JP2001097791A - 耐蝕性部材およびその製造方法 - Google Patents
耐蝕性部材およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】セラミックスからなる基体と、基体の表面の少
なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性
部材において、腐食による重量変化を減少させるのと同
時に、パーティクルの発生を一層抑制する。 【解決手段】フッ化物膜が基体をフッ素化合物に対して
直接接触させることによって生成しており、フッ化膜の
厚さが０．０１−５．０μｍであり、基体中の珪素の量
が酸化珪素に換算して０．５重量％以下である。
なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性
部材において、腐食による重量変化を減少させるのと同
時に、パーティクルの発生を一層抑制する。 【解決手段】フッ化物膜が基体をフッ素化合物に対して
直接接触させることによって生成しており、フッ化膜の
厚さが０．０１−５．０μｍであり、基体中の珪素の量
が酸化珪素に換算して０．５重量％以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フッ化膜を備える
耐蝕性部材およびその製造方法に関するものである。
耐蝕性部材およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】セラミックスや金属の表面に、フッ化
膜、特にフッ化アルミニウム膜を生成させることによっ
て、ハロゲン系ガスやそのプラズマに対する耐蝕性を改
善することが知られている。米国特許第５，３０６，８
９５号には、窒化アルミニウムまたはアルミナの表面に
三フッ化アルミニウム膜を形成することが開示されてい
る。
膜、特にフッ化アルミニウム膜を生成させることによっ
て、ハロゲン系ガスやそのプラズマに対する耐蝕性を改
善することが知られている。米国特許第５，３０６，８
９５号には、窒化アルミニウムまたはアルミナの表面に
三フッ化アルミニウム膜を形成することが開示されてい
る。
【０００３】また、特開平７−２７３０５３号公報にお
いては、処理室内の雰囲気に接するアルミニウム系部材
の表面を、予めフッ素で置換してコーティングしてい
る。具体的には、アルミナや窒化アルミニウムの表面に
３００℃でフッ化水素、フッ化窒素、フッ化塩素を導入
することによって、アルミ系部材の表面に三フッ化アル
ミニウム膜を形成している。
いては、処理室内の雰囲気に接するアルミニウム系部材
の表面を、予めフッ素で置換してコーティングしてい
る。具体的には、アルミナや窒化アルミニウムの表面に
３００℃でフッ化水素、フッ化窒素、フッ化塩素を導入
することによって、アルミ系部材の表面に三フッ化アル
ミニウム膜を形成している。
【０００４】また、特開平９−３２６３８４号公報で
は、プラズマ処理装置において、プラズマにさらされる
部材の表面の一部を、アルミニウムを主成分とするフッ
化物の層で被覆している。具体的には、アルマイト、窒
化アルミニウムやサファイアをフッ化処理してフッ化ア
ルミニウムを生成させている。フッ化処理の際には、フ
ッ素ガスを窒素ガスで２０−５０％に希釈して雰囲気と
し、この雰囲気を１５０−４００℃で熱分解し、この雰
囲気中で試料を４００℃に加熱する処理を２時間程度行
っている。これによって、プラズマ処理の間に、処理装
置内に発生するパーティクルを抑制する。
は、プラズマ処理装置において、プラズマにさらされる
部材の表面の一部を、アルミニウムを主成分とするフッ
化物の層で被覆している。具体的には、アルマイト、窒
化アルミニウムやサファイアをフッ化処理してフッ化ア
ルミニウムを生成させている。フッ化処理の際には、フ
ッ素ガスを窒素ガスで２０−５０％に希釈して雰囲気と
し、この雰囲気を１５０−４００℃で熱分解し、この雰
囲気中で試料を４００℃に加熱する処理を２時間程度行
っている。これによって、プラズマ処理の間に、処理装
置内に発生するパーティクルを抑制する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、窒化アル
ミニウムやアルミナ等の基体に対して、優れた耐蝕性を
付与し、かつプラズマ処理中に発生するパーティクルを
抑制するべく鋭意研究を進めてきた。この結果、窒化ア
ルミニウム等のセラミックスの表面をフッ化処理するこ
とによってフッ化膜を生成させるだけでは、パーティク
ルを十分に高度には抑制できないことを発見した。即
ち、本発明者は、市販の多くの窒化アルミニウム、アル
ミナセラミックスからなる基材について、フッ素ガスを
用いてフッ化処理を行い、フッ化膜を生成させたが、こ
れを半導体製造装置における高温のクリーニングガス、
エッチングガス等に対して曝露させると、フッ化膜によ
ってある程度の耐蝕性は得られるが、パーティクルを高
度に抑制することは困難であった。
ミニウムやアルミナ等の基体に対して、優れた耐蝕性を
付与し、かつプラズマ処理中に発生するパーティクルを
抑制するべく鋭意研究を進めてきた。この結果、窒化ア
ルミニウム等のセラミックスの表面をフッ化処理するこ
とによってフッ化膜を生成させるだけでは、パーティク
ルを十分に高度には抑制できないことを発見した。即
ち、本発明者は、市販の多くの窒化アルミニウム、アル
ミナセラミックスからなる基材について、フッ素ガスを
用いてフッ化処理を行い、フッ化膜を生成させたが、こ
れを半導体製造装置における高温のクリーニングガス、
エッチングガス等に対して曝露させると、フッ化膜によ
ってある程度の耐蝕性は得られるが、パーティクルを高
度に抑制することは困難であった。
【０００６】本発明の課題は、セラミックスからなる基
体と、この基体の表面の少なくとも一部を被覆するフッ
化膜とを備えている耐蝕性部材において、耐蝕性部材を
ハロゲン系の腐食性ガスに対して曝露したときに、腐食
による重量変化を減少させるのと同時に、パーティクル
の発生を一層抑制することである。
体と、この基体の表面の少なくとも一部を被覆するフッ
化膜とを備えている耐蝕性部材において、耐蝕性部材を
ハロゲン系の腐食性ガスに対して曝露したときに、腐食
による重量変化を減少させるのと同時に、パーティクル
