JP7365892B2 - バッフル部材及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、バッフル部材及び基板処理装置に関する。

基板にエッチング処理等の所望の処理を施す基板処理装置には、ガスが通流するバッフル部材が設けられている。

特許文献１には、径方向に整列配列されたスロットを有するバッフル板を具備するバッフル板アセンブリが開示されている。

特表２００７－５２５８２５号公報

一の側面では、本開示は、バッフル部材の破損を抑制するバッフル部材及び基板処理装置を提供する。

上記課題を解決するために、一の態様によれば、内輪部と、前記内輪部よりも外側に設けられる外輪部と、前記内輪部と前記外輪部とを接続する接続部と、を備え、前記接続部は、径方向及び周方向に複数配置され、前記周方向に延びる円弧形状の開口と、同周上で隣接する前記開口の間に形成される剛体部と、前記径方向で隣接する前記開口の間に形成され、一の前記剛体部と他の前記剛体部とを接続する壁部と、を有し、前記剛体部の周方向幅は、前記径方向の外側ほど広くなり、前記径方向で隣接する前記壁部の周方向長さが等しい、バッフル部材が提供される。

一の側面によれば、バッフル部材の破損を抑制するバッフル部材及び基板処理装置を提供することができる。

一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図。 一実施形態に係るバッフル板の一例を示す部分拡大平面図。 内輪部と外輪部が高さ方向にずれた際の一実施形態に係るバッフル板の変形を模式的に示した図。 壁部の断面形状と変形方向を示す断面斜視図の一例。 第１参考例に係るバッフル板の一例を示す部分拡大平面図。 第２参考例に係るバッフル板の一例を示す部分拡大平面図。 内輪部と外輪部が高さ方向にずれた際の第２参考例に係るバッフル板の変形を模式的に示した図。

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

＜基板処理装置＞
一実施形態に係る基板処理装置１について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の一例を示す断面模式図である。

基板処理装置１は、チャンバ１０を備える。チャンバ１０は、その中に内部空間１０ｓを提供する。チャンバ１０はチャンバ本体１１を含む。チャンバ本体１１は、略円筒形状を有する。チャンバ本体１１は、例えばアルミニウムから形成される。チャンバ本体１１の内壁面上には、耐腐食性を有する膜が設けられている。当該膜は、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどのセラミックであってよい。

チャンバ本体１１の側壁には、通路１１ｐが形成されている。基板Ｗは、通路１１ｐを通して内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送される。通路１１ｐは、チャンバ本体１１の側壁に沿って設けられるゲートバルブ１１ｇにより開閉される。

チャンバ本体１１の底部上には、アルミニウム等からなる底板１２を介して支持部１３が設けられている。支持部１３は、絶縁材料から形成される。支持部１３は、略円筒形状を有する。支持部１３は、内部空間１０ｓの中で、チャンバ本体１１の底部から上方に延在している。支持部１３は、上部に支持台１４を有する。支持台１４は、内部空間１０ｓの中において、基板Ｗを支持するように構成されている。

支持台１４は、下部電極１８及び静電チャック２０を有する。支持台１４は、電極プレート１６を更に有し得る。電極プレート１６は、アルミニウムなどの導体から形成され、略円盤形状を有する。下部電極１８は、電極プレート１６上に設けられている。下部電極１８は、アルミニウムなどの導体から形成されて、略円盤形状を有する。下部電極１８は、電極プレート１６に電気的に接続されている。

静電チャック２０は、下部電極１８上に設けられている。静電チャック２０の上面に基板Ｗが載置される。静電チャック２０は、本体及び電極を有する。静電チャック２０の本体は、略円盤形状を有し、誘電体から形成される。静電チャック２０の電極は、膜状の電極であり、静電チャック２０の本体内に設けられている。静電チャック２０の電極は、スイッチ２０ｓを介して直流電源２０ｐに接続されている。静電チャック２０の電極に直流電源２０ｐからの電圧が印加されると、静電チャック２０と基板Ｗとの間に静電引力が発生する。その静電引力により、基板Ｗが静電チャック２０に保持される。

下部電極１８の周縁部上には、基板Ｗのエッジを囲むように、エッジリング２５が配置される。エッジリング２５は、基板Ｗに対するプラズマ処理の面内均一性を向上させる。エッジリング２５は、シリコン、炭化シリコン、又は石英などから形成され得る。

