KR101570170B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR101570170B1
KR101570170B1 KR1020140065374A KR20140065374A KR101570170B1 KR 101570170 B1 KR101570170 B1 KR 101570170B1 KR 1020140065374 A KR1020140065374 A KR 1020140065374A KR 20140065374 A KR20140065374 A KR 20140065374A KR 101570170 B1 KR101570170 B1 KR 101570170B1
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이재경
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 기판 처리 장치는 마이크로파 인가 유닛을 포함한다. 마이크로파 인가 유닛은 마이크로파 발생기, 제 1 도파관, 정합 도파관 및 위상 변환기 등을 포함한다. 마이크로파 발생기에서 발생된 마이크로파는 위상변환기를 통해 안테나로 전달되나 일부는 위상변환기를 지나쳐 정합 도파관에 제공된 반사판에 의해 반사된다. 따라서, 반사된 마이크로파가 위상 변환기의 중심부를 향하도록 반사판의 형상을 제공하고, 반사판의 위치를 변경 시킬 수 있도록 제공함으로써, 반사된 마이크로파에 의한 마이크로파의 효율 저하 및 장치의 손상을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 이용하는 다양한 공정을 포함한다.
마이크로파 전원에서 발생된 마이크로파는 도파관을 따라 전달되며, 일부는 위상 변환기와 내부 도체를 거쳐 안테나에 인가되며, 나머지 일부는 위상 변환기를 지나 도파관의 종단으로 전달된다. 마이크로파는 도파관의 종단에서 반사되며, 동축변환기 측으로 전달되는 마이크로파와 간섭되어 마이크로파의 흐름을 방해하고, 마이크로파 발생기 등에 흡수되어 마이크로파 발생기 등을 손상시킨다.
본 발명은 플라스마를 효율적이고 안정적으로 발생시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 장치의 손상을 최소화시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛의 상부에 배치되며, 슬롯이 형성된 안테나를 갖는 안테나 부재; 상기 안테나로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛;을 포함하되, 상기 마이크로파 인가 유닛은, 마이크로파 발생기에 접속되는 제 1 도파관; 상기 제 1 도파관으로부터 연장되며 상기 안테나로 마이크로파를 전달하는 제 2 도파관; 상기 제 1 도파관과 상기 제 2 도파관이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시키는 위상 변환기;상기 위상 변환기를 중심으로 상기 제 1 도파관의 반대편에 위치하며, 상기 위상 변환기를 통과한 마이크로파를 상기 위상 변환기로 반사시키는 반사판을 가지는 정합 도파관;을 포함하되, 상기 반사판은, 비평면으로 제공된다.
상기 반사판은, 상기 마이크로파를 상기 위상 변환기의 중심부를 향하여 반사시킨다.
상기 반사판은, 상기 위상 변환기를 마주보는 면이 오목한 반구 형태, 반타원 형태 또는 상기 위상 변환기에서 멀어질수록 좁아지는 뿔 형태로 제공된다.
또한, 상기 반사판의 상기 위상 변환기를 마주보는 면에는 홈이 형성된다.
상기 홈은 그 상하 면이 상기 위상 변환기의 중심부를 향해 상기 마이크로파를 반사시키도록 테이퍼진다.
상기 반사판은, 상기 위상 변환기로부터의 거리 변경이 가능하게 제공된다.
상기 정합 도파관은, 상기 반사판을 상기 정합 도파관 내에서 그 길이 방향을 따라 이동시키는 구동기;를 가진다.
상기 정합 도파관은, 상기 반사판에서 반사되는 마이크로파의 반사파를 측정하는 측정부; 및 상기 측정부에서 측정되는 반사파의 크기에 따라 기 설정된 지점에 상기 반사판이 위치하도록 상기 구동기를 제어하는 제어부를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 의하면, 위상 변환기를 지나친 마이크로파를 위상 변환기의 중심부로 전달함으로써, 플라스마를 효율적이고 안정적으로 발생시킬 수 있고, 마이크로파로 인한 장치의 손상을 최소화시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 반사판을 나타내는 사시도이다.