の発生を一層抑制することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
からなる基体と、この基体の表面の少なくとも一部を被
覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性部材であって、フ
ッ化物膜が基体をフッ素化合物に対して直接接触させる
ことによって生成しており、フッ化膜の厚さが０．０１
−５．０μｍであり、基体中の珪素の量が酸化珪素に換
算して０．５重量％以下であることを特徴とする。
からなる基体と、この基体の表面の少なくとも一部を被
覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性部材であって、フ
ッ化物膜が基体をフッ素化合物に対して直接接触させる
ことによって生成しており、フッ化膜の厚さが０．０１
−５．０μｍであり、基体中の珪素の量が酸化珪素に換
算して０．５重量％以下であることを特徴とする。
【０００８】本発明者は、基体をフッ素化合物に対して
直接接触させることによってフッ化膜を生成させたと
き、この耐蝕性部材のハロゲン系腐食性ガスまたはその
プラズマに対して曝露したときのパーティクルの発生量
が、セラミックス基体中の珪素の含有量に大きく依存す
ることを見出し、本発明に到達した。
直接接触させることによってフッ化膜を生成させたと
き、この耐蝕性部材のハロゲン系腐食性ガスまたはその
プラズマに対して曝露したときのパーティクルの発生量
が、セラミックス基体中の珪素の含有量に大きく依存す
ることを見出し、本発明に到達した。
【０００９】具体的には、基体中の珪素の量を酸化珪素
に換算して０．５重量％以下とすることによって、パー
ティクルの発生量が著しく減少した。この理由は明確で
はないが、次のように推測される。
に換算して０．５重量％以下とすることによって、パー
ティクルの発生量が著しく減少した。この理由は明確で
はないが、次のように推測される。
【００１０】セラミックスを高温のフッ素ガスに対して
接触させたときに、セラミックス中に存在する珪素が、
フッ素と反応し、四フッ化珪素を生成するものと思われ
る。四フッ化珪素は高温ではガスとして揮発する。この
ため、セラミックス中の珪素の含有量が多いと、フッ化
層が生成しにくくなり、あるいはフッ化層が生成したと
きにはフッ化層の基体表面に対する密着性が悪くなり、
あるいは膜質が劣化するものと思われる。このため、最
終的に得られた耐蝕性部材をハロゲン系腐食性ガスまた
はそのプラズマに対して曝露すると、フッ化膜の一部が
剥離してパーティクルが生成するものと思われる。
接触させたときに、セラミックス中に存在する珪素が、
フッ素と反応し、四フッ化珪素を生成するものと思われ
る。四フッ化珪素は高温ではガスとして揮発する。この
ため、セラミックス中の珪素の含有量が多いと、フッ化
層が生成しにくくなり、あるいはフッ化層が生成したと
きにはフッ化層の基体表面に対する密着性が悪くなり、
あるいは膜質が劣化するものと思われる。このため、最
終的に得られた耐蝕性部材をハロゲン系腐食性ガスまた
はそのプラズマに対して曝露すると、フッ化膜の一部が
剥離してパーティクルが生成するものと思われる。
【００１１】本発明において、フッ化膜とは、フッ素を
何らかの形で含有する層のことを言う。フッ化膜は、基
体中に含有されていた金属元素の他、窒素、炭素、酸素
および不可避的不純物を含んでいてよい。フッ化膜は、
フッ素化合物からなる膜であってもよい。このフッ素化
合物とは、フッ素原子を化学量論比率で含有する化合物
であり、例えばフッ化アルミニウム等の金属フッ化物を
含む。
何らかの形で含有する層のことを言う。フッ化膜は、基
体中に含有されていた金属元素の他、窒素、炭素、酸素
および不可避的不純物を含んでいてよい。フッ化膜は、
フッ素化合物からなる膜であってもよい。このフッ素化
合物とは、フッ素原子を化学量論比率で含有する化合物
であり、例えばフッ化アルミニウム等の金属フッ化物を
含む。
【００１２】フッ化膜の膜厚も重要であり、０．０１−
５．０μｍとする。これを０．０１μｍ以上とすること
によって、基体の耐蝕性を確保できる。この観点から、
フッ化膜の厚さは、０．０５μｍ以上であることが更に
好ましい。
５．０μｍとする。これを０．０１μｍ以上とすること
によって、基体の耐蝕性を確保できる。この観点から、
フッ化膜の厚さは、０．０５μｍ以上であることが更に
好ましい。
【００１３】フッ化膜の厚さは、５．０μｍ以下とする
必要があり、これによって耐蝕性部材をハロゲン系腐食
性ガスに曝露したときに、フッ化膜の剥離によるパーテ
ィクルの発生を防止できる。この観点から、フッ化膜の
厚さは、３．０μｍ以下であることが更に好ましい。
必要があり、これによって耐蝕性部材をハロゲン系腐食
性ガスに曝露したときに、フッ化膜の剥離によるパーテ
ィクルの発生を防止できる。この観点から、フッ化膜の
厚さは、３．０μｍ以下であることが更に好ましい。
【００１４】セラミックス中の珪素の含有量は、パーテ
ィクルを一層抑制する上で、０．２重量％以下とするこ
とが更に好ましい。
ィクルを一層抑制する上で、０．２重量％以下とするこ
とが更に好ましい。
【００１５】セラミックスの種類は特に限定されない
が、アルミニウム、希土類元素およびアルカリ土類金属
元素からなる群より選ばれた一種の金属の酸化物または
窒化物が好ましい。あるいは、アルミニウム、希土類元
素およびアルカリ土類金属元素からなる群より選ばれた
二種以上の金属の複合酸化物または複合窒化物が好まし
い。この場合には、フッ化膜は、前記金属のフッ化物か
らなる。
が、アルミニウム、希土類元素およびアルカリ土類金属
元素からなる群より選ばれた一種の金属の酸化物または
窒化物が好ましい。あるいは、アルミニウム、希土類元
素およびアルカリ土類金属元素からなる群より選ばれた
二種以上の金属の複合酸化物または複合窒化物が好まし
い。この場合には、フッ化膜は、前記金属のフッ化物か
らなる。
【００１６】好ましくは、セラミックスは、アルミニウ
ムと一種以上の希土類元素との複合酸化物または複合窒
化物である。この場合には、希土類元素もフッ化される
ために、フッ化膜が、アルミニウムのフッ化物と一種以
上の希土類元素のフッ化物とを含有する。こうした希土
類元素としては、イットリウム、イッテルビウム、セリ