下部電極１８の内部には、流路１８ｆが設けられている。流路１８ｆには、チャンバ１０の外部に設けられているチラーユニット（図示しない）から配管２２ａを介して熱交換媒体（例えば冷媒）が供給される。流路１８ｆに供給された熱交換媒体は、配管２２ｂを介してチラーユニットに戻される。基板処理装置１では、静電チャック２０上に載置された基板Ｗの温度が、熱交換媒体と下部電極１８との熱交換により、調整される。

基板処理装置１には、ガス供給ライン２４が設けられている。ガス供給ライン２４は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を、静電チャック２０の上面と基板Ｗの裏面との間に供給する。

基板処理装置１は、上部電極３０を更に備える。上部電極３０は、支持台１４の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２を介して、チャンバ本体１１の上部に支持されている。部材３２は、絶縁性を有する材料から形成される。上部電極３０と部材３２は、チャンバ本体１１の上部開口を閉じている。

上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含み得る。天板３４の下面は、内部空間１０ｓの側の下面であり、内部空間１０ｓを画成する。天板３４は、発生するジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から形成され得る。天板３４は、天板３４をその板厚方向に貫通する複数のガス吐出孔３４ａを有する。

支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持する。支持体３６は、アルミニウムなどの導電性材料から形成される。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。支持体３６は、ガス拡散室３６ａから下方に延びる複数のガス孔３６ｂを有する。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６には、ガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃは、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。

ガス供給管３８には、バルブ群４２、流量制御器群４４、及びガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０、バルブ群４２、及び流量制御器群４４、は、ガス供給部を構成している。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含む。バルブ群４２は、複数の開閉バルブを含む。流量制御器群４４は、複数の流量制御器を含む。流量制御器群４４の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４２の対応の開閉バルブ、及び流量制御器群４４の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。

基板処理装置１では、チャンバ本体１１の内壁面に沿って、シールド４６が着脱自在に設けられている。シールド４６は、チャンバ本体１１に反応副生物が付着することを防止する。また、支持部１３および支持台１４の外周に沿って、シールド４７が着脱自在に設けられている。シールド４７は、支持部１３および支持台１４に反応副生物が付着することを防止する。シールド４６，４７は、例えば、石英（ＳｉＯ_２）で構成される。また、シールド４７の下方には、耐腐食性を有する絶縁体から形成される筒状体４８が配置されている。

支持部１３とチャンバ本体１１の側壁との間には、バッフル部材４９が設けられている。バッフル部材４９は、バッフル板１００と、筒状体１５０と、を有する。

バッフル板１００は、中央に支持部１３が挿通される円形の穴を有する円板形状の部材であり、内輪部１１０と、外輪部１２０と、接続部１３０と、を有する。内輪部１１０は、円環状の部材であり、支持部１３の外周側で底板１２の上、シールド４７の下に配置される。外輪部１２０は、内輪部１１０の外周側に配置される円環状の部材である。接続部１３０は、内輪部１１０と外輪部１２０とを接続し、ガスが通流可能な複数の開口（後述する図２参照）が形成されている。バッフル板１００は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ等のＳｉを含む材料又はアルミニウムを含む材料で一体に形成される。

筒状体１５０は、高さ方向（軸方向、図１の紙面において上下方向）に延びる略筒状の部材である。筒状体１５０の上部は、シールド４６と接続される。筒状体１５０の下部は、バッフル板１００の外輪部１２０と接続される。筒状体１５０は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ等のＳｉを含む材料又はアルミニウムを含む材料で構成される。

なお、バッフル部材４９の構成は、内輪部１１０、外輪部１２０及び接続部１３０がバッフル板１００として一体に形成され、筒状体１５０がバッフル板１００とは別体に形成されるものとして説明するが、バッフル部材４９の構成はこれに限られるものではない。バッフル板１００及び筒状体１５０がバッフル部材４９として、一体に形成される構成であってもよい。また、バッフル部材４９は、板状のバッフル板１００で構成され、筒状体１５０を備えていない構成であってもよい。

バッフル部材４９の下方、且つ、チャンバ本体１１の底部には、排気口１１ｅが設けられている。排気口１１ｅには、排気管（図示せず）を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを含む。

