KR100863932B1 - 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법과, 이를 이용한정전척 제조 방법 그리고 상기 수화 처리 방법에 형성된세라믹 용사 코팅층을 갖는 기판 구조물 및 정전척 - Google Patents

세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법과, 이를 이용한정전척 제조 방법 그리고 상기 수화 처리 방법에 형성된세라믹 용사 코팅층을 갖는 기판 구조물 및 정전척 Download PDF

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Abstract

정전척의 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법은 코팅층의 기공 및 미세 크랙에 수분을 침투시킨 후, 수분과 상기 코팅층을 반응시켜 기공 및 미세 크랙에 수산화물을 형성한다. 따라서, 세라믹 용사 코팅층의 소수성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.

Description

세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법과, 이를 이용한 정전척 제조 방법 그리고 상기 수화 처리 방법에 형성된 세라믹 용사 코팅층을 갖는 기판 구조물 및 정전척{Method of hydrating a ceramic spray-coating layer, method of manufacturing a electrostatic chuck using the method and substrate structure and electrostatic chuck having the ceramic spray-coating layer manufactured by the hydrating method}
본 발명은 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법, 이를 이용한 정전척 제조 방법 그리고 상기 수화 처리 방법에 형성된 세라믹 용사 코팅층을 갖는 기판 구조물 및 정전척에 관한 것으로, 보다 상세하게는 세라믹 용사 코팅층의 기공 및 미세 크랙에 수산화물을 형성하는 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법, 이를 이용한 정전척 제조 방법 그리고 상기 수화 처리 방법에 형성된 세라믹 용사 코팅층을 갖는 기판 구조물 및 정전척에 관한 것이다.
정전척의 유전층 또는 반도체나 액정표시소자의 부품의 코팅층은 세라믹을 용사 코팅한 세라믹 용사 코팅층이다. 상기 코팅층은 일반적으로 약 10% 정도의 기공율을 가지며, 내부에 기공 및 미세 크랙을 포함한다. 상기 기공 및 미세 크랙을 통해 누설 전류 등이 발생하므로 상기 코팅층의 전기적 특성이 크게 저하된다. 따라서, 상기 코팅층의 세라믹과 물을 반응시켜 상기 기공이나 미세 크랙 내부에 수산화물을 형성하는 수화처리를 수행하여 상기 코팅층의 전기적 특성 저하를 방지한다.
상기 수화처리 방법으로 고온수(약 60℃ 이상)에 장시간(24시간 이상)동안 침지하거나 고온 고압의 수증기 분위기에 장시간 노출시킨다. 그러나, 상기와 같은 수화처리시 상기 코팅층이 형성된 기판에도 수분이 침투하여 상기 기판에 얼룩이 발생하거나 상기 기판이 손상된다. 따라서, 상기 기판으로의 수분 침투를 방지하기 위해 수분 침투를 차단하는 부재로 상기 기판을 둘러싸는 추가 공정이 요구되며, 상기 차단 부재와 상기 기판을 접착시키는 접착제로 인해 상기 기판이 오염될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 기판의 손상을 방지하면서 세라믹 용사 코팅층을 수화처리할 수 있는 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예들은 상기 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법을 이용한 정전척 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예들은 상기 수화 처리 방법에 의해 형성된 세라믹 용사 코팅층을 갖는 기판 구조물을 제공한다.
본 발명의 실시예들은 상기 정전척 제조 방법에 의해 형성된 정전척을 제공한다.
본 발명에 따른 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법은 세라믹 용사 코팅에 수분을 침투시킨다. 상기 코팅층에 침투한 수분과 상기 코팅층을 반응시켜 수산화물을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 수분을 침투시키는 공정은 상압에서 10℃ 내지 40℃의 온도를 갖는 상기 수분을 약 1분 내지 10분 동안 상기 코팅층으로 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 수산화물을 형성하는 공정은 약 60 내지 120℃의 온도로 약 1 내지 10시간동안 상기 수분이 침투된 상기 코팅층을 가열할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법은 상기 수산화물을 형성하기 전에 상기 코팅층 표면의 수분을 제거할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법은 상기 수산화물이 형성된 코팅층 내부에 잔류하는 수분을 제거할 수 있다.
