JPH0986964A - ガラス状カーボン被膜を有するシリカガラス部材 - Google Patents
ガラス状カーボン被膜を有するシリカガラス部材Info
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- JPH0986964A JPH0986964A JP26201295A JP26201295A JPH0986964A JP H0986964 A JPH0986964 A JP H0986964A JP 26201295 A JP26201295 A JP 26201295A JP 26201295 A JP26201295 A JP 26201295A JP H0986964 A JPH0986964 A JP H0986964A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、高い表面硬度、耐熱性及び耐プラズ
マ性を有するシリカガラス部材、特に半導体素子のプラ
ズマエッチング処理等において発塵がない半導体素子製
造用シリカガラス治具を提供することを目的とする。 【構成】表面がガラス状カーボンで被覆されたことを特
徴とするシリカガラス部材。
マ性を有するシリカガラス部材、特に半導体素子のプラ
ズマエッチング処理等において発塵がない半導体素子製
造用シリカガラス治具を提供することを目的とする。 【構成】表面がガラス状カーボンで被覆されたことを特
徴とするシリカガラス部材。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子製造工
程に用いるシリカガラス部材、さらに詳しくはプラズマ
を用いる、ドライエッチングやスパッタリング成膜工程
に用いるシリカガラス部材に関する。
程に用いるシリカガラス部材、さらに詳しくはプラズマ
を用いる、ドライエッチングやスパッタリング成膜工程
に用いるシリカガラス部材に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体工業では、プラズマイオンで
金属素材をスパッタリングして半導体素子の上に金属の
膜を成膜したり、逆に半導体素子の表面をスパッタエッ
チしてパターンを形成したり、或は素子の表面を平坦化
したり、清浄化したりする等、各種のプラズマが様々に
利用されている。中でも、プラズマエッチングやスパッ
タエッチング（一般にドライエッチングと総称される）
においては使用する各種治具自体も同時にエッチングさ
れ、ここから微細な粉体を発生し、それが半導体素子を
汚染するという問題があった。そこで、緻密で発塵しに
くい物質として知られているガラス状カーボンの使用が
考えられ、例えば特開昭６２ー２５２９４２号公報や実
開昭６２ー１７０７６２号公報にはプラズマエッチング
用電極として、また炭素 Ｎｏ．５１（１９６７）ｐ１
７にはボート、ルツボ、ウエハサセプタ等の半導体処理
用治具としてガラス状カーボンの使用が検討されてい
る。しかしながら、ガラス状カーボンは、シリカガラス
に比べると、高価である上に、加工性が悪く複雑な形状
の部材を作成しにくいところから、例えば特開平６ー２
１６２２５号公報にみるように治具の複雑な形状の部分
を等方性カーボン等加工性の優れた基材で形成し、単純
な部分をガラス状カーボンで形成したのち接合する等、
部分的にガラス状カーボンを使用している。このような
限られた形状での使用や、部分的な使用ではガラス状カ
ーボンの特性を十分生かした使用ができないのが現状で
ある。
金属素材をスパッタリングして半導体素子の上に金属の
膜を成膜したり、逆に半導体素子の表面をスパッタエッ
チしてパターンを形成したり、或は素子の表面を平坦化
したり、清浄化したりする等、各種のプラズマが様々に
利用されている。中でも、プラズマエッチングやスパッ
タエッチング（一般にドライエッチングと総称される）
においては使用する各種治具自体も同時にエッチングさ
れ、ここから微細な粉体を発生し、それが半導体素子を
汚染するという問題があった。そこで、緻密で発塵しに
くい物質として知られているガラス状カーボンの使用が
考えられ、例えば特開昭６２ー２５２９４２号公報や実
開昭６２ー１７０７６２号公報にはプラズマエッチング
用電極として、また炭素 Ｎｏ．５１（１９６７）ｐ１
７にはボート、ルツボ、ウエハサセプタ等の半導体処理
