、上部電極２８の近傍、特に、給
電棒３５の絶縁のために形成されている。誘電率の低い
ＰＴＦＥからなる絶縁膜４１により、誘電損失は抑えら
れ、高いプラズマの利用効率が得られる。また、絶縁膜
４１を含むチャンバの上方は、チャンバ１２と同じ材料
からなる上部保護部材４０が形成されて保護されている
と共に、いわゆる同軸構造を構成して、高周波電力の良
好な伝播が得られる構造となっている。
２８およびその接続部分の表面には、低誘電率の絶縁性
材料、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）から構成された絶縁膜４１が形成されている。絶縁
膜４１は、例えば、５〜２０ｍｍ程度の厚さで設けられ
ている。絶縁膜４１は、上部電極２８の近傍、特に、給
電棒３５の絶縁のために形成されている。誘電率の低い
ＰＴＦＥからなる絶縁膜４１により、誘電損失は抑えら
れ、高いプラズマの利用効率が得られる。また、絶縁膜
４１を含むチャンバの上方は、チャンバ１２と同じ材料
からなる上部保護部材４０が形成されて保護されている
と共に、いわゆる同軸構造を構成して、高周波電力の良
好な伝播が得られる構造となっている。
【００４６】絶縁膜４１は、ＰＴＦＥのガス溶射、プラ
ズマ溶射等によって形成された溶射膜として形成され
る。絶縁膜４１をガス溶射により形成したときの様子を
図２に示す。図２に示すガス溶射装置４２は、原料供給
管４３と、燃焼ガス供給管４４と、原料供給管４３と燃
焼ガス供給管４４とに接続された接触部４５と、圧縮空
気供給管４６と、を備える。このガス溶射装置４２にお
いて、原料供給管４３から供給されたＰＴＦＥ粒は、接
触部４５において燃焼ガス供給管４４から供給されたア
セチレン−酸素からなる燃焼ガスにより、瞬間的に溶融
する。溶融したＰＴＦＥは、圧縮空気供給管から供給さ
れる圧縮空気のジェット効果により、高速で被処理面に
吐出される。吐出されたＰＴＦＥは、被処理面上で固ま
り、所定厚さで形成されて絶縁膜４１が形成される。
ズマ溶射等によって形成された溶射膜として形成され
る。絶縁膜４１をガス溶射により形成したときの様子を
図２に示す。図２に示すガス溶射装置４２は、原料供給
管４３と、燃焼ガス供給管４４と、原料供給管４３と燃
焼ガス供給管４４とに接続された接触部４５と、圧縮空
気供給管４６と、を備える。このガス溶射装置４２にお
いて、原料供給管４３から供給されたＰＴＦＥ粒は、接
触部４５において燃焼ガス供給管４４から供給されたア
セチレン−酸素からなる燃焼ガスにより、瞬間的に溶融
する。溶融したＰＴＦＥは、圧縮空気供給管から供給さ
れる圧縮空気のジェット効果により、高速で被処理面に
吐出される。吐出されたＰＴＦＥは、被処理面上で固ま
り、所定厚さで形成されて絶縁膜４１が形成される。
【００４７】上記のようにして、給電棒３５等の表面
に、ＰＴＦＥからなる絶縁膜４１が形成される。ここ
で、絶縁膜４１は、溶射膜であり、図２に概略的に示す
ように、膜中に空孔４１ａが形成されている。このよう
に、多孔性が付与されることにより、溶射膜は、ＰＴＦ
Ｅの本来の比誘電率よりも低い比誘電率を有する。この
ため、絶縁膜４１は、溶射によらずに形成したＰＴＦＥ
からなる膜よりも高い絶縁性を有する。これにより、給
電棒３５と接地された他の部材との絶縁距離を小さくで
き、装置サイズの低減が図れる。従って、ＰＴＦＥ溶射
膜から形成される絶縁膜４１を設けることにより、コス
トの低減が図れる。
に、ＰＴＦＥからなる絶縁膜４１が形成される。ここ
で、絶縁膜４１は、溶射膜であり、図２に概略的に示す
ように、膜中に空孔４１ａが形成されている。このよう
に、多孔性が付与されることにより、溶射膜は、ＰＴＦ
Ｅの本来の比誘電率よりも低い比誘電率を有する。この
ため、絶縁膜４１は、溶射によらずに形成したＰＴＦＥ
からなる膜よりも高い絶縁性を有する。これにより、給
電棒３５と接地された他の部材との絶縁距離を小さくで
き、装置サイズの低減が図れる。従って、ＰＴＦＥ溶射
膜から形成される絶縁膜４１を設けることにより、コス
トの低減が図れる。
【００４８】ここで、ＰＴＦＥが溶射される給電棒３５
等の母材の表面は、ショットブラスト等によって適度に
粗面化されている。これにより、形成された絶縁膜４１
の密着性が高められ、耐久性等の高い、信頼性の高い絶
縁膜４１が形成される。
等の母材の表面は、ショットブラスト等によって適度に
粗面化されている。これにより、形成された絶縁膜４１
の密着性が高められ、耐久性等の高い、信頼性の高い絶
縁膜４１が形成される。
【００４９】また、溶射の途中に、応力除去のためのア
ニール処理を行うことにより、溶射により形成される絶
縁膜４１の厚さを増大させることができる。すなわち、
所定厚さの溶射膜を形成する毎にアニール処理（加熱）
処理を行い、膜に生じる応力を除去しつつ、所定厚さの