도 3 내지 도 5는 도 2의 반사판의 일 예들을 나타낸 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 플라스마 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급부(300), 마이크로파 인가 유닛(400), 그리고 안테나 부재(500)를 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 기판을 처리하는 공간(101)이 형성되며, 내부 공간(101)은 기판(W)처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 공정 챔버(100)는 바디(110)와 커버(120)를 포함한다. 바디(110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 커버(120)는 바디(110)의 상단에 놓이며, 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐한다. 커버(120)는 상부 공간이 하부 공간보다 더 큰 반경을 갖도록 하단부 내측이 단차진다.
공정 챔버(100)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 개구는 도어(미도시)에 의해 개폐된다.
공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(131)과 연결된다. 배리 라인(131)을 통한 배기로, 공정 챔버(100)의 내부는 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(131)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
지지 유닛(200)은 공정 챔버(100)의 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 지지 플레이트(210), 리프트 핀(미도시), 히터(220)와 지지축(230)을 포함한다.
지지 플레이트(210)는 소정 두께를 가지며, 기판(W) 보다 큰 반경을 갖는 원판으로 제공된다. 지지 플레이트(210)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 실시예에 의하면, 지지 플레이트(210)에는 기판(W)을 고정하는 구성이 제공되지 않으며, 기판(W)은 지지 플레이트(210)의 상면에 놓인 상태로 공정에 제공된다. 이와 달리, 지지 플레이트(210)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 고정시키는 정전 척으로 제공되거나, 기계적 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정시키는 척으로 제공될 수 있다.
리프트 핀은 복수 개 제공되며, 지지 플레이트(210)에 형성된 핀 홀(미도시)들 각각에 위치한다. 리프트 핀들은 핀 홀들을 따라 상하방향으로 이동하며, 기판(W)을 지지 플레이트(210)에 로딩하거나 지지 플레이트(210)에 놓인 기판(W)을 언로딩한다.
히터(220)는 지지 플레이트(210)의 내부에 제공된다. 히터(220)는 나선 형상의 코일로 제공되며, 균일한 간격으로 지지 플레이트(210) 내부에 매설될 수 있다. 히터(220)는 외부 전원(미도시)과 연결되며, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지 플레이트(210)를 거쳐 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 소정 온도로 가열한다.
지지축(230)은 지지 플레이트(210)의 하부에 위치하며, 지지 플레이트(210)를 지지한다.
가스 공급부(300)는 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급부(300)는 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 가스 공급홀(105)을 통해 공정 챔버 (100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다.
마이크로파 인가 유닛(400)은 안테나(520)로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파 인가 유닛(400)은 마이크로파 발생기(410), 제 1 도파관(420), 제 2 도파관(430), 위상 변환기(440), 매칭 네트워크(450), 더미 로더(470) 그리고 정합 도파관(460)을 포함한다.
마이크로파 발생기(410)는 마이크로파를 발생시킨다.
제 1 도파관(420)은 마이크로파 발생기(410)와 접속되며, 내부에 통로가 형성된다. 마이크로파 발생기(410)에서 발생된 마이크로파는 제 1 도파관(420)을 따라 위상 변화기(440) 측으로 전달된다.
제 2 도파관(430)은 제 1 도파관(420)의 끝단에서 수직한 방향으로 아래로 연장되며, 내부에 통로가 형성된다. 위상 변환기(440)에서 위상이 변환된 마이크로파는 제 2 도파관(430)를 따라 안테나(520) 측으로 전달된다.
위상 변환기(440)는 제 1 도파관(420)과 제 2 도파관(430)이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시킨다. 위상 변환기(440)은 콘 형상으로 제공될 수 있다. 위상 변환기(440)는 제 1 도파관(420)으로부터 전달된 마이크로파를 모드가 변환된 상태로 제 2 도파관(430)에 전파한다. 위상 변환기(440)는 마이크로파를 TE 모드에서 TEM 모드로 변환시킬 수 있다.
