JP2007525825A - 改良されたバッフル板に対する方法および装置。 - Google Patents

Abstract

【課題】 改良されたバッフル板に対する方法および装置を提供することである。
【解決手段】 プラズマ処理システムの基板ホルダに組み合わせられるように構成されたバッフル板アセンブリは、ガスの通過を可能にする１つ以上の開口を有するバッフル板を具備し、基板ホルダにバッフル板を組み合わせることは、プラズマ処理システムのバッフル板の自動−センタリングを容易にする。例えば、基板ホルダにマウントされたセンタリングリングは、バッフル板上の嵌合形態で組み合わせるように構成されたセンタリング形態を有することができる。プラズマ処理システムの初期アセンブリの後、バッフル板は、基板ホルダの分解および再アセンブリが無しで、プラズマ処理システム内で交換およびセンタリングされることができる。
【選択図】

Description

このＰＣＴ出願は、２００３年１１月１２日に出願の米国非仮特許出願番号第１０／７０５、２２４号に基づくものであり、および優先権によるものであり、その全体の内容は、参照によって本願明細書に引用したものとする。

本発明は、プラズマ処理システム内でバッフル板を利用する方法および装置に関するものであり、より詳しくは、本発明は、プラズマ処理システムの改良されたアセンブリを容易にするバッフル板アセンブリに関するものである。

半導体産業の集積回路（ＩＣ）の製造は、一般的に、基板から材料を取り除くのに、および基板に材料を堆積させるのに必要な真空処理システム内で表面化学反応を生成し、およびアシストするようにプラズマを使用する。一般に、プラズマは、供給されたプロセスガスとのイオン化衝突を維持するための十分なエネルギを有するように電子を加熱することによって、真空条件下の処理システム内で形成される。さらに、加熱された電子は、解離性衝突を維持するための十分なエネルギを有することができ、そして従って、所定の条件下（例えば、チャンバ圧力、ガス流量など）でのガスの特定のセットは、システム内で実行される特定のプロセス（例えば、材料が基板から取り除かれるエッチングプロセス、または材料が基板に加えられる堆積プロセス）に適した荷電種および化学的反応種の集団を生成するように選ばれる。

荷電種（イオンなど）および化学的反応種の集団の形成が基板表面でのプラズマ処理システム（すなわち材料エッチング、材料堆積など）の機能を実行するために必要であるが、処理チャンバの内部上の他の部品表面は、物理的に、および化学的に活性プラズマに曝され、そして、やがて、腐食し得る。処理システム内で曝された部品の腐食は、プラズマ処理性能の段階的な低下に、そして、結局、システムの完全故障につながることとなり得る。

処理プラズマに曝されることによって受けたダメージを最小化するために、シリコン、石英、アルミナ、カーボンまたは炭化珪素から作られるような消耗品または交換可能な部品は、頻繁な交換におけるよりコストがかかる高価な部品の表面を保護し、および／またはプロセスの変化に影響を及ぼすように、処理チャンバ内に挿入されることができる。さらに、不必要な汚染物質、不純物等を、処理プラズマに、そしてどうにかして基板上に形成されるデバイスに取り込むのを最小限に抑える表面材料を選ぶことは、望ましい。多くの場合、これらの消耗品または交換可能な部品は、システムクリーニングの間に頻繁にメンテナンスされるプロセスキットの一部であると考えられる。

プラズマ処理システムのバッフル板を利用する方法および装置は、記載される。

１つの態様に係る、プラズマ処理システム内で基板ホルダを囲むバッフル板アセンブリは、基板ホルダに組み合わせられるように構成されたセンタリングリングと、１つ以上の通路を有するバッフル板と、を具備し、そこにおいて、バッフル板は、プラズマ処理システム内で、センタリングリングにバッフル板を組み合わせることによってセンタリングされるように構成されている。

別の態様に係る、プラズマ処理システムの基板ホルダを囲む使い捨て可能なバッフル板は、基板ホルダに組み合わせられるように構成された第１のエッジと、プラズマ処理システムの壁のすぐ近くになるように構成された第２のエッジと、ガスの通過を可能にする１つ以上の通路とを有するリングであって、基板ホルダに第１のエッジを組み合わせることは、第２のエッジと、壁との間のスペースが実質的に一定であるように、プラズマ処理システム内の前記リングをセンタリングすることを容易にする。