用治具としてガラス状カーボンの使用が検討されてい
る。しかしながら、ガラス状カーボンは、シリカガラス
に比べると、高価である上に、加工性が悪く複雑な形状
の部材を作成しにくいところから、例えば特開平６ー２
１６２２５号公報にみるように治具の複雑な形状の部分
を等方性カーボン等加工性の優れた基材で形成し、単純
な部分をガラス状カーボンで形成したのち接合する等、
部分的にガラス状カーボンを使用している。このような
限られた形状での使用や、部分的な使用ではガラス状カ
ーボンの特性を十分生かした使用ができないのが現状で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者等
は、ガラス状カーボンの有効使用を求めて鋭意研究を続
けた結果、従来のシリカガラス部材、特に半導体素子製
造用治具の基材の表面にガラス状カーボンの原料を塗布
し、それを炭化することで、複雑な形状であっても均一
なガラス状カーボン被膜が形成でき、ガラス状カーボン
の表面特性を備え発塵のない半導体製造用部材が得られ
ること、特にシリカガラス基材を化学的処理液で処理
し、表面を粗にしたのちガラス状カーボン原料を塗布
し、それを炭化することで均一で十分な接着強度を持つ
ガラス状カーボン被膜を有する部材が得られることを見
出し、本発明を完成したものである。すなわち、
は、ガラス状カーボンの有効使用を求めて鋭意研究を続
けた結果、従来のシリカガラス部材、特に半導体素子製
造用治具の基材の表面にガラス状カーボンの原料を塗布
し、それを炭化することで、複雑な形状であっても均一
なガラス状カーボン被膜が形成でき、ガラス状カーボン
の表面特性を備え発塵のない半導体製造用部材が得られ
ること、特にシリカガラス基材を化学的処理液で処理
し、表面を粗にしたのちガラス状カーボン原料を塗布
し、それを炭化することで均一で十分な接着強度を持つ
ガラス状カーボン被膜を有する部材が得られることを見
出し、本発明を完成したものである。すなわち、
【０００４】本発明は、ガラス状カーボンで被覆したシ
リカガラス部材を提供することを目的とする。
リカガラス部材を提供することを目的とする。
【０００５】本発明は、化学的処理液で処理し表面が粗
のシリカガラス部材の表面にガラス状カーボンを被覆し
てなる高い表面硬度、耐プラズマ性を有し、かつ発塵の
ないシリカガラス部材を提供することを目的とする。
のシリカガラス部材の表面にガラス状カーボンを被覆し
てなる高い表面硬度、耐プラズマ性を有し、かつ発塵の
ないシリカガラス部材を提供することを目的とする。
【０００６】本発明は、ガラス状カーボンで被覆されて
いる半導体素子製造用シリカガラス治具を提供すること
を目的とする。
いる半導体素子製造用シリカガラス治具を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、表面がガラス状カーボンで被覆されたことを特徴
とするシリカガラス部材に関する。前記ガラス状カーボ
ンとは、例えば「炭素」Ｎｏ．４５（１９６６）第１９
〜２５頁に記載されているようにフラン樹脂、フェノー
ル樹脂又はそれらの共縮合樹脂等の熱硬化性樹脂、特に
好ましくはフルフラール、フェノール共縮合樹脂を原料
とし、それをシリカガラス基材に塗布したのち炭化する
ことで形成されたガラス状組織を有するカーボンをい
う。前記炭化は不活性ガス雰囲気中で炭化温度まで加熱
することで行われ、不活性ガス雰囲気としてはアルゴン
雰囲気が、また炭化温度としてはシリカガラスの変形温
度以下、約１１００℃以下の加熱がよい。前記炭化によ
りシリカガラス基材の表面にガラス状カーボン被膜が形
成されるがその厚さは０．５μｍ〜８μｍの範囲がよ
い。ガラス状カーボン被膜の厚みが０．５μｍ以下で
は、ガラス状カーボンが有する耐プラズマ性、高い表面
硬度、パーテクルや不純物の発生が少ないという特性が
十分発揮できず、またガラス状カーボン被膜の厚みが８
μｍを超える厚さは塗布工程と炭化工程を多数繰り返す
必要があるため実用的でない。前記被覆はガラス細工で
作成されたシリカガラス基材、或は細工前の各基材をガ
ラス状カーボンの原料で塗布したのち炭化して形成され
るが、かかる滑らかな表面のシリカガラス基材上への被
覆は剥離が起こりやすく、膜厚２μｍ程度までが限界で
ある。良好なガラス状カーボンの被膜を形成するにはシ