매칭 네트워크(450)는 제 1 도파관(420)에 제공된다. 매칭 네트워크(450)는 제 1 도파관(420)을 통해 전파되는 마이크로파를 소정 주파수로 매칭시킨다.
더미 로더(470)은 정합 도파관(460)에서 반사되어 돌아오는 마이크로파를 흡수하여 마이크로파 발생기(410)를 보호한다. 더미 로더(470)는 제 1 도파관(420)과 마이크로파 발생기(410)사이에 제공될 수 있다.
제 1 도파관(420)을 따라 전달되는 마이크로파는 일부가 위상 변환기(440)를 통해 제 2 도파관(430) 측으로 전달되고, 나머지 일부는 위상 변환기(440)를 지나쳐 정합 도파관(460) 측으로 전달된다. 반사판(461)에 반사된 마이크로파의 반사파는 위상 변환기(440) 측으로 전달되며, 그 일부는 위상 변환기(440)를 거쳐 정합 도파관(460) 측으로 전달되고 다른 일부는 위상 변환기(440)를 지나쳐 제 1 도파관(420)측으로 전달된다. 따라서, 마이크로파는 반사파와 간섭되어 상쇄될 수 있다. 마이크로파의 상쇄는 안테나(520)로 전달되는 마이크로파의 크기를 감소시켜 공정 챔버(100) 내부에서 발생하는 플라스마 밀도에 영향을 미친다. 또한, 반사된 마이크로파는 더미 로더(470) 및 마이크로파 발생기(410)에 손상을 일으킨다. 반사판(461)의 위치 및 형상에 따라 공정 챔버(100)로 전달되지 못하는 마이크로파의 크기가 달라질 수 있다.
정합 도파관(460)은 위상 변환기(440)를 중심으로 제 1 도파관(420)의 반대편에 위치한다. 정합 도파관(460)의 내부에는 통로가 형성되며, 통로는 제 1 도파관(420)의 통로 및 제 2 도파관(430)의 통로와 연결된다. 정합 도파관(460)은 제 1 도파관(420) 및 제 2 도파관(430)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 정합 도파관(460)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 정합 도파관(460)은 반사판(461), 구동기(462), 측정부(463), 그리고 제어부(464)를 포함한다.
반사판(461)은 소정 두께를 갖는 판으로 정합 도파관(460) 내부에 위치한다. 반사판(461)은 일 면이 위상 변환기(440)와 마주하도록 배치된다. 반사판(461)은 위상 변환기(440)를 통과하여 정합 도파관(460) 내부로 전달된 마이크로파를 반사시켜 위상 변환기(440) 측으로 전달한다. 도 2는 도 1의 반사판을 나타낸 사시도이다. 도 3 내지 도 5는 도 1의 반사판의 일 예들을 나타낸 도면들이다. 도 2 내지 도 5를 참고하면, 반사판(461)에는 위상 변환기(440)를 마주보는 면이 오목해지도록 홈(461a)이 형성된다. 홈(461a)은 위상 변환기(440)를 통과한 마이크로파를 위상 변환기(440)의 중심부를 향하여 반사시킬 수 있는 형상을 가진다. 예를 들면, 반사판(461)은 홈(461a)의 형태에 따라, 비평면 또는 도 5에서 도시한 바와 같이, 그 상면과 하면이 테이퍼지도록 제공될 수 있다. 반사판(461)이 비평면으로 제공된 경우, 반사판(461)은 도 3에 도시된 바와 같이 반구형 또는 타원형으로 제공될 수 있다. 또는 반사판(461)은 도 4에 도시된 바와 같이 위상 변환기(440)에서 멀어질수록 좁아지는 뿔 형상으로 제공될 수 있다. 뿔은 뿔 또는 다각뿔일 수 있다. 반사판(461)의 형태에 따라 반사된 마이크로파가 집중되는 위치가 조절된다. 반사판(461)은 정합 도파관(460)에 탈착 가능하도록 제공되어 형상이 상이한 반사판(461)으로 교체 가능하도록 제공된다. 반사판(461)은 반사율이 상이한 다양한 재질로 제공될 수 있다. 예를 들면, 반사판(461)은 알루미늄(Al)을 포함한 재질 또는 쿼츠를 포함한 재질로 제공될 수 있다. 반사판(461)은 정합 도파관(460)과 동일한 재질로 제공될 수 있다.