溶射膜を形成することにより、厚膜の溶射膜を安定に形
成することができ、これにより、一層高い絶縁性が得ら
れる。
ニール処理を行うことにより、溶射により形成される絶
縁膜４１の厚さを増大させることができる。すなわち、
所定厚さの溶射膜を形成する毎にアニール処理（加熱）
処理を行い、膜に生じる応力を除去しつつ、所定厚さの
溶射膜を形成することにより、厚膜の溶射膜を安定に形
成することができ、これにより、一層高い絶縁性が得ら
れる。
【００５０】また、上記例では、ＰＴＦＥ溶射膜である
絶縁膜４１は、給電棒３５等の上部電極２８周辺に形成
し、絶縁するものとした。しかし、勿論、これに限ら
ず、絶縁が必要な他の部分にも用いることができる。例
えば、下部電極の給電部分等をＰＴＦＥ溶射膜で被覆す
ることにより、同様の効果が得られる。さらに、絶縁膜
４１を構成する材料は、ＰＴＦＥに限らず、他のいかな
る絶縁性材料であってもよい。
絶縁膜４１は、給電棒３５等の上部電極２８周辺に形成
し、絶縁するものとした。しかし、勿論、これに限ら
ず、絶縁が必要な他の部分にも用いることができる。例
えば、下部電極の給電部分等をＰＴＦＥ溶射膜で被覆す
ることにより、同様の効果が得られる。さらに、絶縁膜
４１を構成する材料は、ＰＴＦＥに限らず、他のいかな
る絶縁性材料であってもよい。
【００５１】本発明は、上記の実施の形態に限られず、
種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可
能な上記の実施の形態の変形態様（１）〜（３）につい
て、説明する。
種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可
能な上記の実施の形態の変形態様（１）〜（３）につい
て、説明する。
【００５２】（１）上記実施の形態では、ベローズ２３
は、ステンレススチールからなるものを用いた。しか
し、ベローズ２３は、高純度のニッケルまたはアルミニ
ウムから構成されても良い。この場合、例えば、純度９
９．２％程度のニッケルあるいはアルミニウムの時効硬
化材を用いることができる。
は、ステンレススチールからなるものを用いた。しか
し、ベローズ２３は、高純度のニッケルまたはアルミニ
ウムから構成されても良い。この場合、例えば、純度９
９．２％程度のニッケルあるいはアルミニウムの時効硬
化材を用いることができる。
【００５３】ステンレススチール等の鉄系の材料からな
るベローズ２３を用いた場合には、プラズマとの接触、
クリーニング時のフッ素系ガス等の腐食性ガスとの接触
等により、ベローズ２３が劣化して、いわゆるメタルコ
ンタミが発生しやすい。しかし、ニッケルあるいはアル
ミニウムからなるベローズ２３を用いた場合には、高い
耐プラズマ性、耐腐食性等が得られ、メタルコンタミの
低減が図れ、信頼性の向上が図れる。
るベローズ２３を用いた場合には、プラズマとの接触、
クリーニング時のフッ素系ガス等の腐食性ガスとの接触
等により、ベローズ２３が劣化して、いわゆるメタルコ
ンタミが発生しやすい。しかし、ニッケルあるいはアル
ミニウムからなるベローズ２３を用いた場合には、高い
耐プラズマ性、耐腐食性等が得られ、メタルコンタミの
低減が図れ、信頼性の向上が図れる。
【００５４】また、サセプタ支持台１７（サセプタ１
９）の他に、リフトピン等の昇降機構を有する他のチャ
ンバ１２部材や、ウェハ搬送系のロボット等の備える昇
降機構にも、高純度ニッケルあるいはアルミニウムから
構成されたベローズ２３を用いることにより、同様の効
果が得られることは勿論である。
９）の他に、リフトピン等の昇降機構を有する他のチャ
ンバ１２部材や、ウェハ搬送系のロボット等の備える昇
降機構にも、高純度ニッケルあるいはアルミニウムから
構成されたベローズ２３を用いることにより、同様の効
果が得られることは勿論である。
【００５５】（２）また、上記実施の形態では、図３に
示すような、多数の孔２４ａを備えたバッフル板２４を
用いる。上述したように、バッフル板２４は、切削加工
により形成される。しかし、バッフル板２４を、例え
ば、１〜２ｍｍ程度の薄さの金属薄板のエッチング、例
えば、フォトエッチングにより形成しても良い。エッチ
ングされた薄板に、溶射膜、アルマイト等の絶縁膜４１
を形成することにより、図３に示すようなバッフル板２
４が得られる。
示すような、多数の孔２４ａを備えたバッフル板２４を
用いる。上述したように、バッフル板２４は、切削加工
により形成される。しかし、バッフル板２４を、例え
ば、１〜２ｍｍ程度の薄さの金属薄板のエッチング、例
えば、フォトエッチングにより形成しても良い。エッチ
ングされた薄板に、溶射膜、アルマイト等の絶縁膜４１
を形成することにより、図３に示すようなバッフル板２
４が得られる。
【００５６】エッチングにより形成することにより、図
