KR102240923B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102240923B1
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 히터가 내부에 제공된 기판 지지 유닛, 가스 공급 유닛, 배기 배플 그리고 갭 브래킷을 포함한다. 배기 배플 및 갭 브래킷은 종래 배기 배플 및 갭 브래킷의 재질로 일반적으로 사용된 알루미늄(Al)보다 열전도율 및 열팽창률이 낮으며 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공됨으로써, 히터의 열로 인한 연소, 산화 및 휨 현상을 방지할 수 있다. 또한, 배기 배플 상면에 제공된 가이드 링을 더 포함함으로써, 갭 브래킷을 정위치 시키고 갭 브래킷과 배기 배플 사이의 갭으로 반응 부산물 또는 공정 가스 등이 흐르는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정에서는 플라스마를 사용하여 다양한 공정을 수행한다. 일 예로 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
일반적으로 마이크로파를 이용하여 플라스마를 생성하는 기판 처리 장치에는 기판 지지 유닛 내부에 기판을 가열하는 히터가 제공된다. 히터는 공정 진행 중 또는 휴지 시 고온으로 유지된다. 따라서, 히터와 인접한 부품에 열이 전달되어 부품의 연소, 산화 또는 휨현상의 문제가 발생될 수 있다.
본 발명은 히터의 열에 의한 갭 브래킷 및 배기 배플의 연소, 산화 및 휨현상을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판의 에지부의 공정 특성에 영향을 미치는 것을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 내부에 공간이 형성된 공정 챔버와; 상기 공정 챔버 내에 배치되며, 기판을 지지하고, 그 내부에 상기 기판을 가열하는 히터가 제공되는 기판 지지 유닛과; 상기 공정 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 기판 지지 유닛을 감싸도록 제공되며, 복수개의 배기홀이 형성된 배기 배플과; 상기 배기 배플의 상면 내측 영역에 제공되고, 상기 기판 지지 유닛과 상기 배기 배플 사이로의 공정 가스의 흐름을 방지하는 갭 브래킷을 포함한다.
상기 배기 배플은, 알루미늄(Al)보다 열전도율 또는 열팽창률이 낮은 재질로 제공된다.
또한, 상기 배기 배플은, 알루미늄(Al)보다 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 된다.
상기 배기 배플은, 상기 기판 지지 유닛의 상기 갭 브래킷과 접촉되는 영역의 재질보다 열전도율 또는 열팽창률이 낮은 재질로 제공된다.
상기 배기 배플은, 상기 기판 지지 유닛의 상기 갭 브래킷과 접촉되는 영역의 재질보다 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공된다.
상기 배기 배플은, 세라믹 또는 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공된다.
상기 갭 브래킷은, 알루미늄(Al)보다 열전도율 또는 열팽창률이 낮은 재질로 제공된다.
상기 상기 갭 브래킷은, 알루미늄(Al)보다 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공된다.
상기 갭 브래킷은, 상기 기판 지지 유닛의 상기 갭 브래킷과 접촉되는 영역의 재질보다 열전도율 또는 열팽창률이 낮은 재질로 제공된다.
상기 갭 브래킷은, 상기 기판 지지 유닛의 상기 갭 브래킷과 접촉되는 영역의 재질보다 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공된다.
상기 갭 브래킷은, 세라믹 또는 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공된다.
상기 갭 브래킷은, 상기 기판 지지 유닛의 측면 및 상기 배기 배플의 상면 내측 영역과 접촉되도록 제공된다.
상기 갭 브래킷을 상기 배기 배플의 상면에 정위치시키는 가이드 링을 더 포함하되, 상기 가이드 링은, 상기 갭 브래킷에 접촉되도록 제공되고, 상기 배기 배플의 상면에 고정된다.
상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되며, 복수의 슬롯들이 형성된 안테나 판과; 상기 안테나 판으로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 저항이 강한 재질로 제공함으로써, 갭 브래킷 및 배기 배플의 연소, 산화 및 휨현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 기판의 에지부의 공정 특성에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 1는 도 1의 안테나의 저면을 나타내는 평면도이다.
도 2은 도 1의 배기 배플을 나타내는 평면도이다.
도 3는 도 1의 갭 브래킷의 일부를 절단한 사시도이다.