リカガラス基材の表面を粗にするのがよい。特に中心線
平均粗さ（Ｒa）０．５〜２．０μｍの範囲で粗にする
のが好ましい。表面粗さが中心線平均粗さで０．５μｍ
未満では粗にした効果がなく、また表面粗さが２μｍを
超える処理はシリカガラス基材を損傷し強度を低下させ
る。
明は、表面がガラス状カーボンで被覆されたことを特徴
とするシリカガラス部材に関する。前記ガラス状カーボ
ンとは、例えば「炭素」Ｎｏ．４５（１９６６）第１９
〜２５頁に記載されているようにフラン樹脂、フェノー
ル樹脂又はそれらの共縮合樹脂等の熱硬化性樹脂、特に
好ましくはフルフラール、フェノール共縮合樹脂を原料
とし、それをシリカガラス基材に塗布したのち炭化する
ことで形成されたガラス状組織を有するカーボンをい
う。前記炭化は不活性ガス雰囲気中で炭化温度まで加熱
することで行われ、不活性ガス雰囲気としてはアルゴン
雰囲気が、また炭化温度としてはシリカガラスの変形温
度以下、約１１００℃以下の加熱がよい。前記炭化によ
りシリカガラス基材の表面にガラス状カーボン被膜が形
成されるがその厚さは０．５μｍ〜８μｍの範囲がよ
い。ガラス状カーボン被膜の厚みが０．５μｍ以下で
は、ガラス状カーボンが有する耐プラズマ性、高い表面
硬度、パーテクルや不純物の発生が少ないという特性が
十分発揮できず、またガラス状カーボン被膜の厚みが８
μｍを超える厚さは塗布工程と炭化工程を多数繰り返す
必要があるため実用的でない。前記被覆はガラス細工で
作成されたシリカガラス基材、或は細工前の各基材をガ
ラス状カーボンの原料で塗布したのち炭化して形成され
るが、かかる滑らかな表面のシリカガラス基材上への被
覆は剥離が起こりやすく、膜厚２μｍ程度までが限界で
ある。良好なガラス状カーボンの被膜を形成するにはシ
リカガラス基材の表面を粗にするのがよい。特に中心線
平均粗さ（Ｒa）０．５〜２．０μｍの範囲で粗にする
のが好ましい。表面粗さが中心線平均粗さで０．５μｍ
未満では粗にした効果がなく、また表面粗さが２μｍを
超える処理はシリカガラス基材を損傷し強度を低下させ
る。
【０００８】シリカガラス基材の表面を粗にする方法と
してはサンドブラスト法や化学的処理法が採用できる
が、サンドブラスト法ではシリカガラス基材にクラック
が発生し易く、そこに汚染物質が取り込まれ、それが半
導体製品処理中に開放されて半導体素子を汚染すること
があるので好適とはいえない。一方、化学的処理法は処
理後洗浄することで汚染物質を容易に除去でき好まし
い。特に、フッ化水素、フッ化アンモニウム、酢酸及び
水からなる表面処理液は金属元素やアルカリ元素のよう
な半導体素子を汚染する物質を含まないのでシリカガラ
ス基材の表面を粗にする処理液として好ましい。前記表
面処理液の成分割合は、酢酸の含有量が１０重量％以
上、水の含有量が５０重量％以下、フッ化水素とフッ化
アンモニウムの合計含有量が２５％以上及びフッ化アン
モニウム１モルに対してフッ化水素の含有量が０．２〜
１５モルの比率で、かつフッ化水素７０部に対して水が
３０部以上の範囲である。前記表面処理液は沈殿物を含
んだ混合体でもよい。前記沈殿物は、表面処理液の劣化
をその再溶解で補うため好ましい。表面処理液において
フッ化アンモニウム１モルに対してフッ化水素が１５モ
ルを超えると粗面化が起こらず、また０．２モル未満で
はエッチングの進行が遅くて粗面化が起っても凹凸が浅
過ぎて実用的でない。さらにフッ化アンモニウムとフッ
化水素の合計含有量が２５重量％未満では粗面化が起こ
りにくい。表面処理液の経済的な理由から水が多い方が
よいが水が５０重量％以上では粗面の成長が遅く、また
処理液中の沈殿物の量も少なくなる。この水の存在で、
各化学物質のバランスが綿密に調整でき、析出物の大き
さや数や成長速度及びエッチング速度を任意に変えるこ
とができる。これらの成分に加えて前記表面処理液には
酢酸を含有することを必須とする。酢酸を含有すること
によりシリカガラス基材の表面を良好に粗にできる。前
記酢酸の配合量が１０重量％未満では、シリカガラス表
面への凹凸の形成が悪く、粗面化が十分でない。前記表
面処理液においてフッ化水素とフッ化アンモニウムの
１：１モル比の試薬であるフッ化水素アンモニウムが取
り扱いが容易で好ましい。
してはサンドブラスト法や化学的処理法が採用できる
が、サンドブラスト法ではシリカガラス基材にクラック
