JP4666576B2 - セラミック溶射部材の洗浄方法、該方法を実行するためのプログラム、記憶媒体、及びセラミック溶射部材 - Google Patents
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Description
の洗浄方法において、前記希土類金属酸化物はイットリアから成ることを特徴とする。
0の外へ排出する流路として機能する排気路12が形成される。この排気路12の途中に
は環状のバッフル板13が配設され、排気路12のバッフル板13より下流の空間は、可
変式バタフライバルブである自動圧力制御弁(automatic pressure control valve)(以
下「APC」という)14に連通する。APC14は、真空引き用の排気ポンプであるタ
ーボ分子ポンプ(以下「TMP」という)15に接続され、さらに、TMP15を介して
排気ポンプであるドライポンプ(以下「DP」という)16に接続されている。APC1
4、TMP15及びDP16によって構成される排気流路を以下「本排気ライン」と称す
るが、この本排気ラインは、APC14によってチャンバ10内の圧力制御を行うだけで
なくTMP15及びDP16によってチャンバ10内をほぼ真空状態になるまで減圧する
。
排気流路(以下「粗引きライン」という)に接続されている。この粗引きラインは、上記
空間とDP16とを連通させる、直径が例えば、25mmである排気管17と、排気管1
7の途中に配設されたバルブV2とを備える。このバルブV2は、上記空間とDP16と
を遮断することができる。粗引きラインはDP16によってチャンバ10内の気体を排出
する。
いる。この冷媒室25には、チラーユニット(図示せず)から配管26を介して所定温度
の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、当該冷媒の温度によってサセプタ11上のウエ
ハWの処理温度が制御される。
は、複数の伝熱ガス供給孔27及び伝熱ガス供給溝(図示せず)が配されている。これら
の伝熱ガス供給孔27等は、サセプタ11内部に配設された伝熱ガス供給ライン28を介
して、バルブV3を有する伝熱ガス供給管29に連通し、伝熱ガス供給管29に接続され
た伝熱ガス供給部(図示せず)からの伝熱ガス、例えば、Heガスを、吸着面とウエハW
の裏面との間隙に供給する。これにより、ウエハWとサセプタ11との熱伝達性が向上す
る。なお、バルブV3は、伝熱ガス供給孔27等と伝熱ガス供給部とを遮断することがで
きる。
シャーピン30が配設されている。これらのプッシャーピン30は、モータ(図示せず)
の回転運動がボールねじ等によって直線運動に変換されることにより、図中上下方向に移
動する。ウエハWが吸着面に吸着保持されるときには、プッシャーピン30はサセプタ1
1に収容され、エッチング処理が施される等してプラズマ処理が終了したウエハWをチャ
ンバ10から搬出するときには、プッシャーピン30はサセプタ11の上面から突出して
ウエハWをサセプタ11から離間させて上方へ持ち上げる。
35を着脱可能に支持する電極支持体36とを有する。また、該電極支持体36の内部に
バッファ室37が設けられ、このバッファ室37には処理ガス供給部(図示せず)からの
処理ガス導入管38が接続されている。この処理ガス導入管38の途中にはバルブV1が
配設されている。このバルブV1は、バッファ室37と処理ガス供給部とを遮断すること
ができる。ここで、サセプタ11及びシャワーヘッド33の間の電極間距離Dは例えば、
27±1mm以上に設定される。
付けられている。このプラズマ処理装置1のチャンバ10内では、上述したように、サセプタ11及びシャワーヘッド33に高周波電力が印加され、該印加された高周波電力によって空間Sにおいて処理ガスから高密度のプラズマが発生し、イオンやラジカルが生成される。
し、加工対象のウエハWをチャンバ10内に搬入してサセプタ11の上に載置する。そし
て、シャワーヘッド33より処理ガス(例えば、所定の流量比率のC4F8ガス、O2ガス及びArガスから成る混合ガス)を所定の流量および流量比でチャンバ10内に導入し、APC14等によりチャンバ10内の圧力を所定値にする。次に、高周波電源52より高周波電力をシャワーヘッド33に印加すると共に、高周波電源18より高周波電力をサセプタ11に印加し、さらに、直流電源22より直流電圧を電極板20に印加して、ウエハWをサセプタ11上に吸着する。そして、シャワーヘッド33より吐出された処理ガスは上述したようにプラズマ化する。このプラズマにより生成されるラジカルやイオンは、フォーカスリング24によってウエハWの表面に収束され、ウエハWの表面を物理的又は化学的にエッチングする。