加えて、プラズマ処理システムの基板ホルダを囲むバッフル板を交換する方法は、プラズマ処理システムから第１のバッフル板を取り除くことと、基板ホルダに第２のバッフル板を組み合わせることによってプラズマ処理システム内に第２のバッフル板をインストールすることとを具備し、そこにおいて、前記組み合わせることは、プラズマ処理システムの第２のバッフル板の自動−センタリングを容易にする。

プラズマ処理において、基板に隣接する処理領域の流体メカニック特性の均一性に影響を及ぼすのと同様に、バッフル板は、基板に隣接する処理領域にプラズマを閉じ込めるのに助けとなるように使用されることができる。従来のプラズマ処理システムに対しては、バッフル板は、基板ホルダを囲むように構成され、そして多くの場合、バッフル板は、留め金具を使用して基板ホルダに物理的に組み合わせられる。一般に、バッフル板は、プロセスガス、反応物、および反応生成物の真空排気システムへの通過を可能にする複数の開口を有する。

本発明の実施形態に係る、プラズマ処理システム１は、図１において記載され、プラズマ処理チャンバ１０と、上部アセンブリ２０と、電極板アセンブリ２４と、基板３５を支持する基板ホルダ３０と、プラズマ処理チャンバ１０内に減圧雰囲気１１を提供するための真空ポンプ（図示せず）に組み合わせられた排気ダクト４０とを含んでいる。プラズマ処理チャンバ１０は、基板３５に隣接する処理空間１２に処理プラズマを形成するのを容易にすることができる。プラズマ処理システム１は、どのようなサイズの基板、例えば２００ｍｍ基板、３００ｍｍ基板、またはより大きい基板でも処理するように構成されることができる。

図示の実施形態において、電極板アセンブリ２４は、電極板２６（図１）と、電極２８（図１）とを含む。代わりの実施形態では、上部アセンブリ２０は、カバーと、ガス注入アセンブリと、上部電極インピーダンスマッチングネットワークとのうちの少なくとも１つを有することができる。電極板アセンブリ２４は、ＲＦ電源に結合されることができる。他の代わりの実施形態において、上部のアセンブリ２０は、電極板アセンブリ２４に組み合わせられるカバーを含み、そこにおいて、電極板アセンブリ２４は、プラズマ処理チャンバ１０の電位と同電位で維持される。例えば、プラズマ処理チャンバ１０と、上部のアセンブリ２０と、電極板アセンブリ２４とは、電気的にグラウンド電位に接続されることができる。

プラズマ処理チャンバ１０は、堆積シールド１４に組み合わせられた光学的ビューポート１６を更に備えることができる。光学的ビューポート１６は、光学ウィンドウ堆積シールド１８の裏面に組み合わされた光学ウィンドウ１７を含むことができ、光学ウィンドウフランジ１９は、光学ウィンドウ堆積シールド１８に光学ウィンドウ１７を組み合わせるように構成されることができる。Ｏリングのようなシール部材は、光学ウィンドウフランジ１９と、光学ウィンドウ１７との間に、光学ウィンドウ１７と、光学ウィンドウ堆積シールド１８との間に、および、光学ウィンドウ堆積シールド１８と、プラズマ処理チャンバ１０との間に供給されることができる。光学的ビューポート１６は、処理空間１２内の処理プラズマから、光学的発光のモニタリングを可能にすることができる。

基板ホルダ３０は、基板ホルダ３０と、プラズマ処理チャンバ１０とに結合され、プラズマ処理チャンバ１０の減圧雰囲気１１から垂直並進デバイス５０をシールするように構成されたベローズ５２によって囲まれたこの垂直並進デバイス５０を更に備えることができる。加えて、ベローズシールド５４は、基板ホルダ３０に組み合わせられることができ、ベローズ５２を処理プラズマから保護するように構成されることができる。基板ホルダ１０は、フォーカスリング６０と、シールドリング６２とのうちの少なくとも１つと更に組み合わせられることができる。さらにまた、バッフル板６４（ｂａｆｆｌｅ ｐｌａｔｅ ６４）は、基板ホルダ３０の円周のまわりに延びることができる。

基板３５は、ロボット基板移送システムを介して、スロットバルブ（図示せず）およびチャンバフィードスルー（図示せず）を通してプラズマ処理チャンバ１０との間で移送されることができ、ここで基板３５は、基板ホルダ３０内に収容された基板リフトピン（図示せず）によって受けられ、その内部に収容されたデバイスによって機械的に移動される。一旦、基板３５が基板移送システムから受けとられると、それは、基板ホルダ３０の上面まで降ろされる。