が発生し易く、そこに汚染物質が取り込まれ、それが半
導体製品処理中に開放されて半導体素子を汚染すること
があるので好適とはいえない。一方、化学的処理法は処
理後洗浄することで汚染物質を容易に除去でき好まし
い。特に、フッ化水素、フッ化アンモニウム、酢酸及び
水からなる表面処理液は金属元素やアルカリ元素のよう
な半導体素子を汚染する物質を含まないのでシリカガラ
ス基材の表面を粗にする処理液として好ましい。前記表
面処理液の成分割合は、酢酸の含有量が１０重量％以
上、水の含有量が５０重量％以下、フッ化水素とフッ化
アンモニウムの合計含有量が２５％以上及びフッ化アン
モニウム１モルに対してフッ化水素の含有量が０．２〜
１５モルの比率で、かつフッ化水素７０部に対して水が
３０部以上の範囲である。前記表面処理液は沈殿物を含
んだ混合体でもよい。前記沈殿物は、表面処理液の劣化
をその再溶解で補うため好ましい。表面処理液において
フッ化アンモニウム１モルに対してフッ化水素が１５モ
ルを超えると粗面化が起こらず、また０．２モル未満で
はエッチングの進行が遅くて粗面化が起っても凹凸が浅
過ぎて実用的でない。さらにフッ化アンモニウムとフッ
化水素の合計含有量が２５重量％未満では粗面化が起こ
りにくい。表面処理液の経済的な理由から水が多い方が
よいが水が５０重量％以上では粗面の成長が遅く、また
処理液中の沈殿物の量も少なくなる。この水の存在で、
各化学物質のバランスが綿密に調整でき、析出物の大き
さや数や成長速度及びエッチング速度を任意に変えるこ
とができる。これらの成分に加えて前記表面処理液には
酢酸を含有することを必須とする。酢酸を含有すること
によりシリカガラス基材の表面を良好に粗にできる。前
記酢酸の配合量が１０重量％未満では、シリカガラス表
面への凹凸の形成が悪く、粗面化が十分でない。前記表
面処理液においてフッ化水素とフッ化アンモニウムの
１：１モル比の試薬であるフッ化水素アンモニウムが取
り扱いが容易で好ましい。
【０００９】シリカガラス基材の処理方法としては上記
表面処理液に該部材を２〜６時間、好ましくは３〜４時
間浸漬すればよい。これによりシリカガラス部材の表面
に均一な凹凸が形成され、外観が白色の粗面となる。
表面処理液に該部材を２〜６時間、好ましくは３〜４時
間浸漬すればよい。これによりシリカガラス部材の表面
に均一な凹凸が形成され、外観が白色の粗面となる。
【００１０】上記表面が粗面化されたシリカガラス基材
に、次いでフルフラール樹脂、フェノール樹脂又はそれ
らの共縮合樹脂等の熱硬化性樹脂液を塗布し、該樹脂液
を熱固化した後、不活性ガス中で加熱処理し炭化する。
こうしてシリカガラス基材表面にガラス状カーボンが均
一に被覆される。前記被膜はシリカガラス基材全面を被
覆する必要はないが、少なくともプラズマに曝される部
分は被覆する必要がある。
に、次いでフルフラール樹脂、フェノール樹脂又はそれ
らの共縮合樹脂等の熱硬化性樹脂液を塗布し、該樹脂液
を熱固化した後、不活性ガス中で加熱処理し炭化する。
こうしてシリカガラス基材表面にガラス状カーボンが均
一に被覆される。前記被膜はシリカガラス基材全面を被
覆する必要はないが、少なくともプラズマに曝される部
分は被覆する必要がある。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に実施例に基づいて本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。
【００１２】実施例１ 図１はシリカガラスチャンバーとシリカガラス製ウエハ
支持治具を持つプラズマエッチング装置の図である。図
１において、１は半導体ウエハ、２はシリカガラス製チ
ャンバー、３シリカガラス製ウエハボート、４はガラス
状カーボン被膜、５はガス排気口、６はガス導入口及び
７はＲＦ電源（高周波電源）である。シリカガラス製ウ
エハ支持治具３は、先ずシリカガラスで所定の形状に加
工した後、該加工部の汚染物質をフッ化水素酸でエッチ
ング除去し、火炎で表面の微小な凹凸を溶融し滑らかに
し、それをフッ化水素２２．１重量％、フッ化アンモニ
ウム２０．４重量％、酢酸３５．４重量％及び及び純水
２２．１重量％の処理液に４時間浸漬して中心線平均粗
さＲa＝１．１μｍの治具基材を得、それにフルフラー
ルとフェノールとの共縮合樹脂を塗布し、固化しアルゴ