ウムが好ましく、イットリウムが特に好ましい。
ムと一種以上の希土類元素との複合酸化物または複合窒
化物である。この場合には、希土類元素もフッ化される
ために、フッ化膜が、アルミニウムのフッ化物と一種以
上の希土類元素のフッ化物とを含有する。こうした希土
類元素としては、イットリウム、イッテルビウム、セリ
ウムが好ましく、イットリウムが特に好ましい。
【００１７】また、好ましくは、セラミックスは、アル
ミニウムと一種以上のアルカリ土類金属元素との複合酸
化物または複合窒化物である。この場合には、アルカリ
土類金属元素もフッ化されるために、フッ化膜が、アル
ミニウムのフッ化物と一種以上のアルカリ土類金属元素
のフッ化物とを含有する。こうしたアルカリ土類金属元
素としては、マグネシウムが特に好ましい。
ミニウムと一種以上のアルカリ土類金属元素との複合酸
化物または複合窒化物である。この場合には、アルカリ
土類金属元素もフッ化されるために、フッ化膜が、アル
ミニウムのフッ化物と一種以上のアルカリ土類金属元素
のフッ化物とを含有する。こうしたアルカリ土類金属元
素としては、マグネシウムが特に好ましい。
【００１８】特に好ましくは、セラミックスがアルミナ
または窒化アルミニウムであり、フッ化膜がアルミニウ
ムのフッ化物からなる。
または窒化アルミニウムであり、フッ化膜がアルミニウ
ムのフッ化物からなる。
【００１９】また、一種のアルカリ土類金属元素の酸化
物または窒化物としては、酸化物が好ましく、特にマグ
ネシアが好ましい。
物または窒化物としては、酸化物が好ましく、特にマグ
ネシアが好ましい。
【００２０】また、一種の希土類元素の酸化物または窒
化物としては、酸化物が好ましく、特にイットリア、酸
化イッテルビウム、セリアが好ましく、特にイットリア
が好ましい。
化物としては、酸化物が好ましく、特にイットリア、酸
化イッテルビウム、セリアが好ましく、特にイットリア
が好ましい。
【００２１】本発明の耐蝕性部材の製造方法は特に限定
されない。しかし、特に好適な製法として、以下を例示
する。
されない。しかし、特に好適な製法として、以下を例示
する。
【００２２】即ち、セラミックスからなる基体中の珪素
の量が酸化珪素に換算して０．５重量％以下であるよう
な基体を準備し、気体状フッ素を６０％以上含有する雰
囲気中で基体を熱処理することによって、フッ化膜を生
成させる。この際、特に好ましくは、実質的に気体状フ
ッ素からなる雰囲気中で基体を熱処理することによって
フッ化膜を生成させる（ただし、雰囲気中に不可避的不
純物は含有されていてよい）。
の量が酸化珪素に換算して０．５重量％以下であるよう
な基体を準備し、気体状フッ素を６０％以上含有する雰
囲気中で基体を熱処理することによって、フッ化膜を生
成させる。この際、特に好ましくは、実質的に気体状フ
ッ素からなる雰囲気中で基体を熱処理することによって
フッ化膜を生成させる（ただし、雰囲気中に不可避的不
純物は含有されていてよい）。
【００２３】この反応は、３００−５００℃で行うこと
が好ましく、フッ素ガスの分圧は０．５−２．０気圧と
することが好ましい。反応時間は限定されないが、１−
１０時間が通常である。
が好ましく、フッ素ガスの分圧は０．５−２．０気圧と
することが好ましい。反応時間は限定されないが、１−
１０時間が通常である。
【００２４】上記の製法が、本発明の耐蝕性部材を製造
する上で特に有用であるのは、以下の理由による。即
ち、セラミックス基体を高濃度のフッ素ガスに曝露した
ときに、基体中に酸化物換算で０．５重量％を超える珪
素が含有されていた場合には、前記した理由から基体の
表面が過度に粗れ、良質なフッ化膜を形成することが困
難であった。本製造方法においては、セラミックス基体
を高濃度のフッ素ガスに曝露するのに際して、基体中の
珪素濃度を酸化物に換算して０．５重量％以下と少なく
することによって、良質なフッ化膜を得ることができ
る。これによって耐蝕性部材をハロゲン系腐食性ガスま
たはそのプラズマに対して曝露したとのパーティクルを
減少させ得る。
する上で特に有用であるのは、以下の理由による。即
ち、セラミックス基体を高濃度のフッ素ガスに曝露した
ときに、基体中に酸化物換算で０．５重量％を超える珪
素が含有されていた場合には、前記した理由から基体の
表面が過度に粗れ、良質なフッ化膜を形成することが困
難であった。本製造方法においては、セラミックス基体
を高濃度のフッ素ガスに曝露するのに際して、基体中の
珪素濃度を酸化物に換算して０．５重量％以下と少なく
することによって、良質なフッ化膜を得ることができ
る。これによって耐蝕性部材をハロゲン系腐食性ガスま
たはそのプラズマに対して曝露したとのパーティクルを
減少させ得る。
【００２５】フッ素ガスによる処理の前に、基体を１０
０−５００℃で不活性雰囲気中で熱処理することによっ
て、基体の表面の水分を除去することが好ましい。
０−５００℃で不活性雰囲気中で熱処理することによっ
て、基体の表面の水分を除去することが好ましい。
【００２６】また、フッ素ガスによる処理の後に、基体
を１００−５００℃で不活性雰囲気中で熱処理すること
によって、フッ化膜を安定化させることができる。また
は、フッ素ガスによる処理の後に、基体を１００−４０
０℃で大気中で熱処理することによって、フッ化膜を安
定化させることができる。
を１００−５００℃で不活性雰囲気中で熱処理すること
によって、フッ化膜を安定化させることができる。また
は、フッ素ガスによる処理の後に、基体を１００−４０
０℃で大気中で熱処理することによって、フッ化膜を安
定化させることができる。
【００２７】フッ化処理を行う際には、Ｎｉ−Ｐメッキ
を施したフッ化処理チャンバー内にセラミックス基体を
設置し、フッ素ガスをチャンバー内に導入することが好
ましい。Ｎｉ−Ｐメッキを施したチャンバーがフッ素ガ
スに対する耐蝕性に優れることは、特開平９−３２４３
８４号公報に記載されている。
を施したフッ化処理チャンバー内にセラミックス基体を
設置し、フッ素ガスをチャンバー内に導入することが好
ましい。Ｎｉ−Ｐメッキを施したチャンバーがフッ素ガ
スに対する耐蝕性に優れることは、特開平９−３２４３
８４号公報に記載されている。
【００２８】本発明の耐蝕性部材の用途は、限定されな
い。しかし、好ましくは、半導体製造装置、フラットパ
ネルディスプレイ製造装置、ハードディスク製造装置等