도 4는 도 1의 가이드 링이 고정된 배기 배플의 일부를 절단한 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 보여주는 단면도이다.
도 1를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 플라즈마 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 마이크로파 인가 유닛(400), 안테나 판(500), 지파판(600), 유전판(700), 배기 배플(800), 갭 브래킷(910) 그리고 가이드 링(920)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 공간(101)이 형성되며, 내부 공간(101)은 기판(W)처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 공정 챔버(100)는 바디(110)와 커버(120)를 포함한다. 바디(110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 커버(120)는 바디(110)의 상단에 놓이며, 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐한다. 커버(120)는 상부 공간이 하부 공간보다 더 큰 반경을 갖도록 하단부 내측이 단차진다.
공정 챔버(100)의 일 측벽에는 기판 유입구(106)가 형성될 수 있다. 기판 유입구(106)는 배기 배플(800)의 아래에 제공된다. 기판 유입구(106)는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 개구는 도어(미도시)에 의해 개폐된다.
공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기구(102)가 형성된다. 배기구(102)는 배기 라인(131)과 연결된다. 배리 라인(131)을 통한 배기로, 공정 챔버(100)의 내부는 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(131)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
기판 지지 유닛(200)은 공정 챔버(100)의 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지 플레이트(210), 리프트 핀(미도시), 히터(220), 지지축(230) 및 구동 부재(240)를 포함한다.
지지 플레이트(210)는 소정의 두께를 가지며, 기판(W) 보다 큰 반경을 갖는 원판으로 제공된다. 지지 플레이트(210)의 상면에는 기판(W)이 놓이는 기판 제공홈(212)이 형성된다. 실시예에 의하면, 지지 플레이트(210)에는 기판(W)을 고정하는 구성이 제공되지 않으며, 기판(W)은 기판 제공홈(212)에 놓인 상태로 공정에 제공된다. 이와 달리, 지지 플레이트(210)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 고정시키는 정전 척으로 제공되거나, 기계적 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정시키는 척으로 제공될 수 있다.
리프트 핀은 복수 개 제공되며, 지지 플레이트(210)에 형성된 핀 홀(미도시)들 각각에 위치한다. 리프트 핀들은 핀 홀들을 따라 상하방향으로 이동하며, 기판(W)을 지지 플레이트(210)에 로딩하거나 지지 플레이트(210)에 놓인 기판(W)을 언로딩한다.
히터(220)는 지지 플레이트(210)의 내부에 제공된다. 히터(220)는 나선 형상의 코일로 제공되며, 균일한 간격으로 지지 플레이트(210) 내부에 매설될 수 있다. 히터(220)는 외부 전원(미도시)과 연결되며, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지 플레이트(210)를 거쳐 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 소정 온도로 가열한다. 히터(220)는 공정 진행 중 및 휴지 시 고온으로 유지된다. 따라서, 히터(220)에 인접한 부품인 갭 브래킷(910) 및 배기 배플(800)에 열이 전달되어 브래킷(910) 및 배기 배플(800)에 연소, 산화 또는 휨현상의 문제가 발생될 수 있다. 연소 및 산화로 인한 부산물은 기판을 오염시킬 수 있다. 배기 배플(800) 또는 갭 브래킷(910)의 휨 현상으로 인해 기판 지지 유닛(200)의 측면과 갭 브래킷(910) 사이에 갭(Gap)이 발생된다. 따라서, 반응 부산물 및 챔버 내에 머무는 공정 가스 등이 배기 홀(810)들이 아닌 기판 지지 유닛(200)의 측면과 갭 브래킷(910) 사이의 갭(Gap)을 통해 주로 흐르게 됨으로써, 기판의 에지부의 공정 특성에 영향을 미치게 된다. 본 발명은 이러한 문제점을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
지지축(230)은 지지 플레이트(210)의 하부에 위치하며, 지지 플레이트(210)를 지지한다. 지지축(230)은 구동 부재(240)에서 발생된 구동력을 지지 플레이트(210)로 전달한다.