ンガス雰囲気中で最高１１００℃迄加熱して、炭化し
て、前記塗布共縮合樹脂をガラス状カーボン４として製
造された。得られた治具３に半導体ウエハ１を載置しそ
れをシリカガラス製チャンバーに導入してＣＦ4等のハ
ロゲン化炭素系のガスを用いてプラズマでエッチング処
理したところシリカガラス製ウエハ支持治具の表面のガ
ラス光沢は失なわれなかった。また処理半導体ウエハ１
へのパーテクル汚染もなかった。
支持治具を持つプラズマエッチング装置の図である。図
１において、１は半導体ウエハ、２はシリカガラス製チ
ャンバー、３シリカガラス製ウエハボート、４はガラス
状カーボン被膜、５はガス排気口、６はガス導入口及び
７はＲＦ電源（高周波電源）である。シリカガラス製ウ
エハ支持治具３は、先ずシリカガラスで所定の形状に加
工した後、該加工部の汚染物質をフッ化水素酸でエッチ
ング除去し、火炎で表面の微小な凹凸を溶融し滑らかに
し、それをフッ化水素２２．１重量％、フッ化アンモニ
ウム２０．４重量％、酢酸３５．４重量％及び及び純水
２２．１重量％の処理液に４時間浸漬して中心線平均粗
さＲa＝１．１μｍの治具基材を得、それにフルフラー
ルとフェノールとの共縮合樹脂を塗布し、固化しアルゴ
ンガス雰囲気中で最高１１００℃迄加熱して、炭化し
て、前記塗布共縮合樹脂をガラス状カーボン４として製
造された。得られた治具３に半導体ウエハ１を載置しそ
れをシリカガラス製チャンバーに導入してＣＦ4等のハ
ロゲン化炭素系のガスを用いてプラズマでエッチング処
理したところシリカガラス製ウエハ支持治具の表面のガ
ラス光沢は失なわれなかった。また処理半導体ウエハ１
へのパーテクル汚染もなかった。
【００１３】実施例２ 実施例１で製造したシリカガラス製ウエハ支持治具３の
不活性イオンに対する耐スパッタ性を確かめるためその
小片についてアルゴンガスＲＦスパッタ速度の測定を行
った。その結果、前記小片のスパッタ速度は耐スパッタ
性が良好な材料の代表である酸化アルミニウムの約５分
の１であった。一方、参考にシリカガラス小片について
前記試験を行ったところスパッタ速度は酸化アルミニウ
ムの約５倍であった。
不活性イオンに対する耐スパッタ性を確かめるためその
小片についてアルゴンガスＲＦスパッタ速度の測定を行
った。その結果、前記小片のスパッタ速度は耐スパッタ
性が良好な材料の代表である酸化アルミニウムの約５分
の１であった。一方、参考にシリカガラス小片について
前記試験を行ったところスパッタ速度は酸化アルミニウ
ムの約５倍であった。
【００１４】実施例３ 図２は反応性イオンエッチング装置の概略図を示す。図
２において、１は半導体ウエハ、２はシリカガラス製チ
ャンバー、９はシリカガラス製ウエハ支持治具、４はガ
ラス状カーボン被膜、５はガス排気口、６はガス導入
口、１０は陽極、１１は陰極、１２はプラズマを示す。
ＣＦ4を主成分として水素ガスや四塩化炭素ガス等を混
合したガスを用いたシリカの反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）用チャンバー８をシリカガラスで製造し、フ
ッ化水素２３．６重量％、フッ化アンモニウム１７．４
重量％、酢酸３５．４重量％及び純水２３．６重量％の
処理液に４時間浸漬して内表面を粗面化した。処理後の
チャンバー８の内表面は均一な白色をしており、その表
面粗さは中心線平均粗さＲa＝０．９μｍであった。前
記チャンバー８の内側に実施例１と同様にフルフラール
とフェノールとの共縮合樹脂を塗布し、固化したのちア
ルゴンガス雰囲気中で最高１１００℃迄加熱して、炭化
を行い、ガラス状カーボン４の被膜を形成した。得られ
た被膜４には少量のピンホールがみられるものの均一な
膜厚であった。前記内側にガラス状カーボン被膜を有す
るチャンバーをＲＩＥ用チャンバーとして用い、実用試
験を行ったところ、プラズマによるチャンバーの損傷が
なく良好なエッチングを行うことができた。
２において、１は半導体ウエハ、２はシリカガラス製チ
ャンバー、９はシリカガラス製ウエハ支持治具、４はガ
ラス状カーボン被膜、５はガス排気口、６はガス導入
口、１０は陽極、１１は陰極、１２はプラズマを示す。
ＣＦ4を主成分として水素ガスや四塩化炭素ガス等を混
合したガスを用いたシリカの反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）用チャンバー８をシリカガラスで製造し、フ