の処理装置（化学的気相成長装置など）において、ハロ
ゲン系腐食性ガスに対して少なくとも一部が接触するよ
うな部材として利用できる。こうしたハロゲン系腐食性
ガスとしては、ＣｌＦ3 、ＮＦ3 、ＣＦ4 、ＨＦ、ＨＣ
ｌ、Ｃｌ2、Ｃx Ｆy などのクリーニングガス、エッチ
ングガス、ＷＦ6 などの成膜ガスが挙げられる。
い。しかし、好ましくは、半導体製造装置、フラットパ
ネルディスプレイ製造装置、ハードディスク製造装置等
の処理装置（化学的気相成長装置など）において、ハロ
ゲン系腐食性ガスに対して少なくとも一部が接触するよ
うな部材として利用できる。こうしたハロゲン系腐食性
ガスとしては、ＣｌＦ3 、ＮＦ3 、ＣＦ4 、ＨＦ、ＨＣ
ｌ、Ｃｌ2、Ｃx Ｆy などのクリーニングガス、エッチ
ングガス、ＷＦ6 などの成膜ガスが挙げられる。
【００２９】また、耐蝕性部材の具体例としては、赤外
線ランプ加熱によって発熱するサセプター、セラミック
スヒーター及びセラミックスヒーターの発熱面に設置さ
れるサセプター、静電チャック用電極が埋設されている
サセプター、静電チャック用電極及び抵抗発熱体が埋設
されているサセプター、高周波プラズマ発生用電極が埋
設されているサセプター、高周波プラズマ発生用電極及
び抵抗発熱体が埋設されたサセプター、シャワー板を例
示できる。
線ランプ加熱によって発熱するサセプター、セラミック
スヒーター及びセラミックスヒーターの発熱面に設置さ
れるサセプター、静電チャック用電極が埋設されている
サセプター、静電チャック用電極及び抵抗発熱体が埋設
されているサセプター、高周波プラズマ発生用電極が埋
設されているサセプター、高周波プラズマ発生用電極及
び抵抗発熱体が埋設されたサセプター、シャワー板を例
示できる。
【００３０】また、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ2 エキシマレー
ザーのようなエキシマレーザー発生装置において、耐蝕
性部材からなるフランジ管を、フッ素ガスやフッ素化合
物ガスを供給するのに使用できる。また、メタルハライ
ドランプのような放電灯において、金属ハロゲン化物を
封入する発光管用耐蝕性部材として使用できる。
ザーのようなエキシマレーザー発生装置において、耐蝕
性部材からなるフランジ管を、フッ素ガスやフッ素化合
物ガスを供給するのに使用できる。また、メタルハライ
ドランプのような放電灯において、金属ハロゲン化物を
封入する発光管用耐蝕性部材として使用できる。
【００３１】
【実施例】（実施例１）珪素不純物の含有量が酸化珪素
に換算して７３０ｐｐｍ（０．０７３重量％）のアルミ
ナ焼結体を作成し、この焼結体から縦１０ｍｍ，横１０
ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面を
鏡面研磨し、中心線平均表面粗さＲａ＝０．０２μｍ程
度の鏡面を得、後の解析に供した。
に換算して７３０ｐｐｍ（０．０７３重量％）のアルミ
ナ焼結体を作成し、この焼結体から縦１０ｍｍ，横１０
ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面を
鏡面研磨し、中心線平均表面粗さＲａ＝０．０２μｍ程
度の鏡面を得、後の解析に供した。
【００３２】Ｎｉ−Ｐメッキしたチャンバー内に試験片
を設置し、窒素ガスをチャンバー内に導入し、５００℃
でベーキングし、チャンバー内の温度を４００℃にし、
１００％Ｆ2 ガスを導入し（圧力１ａｔｍ）、５時間熱
処理した。熱処理後、４００℃の温度を維持したまま、
チャンバー内に窒素ガスを導入し、４時間の安定化処理
を行った。そのあと、室温まで降温し、試験片を取り出
し、洗浄、乾燥した。
を設置し、窒素ガスをチャンバー内に導入し、５００℃
でベーキングし、チャンバー内の温度を４００℃にし、
１００％Ｆ2 ガスを導入し（圧力１ａｔｍ）、５時間熱
処理した。熱処理後、４００℃の温度を維持したまま、
チャンバー内に窒素ガスを導入し、４時間の安定化処理
を行った。そのあと、室温まで降温し、試験片を取り出
し、洗浄、乾燥した。
【００３３】試験片の表面を走査型電子顕微鏡で観察し
たところ、図５に示すように、もやもやした形態が観察
された。また、図６に示すように、断面を観察したとこ
ろ、試験片の表面にははっきりした表面層は観察されな
かった（倍率１万倍）。
たところ、図５に示すように、もやもやした形態が観察
された。また、図６に示すように、断面を観察したとこ
ろ、試験片の表面にははっきりした表面層は観察されな
かった（倍率１万倍）。
【００３４】走査型電子顕微鏡に付属したＥＤＳによっ
て表面分析したところ、図１に示すようにフッ素のピー
クが観測された。
て表面分析したところ、図１に示すようにフッ素のピー
クが観測された。
【００３５】また、試験片の表面について、ＸＰＳによ
ってＡｌ2 p の状態スペクトルを観測し、図２に示す。
ただし、図２において、ＡｌＦ3 （参照）は、ＡｌＦ3
粉末のデータである。Ａｌ2 Ｏ3 （参照）は、アルミナ
焼結体のデータである。（本発明例）は、前記の試験片
のデータである。図２の横軸は結合エネルギーであり、
縦軸はピーク強度（任意単位）を示す。本発明例のピー
クシフト値は、アルミナからは離れており、三フッ化ア
ルミニウム粉末に近いことが分かる。このピークシフト
から、アルミニウム元素は、アルミナではなくフッ化ア
ルミニウムとして存在しているものと考えられる。
ってＡｌ2 p の状態スペクトルを観測し、図２に示す。
ただし、図２において、ＡｌＦ3 （参照）は、ＡｌＦ3
粉末のデータである。Ａｌ2 Ｏ3 （参照）は、アルミナ
焼結体のデータである。（本発明例）は、前記の試験片
のデータである。図２の横軸は結合エネルギーであり、
縦軸はピーク強度（任意単位）を示す。本発明例のピー
クシフト値は、アルミナからは離れており、三フッ化ア
ルミニウム粉末に近いことが分かる。このピークシフト
から、アルミニウム元素は、アルミナではなくフッ化ア
ルミニウムとして存在しているものと考えられる。
【００３６】また、試験片について、ＸＰＳによって得
られたＤｅｐｔｈプロファイル（試験片の深さ方向のプ
ロファイル）を図３、図４に示す。ＸＰＳの測定条件
は、以下のとおりである。「フィジカル・エレクトロニ
クス社(Physical Electronics)製の「ESCA-5700ci 」を