구동 부재(240)는 지지축(230)의 하부와 연결되며, 지지 플레이트(210)를 상하 이동 시키는 구동력을 발생시킨다. 구동 부재(240)에 의해 지지 플레이트(210)의 상면이 기판 유입구(106)보다 아래로 위치하게 되는 경우, 기판(W)은 기판 유입구(106)를 통하여 기판 제공홈(212)에 제공될 수 있다. 이 경우 공정 가스는 유입되지 않는다. 마이크로파의 전자 온도는 유전판(700)과 멀어질수록 약해지므로 유전판(700)과 가까운 곳의 플라즈마 밀도가 높게 제공된다. 따라서, 플라즈마에 의한 기판(W) 처리를 위해 기판 지지 유닛(200)은 구동 부재(240)에 의해 유전판(700)에 인접한 위치까지 상승한다.
가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 가스 공급홀(105)을 통해 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다.
마이크로파 인가 유닛(400)은 안테나 판(500)으로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파 인가 유닛(400)은 마이크로파 발생기(410), 제1도파관(420), 제2도파관(430), 위상 변환기(440), 그리고 매칭 네트워크(450)를 포함한다.
마이크로파 발생기(410)는 마이크로파를 발생시킨다.
제1도파관(420)은 마이크로파 발생기(410)와 연결되며, 내부에 통로가 형성된다. 마이크로파 발생기(410)에서 발생된 마이크로파는 제1도파관(420)을 따라 위상 변환기(440) 측으로 전달된다.
제2도파관(430)은 외부 도체(432) 및 내부 도체(434)를 포함한다.
외부 도체(432)는 제 1 도파관(420)의 끝단에서 수직한 방향으로 아래로 연장되며, 내부에 통로가 형성된다. 외부 도체(432)의 상단은 제 1 도파관(420)의 하단에 연결되고, 외부 도체(432)의 하단은 커버(120)의 상단에 연결된다.
내부 도체(434)는 외부 도체(432) 내에 위치한다. 내부 도체(434)는 원기둥 형상의 로드(rod)로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 내부 도체(434)의 상단은 위상 변환기(440)의 하단부에 삽입 고정된다. 내부 도체(434)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치한다. 내부 도체(434)의 하단은 안테나 판(500)의 중심에 고정 결합된다. 내부 도체(434)는 안테나 판(500)의 상면에 수직하게 배치된다. 내부 도체(434)는 구리 재질의 로드에 제1도금막과 제2도금막이 순차적으로 코팅되어 제공될 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1도금막은 니켈(Ni) 재질이고, 제2도금막은 금(Au) 재질로 제공될 수 있다. 마이크로파는 주로 제1도금막을 통해 안테나 판(500)으로 전파된다.
위상 변환기(440)에서 위상이 변환된 마이크로파는 제2도파관(430)를 따라 안테나 판(500) 측으로 전달된다.
위상 변환기(440)는 제1도파관(420)과 제2도파관(430)이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시킨다. 위상 변환기(440)는 아래가 뾰족한 콘 형상으로 제공될 수 있다. 위상 변환기(440)는 제1도파관(420)으로부터 전달된 마이크로파를 모드가 변환된 상태로 제2도파관(430)에 전파한다. 위상 변환기(440)는 마이크로파를 TE 모드에서 TEM 모드로 변환시킬 수 있다.
매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)에 제공된다. 매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)을 통해 전파되는 마이크로파를 소정 주파수로 매칭시킨다.
도 2는 안테나 판(500)의 저면을 나타내는 도면이다. 도 1 및 도 2을 참조하면, 안테나 판(500)은 플레이트 형상으로 제공된다. 일 예로, 안테나 판(500)은 두께가 얇은 원판으로 제공될 수 있다. 안테나 판(500)은 기판 지지 유닛(200)의 상부에 지지 플레이트(210)에 대향되도록 배치된다. 안테나 판(500)에는 복수의 슬롯(501)들이 형성된다. 슬롯(501)들은 '×'자 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 슬롯들의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 슬롯(501)들은 복수개가 서로 조합되어 복수개의 링 형상으로 배치된다. 이하, 슬롯(501)들이 형성된 안테나 판(500) 의 영역을 제1영역(A1, A2, A3)이라 하고, 슬롯(501)들이 형성되지 않은 안테나 판(500)의 영역을 제2영역(B1, B2, B3)이라 한다. 제1영역(A1, A2, A3)과 제2영역(B1, B2, B3)은 각각 링 형상을 가진다. 제1영역(A1, A2, A3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제1영역(A1, A2, A3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나 판(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치 된다. 제2영역(B1, B2, B3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제2영역(B1, B2, B3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나 판(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1영역(A1, A2, A3)은 인접한 제2영역(B1, B2, B3)들 사이에 각각 위치한다. 안테나 판(500)의 중심부에는 홀(502)이 형성된다. 내부 도체(434)는 그 하단이 홀(502)를 관통하여 안테나 판(500)과 결합된다. 마이크로파는 슬롯(501)들을 투과하여 유전판(700)으로 전달된다.