基板処理装置１は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を備えている。第１の高周波電源６２は、第１の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。第１の高周波電力の周波数は、例えば２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数である。第１の高周波電源６２は、整合器６６及び電極プレート１６を介して下部電極１８に接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるための回路を有する。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して、上部電極３０に接続されていてもよい。第１の高周波電源６２は、一例のプラズマ生成部を構成している。

第２の高周波電源６４は、第２の高周波電力を発生する電源である。第２の高周波電力は、第１の高周波電力の周波数よりも低い周波数を有する。第１の高周波電力と共に第２の高周波電力が用いられる場合には、第２の高周波電力は基板Ｗにイオンを引き込むためのバイアス用の高周波電力として用いられる。第２の高周波電力の周波数は、例えば４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数である。第２の高周波電源６４は、整合器６８及び電極プレート１６を介して下部電極１８に接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるための回路を有する。

なお、第１の高周波電力を用いずに、第２の高周波電力を用いて、即ち、単一の高周波電力のみを用いてプラズマを生成してもよい。この場合には、第２の高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚよりも大きな周波数、例えば４０ＭＨｚであってもよい。基板処理装置１は、第１の高周波電源６２及び整合器６６を備えなくてもよい。第２の高周波電源６４は一例のプラズマ生成部を構成する。

基板処理装置１においてガスが、ガス供給部から内部空間１０ｓに供給されて、プラズマを生成する。また、第１の高周波電力及び／又は第２の高周波電力が供給されることにより、上部電極３０と下部電極１８との間で高周波電界が生成される。生成された高周波電界がプラズマを生成する。

基板処理装置１は、電源７０を備えている。電源７０は、上部電極３０に接続されている。電源７０は内部空間１０ｓ内に存在する正イオンを天板３４に引き込むための電圧を、上部電極３０に印加する。

基板処理装置１は、制御部８０を更に備え得る。制御部８０は、プロセッサ、メモリなどの記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュータであり得る。制御部８０は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部８０では、入力装置を用いて、オペレータが基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部８０では、表示装置により、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが格納されている。制御プログラムは、基板処理装置１で各種処理を実行するために、プロセッサによって実行される。プロセッサが、制御プログラムを実行し、レシピデータに従って基板処理装置１の各部を制御する。

次に、バッフル板１００について、図２を用いて更に説明する。図２は、一実施形態に係るバッフル板１００の一例を示す部分拡大平面図である。

バッフル板１００は、円環状の内輪部１１０と、内輪部１１０よりも径方向外側に設けられる円環状の外輪部１２０と、内輪部１１０と外輪部１２０とを接続する接続部１３０と、を有している。内輪部１１０と外輪部１２０とは、同心に形成されている。接続部１３０には、径方向及び周方向に複数配置され、周方向に延びる円弧形状の開口１３１Ａ～１３１Ｍが形成されている。各開口１３１Ａ～１３１Ｍは、スロットの中心線が円弧となる円弧スロット穴に形成される。

バッフル板１００には、径方向に見て、複数（少なくとも２以上）の開口１３１Ａ～１３１Ｍが形成されている。なお、図２において、開口１３１Ａ～１３１Ｍは、中心線の円弧半径の小さい方から順に、開口１３１Ａ～１３１Ｍとして説明する。

また、バッフル板１００には、周方向に見て、同周上に複数（少なくとも２以上）の開口１３１Ａがそれぞれ形成されている。即ち、内輪部１１０と同心の円上には、複数（少なくとも２以上）の開口１３１Ａが形成されている。同様に、内輪部１１０と同心の円上には、複数（少なくとも２以上）の開口１３１Ｂ～１３１Ｍがそれぞれ形成されている。

バッフル板１００に開口１３１Ａ～１３１Ｍが形成されることにより、同周上で隣接する開口１３１Ａと開口１３１Ａの間には、剛体部１３２Ａが形成されている。同様に、同周上で隣接する各開口１３１Ｂ～１３１Ｍと開口１３１Ｂ～１３１Ｍの間には、剛体部１３２Ｂ～１３２Ｍがそれぞれ形成されている。ここで、剛体部１３２Ａ～１３２Ｍは、後述する壁部１３３Ａ～１３３Ｌよりも剛性が高く、変形しにくい部位である。