구동기(462)는 이동 로드(467)를 통해 반사판과 연결되며, 정합 도파관(460)의 길이방향을 따라 반사판(462)을 이동시킨다. 반사판(462)의 이동으로 반사판(462)에 반사된 마이크로파가 집중되는 위치가 변경된다. 따라서, 구동기(462)는 반사판(461)의 위치를 변경하여, 공정 챔버(100)로 전달되는 마이크로파의 크기를 조절할 수 있다.
측정부(463)는 반사판(461)에서 반사된 후 위상 변환기(440)를 통과한 마이크로파의 반사파를 측정한다. 실시예에 의하면, 측정부(463)는 매칭 네트워크(450) 내에 제공될 수 있다.
제어부(464)는 측정부(463)에서 측정되는 반사파의 크기에 따라 기 설정된 지점에 반사판(461)이 위치하도록 구동기(462)를 제어한다.
상술한 바와 같이, 반사판(461)의 형상과 위치를 조절함으로써 반사판(461)에 반사된 마이크로파가 위상 변환기(440)의 중심부를 향하도록 조절할 수 있다. 따라서, 반사된 마이크로파의 간섭으로 인한 효율 저하를 최소화 하고, 반사된 마이크로파에 의한 더미로더(470) 및 마이크로파 발생기(410)등의 장치의 손상을 최소화할 수 있다.
다시 도 1을 참고하면, 안테나 부재(500)는 내부 도체(510) 및 안테나(520)를 포함한다. 안테나 부재(500)는 지지 유닛(200)의 상부에 배치된다.
내부 도체(510)는 제 2 도파관(430) 내에 위치한다. 내부 도체(510)는 원기둥 형상의 로드(rod)로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 내부 도체(520)의 상단은 위상 변환기(440)의 하단부에 삽입 고정된다. 내부 도체(510)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치한다. 내부 도체(510)의 하단은 안테나(520)의 중심에 고정 결합된다. 내부 도체(510)는 안테나(520)의 상면에 수직하게 배치된다.
안테나(520)는 지지 플레이트(210)와 마주 배치된다. 안테나(520)는 두께가 얇은 원판으로 제공되며, 복수의 슬롯(521)들이 서로 이격하여 형성된다. 슬롯(521)들은 서로 조합되어 링을 이루도록 배열된다. 링은 복수 개로 제공된다. 각각의 링은 서로 상이한 직경을 가지도록 제공된다. 각각의 링은 안테나(520)의 중심을 동심으로 제공된다. 일 예에 의하면. 슬롯(521)들은 5 개의 링을 이룰 수 있다. 마이크로파는 슬롯 홀(521)들을 투과하여 유전판(620)으로 전달된다.
지파판(610)은 안테나(520)의 상부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 지파판(610)은 커버(120)의 내측에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 지파판(610)은 알루미나, 석영등의 유전체로 제공된다. 내부 도체(510)를 통해 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 지파판(610)의 반경 방향으로 전파된다. 지파판(610)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며, 공진된다.
유전판(620)은 안테나(520)의 하부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 유전판(620)은 알루미나, 석영등의 유전체로 제공된다. 유전판(620)의 저면은 내측으로 만입된 오목면으로 제공된다. 유전판(620)은 저면이 커버(120)의 하단과 동일 높이에 위치할 수 있다. 유전판(620)의 측부는 상단이 하단보다 큰 반경을 갖도록 단차진다. 유전판(620)의 상단은 커버(120)의 단차진 하단부에 놓인다. 유전판(620)의 하단은 커버(120)의 하단부보다 작은 반경을 가지며, 커버(120)의 하단부와 소정 간격을 유지한다. 마이크로파는 유전판(620)을 거쳐 공정 챔버(100) 내부로 방사된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의하여 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라스마 상태로 여기된다.