다시 도 1를 참조하면, 지파판(600)은 안테나 판(500)의 상부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 지파판(600)은 커버(120)의 내측에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 지파판(600)은 알루미나, 석영 등의 유전체로 제공된다. 내부 도체(434)를 통해 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 지파판(600)의 반경 방향으로 전파된다. 지파판(600)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며, 공진된다.
유전판(700)은 안테나 판(500)의 하부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 유전판(700)은 알루미나, 석영 등의 유전체로 제공된다. 유전판(700)의 저면은 내측으로 만입된 오목면으로 제공된다. 유전판(700)은 저면이 커버(120)의 하단과 동일 높이에 위치할 수 있다. 유전판(700)의 측부는 상단이 하단보다 큰 반경을 갖도록 단차진다. 유전판(700)의 상단은 커버(120)의 단차진 하단부에 놓인다. 유전판(700)의 하단은 커버(120)의 하단부보다 작은 반경을 가지며, 커버(120)의 하단부와 소정 간격을 유지한다. 마이크로파는 유전판(700)을 거쳐 공정 챔버(100) 내부로 방사된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의하여 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라스마 상태로 여기된다. 실시 예에 의하면, 지파판(600), 안테나 판(500) 그리고 유전판(700)은 서로 밀착될 수 있다.
도 3은 배기 배플(800)을 나타낸 평면도이다. 도 1 및 도 3를 참조하면, 배기 배플(800)은 링 형상의 판형으로 제공된다. 복수개의 배기 홀(810)은 배기 배플(800)의 외측 영역에 상하 방향으로 통하도록 제공된다. 배기 배플(800)은 기판 지지 유닛(200)을 감싸도록 공정 챔버(100) 내측면에 고정된다. 기판 지지 유닛(200)은 배기 배플(800)의 중심부를 관통하여 상하 이동할 수 있도록 제공된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 홀(810)을 통해 배기 라인(131)으로 배출될 수 있다. 배기 배플(800)은 기판 지지 유닛(200)의 갭 브래킷(910)과 접촉되는 영역의 재질보다 열전도율 및 열팽창률이 낮으며 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공된다. 종래 배기 배플의 재질로 일반적으로 알루미늄(Al)이 사용되었다. 본 발명의 실시예에 의하면, 배기 배플(800)은 알루미늄(Al)보다 열전도율 및 열팽창률이 낮으며 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공된다. 예를 들어, 배기 배플(800)은 세라믹을 포함하는 재질 또는 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 따라서, 히터(220)의 열에 의한 배기 배플(800)의 연소, 산화 및 휨 현상이 방지된다. 세라믹은 산화알루미늄(Al2O3)일 수 있다.
도 4는 갭 브래킷(910)의 일부를 절단한 사시도이다. 도 1 및 도 4를 참조하면, 갭 브래킷(910)은 링 형상으로 제공된다. 갭 브래킷(910)의 내측면은 기판 지지 유닛(200)의 측면과 접촉되도록 제공된다. 갭 브래킷(910)의 하면은 배기 배플(800)의 상면 내측 영역과 대향되어 접촉되도록 제공된다. 갭 브래킷(910)은 기판 지지 유닛(200)과 배기 배플(800)간의 갭(Gap)의 상부에 제공됨으로써 공정 가스가 그 갭(Gap)을 통하여 공정 챔버(100) 외부로 배출 되는 것을 방지한다. 갭 브래킷(910)은 기판 지지 유닛(200)의 갭 브래킷(910)과 접촉되는 영역의 재질보다 열전도율 및 열팽창률이 낮으며 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공된다. 종래 갭 브래킷의 재질로 일반적으로 알루미늄(Al)이 사용되었다. 본 발명의 실시예에 의하면, 갭 브래킷(910)은 알루미늄(Al)보다 열전도율 및 열팽창률이 낮으며 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공된다. 예를 들어, 갭 브래킷(910)은 세라믹을 포함하는 재질 또는 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 따라서, 히터(220)의 열에 의한 갭 브래킷(910)의 연소, 산화 및 휨 현상이 방지된다. 세라믹은 산화알루미늄(Al2O3)일 수 있다.