상기 수분을 제거하는 공정은 약 10-2 내지 10-4 torr의 압력에서 약 60 내지 120℃의 온도로 약 1 내지 48시간동안 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 가열할 수 있다.
상기 수분을 제거하는 공정은 상기 수산화물이 형성된 코팅층으로 알코올을 제공한 후, 약 60 내지 120℃의 온도로 약 1 내지 24시간동안 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 가열할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법은 상기 기공 및 미세 크랙에 수분을 침투시키는 공정 및 상기 수분과 상기 코팅층을 반응시켜 상기 기공 및 미세 크랙에 수산화물을 형성하는 공정을 반복할 수 있다. 상기 반복 회수는 약 2 내지 15회일 수 있다.
본 발명에 따른 정전척 제조 방법은 금속 몸체 상에 제1 세라믹 용사 코팅층을 형성한다. 상기 제1 세라믹 용사 코팅층 상부면 일부 영역에 전극층을 형성한다. 상기 제1 세라믹 용사 코팅층 상부면 나머지 부분 및 상기 전극층 상에 기판을 지지하기 위한 제2 세라믹 용사 코팅층을 형성한다. 상기 제2 세라믹 용사 코팅층 에 수분을 침투시키고, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층에 침투된 수분과 상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 반응시켜 수산화물을 형성함으로써 상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 수화처리한다.
본 발명에 따른 기판 구조물은 기판 및 상기 기판 상에 구비되며, 내부의 기공 및 크랙에 수산화물을 갖는 세라믹 용사 코팅층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 세라믹 용사 코팅층은 약 1㎛당 5V의 전압이 가해지는 조건에서 약 1.0e+14 Ω-㎝ 내지 약 8.0e+15 Ω-㎝의 체적 저항을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 세라믹 용사 코팅층은 약 1㎑ 내지 약 13.5㎒의 주파수에서 약 11.39 εr 내지 약 12.04 εr 유전율을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 정전척은 몸체와, 상기 몸체 상에 구비되는 제1 세라믹 용사 코팅층과, 상기 제1 세라믹 용사 코팅층 상부면 일부 영역에 구비되는 전극층 및 상기 제1 세라믹 용사 코팅층 상부면 나머지 부분 및 상기 전극층 상에 기판을 지지하기 위해 구비되며, 내부의 기공 및 크랙에 수산화물을 갖는 제2 세라믹 용사 코팅층을 포함할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 세라믹 용사 코팅층의 기공 및 미세 크랙에 수분을 침투시킨 후 상기 코팅층을 가열하여 상기 기공 및 미세 크랙에 수산화물을 형성함으로써 수화처리한다. 따라서, 상기 세라믹 용사 코팅층이 형성되는 기판으로 상기 수분이 침투하여 상기 기판에 얼룩을 발생시키거나 손상시키는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 수화처리를 통해 상기 세라믹 용사 코팅층의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 코팅층의 체적 저항을 증가시키며, 누설 전류는 감소시키고, 유전율은 증가시킬 수 있다. 그리고, 상기 수화처리를 통해 상기 세라믹 용사 코팅층의 소수성을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법, 이를 이용한 정전척 제조 방법 그리고 상기 수화 처리 방법에 의해 형성된 세라믹 용사 코팅층을 갖는 기판 구조물 및 정전척에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
실시예
세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 세라믹 용사 코팅층이 형성된 기판을 마련한다. 상기 기판은 금속을 포함할 수 있다. 상기 금속의 예로는 알루미늄을 들 수 있다. 상기 기판 은 표면에 아노다이징 층을 형성할 수 있다. 상기 세라믹의 예로는 Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 등을 들 수 있다. 이들은 단독 혹은 복합적으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코팅층으로 물을 분사한다. 상기 물은 탈이온수이거나 PH가 약 6 내지 8인 물일 수 있다. 예를 들면, 상압에서 약 10℃ 내지 40℃의 상기 물을 약 1분 내지 10분 동안 상기 코팅층으로 분사할 수 있다. 구체적으로, 약 20℃ 내지 30℃의 상기 물을 약 3분 내지 7분 동안 상기 코팅층으로 분사할 수 있다 .