基板３５は、静電クランピングシステムを介して基板ホルダ３０に固定されることができる。さらにまた、基板ホルダ３０は、基板ホルダ３０から熱を受け、熱交換器システム（図示せず）へ熱を移送し、または、加熱するときには、熱交換器システムから熱を移送する再循環クーラント流れを包含している冷却システムを更に具備することができる。さらに、ガスは、基板３５と、基板ホルダ３０との間のガスギャップ熱伝導を改良するように裏面ガスシステムを介して基板３５の裏面に供給されることができる。基板の温度制御が上昇したか低下した温度で必要なときに、このようなシステムは利用されることができる。他の実施の形態において、抵抗加熱部材のような加熱部材、または熱電式ヒータ／冷却器は、包含されることができる。

図１に示された図示された実施形態において、基板ホルダ３０は、ＲＦ電力を通して処理空間１２の処理プラズマに結合させる電極を含むことができる。例えば、基板ホルダ３０は、ＲＦ発振器（図示せず）からインピーダンスマッチングネットワーク（図示せず）を通して基板ホルダ３０へのＲＦ電力の伝達を介して、ＲＦ電圧で電気的にバイアスをかけられることができる。ＲＦバイアスは、プラズマを形成し、維持するために電子を加熱するのに役に立つことができる。この構成において、システムは、チャンバと、上部のガス注入電極とが接地面として働く反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈ：ＲＩＥ）リアクタとして動作することができる。ＲＦバイアスのための典型的な周波数は、ほぼ１ＭＨｚからほぼ１００ＭＨｚまでの範囲であり得て、ほぼ１３．５６ＭＨｚであり得る。プラズマ処理のためのＲＦシステムは、当業者にとって周知である。

代わりとして、処理空間１２の処理プラズマは、平行平板型、容量結合型プラズマ（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ：ＣＣＰ）ソース、誘導結合型プラズマ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）ソース、それらのいかなる組合せでも、およびマグネットシステムを有する場合と、無い場合とでも使用して形成されることができる。代わりとして、処理空間１２の処理プラズマは、電子サイクロトロン共鳴（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＥＣＲ）を使用して形成されることができる。さらに別の実施形態では、処理空間１２の処理プラズマは、ヘリコン波のラウンチング（ｌａｕｎｃｈｉｎｇ ｏｆ ａ Ｈｅｌｉｃｏｎ ｗａｖｅ）から形成される。さらに別の実施形態では、処理空間１２の処理プラズマは、表面波（ｓｕｒｆａｃｅ ｗａｖｅ）の伝搬から形成される。

ここで図２Ａ（平面図）、図２Ｂ（底面図）、および図３（断面図）に記載された本発明の例示の実施例を参照し、バッフル板６４は、上面８２と、下面８４と、内側半径方向のエッジ８６と、外側の半径方向のエッジ８８とを有するリングを形成することができる。バッフル板６４は、上面８２から下面８４への間に少なくとも１つの通路９０を更に有し、それを通してガスの流れを可能にするように構成されている。

図４は、いくつかの通路９０の拡大された平面図を提供し、図５は、通路９０の一つの拡大された断面図を提供し、そこにおいて、拡大された断面図は、通路９０の短軸に沿っての横断面図を提供する。各々の通路９０は、バッフル板６４の上面８２および下面８４に連続した内側通路表面９２を備えている。例えば、少なくとも１つの通路９０は、ほぼ１からほぼ５０ｍｍまでのディメンジョンを有する、各々の通路９０のすぐ近くの上面８２と下面８４との間の距離によって指図された長さを有する。別の形態として、長さは、ほぼ１からほぼ１０ｍｍまでの範囲とすることができ、または長さは、ほぼ３ｍｍであり得る。通路は、例えば、機械加工、レーザカット、研削（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）、研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、および鍛造（ｆｏｒｇｉｎｇ）の少なくとも１つを使用して作られることができる。