使用した。平面的には直径0.8 ｍｍの円内の情報が得ら
れ、深さ方向には約100 オングストロームの深さの平均
値が得られる。スパッタリングを行い、試験片をその表
面から深さ方向へと掘り進めながら、ある深さにおける
情報を得る。このスパッタ処理にはアルゴンイオンビー
ム（３ｋＶ）を使用し、スパッタ速度は３．９３ｎｍ／
ｍｉｎ（酸化珪素）である。
られたＤｅｐｔｈプロファイル（試験片の深さ方向のプ
ロファイル）を図３、図４に示す。ＸＰＳの測定条件
は、以下のとおりである。「フィジカル・エレクトロニ
クス社(Physical Electronics)製の「ESCA-5700ci 」を
使用した。平面的には直径0.8 ｍｍの円内の情報が得ら
れ、深さ方向には約100 オングストロームの深さの平均
値が得られる。スパッタリングを行い、試験片をその表
面から深さ方向へと掘り進めながら、ある深さにおける
情報を得る。このスパッタ処理にはアルゴンイオンビー
ム（３ｋＶ）を使用し、スパッタ速度は３．９３ｎｍ／
ｍｉｎ（酸化珪素）である。
【００３７】図３において、縦軸はＦ、Ｏ、Ａｌ、Ｃの
原子数比を示しており、横軸はスパッタ時間（分）を示
す。スパッタ時間が長いほど、試験片の表面から深い位
置にあることを示している。スパッタ時間は最長１００
分間である。また、図４において、縦軸はＦ、Ｏ、Ａ
ｌ、Ｃのピーク面積（実測の信号強度）を示しており、
横軸はスパッタ時間（分）を示す。スパッタ時間が長い
ほど、試験片の表面から深い位置にあることを示してい
る。
原子数比を示しており、横軸はスパッタ時間（分）を示
す。スパッタ時間が長いほど、試験片の表面から深い位
置にあることを示している。スパッタ時間は最長１００
分間である。また、図４において、縦軸はＦ、Ｏ、Ａ
ｌ、Ｃのピーク面積（実測の信号強度）を示しており、
横軸はスパッタ時間（分）を示す。スパッタ時間が長い
ほど、試験片の表面から深い位置にあることを示してい
る。
【００３８】図３、図４の結果から分かるように、試験
片の表面付近にＦのピークが存在しており、Ｆのピーク
から更に右側に向かうのにつれて、Ｆが急速に減少し、
酸素によって置換されていることが分かる。
片の表面付近にＦのピークが存在しており、Ｆのピーク
から更に右側に向かうのにつれて、Ｆが急速に減少し、
酸素によって置換されていることが分かる。
【００３９】図４において、Ｆのピーク強度が、その最
大値の半分になる位置の、表面からの距離を、膜厚と仮
定した。ＸＰＳによる測定では、深さの絶対値は分から
ない。このため、スパッタ時間１００分経過後の試験片
の表面からのスパッタ深さを、３次元計測器によって計
測した。Ｆのピーク強度がその最大値の半分になる位置
の表面からの距離は、０．１μｍであった。
大値の半分になる位置の、表面からの距離を、膜厚と仮
定した。ＸＰＳによる測定では、深さの絶対値は分から
ない。このため、スパッタ時間１００分経過後の試験片
の表面からのスパッタ深さを、３次元計測器によって計
測した。Ｆのピーク強度がその最大値の半分になる位置
の表面からの距離は、０．１μｍであった。
【００４０】この試験片について、腐食減量とパーティ
クルの発生量とを測定した。具体的には、ＮＦ3 および
Ｎ2 ガスをそれぞれ７５ｓｃｃｍおよび１００ｓｃｃｍ
の流量で流し、圧力０．１Ｔｏｒｒの混合雰囲気を得、
この混合雰囲気を周波数１３．５６ＭＨｚ、８００Ｗの
誘導結合プラズマによって励起し、フッ素ガスプラズマ
を得た。このフッ素ガスプラズマ中に試験片を５５０℃
で５時間保持し、重量減少量を測定し、腐食減量とし
た。腐食減量が少ないほど耐蝕性が高い。
クルの発生量とを測定した。具体的には、ＮＦ3 および
Ｎ2 ガスをそれぞれ７５ｓｃｃｍおよび１００ｓｃｃｍ
の流量で流し、圧力０．１Ｔｏｒｒの混合雰囲気を得、
この混合雰囲気を周波数１３．５６ＭＨｚ、８００Ｗの
誘導結合プラズマによって励起し、フッ素ガスプラズマ
を得た。このフッ素ガスプラズマ中に試験片を５５０℃
で５時間保持し、重量減少量を測定し、腐食減量とし
た。腐食減量が少ないほど耐蝕性が高い。
【００４１】また、前記フッ素ガスプラズマに対して試
験片を曝露した後、この試験片に対して、鏡面研磨され
たシリコンウエハーの鏡面を、加重５０ｇｆ／ｃｍ2 で
押しつけた。次いで、シリコンウエハーを試験片から離
し、シリコンウエハーの鏡面に付着したパーティクルの
個数を、半導体製造工場において一般的なパーティクル
カウンターを用いて測定した。
験片を曝露した後、この試験片に対して、鏡面研磨され
たシリコンウエハーの鏡面を、加重５０ｇｆ／ｃｍ2 で
押しつけた。次いで、シリコンウエハーを試験片から離
し、シリコンウエハーの鏡面に付着したパーティクルの
個数を、半導体製造工場において一般的なパーティクル
カウンターを用いて測定した。
【００４２】この結果、腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2
であり、パーティクル数は４個／ｃｍ2 であった。
であり、パーティクル数は４個／ｃｍ2 であった。
【００４３】（実施例２）実施例１において、１００％
Ｆ2 ガスによる処理を４５０℃で６０時間行った。これ
以外は実施例１と同様にして試験片を作製し、解析し
た。この結果、走査型電子顕微鏡、ＸＰＳ、Ｄｅｐｔｈ
プロファイルは、実施例１とほぼ同様であった。フッ化
膜の膜厚は５．０μｍと見積もられた。
Ｆ2 ガスによる処理を４５０℃で６０時間行った。これ
以外は実施例１と同様にして試験片を作製し、解析し
た。この結果、走査型電子顕微鏡、ＸＰＳ、Ｄｅｐｔｈ
プロファイルは、実施例１とほぼ同様であった。フッ化
膜の膜厚は５．０μｍと見積もられた。
【００４４】この結果、腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2
未満であり、パーティクル数は５個／ｃｍ2 であった。
未満であり、パーティクル数は５個／ｃｍ2 であった。
【００４５】（実施例３）実施例１において、６０％Ｆ
2 および４０％Ｎ2 の混合雰囲気中で、全圧１ａｔｍで
前記処理を１２０時間行った。これ以外は実施例１と同
様にして試験片を作製し、解析した。この結果、走査型
電子顕微鏡、ＸＰＳ、Ｄｅｐｔｈプロファイルは、実施
例１とほぼ同様であった。フッ化膜の膜厚は０．１μｍ
と見積もられた。