４に示すように、孔２４ａをより微細な形状に、かつ、
自由な配置で、薄いバッフル板２４にパターニングする
ことができる。また、切削加工のように、パターニング
時に負荷がかかることがないので、開口率（＝孔２４ａ
の総面積／バッフル板２４の面積）を限界まで高めるこ
とができる。これにより、コンダクタンスの向上が図れ
る。さらに、切削加工した場合よりも、実質的に工程数
が短縮され、コストの低減が図れる。なお、バッフル板
２４に限らず、微細なパターニングや薄さが必要な板状
部材であれば、どのような部材の製造にも本発明の手法
を用いることができることは勿論である。また、バッフ
ル板２４の形状も平板状に限られず、上記エッチングに
より所定形状にエッチングされた板状部材を、さらに所
定形状に変形させることにより、中心方向に所定の斜度
を有する形状や、サセプタ１９を包囲する、例えば、断
面がＬ字型の円筒状など、所望の形状に形成してもよ
い。
４に示すように、孔２４ａをより微細な形状に、かつ、
自由な配置で、薄いバッフル板２４にパターニングする
ことができる。また、切削加工のように、パターニング
時に負荷がかかることがないので、開口率（＝孔２４ａ
の総面積／バッフル板２４の面積）を限界まで高めるこ
とができる。これにより、コンダクタンスの向上が図れ
る。さらに、切削加工した場合よりも、実質的に工程数
が短縮され、コストの低減が図れる。なお、バッフル板
２４に限らず、微細なパターニングや薄さが必要な板状
部材であれば、どのような部材の製造にも本発明の手法
を用いることができることは勿論である。また、バッフ
ル板２４の形状も平板状に限られず、上記エッチングに
より所定形状にエッチングされた板状部材を、さらに所
定形状に変形させることにより、中心方向に所定の斜度
を有する形状や、サセプタ１９を包囲する、例えば、断
面がＬ字型の円筒状など、所望の形状に形成してもよ
い。
【００５７】（３）上記実施の形態では、チャンバ１２
の内部表面は、一般的な処理を施されているものとし
た。ここで、一般的な処理とは、図５（ａ）〜（ｃ）に
示すように、機械加工により金属アルミニウムに平滑面
４７を形成し（図５（ａ））、機械加工後の平滑面４７
を手作業で磨き（図５（ｂ））、その後連続して、アル
カリおよび／または酸に浸積してエッチングし、最後に
表面にアルマイト層４８を形成するものである（図５
（ｃ））。すなわち、手作業での磨きにより、機械加工
時に表面に発生した平滑面４７のクラック４９を除去し
つつ表面粗度を上げる。その後、アルカリ／酸エッチン
グにより表面を最小限エッチングし、アルマイト処理を
施す。
の内部表面は、一般的な処理を施されているものとし
た。ここで、一般的な処理とは、図５（ａ）〜（ｃ）に
示すように、機械加工により金属アルミニウムに平滑面
４７を形成し（図５（ａ））、機械加工後の平滑面４７
を手作業で磨き（図５（ｂ））、その後連続して、アル
カリおよび／または酸に浸積してエッチングし、最後に
表面にアルマイト層４８を形成するものである（図５
（ｃ））。すなわち、手作業での磨きにより、機械加工
時に表面に発生した平滑面４７のクラック４９を除去し
つつ表面粗度を上げる。その後、アルカリ／酸エッチン
グにより表面を最小限エッチングし、アルマイト処理を
施す。
【００５８】しかし、上記のような方法では、手作業で
の磨きの際に、磨きのばらつき部分５０が形成されてし
まう。このため、アルマイト処理の際に、この磨きムラ
部分５０の所に色ムラ５１が形成されてしまう。
の磨きの際に、磨きのばらつき部分５０が形成されてし
まう。このため、アルマイト処理の際に、この磨きムラ
部分５０の所に色ムラ５１が形成されてしまう。
【００５９】上記のような不具合を避けるため、上記し
たような一般的な表面処理ではなく、図６（ａ）〜
（ｃ）に示すような方法で表面処理を行っても良い。す
なわち、機械加工後の平滑面４７（図６（ａ））を、水
酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液等で、上記エッチン
グよりも過剰にエッチング（オーバーエッチング）して
クラック４９を除去し（図６（ｂ））、その後、アルマ
イト処理を施す（図６（ｃ））ようにしてもよい。例え
ば、純アルミニウムの板を、１０％ＮａＯＨ水溶液に１
分程度浸積し、その一面を２０μｍ程度エッチングし、
その後、アルマイト処理を施す。
たような一般的な表面処理ではなく、図６（ａ）〜
（ｃ）に示すような方法で表面処理を行っても良い。す
なわち、機械加工後の平滑面４７（図６（ａ））を、水
酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液等で、上記エッチン
グよりも過剰にエッチング（オーバーエッチング）して
クラック４９を除去し（図６（ｂ））、その後、アルマ