但し、(1)式は価数を考慮していない。
210 基材
220 溶射被膜
221 水和処理層
Claims (15)
- 表面にセラミックが溶射されたセラミック溶射部材の洗浄方法であって、
前記セラミック溶射部材を高圧、高湿度及び高温の環境下に暴露する水和処理によって前記セラミック溶射部材の表面と水分を化学結合させて安定化する安定化ステップと、
前記セラミック溶射部材を加熱することによって前記セラミック溶射部材の表面に物理吸着した水分を脱離する脱離ステップと、を有することを特徴とするセラミック溶射部材の洗浄方法。 - 前記安定化ステップは、前記セラミック溶射部材の表面に、主として前記セラミックの水酸化物から成る層を形成することを特徴とする請求項1記載のセラミック溶射部材の洗浄方法。
- 前記安定化ステップの前に、さらに、前記セラミック溶射部材に付着した堆積物を除去する除去ステップを有することを特徴とする請求項1又は2に記載のセラミック溶射部材の洗浄方法。
- 前記除去ステップは、少なくとも有機溶剤又は酸に前記セラミック溶射部材を浸漬する浸漬処理であることを特徴とする請求項3記載のセラミック溶射部材の洗浄方法。
- 前記セラミックは希土類金属酸化物から成ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のセラミック溶射部材の洗浄方法。
- 前記希土類金属酸化物はイットリアから成ることを特徴とする請求項5記載のセラミック溶射部材の洗浄方法。
- 前記セラミック溶射部材は、基板を処理する処理チャンバに用いられる部材であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のセラミック溶射部材の洗浄方法。
- 表面にセラミックが溶射されたセラミック溶射部材の洗浄方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記セラミック溶射部材の洗浄方法は、
前記セラミック溶射部材を高圧、高湿度及び高温の環境下に暴露する水和処理によって前記セラミック溶射部材の表面と水分を化学結合させて安定化する安定化ステップと、
前記セラミック溶射部材を加熱することによって前記セラミック溶射部材の表面に物理吸着した水分を脱離する脱離ステップと、を有することを特徴とするプログラム。 - 前記安定化ステップでは、前記セラミック溶射部材の表面に、主として前記セラミックの水酸化物から成る層が形成されることを特徴とする請求項8記載のプログラム。
- 前記セラミック溶射部材の洗浄方法は、前記安定化ステップの前に、さらに、前記セラミック溶射部材に付着した堆積物を除去する除去ステップを有することを特徴とする請求項8又は9に記載のプログラム。
- 前記除去ステップでは、少なくとも有機溶剤又は酸に前記セラミック溶射部材を浸漬する浸漬処理が実行されることを特徴とする請求項10記載のプログラム。
- 表面にセラミックが溶射されたセラミック溶射部材の洗浄方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した、コンピュータで読取り可能な記憶媒体であって、
前記セラミック溶射部材の洗浄方法は、
前記セラミック溶射部材を高圧、高湿度及び高温の環境下に暴露する水和処理によって前記セラミック溶射部材の表面と水分を化学結合させて安定化する安定化ステップと、
前記セラミック溶射部材を加熱することによって前記セラミック溶射部材の表面に物理吸着した水分を脱離する脱離ステップと、を有することを特徴とする記憶媒体。 - 前記安定化ステップでは、前記セラミック溶射部材の表面に、主として前記セラミックの水酸化物から成る層が形成されることを特徴とする請求項12記載の記憶媒体。
- 前記セラミック溶射部材の洗浄方法は、前記安定化ステップの前に、さらに、前記セラミック溶射部材に付着した堆積物を除去する除去ステップを有することを特徴とする請求項12又は13に記載の記憶媒体。
- 前記除去ステップでは、少なくとも有機溶剤又は酸に前記セラミック溶射部材を浸漬する浸漬処理が実行されることを特徴とする請求項14記載の記憶媒体。
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