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 코팅층이 형성된 기판을 상기 물에 침지한다. 상기 물은 탈이온수이거나 PH가 약 6 내지 8인 물일 수 있다. 예를 들면, 상압에서 약 10℃ 내지 40℃의 상기 물에 상기 코팅층이 형성된 기판을 약 1분 내지 10분 동안 침지할 수 있다. 구체적으로, 약 20℃ 내지 30℃의 상기 물에 상기 코팅층이 형성된 기판을 약 3분 내지 7분 동안 침지할 수 있다.
상기 코팅층으로 물을 분사하거나 상기 코팅층을 침지하여 상기 코팅층의 기공 및 미세 크랙에 수분을 침투시킨다(S110).
상기 물이 탈이온수가 아닌 경우, 상기 물에 포함된 이온이 상기 코팅층에 영향을 미칠 수 있으며, PH가 약 6 이하이거나 약 8 이상인 경우 상기 코팅층을 손상시킬 수 있다. 또한, 상기 물의 온도가 약 10℃ 이하인 경우 상기 물이 상기 코팅층으로 침투하기 어렵고, 상기 물의 온도가 약 40℃ 이상인 경우 상기 물이 상기 코팅층으로 과도하게 침투하거나 상기 물이 상기 기판으로 침투할 수 있다. 또한, 상기 물의 분사 또는 침지 시간이 약 1분 미만인 경우 상기 물이 상기 코팅층으로 충분히 침투하기 어렵고, 상기 물의 분사 또는 침지 시간이 약 10분 이상인 경우 상기 물이 상기 코팅층으로 과도하게 침투하거나 상기 물이 상기 기판으로 침투할 수 있다.
상압에서 약 10분 이하의 시간동안 상기 코팅층으로 물을 분사하거나 상기 코팅층을 침지하므로, 상기 기판의 내부로 상기 수분이 거의 침투하지 않는다.
다음으로, 상기 코팅층과 상기 기판으로 에어를 분사하거나, 상기 수분을 흡수할 수 있는 천으로 상기 코팅층과 상기 기판 표면을 닦는다. 또는 상기 코팅층과 상기 기판으로 에어를 분사한 후, 상기 수분을 흡수할 수 있는 천으로 상기 코팅층과 상기 기판 표면을 닦는다. 따라서, 상기 코팅층 표면 및 상기 기판 표면의 수분을 제거한다(S120).
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 기판으로 에어를 분사하거나, 상기 수분을 흡수할 수 있는 천으로 상기 기판 표면을 닦는다. 또는 상기 기판으로 에어를 분사한 후, 상기 수분을 흡수할 수 있는 천으로 상기 기판 표면을 닦는다. 따라서, 상기 기판 표면의 수분만을 선택적으로 제거할 수 있다.
상기 기판 표면의 수분을 제거함으로써 상기 기판 표면의 수분이 상기 기판 내부로 침투하여 상기 기판에 얼룩이 발생하거나 상기 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 수분이 침투된 코팅층을 가열한다. 예를 들면, 약 60 내지 120℃의 온 도로 약 1 내지 10시간 동안 상기 수분이 침투된 상기 코팅층을 가열할 수 있다. 구체적으로, 약 90 내지 110℃의 온도로 약 4 내지 6시간 동안 상기 수분이 침투된 상기 코팅층을 가열할 수 있다. 상기 코팅층이 가열되면, 상기 코팅층의 세라믹과 상기 기공 및 미세 크랙에 침투된 수분이 반응한다. 따라서, 상기 기공 및 미세 크랙에 수산화물이 형성된다(S130).