2 および４０％Ｎ2 の混合雰囲気中で、全圧１ａｔｍで
前記処理を１２０時間行った。これ以外は実施例１と同
様にして試験片を作製し、解析した。この結果、走査型
電子顕微鏡、ＸＰＳ、Ｄｅｐｔｈプロファイルは、実施
例１とほぼ同様であった。フッ化膜の膜厚は０．１μｍ
と見積もられた。
【００４６】この結果、腐食減量は０．２ｍｇ／ｃｍ2
であり、パーティクル数は５個／ｃｍ2 であった。
であり、パーティクル数は５個／ｃｍ2 であった。
【００４７】（比較例１）実施例１において、１００％
Ｆ2 ガスによる処理を５００℃で６０時間行った。これ
以外は実施例１同様にして試験片を作製し、解析した。
この結果、走査型電子顕微鏡、ＸＰＳ、Ｄｅｐｔｈプロ
ファイルは、実施例１とほぼ同様であった。フッ化膜の
膜厚は１０．０μｍと見積もられた。
Ｆ2 ガスによる処理を５００℃で６０時間行った。これ
以外は実施例１同様にして試験片を作製し、解析した。
この結果、走査型電子顕微鏡、ＸＰＳ、Ｄｅｐｔｈプロ
ファイルは、実施例１とほぼ同様であった。フッ化膜の
膜厚は１０．０μｍと見積もられた。
【００４８】この結果、腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2
未満であり、耐蝕性は高いが、パーティクル数は２１個
／ｃｍ2 であった。
未満であり、耐蝕性は高いが、パーティクル数は２１個
／ｃｍ2 であった。
【００４９】（比較例２）公称純度９９％の市販の半導
体製造装置用アルミナ焼結体を購入した。焼結体中の珪
素の含有量は、酸化珪素に換算して０．９重量％であっ
た。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２
ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析の
ためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨し
た。この試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。
体製造装置用アルミナ焼結体を購入した。焼結体中の珪
素の含有量は、酸化珪素に換算して０．９重量％であっ
た。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２
ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析の
ためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨し
た。この試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。
【００５０】得られた試験片の表面は、かなり荒れた外
見を示した。走査型顕微鏡に付属するＥＤＳの観測結果
は、実施例１と同様であった。また、ＸＰＳでＡｌ2 p
の状態スペクトルを観測した。この結果、ピークシフト
から、Ａｌは、酸化物ではなくフッ化物の形で存在して
いるものと考えられた。膜厚は０．２μｍと見積もられ
た。
見を示した。走査型顕微鏡に付属するＥＤＳの観測結果
は、実施例１と同様であった。また、ＸＰＳでＡｌ2 p
の状態スペクトルを観測した。この結果、ピークシフト
から、Ａｌは、酸化物ではなくフッ化物の形で存在して
いるものと考えられた。膜厚は０．２μｍと見積もられ
た。
【００５１】腐食減量は１．３ｍｇ／ｃｍ2 未満であ
り、パーティクル数は７５個／ｃｍ2 であった。
り、パーティクル数は７５個／ｃｍ2 であった。
【００５２】（比較例３）公称純度９２％の市販の半導
体製造装置用アルミナ焼結体を購入した。焼結体中の珪
素の含有量は、酸化珪素に換算して５．７重量％であっ
た。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２
ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析の
ためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨し
た。この試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。
体製造装置用アルミナ焼結体を購入した。焼結体中の珪
素の含有量は、酸化珪素に換算して５．７重量％であっ
た。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２
ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析の
ためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨し
た。この試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。
【００５３】得られた試験片の表面は、非常に粗れてお
り、多数の空洞が見られた。また、フッ化膜は形成され
なかった。このため、腐食減量およびパーティクル数は
測定していない。
り、多数の空洞が見られた。また、フッ化膜は形成され
なかった。このため、腐食減量およびパーティクル数は
測定していない。
【００５４】（実施例４）イットリアとアルミナとを適
量混合し、焼結助剤として微量のシリカゾルを添加して
混合粉末を得、この混合粉末を焼結することにより、イ
ットリアアルミネートの一種であるＹ3 Ａｌ5 Ｏ12を得
た。焼結体中の珪素の含有量は酸化珪素に換算して４５
００ｐｐｍ（０．４５重量％）であった。この焼結体か
ら、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作
製した。試験片の片面は、後の解析のためにＲａ＝０．
０２μｍ程度になるまで鏡面研磨した。この試験片を実
施例１と同様に処理し、試験した。ただし、３５０℃で
１００％Ｆ2 ガスを１ａｔｍで導入し、１０時間熱処理
した。
量混合し、焼結助剤として微量のシリカゾルを添加して
混合粉末を得、この混合粉末を焼結することにより、イ
ットリアアルミネートの一種であるＹ3 Ａｌ5 Ｏ12を得
た。焼結体中の珪素の含有量は酸化珪素に換算して４５
００ｐｐｍ（０．４５重量％）であった。この焼結体か