また、バッフル板１００に開口１３１Ａ～１３１Ｍが形成されることにより、径方向で隣接する開口１３１Ａと開口１３１Ｂの間には、内輪部１１０と同心の周方向に延びる円弧形状の壁部１３３Ａが形成されている。同様に、径方向で隣接する開口１３１Ｂ～１３１Ｌと開口１３１Ｃ～１３１Ｍの間には、内輪部１１０と同心の周方向に延びる円弧形状の壁部１３３Ｂ～１３３Ｌがそれぞれ形成されている。ここで、壁部１３３Ａ～１３３Ｌは、剛体部１３２Ａ～１３２Ｍよりも剛性が低く、変形しやすい部位である。

なお、周方向を法線とする平面（壁部１３３Ａ～１３３Ｌの延びる方向に垂直な平面）で切断した際の各壁部１３３Ａ～１３３Ｌの断面形状は、後述する図４に示すように、長方形形状を有している。具体的には、各壁部１３３Ａ～１３３Ｌの断面形状は、横方向（径方向、壁部１３３Ａ～１３３Ｌが配列される方向）に対して、縦方向（高さ方向、バッフル板１００の板厚方向）が長くなっている。

また、周方向に複数形成される開口１３１Ａと、周方向に複数形成される開口１３１Ｂとは、バッフル板１００の周方向にみて、半ピッチずつずらして配置されている。同様に、周方向に複数形成される開口１３１Ｂ～１３１Ｌと、周方向に複数形成される開口１３１Ｃ～１３１Ｍの間とは、バッフル板１００の周方向にみて、それぞれ半ピッチずつずらして配置されている。換言すれば、周方向に複数形成される剛体部１３２Ａと、周方向に複数形成される剛体部１３２Ｂとは、バッフル板１００の周方向にみて、半ピッチずつずらして配置されている。同様に、周方向に複数形成される剛体部１３２Ｂ～１３２Ｌと、周方向に複数形成される剛体部１３２Ｃ～１３２Ｍの間とは、バッフル板１００の周方向にみて、それぞれ半ピッチずつずらして配置されている。さらに換言すれば、剛体部１３２Ａ，１３２Ｃ，１３２Ｅ，１３２Ｇ，１３２Ｉ，１３２Ｋ，１３２Ｍが径方向に並ぶ列と、剛体部１３２Ｂ，１３２Ｄ，１３２Ｆ，１３２Ｈ，１３２Ｊ，１３２Ｌが径方向に並ぶ列が形成されている。

この様な構成により、円弧状の壁部１３３Ａは、剛体部１３２Ａから剛体部１３２Ｂへと、接続するように形成されている。同様に、円弧状の壁部１３３Ｂ～１３３Ｌは、剛体部１３２Ｂ～１３２Ｌから剛体部１３２Ｃ～１３２Ｍへと、それぞれ接続するように形成されている。

また、変形しやすい部位である壁部１３３Ａ～１３３Ｌの周方向長さ（例えば、壁部１３３Ａの周方向長さＬ１、壁部１３３Ｌの周方向長さＬ２）は、それぞれ等しく（例えば、Ｌ１＝Ｌ２）なるように形成されている。

換言すれば、径方向内側から数えて奇数番目の剛体部１３２Ａ，１３２Ｃ，１３２Ｅ，１３２Ｇ，１３２Ｉ，１３２Ｋ，１３２Ｍの列と、偶数番目の剛体部１３２Ｂ，１３２Ｄ，１３２Ｆ，１３２Ｈ，１３２Ｊ，１３２Ｌの列とで囲まれる領域は、変形しやすい部位である壁部１３３Ａ～１３３Ｌが配置される変形領域である。この変形領域は、バッフル板１００を平面視して、長方形を有している。

更に換言すれば、変形しにくい部位である剛体部１３２Ａ～１３２Ｍの周方向幅（例えば、剛体部１３２Ｂの周方向幅Ｗ１、剛体部１３２Ｌの周方向幅Ｗ２）は、径方向外側ほど広く（例えば、Ｗ１＜Ｗ２）なるように形成されている。即ち、剛体部１３２Ａ～１３２Ｍの周方向幅を調節することで、壁部１３３Ａ～１３３Ｌの周方向長さがそれぞれ等しくなるように形成されている。