상기 가열 온도가 약 60℃ 이하인 경우 상기 코팅층과 상기 수분의 반응이 잘 이루어지지 않아 수산화물을 형성하는 공정 효율이 저하되며, 상기 가열 온도가 약 120℃를 초과하는 경우 상기 코팅층에 크랙이 발생하거나 상기 기판 표면의 아노다이징 층이 박리되는 등의 손상이 발생할 수 있다. 상기 가열 시간이 약 1시간 이하인 경우, 상기 코팅층과 상기 수분이 충분히 반응하지 않을 수 있으며, 상기 가열 시간이 약 10시간 이상인 경우, 상기 코팅층과 상기 수분의 반응이 더 이상 이루어지지 않을 수 있다.
일 예로, 상기 세라믹이 산화알루미늄(Al2O3)인 경우, 상기 산화알루니늄과 상기 수분이 반응하여 수산화알루미늄(Al(0H)3)을 형성한다. 다른 예로, 상기 세라믹이 산화이트륨(Y2O3)인 경우, 상기 산화이트륨과 상기 수분이 반응하여 수산화이트륨(Y(0H)3)을 형성한다.
상기 수산화물은 상기 기공 및 미세 크랙을 채우므로, 상기 코팅층의 전기적 특성이 향상된다. 구체적으로, 상기 코팅층의 체적 저항이 증가하며, 상기 코팅층으로부터 누설 전류가 거의 발생하지 않는다. 또한, 상기 코팅층의 유전율이 향상된다.
그리고, 상기 수산화물은 상기 기공 및 미세 크랙을 채우므로, 상기 코팅층의 소수성이 향상된다. 따라서, 상기 코팅층으로의 수분 침투가 거의 이루어지지 않는다.
상기 코팅층의 기공 및 미세 크랙에 수분 침투 공정(S110), 상기 코팅층 표면 및 상기 기판 표면의 수분 제거 공정(S120) 및 상기 기공 및 미세 크랙에 상기 수산화물 형성 공정(S130)을 수행하더라도 상기 수산화물이 상기 기공 및 미세 크랙 전체에 형성되지 않을 수 있다. 이 경우, 상기 코팅층의 기공 및 미세 크랙에 수분 침투 공정(S110), 상기 코팅층 표면 및 상기 기판 표면의 수분 제거 공정(S120) 및 상기 기공 및 미세 크랙에 상기 수산화물 형성 공정(S130)을 반복하여 수행할 수 있다. 상기 반복 회수는 상기 반복 회수는 약 2 내지 15회일 수 있으며, 상기 코팅층을 형성하는 세라믹의 종류에 따라 달라질 수 있다. 상기 반복 회수가 15회를 초과하는 경우, 상기 코팅층 내부에 수산화물이 충분히 형성되어 더 이상 수산화물이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 수산화물을 상기 기공 및 미세 크랙 전체에 형성할 수 있다.
상기 코팅층의 기공 및 미세크랙에 상기 수산화물을 형성하더라도 상기 코팅층의 세라믹과 반응하지 않고 잔류하는 수분이 상기 기공 및 미세 크랙에 존재한다. 상기 잔류 수분은 상기 코팅층의 전기적 특성을 감소시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 코팅층 및 기판을 가열한다. 예를 들면, 약 10-2 내지 10-4 torr의 압력에서 약 60℃ 내지 120℃의 온도로 약 1 내지 48시간동안 상 기 수산화물이 형성된 코팅층을 가열할 수 있다. 구체적으로, 약 10-4 torr의 압력에서 약 90℃ 내지 110℃의 온도로 약 12 내지 24시간동안 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 가열할 수 있다. 약 60 내지 120℃의 온도로 1 내지 24시간동안 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 가열할 수 있다. 따라서, 상기 기공 및 미세 크랙에 잔류하는 수분을 제거할 수 있다.