ッ化水素２３．６重量％、フッ化アンモニウム１７．４
重量％、酢酸３５．４重量％及び純水２３．６重量％の
処理液に４時間浸漬して内表面を粗面化した。処理後の
チャンバー８の内表面は均一な白色をしており、その表
面粗さは中心線平均粗さＲa＝０．９μｍであった。前
記チャンバー８の内側に実施例１と同様にフルフラール
とフェノールとの共縮合樹脂を塗布し、固化したのちア
ルゴンガス雰囲気中で最高１１００℃迄加熱して、炭化
を行い、ガラス状カーボン４の被膜を形成した。得られ
た被膜４には少量のピンホールがみられるものの均一な
膜厚であった。前記内側にガラス状カーボン被膜を有す
るチャンバーをＲＩＥ用チャンバーとして用い、実用試
験を行ったところ、プラズマによるチャンバーの損傷が
なく良好なエッチングを行うことができた。
【００１４】
【発明の効果】本発明のシリカガラス部材は、その表面
にガラス状カーボンの被膜が存在し、表面硬度が高い上
に、プラズマによってスパッタリングされたり表面が粗
くなったりしない安定な発塵のないシリカガラス部材で
ある。
にガラス状カーボンの被膜が存在し、表面硬度が高い上
に、プラズマによってスパッタリングされたり表面が粗
くなったりしない安定な発塵のないシリカガラス部材で
ある。
【図１】図１は、ウエハ支持部をガラス状カーボンで被
覆したシリカガラス治具を装備したプラズマエッチング
装置の概略図である。
覆したシリカガラス治具を装備したプラズマエッチング
装置の概略図である。
【図２】図２は、チャンバーの内側をガラス状カーボン
で被覆したシリカガラス製チャンバーを持つ反応性イオ
ンエッチング装置の概略図である。
で被覆したシリカガラス製チャンバーを持つ反応性イオ
ンエッチング装置の概略図である。
１ 半導体ウエハ ２ シリカガラス製チャンバー ３ シリカガラス製ウエハボート ４ ガラス状カーボン被膜 ５ ガス排気口 ６ ガス導入口 ７ ＲＦ電源 ８ 反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）用チャンバー ９ シリカガラス製ウエハ支持治具 １０ 陽極 １１ 陰極 １２ プラズマ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 剣持 克彦 東京都新宿区西新宿１丁目22番２号 信越 石英株式会社内 (72)発明者 ディートマ・ヘルマン ドイツ連邦共和国 63801 クラインオス トハイムラインハルド・ヘラウス・リング 29 ヘラウス・クワルツグラス・ゲーエ ムベーハー ベライヒ ハルプライター 内
Claims (6)
- 【請求項１】表面がガラス状カーボンで被覆されたこと
を特徴とするシリカガラス部材。 - 【請求項２】ガラス状カーボン被膜の厚さが０．５〜８
μｍであることを特徴とする請求項１記載のシリカガラ
ス部材。 - 【請求項３】中心線平均粗さ（Ｒ a）で０．５〜２．０
μｍのシリカガラス基材の表面にガラス状カーボンが被
覆されていることを特徴とする請求項１記載のシリカガ
ラス部材。 - 【請求項４】０．５〜２．０μｍの中心線平均粗さが化
学的処理で形成されたことを特徴とする請求項３記載の
シリカガラス部材。 - 【請求項５】シリカガラス部材が半導体素子製造工程で
使用されるシリカガラス治具であることを特徴とする請
求項１〜４のいずれか１記載のシリカガラス部材。 - 【請求項６】シリカガラス部材がプラズマエッチングで
使用されるシリカガラス治具であることを特徴とする請
求項５記載のシリカガラス部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26201295A JP3262696B2 (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | ガラス状カーボン被膜を有するシリカガラス部材 |
| EP96114052A EP0763504B1 (en) | 1995-09-14 | 1996-09-03 | Silica glass member and method for producing the same |
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