실시예에 의하면, 지파판(610), 안테나(520) 그리고 유전판(620)은 서로 밀착될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다. 도 6을 참고하면, 정합 도파관(460)은 반사판(461)이 제공된 끝단이 탈착 가능하도록 제공된다. 따라서. 상술한 실시예와는 달리 반사판(461)의 위치는 상이한 내부 길이를 가지는 정합 도파관(460)의 끝단을 교체함에 따라 변경된다. 그 외 구성 및 구조는 도 1의 기판 처리 장치와 유사하다.
10: 기판 처리 장치 W: 기판
100: 공정 챔버 200: 지지 유닛
300: 가스 공급부 400: 마이크로파 인가 유닛
410: 마이크로파 발생기 440: 위상 변환기
460: 정합 도파관 461: 반사판
461a: 홈 462: 구동기

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 내부에 처리 공간이 형성된 공정 챔버;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛의 상부에 배치되며, 슬롯이 형성된 안테나를 갖는 안테나 부재;
    상기 안테나로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛;을 포함하되,
    상기 마이크로파 인가 유닛은,
    마이크로파 발생기에 접속되는 제 1 도파관;
    상기 제 1 도파관으로부터 연장되며 상기 안테나로 마이크로파를 전달하는 제 2 도파관;
    상기 제 1 도파관과 상기 제 2 도파관이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시키는 위상 변환기;
    상기 위상 변환기를 중심으로 상기 제 1 도파관의 반대편에 위치하며, 상기 위상 변환기를 통과한 마이크로파를 상기 위상 변환기로 반사시키는 반사판을 가지는 정합 도파관;을 포함하되,
    상기 반사판은, 비평면으로 제공되고, 상기 마이크로파를 상기 위상 변환기의 중심부를 향하여 반사시키는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사판은, 상기 위상 변환기를 마주보는 면이 오목한 반구 형태로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사판은, 상기 위상 변환기를 마주보는 면이 오목한 반타원 형태로 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사판은, 상기 위상 변환기를 마주보는 면이 오목하고, 상기 위상 변환기에서 멀어질수록 좁아지는 뿔 형태로 제공된 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 내부에 처리 공간이 형성된 공정 챔버;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛의 상부에 배치되며, 슬롯이 형성된 안테나를 갖는 안테나 부재;
    상기 안테나로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛;을 포함하되,
    상기 마이크로파 인가 유닛은,
    마이크로파 발생기에 접속되는 제 1 도파관;
    상기 제 1 도파관으로부터 연장되며 상기 안테나로 마이크로파를 전달하는 제 2 도파관;
    상기 제 1 도파관과 상기 제 2 도파관이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시키는 위상 변환기;
    상기 위상 변환기를 중심으로 상기 제 1 도파관의 반대편에 위치하며, 상기 위상 변환기를 통과한 마이크로파를 상기 위상 변환기로 반사시키는 반사판을 가지는 정합 도파관;을 포함하되,
    상기 반사판의 상기 위상 변환기를 마주보는 면에는 홈이 형성되고,
    상기 홈은 그 상하 면이 상기 위상 변환기의 중심부를 향해 상기 마이크로파를 반사시키도록 테이퍼진 기판 처리 장치.
  8. 제 2 항 내지 제 5 항 및 제 7 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 반사판은, 상기 위상 변환기로부터의 거리 변경이 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 정합 도파관은,
    상기 반사판을 상기 정합 도파관 내에서 그 길이 방향을 따라 이동시키는 구동기;를 가지는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 정합 도파관은,
    상기 반사판에서 반사되는 마이크로파의 반사파를 측정하는 측정부; 및
    상기 측정부에서 측정되는 반사파의 크기에 따라 기 설정된 지점에 상기 반사판이 위치하도록 상기 구동기를 제어하는 제어부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
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