ら、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作
製した。試験片の片面は、後の解析のためにＲａ＝０．
０２μｍ程度になるまで鏡面研磨した。この試験片を実
施例１と同様に処理し、試験した。ただし、３５０℃で
１００％Ｆ2 ガスを１ａｔｍで導入し、１０時間熱処理
した。
【００５５】得られた試験片について、走査型顕微鏡お
よびこれに付属するＥＤＳの観測結果は、実施例１と同
様であった。また、ＸＰＳでＡｌ2 p の状態スペクト
ル、Ｙの状態スペクトルを観測した。この結果、各ピー
クシフトから、Ａｌ、Ｙ共に、酸化物ではなくフッ化物
の形で存在しているものと考えられた。即ち、ＡｌＦ3
とＹＦ3 とが混在していると考えられた。膜厚は０．２
μｍと見積もられた。
よびこれに付属するＥＤＳの観測結果は、実施例１と同
様であった。また、ＸＰＳでＡｌ2 p の状態スペクト
ル、Ｙの状態スペクトルを観測した。この結果、各ピー
クシフトから、Ａｌ、Ｙ共に、酸化物ではなくフッ化物
の形で存在しているものと考えられた。即ち、ＡｌＦ3
とＹＦ3 とが混在していると考えられた。膜厚は０．２
μｍと見積もられた。
【００５６】腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2 未満であ
り、パーティクル数は４個／ｃｍ2 であった。
り、パーティクル数は４個／ｃｍ2 であった。
【００５７】（実施例５）珪素の含有量が酸化珪素に換
算して０．３重量％のマグネシア焼結体を作製した。こ
の焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの
試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析のために
Ｒａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨した。この
試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。ただし、
４００℃で１００％Ｆ2 ガスを１．５ａｔｍで導入し、
６時間熱処理した。
算して０．３重量％のマグネシア焼結体を作製した。こ
の焼結体から、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの
試験片を作製した。試験片の片面は、後の解析のために
Ｒａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研磨した。この
試験片を実施例１と同様に処理し、試験した。ただし、
４００℃で１００％Ｆ2 ガスを１．５ａｔｍで導入し、
６時間熱処理した。
【００５８】得られた試験片について、走査型顕微鏡お
よびこれに付属するＥＤＳの観測結果は、実施例１と同
様であった。また、ＸＰＳでＭｇの状態スペクトルを観
測した。この結果、ピークシフトから、Ｍｇは、酸化物
ではなくフッ化物の形で存在しているものと考えられ
た。膜厚は１．０μｍと見積もられた。
よびこれに付属するＥＤＳの観測結果は、実施例１と同
様であった。また、ＸＰＳでＭｇの状態スペクトルを観
測した。この結果、ピークシフトから、Ｍｇは、酸化物
ではなくフッ化物の形で存在しているものと考えられ
た。膜厚は１．０μｍと見積もられた。
【００５９】腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2 未満であ
り、パーティクル数は６個／ｃｍ2 であった。
り、パーティクル数は６個／ｃｍ2 であった。
【００６０】（実施例６）高純度窒化アルミニウム粉末
に対して、イットリアを焼結助剤として０．１重量％添
加し、焼結させることにより、窒化アルミニウム焼結体
を得た。焼結体中の珪素の含有量は酸化珪素に換算して
５０ｐｐｍであった。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横
１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片
面は、後の解析のためにＲａ＝０．０４μｍ程度になる
まで鏡面研磨した。この試験片を実施例１と同様に処理
し、試験した。
に対して、イットリアを焼結助剤として０．１重量％添
加し、焼結させることにより、窒化アルミニウム焼結体
を得た。焼結体中の珪素の含有量は酸化珪素に換算して
５０ｐｐｍであった。この焼結体から、縦１０ｍｍ、横
１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片
面は、後の解析のためにＲａ＝０．０４μｍ程度になる
まで鏡面研磨した。この試験片を実施例１と同様に処理
し、試験した。
【００６１】得られた試験片について、走査型顕微鏡お
よびこれに付属するＥＤＳの観測結果は、実施例１と同
様であった。また、ＸＰＳでＡｌ2pの状態スペクトルを
観測した。この結果、ピークシフトから、Ａｌは、窒化
物ではなくフッ化物の形で存在しているものと考えられ
た。膜厚は０．１μｍと見積もられた。
よびこれに付属するＥＤＳの観測結果は、実施例１と同
様であった。また、ＸＰＳでＡｌ2pの状態スペクトルを
観測した。この結果、ピークシフトから、Ａｌは、窒化
物ではなくフッ化物の形で存在しているものと考えられ
た。膜厚は０．１μｍと見積もられた。
【００６２】腐食減量は０．１ｍｇ／ｃｍ2 未満であ
り、パーティクル数は７個／ｃｍ2 であった。
り、パーティクル数は７個／ｃｍ2 であった。
【００６３】（比較例４）窒化珪素粉末に対してイット
リアとマグネシアとを焼結助剤として適量添加し、窒化
珪素焼結体を得た。この焼結体から縦１０ｍｍ、横１０
ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面
は、後の解析のためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるま
で鏡面研磨した。
リアとマグネシアとを焼結助剤として適量添加し、窒化
珪素焼結体を得た。この焼結体から縦１０ｍｍ、横１０
ｍｍ、厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面