イト処理を施す（図６（ｃ））ようにしてもよい。例え
ば、純アルミニウムの板を、１０％ＮａＯＨ水溶液に１
分程度浸積し、その一面を２０μｍ程度エッチングし、
その後、アルマイト処理を施す。
【００６０】上記のようにオーバーエッチングして得ら
れた平滑面４７を有するアルミニウム部材（チャンバ１
２部材）は、機械加工時に発生したクラック４９が除去
され、均一な表面が形成されている。さらに、手作業で
の磨きにより発生するような磨きばらつき部（不均一表
面）は存在せず、アルマイト後にも色ムラが発生しにく
い。従って、外観不良による歩留まりの低下は低減さ
れ、高い歩留まりが得られる。さらに、手作業等を省く
ことにより、実質的な工程数の短縮ならびにスループッ
トの向上が図れ、コストを大幅に削減できる。
れた平滑面４７を有するアルミニウム部材（チャンバ１
２部材）は、機械加工時に発生したクラック４９が除去
され、均一な表面が形成されている。さらに、手作業で
の磨きにより発生するような磨きばらつき部（不均一表
面）は存在せず、アルマイト後にも色ムラが発生しにく
い。従って、外観不良による歩留まりの低下は低減さ
れ、高い歩留まりが得られる。さらに、手作業等を省く
ことにより、実質的な工程数の短縮ならびにスループッ
トの向上が図れ、コストを大幅に削減できる。
【００６１】上記例では、プラズマ処理装置１１のチャ
ンバ１２を構成するアルミニウムからなる部材を例とし
て説明した。しかし、材質はアルミニウムに限らず、ス
テンレススチール等の他のいかなる材料であってもよ
い。また、プラズマ処理装置１１のチャンバ部材に限ら
ず、粗度の低い平滑面が必要な部材であれば、他の処理
装置のチャンバ部材等、他のいかなる部材にも適用可能
である。
ンバ１２を構成するアルミニウムからなる部材を例とし
て説明した。しかし、材質はアルミニウムに限らず、ス
テンレススチール等の他のいかなる材料であってもよ
い。また、プラズマ処理装置１１のチャンバ部材に限ら
ず、粗度の低い平滑面が必要な部材であれば、他の処理
装置のチャンバ部材等、他のいかなる部材にも適用可能
である。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、誘電損失を抑えつつ、
良好に絶縁されたプラズマ処理装置および電極部材が提
供される。さらに、本発明によれば、高い処理効率が得
られるバッフル板の製造方法が提供される。また、本発
明は、信頼性の高い処理の可能な処理装置が提供され
る。さらにまた、本発明は、低コストでの製造が可能な
表面処理方法が提供される。
良好に絶縁されたプラズマ処理装置および電極部材が提
供される。さらに、本発明によれば、高い処理効率が得
られるバッフル板の製造方法が提供される。また、本発
明は、信頼性の高い処理の可能な処理装置が提供され
る。さらにまた、本発明は、低コストでの製造が可能な
表面処理方法が提供される。
【図１】本発明の実施の形態にかかる処理装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】絶縁膜の形成のようすを示す図である。
【図３】バッフル板の斜視図である。
【図４】本発明の他の実施の形態にかかる斜視図であ
る。
る。
【図５】一般的な表面の処理方法を示す図である。
【図６】オーバーエッチングしたときの表面の処理方法
を示す図である。
を示す図である。
１１ プラズマ処理装置
１２ チャンバ
１５ ゲートバルブ
１７ サセプタ支持台
１８ 絶縁膜
１９ サセプタ
２０ シャフト
２１ 下部冷媒室
２２ 下部冷媒管
２３ ベローズ
２４ バッフル板
２８ 上部電極
３０ 電極板
３１ 電極支持体
３２ 上部冷媒室
３３ 上部冷媒管
３４ ガス導入管
３５ 給電棒
４０ 上部保護部材
４１ 絶縁膜
Claims (8)
- 【請求項１】チャンバを備え、前記チャンバ内で被処理
体に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であっ
て、 前記被処理体が載置される載置台と、 前記載置台に平行に対向して設けられた上部電極と、 前記上部電極に接続され、該上部電極に高周波電力を供
給する給電部材と、 絶縁性材料の溶射により形成され、前記給電部材、およ
び、少なくとも前記上部電極の前記給電部材と接続され
た部分の表面を覆う絶縁膜と、 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】前記絶縁性材料はＰＴＦＥから構成されて
いる、ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項３】前記絶縁膜に覆われる前記給電部材および
前記上部電極の表面は、ショットブラストにより所定の
粗度とされている、ことを特徴とする請求項１または２