図４および図５に示された図示の実施形態において、少なくとも１つの通路９０は、径方向に整列配列された（ａｌｉｇｎｅｄ）スロットを含むことができる。例えば、図２Ａ、図２Ｂ、および図４に示すように、スロットは、間隔を置かれた方位角的に、あらゆる角度を取り得る。本発明の他の実施形態では、スロットは、方位方向において整列配列される（ａｌｉｇｎｅｄ ｉｎ ａｚｉｍｕｔｈａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）ことができる。本発明の他の実施形態では、スロットは、傾斜することができ、そして従って、径方向および方位方向に部分的に整列配列されることができる。代わりの実施形態では、通路９０は、それのアラインメント手順（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｍｅｔｈｏｄｏｌｏｇｉｅｓ）の組合せを含むことができる。代わりとして、通路は、少なくとも１つのオリフィスを含むことができる。代わりとして、通路は、バッフル板６４上に一定のサイズおよび一様な分布を有している複数のオリフィスを有する。代わりとして、通路は、複数のオリフィスを含み、そこにおいて、オリフィスサイズ、分布（または数の密度）、およびオリフィス形状の少なくとも１つは、バッフル板６４全体にわたって多様である。例えば、図１に示すように、真空ポンプ（図示せず）は、排気ダクト４０を介して処理チャンバ１０にアクセスし、通路の数または通路のサイズは、このような装置（ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）に固有の不均一性圧力フィールドを修正するために、排気ダクト４０への入口に対する低下された場所であり得る。

加えて、依然として図４を参照して、断面積は、例えば、上面８２から下面８４までの通路に沿って一定であり得る。代わりとして、下面８４の通路９０の断面出口面積は、例えば、上面８２の通路９０のそれぞれの断面入口面積より大きい断面積を有することができる。代わりとして、下面８４の通路９０の断面出口面積は、例えば、上面８２の通路９０のそれぞれの断面入口面積より断面積小さい断面積を有することができる。

本発明の１つの実施形態によれば、バッフル板６２は、基板ホルダ上のセンタリング形態でバッフル板上の嵌合形態を組み合わせることによって、基板ホルダに自動的にセンタリングされることができる。例えば、バッフル板６４上の嵌合形態は、内側半径方向のエッジ８６上の嵌合表面８７を含む（図５を参照）。加えて、基板ホルダ上のセンタリング形態は、基板ホルダに固定されるセンタリングリングを含むことができる。図６は、センタリングリング１００の平面図を示し、図７は、センタリングリング１００の断面図を示す。センタリングリング１００は、フランジ領域１１０と、リップ領域１１２とを有することができ、そこにおいて、リップ領域１１２は、センタリング面１２０を更に有する。センタリング面１２０は、例えば、図６および図７に示すように、半径方向の面を含むことができ、そこにおいて、半径方向の位置的な隙間嵌め合い（ｒａｄｉａｌ ｌｏｃａｔｉｏｎａｌ ｃｌｅａｒａｎｃｅ ｆｉｔ）は、センタリングリング１００にバッフル板６４を組み合わせ流場合に、嵌合表面８７と、センタリング面１２０との間として提供される。

一旦、バッフル板６４がセンタリングリング１００に組み合わせられると、バッフル板６４の下面８４は、センタリングリング１００のフランジ領域１１０上の受け表面１２２の上に載置されることができる。代わりとして、バッフル板６４は、留め金具（例えば、それは、ボルトで固定される）を使用して、その間の機械的な圧力下の状態にあるために、センタリングリング１００に固定されることができる。例えば、バッフル板６４は、図２Ａおよび図２Ｂ、および図３に示すように、深座ぐり（ｃｏｕｎｔｅｒｂｏｒｅ）９４を各々有する１つ以上のスルーホール９２を含み、そして、それを介して、留め金具（図示せず）、例えばボルトは延びることになり、そこにおいて、各々の深座ぐり９４は、留め金具のヘッドを取り込むことを容易にする。加えて、例えば、センタリングリング１００は、図８に示すように、タップ穴１２４を含み、そこにおいて、タップ穴１２４は、留め金具のねじ付き端部を取り込む。バッフル板６４をセンタリングリング１００に固定する場合に、例えば、ねじ付き固定具のトルクのアクションによって加えられる機械的な圧力は、バッフル板６４と、センタリングリング１００との間の熱的な接触を改良することができる。