なお、剛体部１３２Ａ～１３２Ｍには、穴部１３４が形成されていてもよい。なお、穴部１３４の形状は、円弧スロット穴に形成されていてもよい。剛体部１３２Ａ～１３２Ｍにも穴部１３４を設けることにより、バッフル板１００における開口率を増やして、圧力損失を低減することができる。

ところで、図１に示すように、バッフル板１００の内輪部１１０は、チャンバ１０の底部中央から配置される底板１２と固定される。一方、バッフル板１００の外輪部１２０は、筒状体１５０を介して、チャンバ１０の側壁上方から配置されるシールド４６と固定される。このため、チャンバ１０の積み上げ公差や、熱膨張等によって、バッフル板１００における内輪部１１０と外輪部１２０とで高さ方向のずれが生じるおそれがある。

図３は、内輪部１１０と外輪部１２０が高さ方向にずれた際の一実施形態に係るバッフル板１００の変形を模式的に示した図である。図４は、壁部１３３Ａ～１３３Ｌの断面形状と変形方向を示す断面斜視図の一例である。

内輪部１１０と外輪部１２０が高さ方向のずれＨでずれることで、壁部１３３Ａ～１３３Ｌは、高さ方向の変形力（図４において、白抜き矢印で示す。）よりも、ねじれ方向の変形力（図４において、黒塗り矢印で示す。）を受ける。そして、内輪部１１０と外輪部１２０との高さ方向のずれＨは、各壁部１３３Ａ～１３３Ｌが少しずつねじれ変形することで吸収される。また、各壁部１３３Ａ～１３３Ｌの周方向長さを揃えることにより、壁部１３３Ａ～１３３Ｌが変形する際の変形の集中を抑制することができる。このため、内輪部１１０と外輪部１２０とで高さ方向のずれＨが生じても、バッフル板１００の破損を防止することができる。

ここで、参考例に係るバッフル板２００，３００と対比しつつ、一実施形態に係るバッフル板１００について、説明する。

図５は、第１参考例に係るバッフル板２００の一例を示す部分拡大平面図である。第１参考例に係るバッフル板２００は、内輪部２１０と、外輪部２２０と、接続部２３０と、を有する。接続部２３０には、径方向に延びる開口２３１（スロット穴）が形成されている。このため、バッフル板２００には、径方向に延びる壁部２３２が形成されている。このような構成において、バッフル板２００における内輪部２１０と外輪部２２０とで高さ方向のずれＨが生じると、各壁部２３２がずれＨで変形することとなり、１つの壁部２３２が担う高さ方向のずれは、一実施形態に係るバッフル板１００と比較して大きくなる。また、壁部２３２の変形方向は、断面が長方形となる壁部２３２の長手方向（図４において、白抜き矢印で示す方向。）となる。このため、内輪部２１０と外輪部２２０との高さ方向のずれによって、第１参考例に係るバッフル板２００が破損するおそれがある。

図６は、第２参考例に係るバッフル板３００の一例を示す部分拡大平面図である。第２参考例に係るバッフル板３００は、内輪部３１０と、外輪部３２０と、接続部３３０と、を有する。接続部３３０には、周方向に延びる開口３３１が形成されている。また、開口３３１と開口３３１の間には、剛体部３３２が形成されている。壁部３３３は、剛体部３３２と剛体部３３２とを接続するように形成される。ここで、第２参考例に係るバッフル板３００では、剛体部３３２の周方向幅（例えば、内輪側の周方向幅Ｗ３、外輪側の周方向幅Ｗ４）が、略等しくなっている。換言すれば、第２参考例に係るバッフル板３００では、円弧状の壁部３３３の周方向長さ（例えば、内輪側の周方向長さＬ３、外輪側の周方向長さＬ４）は、内輪側ほど短く、外輪側ほど長くなるように形成されている。

図７は、内輪部３１０と外輪部３２０が高さ方向にずれた際の第２参考例に係るバッフル板３００の変形を模式的に示した図である。図６に示すように壁部３３３の長さが内側と外側とで異なることにより、内側の壁部３３３よりも外側の壁部３３３が変形しやすい形状となっている。このため、内輪部３１０と外輪部３２０が高さ方向にずれＨでずれた際、外側の壁部３３３における変形量が極端に大きくなる。このため、内輪部３１０と外輪部３２０とのずれによって、第２参考例に係るバッフル板３００が破損するおそれがある。