に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】高周波電源に接続される導電部材と、 前記導電部材に接続され、高周波電力を印加可能な電極
と、 絶縁性材料の溶射によって形成され、前記導電部材、お
よび、前記導電部材と前記電極の接続部分の少なくとも
一部を覆う絶縁膜と、 を備える、ことを特徴とする電極部材。 - 【請求項５】複数の孔を備え、プラズマの通過を妨げつ
つ、前記孔を介して処理ガスが導通可能なバッフル板の
製造方法であって、 板状の金属部材を形成する工程と、 前記金属部材をエッチングして、複数の穴を形成する工
程と、 を備える、ことを特徴とするバッフル板の製造方法。 - 【請求項６】真空引き可能な容器と、 前記容器内に設けられ、所定の物体を保持した状態で可
動な保持部材と、 前記容器の外部に設けられ、前記保持部材を前記容器の
内部で駆動する駆動機構と、 純ニッケルあるいは純アルミニウムから構成され、その
両端が前記保持部材と前記容器とにそれぞれ固定され、
前記保持部材の駆動時において前記容器の内外を気密に
隔絶するベローズと、 を備える、ことを特徴とする処理装置。 - 【請求項７】機械加工により、金属表面に平滑面を形成
する工程と、 前記機械加工により前記平滑面に形成されたクラックを
エッチングにより除去する工程と、 を備える、ことを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項８】前記金属はアルミニウムであり、さらに、
エッチングされた前記平滑面にアルマイト処理を施す、
ことを特徴とする請求項７に記載の表面処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002021829A JP2003224077A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | プラズマ処理装置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、および、表面処理方法 |
| US10/354,127 US20030141017A1 (en) | 2002-01-30 | 2003-01-30 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002021829A JP2003224077A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | プラズマ処理装置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、および、表面処理方法 |
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| JP2006246084A Division JP2006339678A (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | プラズマ処理装置及び電極部材 |
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|---|---|
| JP2003224077A true JP2003224077A (ja) | 2003-08-08 |
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ID=27606326
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002021829A Pending JP2003224077A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | プラズマ処理装置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、および、表面処理方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2003224077A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021097194A (ja) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル部材及び基板処理装置 |
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| KR20030090305A (ko) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | 동경엘렉트론코리아(주) | 플라즈마 발생장치의 가스 배기용 배플 플레이트 |