加えて、図９に示すように、センタリングリング１００は、留め金具（図示せず）、例えばボルトが延びて、固定深座ぐり１２８を各々有する１つ以上の固定スルーホール１２６を有し、そこにおいて、各々の固定深座ぐり１２８は、留め金具のヘッドを取り込むことを容易にする。加えて、例えば、バッフル板６４をセンタリングリング１００に固定するために、バッフル板６４は、基板ホルダにセンタリングリング１００を組み合わせるように使用される１つ以上の留め金具に対するクリアランスを提供するように構成される１つ以上のクリアランスリリーフ（ｃｌｅａｒａｎｃｅ ｒｅｌｉｅｆ）９６を更に備えることができる。留め金具および１つ以上の固定スルーホール１２６の使用は、基板ホルダにセンタリングリング１００を固定することを容易にすることができる。

また、センタリングリング１００は、電気的な接点形態を更に備えることができ、そこにおいて、電気的な接点形態、例えば、Ｓｐｉｒａｓｈｉｅｌｄ（登録商標）のような変形可能な電気的なコンタクトデバイスを受けるように構成される溝１３０（図８、図９、および図１０を参照）を備えている。バッフル板６４がセンタリングリング１００に機械的に固定され、センタリングリング１００が基板ホルダに機械的に固定されるときに、それ故、Ｓｐｉｒａｓｈｉｅｌｄ（螺旋形のメタルシールドによって囲まれる内側エラストメリックコアを有する）は溝１３０の中で圧縮される。そして、バッフル板６４と、センタリングリング１００との間の電気的な接点を改良する。

さらにまた、保護バリアは、バッフル板６４およびセンタリングリング１００のどのような表面の上にでも形成されることができる。バッフル板がプラズマのような苛酷な処理環境に曝されるときに、保護バリアは、例えば、腐食耐性表面の提供を容易にすることができる。製造中に、保護バリアは、１つ以上の表面上に表面陽極酸化を提供することと、１つ以上の表面上にスプレーコーティングを提供することと、または、プラズマ電解酸化に１つ以上の表面を当てることとのうちの少なくとも１つを含むことができる。保護バリアは、ＩＩＩ族元素およびランタニド系元素の少なくとも一方の層を含むことができる。保護バリアは、Ａｌ_２Ｏ_３、イットリア（Ｙ_２Ｏ_３）、Ｓｃ_２Ｏ_３、Ｓｃ_２Ｆ_３、ＹＦ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、Ｅｕ_２Ｏ_３、およびＤｙＯ_３の少なくとも１つを含むことができる。アルミニウム部品を陽極酸化する方法およびスプレーコーティングを適用する方法は、表面材料処理の当業者にとって周知である。

バッフル板６４上の全ての表面は、上で記載されている技術を使用して適用された保護バリアを提供されることができる。別の実施例で、図２Ｂで示された下面８４上の接触領域９８（領域に陰影線をつけた）以外のバッフル板６４上の全ての表面は、上で記載されている技術を使用して適用された保護バリアを提供されることができる。バッフル板の表面に対する保護バリアの適用の前に、接触領域９８は、その上にバリア層の形成を防ぐためにマスキングされることができる。別の形態として、バッフル板の表面に保護バリアの適用の後に、接触領域９８は、その上に形成されたバリア層を取り除くために機械加工されることができる。

センタリングリング１００に対するバッフル板６４のセンタリングは、図１１，図１２、図１３Ａ、および図１３Ｂに示すように代わりとして達成される。ダイヤモンドピン１０３および別の嵌合ピンホール１０４とともに、ダウエルピン（ｄｏｗｅｌ ｐｉｎ）１０１および嵌合ピンホール１０２は、ねじ付きハードウェア６８を使用して組み合わせられる部品として、センタリングリング１００にバッフル板６４をセンタリングする形態を提供する。この装置（ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）は、センタリングのために共通して使用され、２つ以上の部品を位置合わせする技術は、当業者によって、容易に理解される。

別の代わりのセンタリングの実施形態は、図１１，図１２、図１３Ｃ、および図１３Ｄに示すように達成される。図１３Ｃおよび図１３Ｄは、図１３Ａおよび図１３Ｂの変形例であり、図１３Ａに示される図１２の部分を示す。別のピン２０３および嵌合スロット形態２０４（図１３Ｃおよび図１３Ｄ）とともに、ダウエルピン１０１および嵌合ピンホール１０２（図１２）は、バッフル板６４をセンタリングする形態をねじ付きハードウェア６８を使用して組み合わせられる部品として内部のセンタリングに提供する。この装置は、また、一般に利用され、２つ以上の部品を位置合わせする技術は当業者によって、容易に理解される。