배기 배플(800) 및 갭 브래킷(910)은 서로 동일한 재질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 배기 배플(800)은 및 갭 브래킷(910)은 동일하게 세라믹(Al2O3)을 포함하는 재질 또는 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 이와 달리, 배기 배플(800) 및 갭 브래킷(910)은 서로 상이한 재질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 배기 배플(800)은 세라믹(Al2O3)을 포함하는 재질로 제공되고, 갭 브래킷(910)은 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 또는, 배기 배플(800)은 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공되고, 갭 브래킷(910)은 세라믹(Al2O3)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
도 5는 가이드 링(920)이 제공된 배기 배플(800)을 일부 절단한 사시도이다. 도 1 및 도 5을 참조하면, 가이드 링(920)은 링 형상으로 제공된다. 가이드 링(920)은 그 내측면이 갭 브래킷(910)의 외측면에 접촉되고, 갭 브래킷(910)을 둘러싸도록 배기 배플(800) 상면에 고정된다. 가이드 링(920)은 갭 브래킷(910)을 배기 배플(800)의 상면에 정위치 시킨다. 또한, 가이드 링(920)은 배기 배플(810) 또는 갭 브래킷(910)의 휨현상으로 인해 배기 배플(810) 및 갭 브래킷(910) 사이에 갭(Gap)이 발생된 경우 챔버 내부의 반응 부산물 또는 공정 가스 등이 배기 배플(810) 및 갭 브래킷(910) 사이를 통해 흐르는 것을 차단한다.
W: 기판 100: 공정 챔버
200: 기판 지지 유닛 300: 가스 공급 유닛
400: 마이크로파 인가 유닛 500: 안테나 판
600: 지파판 700: 유전판
800: 배기 배플 910: 갭 브래킷
920: 가이드 링

Claims (16)

  1. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에 배치되며, 기판을 지지하고, 그 내부에 상기 기판을 가열하는 히터가 제공되는 기판 지지 유닛과;
    상기 공정 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛을 감싸도록 제공되며, 복수개의 배기홀이 형성된 배기 배플과;
    상기 배기 배플의 상면 내측 영역에 제공되고, 상기 기판 지지 유닛과 상기 배기 배플 사이로의 공정 가스의 흐름을 방지하는 갭 브래킷과;
    상기 갭 브래킷을 상기 배기 배플의 상면에 정위치시키는 가이드 링을 포함하되,
    상기 가이드 링은, 상기 갭 브래킷에 접촉되도록 제공되고, 상기 배기 배플의 상면에 고정되는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 배플은,
    알루미늄(Al)보다 열전도율 또는 열팽창률이 낮은 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 배플은,
    알루미늄(Al)보다 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 배플은,
    상기 기판 지지 유닛의 상기 갭 브래킷과 접촉되는 영역의 재질보다 열전도율 또는 열팽창률이 낮은 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 배플은,
    상기 기판 지지 유닛의 상기 갭 브래킷과 접촉되는 영역의 재질보다 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 배플은, 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 배플은, 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 갭 브래킷은,
    알루미늄(Al)보다 열전도율 또는 열팽창률이 낮은 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 상기 갭 브래킷은,
    알루미늄(Al)보다 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 갭 브래킷은,
    상기 기판 지지 유닛의 상기 갭 브래킷과 접촉되는 영역의 재질보다 열전도율 또는 열팽창률이 낮은 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 갭 브래킷은,
    상기 기판 지지 유닛의 상기 갭 브래킷과 접촉되는 영역의 재질보다 열 충격(Heat shock) 저항이 더 강한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 갭 브래킷은, 세라믹을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 갭 브래킷은, 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 갭 브래킷은, 상기 기판 지지 유닛의 측면 및 상기 배기 배플의 상면 내측 영역과 접촉되도록 제공된 기판 처리 장치.
  15. 삭제
  16. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되며, 복수의 슬롯들이 형성된 안테나 판과;
    상기 안테나 판으로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
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