| JP2006216710A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造装置 |
| JP4704088B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP3958344B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法 |
| TWI329135B (en) * | 2005-11-04 | 2010-08-21 | Applied Materials Inc | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
| US7732728B2 (en) * | 2007-01-17 | 2010-06-08 | Lam Research Corporation | Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor |
| JP2009176787A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Hitachi High-Technologies Corp | エッチング処理装置及びエッチング処理室用部材 |
| JP2009200184A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のバッフル板 |
| JP6100691B2 (ja) * | 2010-10-28 | 2017-03-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高純度アルミニウムコーティングの硬質陽極酸化処理 |
| US8801950B2 (en) * | 2011-03-07 | 2014-08-12 | Novellus Systems, Inc. | Reduction of a process volume of a processing chamber using a nested dynamic inert volume |
| KR101279353B1 (ko) * | 2011-03-10 | 2013-07-04 | (주)제이하라 | 플라즈마 발생장치 |
| DE102011077967A1 (de) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Wacker Chemie Ag | Elektrode und Verfahren zur Stromversorgung eines Reaktors |
| JP6396699B2 (ja) * | 2014-02-24 | 2018-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| TWI721216B (zh) | 2016-10-13 | 2021-03-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於電漿處理裝置中的腔室部件、包含其之裝置及製造其之方法 |
| KR20210125155A (ko) * | 2020-04-07 | 2021-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조방법 |
| JPWO2023228232A1 (ja) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH06737A (ja) * | 1991-03-29 | 1994-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック基板 |
| DE59303278D1 (de) * | 1993-11-11 | 1996-08-22 | Anlagen Und Reaktorsicherheit | Verfahren zur Herstellung einer hochporösen Katalysatorschicht aus einer Palladium- oder Platinlegierung |
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-
2002
- 2002-01-30 JP JP2002021829A patent/JP2003224077A/ja active Pending
-
2003
- 2003-01-30 US US10/354,127 patent/US20030141017A1/en not_active Abandoned
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