別の代わりのセンタリングの実施形態は、図１１，図１２、図１３Ｅ、および図１３Ｆに示すように達成される。図１３Ｅおよび図１３Ｆは、図１３Ａおよび１３Ｂの変形例、および図１３Ａに示される図１２の部分を示す。バッフル板１６４およびセンタリングリング４００のセンタリングは、半径方向のフェースギヤ歯１６５の使用を通して完成される。バッフル板１６４およびセンタリングプレート４００としての歯の噛み合わせは、ねじ付きハードウェア６８を使用して組み合わせられ、固定される。センタリング形態のこの装置は、また、２つ以上の部品を位置合わせする技術の当業者によって、容易に理解される。

ここで図１４を参照して、プラズマ処理システムの基板ホルダを囲むバッフル板を交換する方法は、記載されている。この方法は、プラズマ処理システムから第１のバッフル板を取り外すことを有する２１０において開始しているフローチャート２００を有する。第１のバッフル板を取り外すことは、例えば、大気状態にプラズマ処理システムをベント（ｖｅｎｔｉｎｇ）することと、内部にアクセスするためにプラズマ処理チャンバを開けることと、引き続いてバッフル板を基板ホルダから分離することとを具備する。バッフル板を基板ホルダから分離することは、例えば、バッフル板を基板ホルダから離すように持ち上げることと、またはバッフル板を基板ホルダに固定するために使用された留め金具を取り外して、そしてバッフル板を基板ホルダから離すように持ち上げることとを含むことができる。

２２０において、第２のバッフル板は、基板ホルダに第２のバッフル板を組み合わせることによって、プラズマ処理システムにインストールされ、そこにおいて、前記組み合わせることは、プラズマ処理システムの第２のバッフル板の自動−センタリングを容易にする。第２のバッフル板は、第１のバッフル板とされた後に再生されたことを含むことができ、または、それは新しく製造されたバッフル板であり得る。プラズマ処理システムの第２のバッフル板の自動−センタリングは、バッフル板の内側半径方向のエッジに嵌合表面を提供することと、基板ホルダにマウントされるセンタリングリングのリップ領域上のセンタリング面に、嵌合表面を組み合わせることとによって、上記のように達成されることができる。代わりとして、プラズマ処理システムの第２のバッフル板の自動−センタリングは、バッフル板上の接触面にマウントされる２本以上のピンを提供することと、センタリングリングの受け表面上の２つ以上の受入れ穴にバッフル板上のピンを組み合わせることとによって、達成されることができる。

本発明の特定の典型的な実施形態だけが上で詳述され、当業者は、本発明の新規進歩の事項から逸脱することなく、典型的な実施形態において非常に多くの変更態様が可能であることを容易に理解する。したがって、全てのこのような変更態様は、本発明の範囲内に包含されることを目的とする。

本発明の１つの実施形態に係るプラズマ処理システムの概略ブロック図を示す図である。 本発明の１つの実施形態に係るバッフル板の平面図を示す図である。 図２Ａに記載されたバッフル板の底面図を示す図である。 図２Ａおよび図２Ｂに記載されたバッフル板の断面図を示す図である。 図２Ａおよび図２Ｂに記載されたバッフル板の拡大された平面図を示す図である。 図２Ａおよび図２Ｂに記載されたバッフル板の拡大された断面図を示す図である。 本発明の１つの実施形態に係るセンタリングリングの平面図を示す図である。 図６に記載されたセンタリングリングの断面図を示す図である。 図６に記載されたセンタリングリングの拡大された断面図を示す図である。 図６に記載されたセンタリングリングの別の拡大された断面図を示す図である。 図６に記載されたセンタリングリングの別の拡大された断面図を示す図である。 本発明の他の実施形態に係るバッフル板およびセンタリングリングの断面図を示す図である。 図１１に記載されたバッフル板の平面図を示す図である。 図１１に記載されたバッフル板およびセンタリングリングをセンタリングする構造の拡大された平面図を示す図である。 図１１に記載されたバッフル板およびセンタリングリングをセンタリングする構造の拡大された断面図を示す図である。 図１１に記載されたバッフル板およびセンタリングリングをセンタリングする別の構造の拡大された平面図を示す図である。 図１１に記載されたバッフル板およびセンタリングリングをセンタリングする別の構造の拡大された断面図を示す図である。 図１１に記載されたバッフル板およびセンタリングリングをセンタリングする別の構造の拡大された平面図を示す図である。 図１１に記載されたバッフル板およびセンタリングリングをセンタリングする別の構造の拡大された断面図を示す図である。 プラズマ処理システムの基板ホルダを囲むバッフル板を交換する方法を示すずである。