これに対し、一実施形態に係るバッフル部材４９（バッフル板１００）では、変形の集中を抑制して、内輪部２１０と外輪部２２０との間に高さ方向のずれＨが生じても、バッフル板１００の破損を防止することができる。

また、一実施形態に係るバッフル部材４９（バッフル板１００）の形状では、各壁部１３３Ａ～１３３Ｌの変形を小さくすることができるので、金属材料（例えば、アルミニウム）と比較して剛性の高い材料、例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ等のＳｉを含む材料を用いても、内輪部１１０と外輪部１２０が高さ方向にずれＨを吸収して、バッフル板１００の破損を抑制することができる。これにより、一実施形態に係る基板処理装置１は、シールド４６，４７及びバッフル部材４９の材料として、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２等のＳｉを含む材料を用いることができる。ここで、シールド４６，４７及びバッフル部材４９の材料として、表面に保護膜（例えば、Ｙ_２Ｏ_３）を形成したアルミニウム材料を用いた場合、基板Ｗのプラズマ処理の際に、プラズマによって生じた保護膜由来の元素（Ｙ）が基板Ｗの処理に影響を与えるおそれがある。これに対し、シールド４６，４７及びバッフル部材４９の材料として、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２等のＳｉを含む材料を用いることにより、基板Ｗの処理に与える影響を低減することができる。

また、一実施形態に係るバッフル部材４９（バッフル板１００）では、内側及び外側の両端を固定することができる。これにより、バッフル部材４９と底板１２との電気的導通の確保を容易とすることができる。

また、一実施形態に係るバッフル部材４９（バッフル板１００）では、各壁部１３３Ａ～１３３Ｌの断面形状は、長方形であることが好ましい。これにより、ねじれ方向に対して壁部１３３Ａ～１３３Ｌを変形しやすくすることができる。また、各壁部１３３Ａ～１３３Ｌの断面形状は、縦横比が１以上であることが好ましい。これにより、開口１３１の径方向幅を大きくして、バッフル板１００の開口率を大きくして、圧力損失を低減することができる。

以上、基板処理装置１の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

１ 基板処理装置
４６ シールド
４７ シールド
４９ バッフル部材
１００ バッフル板
１１０ 内輪部
１２０ 外輪部
１３０ 接続部
１３１ 開口
１３２ 剛体部
１３３ 壁部
１３４ 穴部
１５０ 筒状体

Claims (10)

1. 内輪部と、
   前記内輪部よりも外側に設けられる外輪部と、
   前記内輪部と前記外輪部とを接続する接続部と、を備え、
   前記接続部は、
   径方向及び周方向に複数配置され、前記周方向に延びる円弧形状の開口と、
   同周上で隣接する前記開口の間に形成される剛体部と、
   前記径方向で隣接する前記開口の間に形成され、一の前記剛体部と他の前記剛体部とを接続する壁部と、を有し、
   前記剛体部の周方向幅は、前記径方向の外側ほど広くなり、
   前記径方向で隣接する前記壁部の周方向長さが等しい、
   バッフル部材。
2. 前記開口の周方向長さは、前記径方向の外側ほど長くなる、
   請求項１に記載のバッフル部材。
3. 同周上に配置される前記開口のピッチと、前記径方向で隣接する同周上に配置される前記開口のピッチとは、前記周方向にみて、半ピッチずらして配置される、
   請求項１または請求項２項に記載のバッフル部材。
4. 前記内輪部と前記外輪部が高さ方向にずれた際、前記壁部はねじれ方向に変形する、
   請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のバッフル部材。
5. 前記剛体部は、穴部を有する、
   請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のバッフル部材。
6. 前記壁部の断面形状は、長方形である、
   請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のバッフル部材。
7. 前記壁部の断面形状における縦横比は、１以上である、
   請求項６に記載のバッフル部材。
8. 前記内輪部、前記外輪部及び前記接続部は、一体形成される、
   請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のバッフル部材。
9. 前記内輪部、前記外輪部及び前記接続部は、ＳｉまたはＳｉＣで形成される、
   請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のバッフル部材。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のバッフル部材を備える、
    基板処理装置。
    

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