は、後の解析のためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるま
で鏡面研磨した。
【００６４】この試験片を実施例１と同様に処理したと
ころ、試験片は揮発し、消滅した。
ころ、試験片は揮発し、消滅した。
【００６５】（比較例５）炭化珪素粉末に対してボロン
とカーボンとを焼結助剤として適量添加し、炭化珪素焼
結体を得た。この焼結体から縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、
厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の
解析のためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研
磨した。
とカーボンとを焼結助剤として適量添加し、炭化珪素焼
結体を得た。この焼結体から縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、
厚さ２ｍｍの試験片を作製した。試験片の片面は、後の
解析のためにＲａ＝０．０２μｍ程度になるまで鏡面研
磨した。
【００６６】この試験片を実施例１と同様に処理したと
ころ、試験片は揮発し、消滅した。
ころ、試験片は揮発し、消滅した。
【００６７】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれ
ば、セラミックスからなる基体と、この基体の表面の少
なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性
部材において、腐食による重量変化を減少させるのと同
時に、パーティクルの発生を一層抑制できる。
ば、セラミックスからなる基体と、この基体の表面の少
なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えている耐蝕性
部材において、腐食による重量変化を減少させるのと同
時に、パーティクルの発生を一層抑制できる。
【図１】本発明の実施例１の試験片について、走査型電
子顕微鏡に付属したＥＤＳによって表面分析した結果を
示すチャートである。
子顕微鏡に付属したＥＤＳによって表面分析した結果を
示すチャートである。
【図２】本発明の実施例１の試験片の表面について、Ｘ
ＰＳによってＡｌ2pの状態スペクトルを観測した結果を
示すチャートである。
ＰＳによってＡｌ2pの状態スペクトルを観測した結果を
示すチャートである。
【図３】本発明の実施例１の試験片の表面について、Ｘ
ＰＳによって得られたＤｅｐｔｈプロファイルを示すチ
ャートであり、縦軸は各元素の原子数比である。
ＰＳによって得られたＤｅｐｔｈプロファイルを示すチ
ャートであり、縦軸は各元素の原子数比である。
【図４】本発明の実施例１の試験片の表面について、Ｘ
ＰＳによって得られたＤｅｐｔｈプロファイルを示すチ
ャートであり、縦軸は各元素のピーク面積（実測の信号
強度）である。
ＰＳによって得られたＤｅｐｔｈプロファイルを示すチ
ャートであり、縦軸は各元素のピーク面積（実測の信号
強度）である。
【図５】本発明の実施例１の試験片の表面状態を示す走
査型電子顕微鏡写真である。
査型電子顕微鏡写真である。
【図６】本発明の実施例１の試験片の断面を示す走査型
電子顕微鏡写真である。
電子顕微鏡写真である。
Claims (10)
- 【請求項１】セラミックスからなる基体と、この基体の
表面の少なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えてい
る耐蝕性部材であって、 前記フッ化物膜が前記基体をフッ素化合物に対して直接
接触させることによって生成しており、前記フッ化膜の
厚さが０．０１−５．０μｍであり、前記基体中の珪素
の量が酸化珪素に換算して０．５重量％以下であること
を特徴とする、耐蝕性部材。 - 【請求項２】前記セラミックスが、アルミニウム、希土
類元素およびアルカリ土類金属元素からなる群より選ば
れた一種以上の金属の酸化物または窒化物であり、前記
フッ化膜が前記一種以上の金属のフッ化物からなること
を特徴とする、請求項１記載の耐蝕性部材。 - 【請求項３】前記セラミックスが、アルミニウムと一種
以上の希土類元素との複合酸化物または複合窒化物であ
り、前記フッ化膜がアルミニウムのフッ化物と前記一種
以上の希土類元素のフッ化物とを含有していることを特
徴とする、請求項２記載の耐蝕性部材。 - 【請求項４】前記セラミックスが、アルミニウムと一種
以上のアルカリ土類金属元素との複合酸化物または複合
窒化物であり、前記フッ化膜がアルミニウムのフッ化物
と前記一種以上のアルカリ土類金属のフッ化物とを含有
していることを特徴とする、請求項２記載の耐蝕性部
材。 - 【請求項５】前記セラミックスが、アルミナまたは窒化
アルミニウムであり、前記フッ化膜がフッ化アルミニウ
ムからなる主結晶相を含むことを特徴とする、請求項２
記載の耐蝕性部材。 - 【請求項６】前記セラミックスがマグネシアであり、前
記フッ化膜がフッ化マグネシウムからなる主結晶相を含
むことを特徴とする、請求項２記載の耐蝕性部材。 - 【請求項７】前記フッ素化合物が気体状フッ素であり、
気体状フッ素を６０％以上含有する雰囲気中で前記基体
を熱処理することによって前記フッ化膜が生成している
ことを特徴とする、請求項１−６のいずれか一つの請求
項に記載の耐蝕性部材。 - 【請求項８】前記フッ素化合物が気体状フッ素であり、
実質的に気体状フッ素からなる雰囲気中で前記基体を熱
処理することによって前記フッ化膜が生成していること
を特徴とする、請求項７記載の耐蝕性部材。 - 【請求項９】セラミックスからなる基体と、この基体の
表面の少なくとも一部を被覆するフッ化膜とを備えてい
る耐蝕性部材を製造するのに際して、前記基体中の珪素
の量が酸化珪素に換算して０．５重量％以下であり、気
体状フッ素を６０％以上含有する雰囲気中で前記基体を
熱処理することによって前記フッ化膜を生成させること
を特徴とする、耐蝕性部材の製造方法。 - 【請求項１０】実質的に気体状フッ素からなる雰囲気中
で前記基体を熱処理することによって前記フッ化膜を生
成させることを特徴とする、請求項９記載の耐蝕性部材
の製造方法。
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