Claims (17)

1. プラズマ処理システムの基板ホルダを囲むバッフル板アセンブリであって、
   前記基板ホルダに組み合わせられるように構成されたセンタリングリングと、
   １つ以上の通路を含むバッフル板とを具備し、
   前記バッフル板は、前記センタリングリングに前記バッフル板を組み合わせることによって前記プラズマ処理システム内にセンタリングされるように構成されているバッフル板アセンブリ。
2. 前記センタリングリングは、留め金具を使用して前記基板ホルダに組み合わせられる請求項１のバッフル板アセンブリ。
3. 前記センタリングリングは、前記センタリングリング上の前記バッフル板をセンタリングするように構成されたセンタリング形態を有している請求項１のバッフル板アセンブリ。
4. 前記センタリング形態は、センタリングピンと、センタリング受け口と、センタリングエッジと、半径方向のフェースギヤ歯とのうちの少なくとも１つを有している請求項３のバッフル板アセンブリ。
5. 前記バッフル板は、前記センタリング形態によって組み合わせられるように構成された嵌合形態を有している請求項３のバッフル板アセンブリ。
6. 前記嵌合形態は、センタリングピンと、センタリング受け口と、センタリングエッジと、半径方向のフェースギヤ歯とのうちの少なくとも１つを備えている請求項５のバッフル板アセンブリ。
7. 前記センタリングリングは、アルミニウムからできている請求項１のバッフル板アセンブリ。
8. 前記バッフル板は、アルミニウム、アルミナ、シリコン、炭化珪素、窒化シリコン、石英、カーボン、およびセラミックのうちの少なくとも１つからできている請求項１のバッフル板アセンブリ。
9. 前記バッフル板の表面は、保護バリアを有している請求項１のバッフル板アセンブリ。
10. 前記バッフル板の表面の一部は、保護バリアを有している請求項１のバッフル板アセンブリ。
11. 前記保護バリアは、表面陽極酸化と、プラズマ電解酸化を使用して形成されるコーティングと、スプレーコーティングとのうちの少なくとも１つである請求項９または１０のバッフル板アセンブリ。
12. 前記保護バリアは、ＩＩＩ族元素およびランタニド系元素の少なくとも一方の層を含んでいる請求項９または１０のバッフル板アセンブリ。
13. 前記保護バリアは、Ａｌ_２Ｏ_３、イットリア（Ｙ_２Ｏ_３）、Ｓｃ_２Ｏ_３、Ｓｃ_２Ｆ_３、ＹＦ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、Ｅｕ_２Ｏ_３、およびＤｙＯ_３の少なくとも１つを含んでいる請求項９または１０のバッフル板アセンブリ。
14. 前記１つ以上の通路は、スロットおよびオリフィスの少なくとも一方を有している請求項１のバッフル板アセンブリ。
15. 前記バッフル板上の前記１つ以上の通路の、サイズ、形状、および分布の少なくとも１つは、多様である請求項１のバッフル板アセンブリ。
16. プラズマ処理システムの基板ホルダを囲む使い捨て可能なバッフル板であって、
    前記基板ホルダに組み合わせられるように構成された第１のエッジを含むリングと、
    前記プラズマ処理システムの壁のすぐ近くになるように構成された第２のエッジと、
    ガスの通過を可能にする１つ以上の開口とを具備し、
    前記第２のエッジと、前記壁との間のスペースが実質的に一定であるように、前記基板ホルダに対する前記第１のエッジの前記組み合わせることは、前記プラズマ処理システム内に前記リングをセンタリングすることを容易にするバッフル板。
17. プラズマ処理システムの基板ホルダを囲むバッフル板交換する方法であって、
    前記プラズマ処理システムから前記第１のバッフル板を取り外すことと、
    前記基板ホルダに前記第２のバッフル板を組み合わせることによって前記プラズマ処理システムに第２のバッフル板をインストールすることとを具備し、
    前記組み合わせることは、前記プラズマ処理システム内に前記第２のバッフル板を自動−センタリングすることを容易にする方法。

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