상기 압력이 약 10-2 torr 이상인 경우 상기 수분이 충분히 제거되지 않을 수 있으며, 상기 압력이 약 10-4 torr 이하인 경우 상기 압력 상태를 형성하는데 많은 시간이 소요되어 공정의 효율성이 저하될 수 있다. 상기 가열 온도가 약 60℃ 이하인 경우 상기 수분이 충분히 제거되지 않을 수 있으며, 상기 가열 온도가 약 120℃를 초과하는 경우 상기 코팅층에 크랙이 발생하거나 상기 기판 표면의 아노다이징 층이 박리되는 등의 손상이 발생할 수 있다. 상기 가열 시간이 약 1시간 이하인 경우, 상기 코팅층의 수분이 충분히 제거되지 않을 수 있으며, 상기 가열 시간이 약 24시간 이상인 경우, 상기 공정 시간이 지연되어 상기 공정의 효율성이 저하될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 수산화물이 형성된 코팅층으로 알코올을 제공한다. 상기 알코올의 예로는 에틸알코올, 이소프로필알코올 등 다양한 알코올을 들 수 있다. 상기 수산화물이 형성된 코팅층으로 상기 알코올을 분사하거나, 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 상기 알코올에 침지시킬 수 있다. 상기 수산화물이 형성된 코팅층으로 상기 알코올을 분사하거나, 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 상기 알코올에 침지시키는 구체적인 예는 상기 코팅층으로 물을 분사하거나 상기 코팅층을 물에 침지시키는 예와 실질적으로 동일할 수 있다.
이후, 약 60℃ 내지 120℃의 온도로 약 1 내지 24시간동안 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 가열할 수 있다. 구체적으로, 약 90℃ 내지 110℃의 온도로 약 8시간 내지 16시간 동안 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 가열할 수 있다.
상기 가열 온도가 약 60℃ 이하인 경우 상기 수분이 잘 제거되지 않을 수 있으며, 상기 가열 온도가 약 120℃를 초과하는 경우 상기 코팅층에 크랙이 발생하거나 상기 기판 표면의 아노다이징 층이 박리되는 등의 손상이 발생할 수 있다. 상기 가열 시간이 약 1시간 이하인 경우, 상기 코팅층의 수분이 충분히 제거되지 않을 수 있으며, 상기 가열 시간이 약 24시간 이상인 경우, 상기 공정 시간이 지연되어 상기 공정의 효율성이 저하될 수 있다.
상기 기공 및 미세 크랙에 잔류하는 수분을 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 알코올이 상기 수분 제거 효율을 증가시키므로, 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 가열하는 시간을 줄일 수 있다.
상기 코팅층의 수화 처리 방법은 상기 수분이 상기 기판으로 침투하지 않으므로 상기 기판의 얼룩 발생 및 손상을 방지할 수 있다. 상기 기판으로의 수분 침투를 방지하기 위해 수분 침투를 차단하는 부재로 상기 기판을 둘러싸는 추가 공정이 불필요하며, 상기 차단 부재와 상기 기판을 접착시키는 접착제로 인해 상기 기판 오염을 방지할 수 있다. 또한, 상기 코팅층을 수화처리함으로써 상기 코팅층의 전기성 특성을 향상시킬 수 있고 상기 코팅층의 소수성도 향상시킬 수 있다. 나아 가 상기 코팅층의 수명을 증가시킬 수 있다.
정전척 제조 방법
도 1을 참조하여 설명된 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법을 적용한 정전척의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 기판의 상부면에 제1 세라믹 용사 코팅층을 형성한다(S210).
일 예로, 상기 기판은 금속을 포함할 수 있다. 상기 금속의 예로는 알루미늄을 들 수 있다. 다른 예로, 상기 기판은 표면에 금속 코팅층을 포함할 수 있다.
플라즈마 열용사법에 의해 유전 물질인 세라믹 분말을 용융하고 용융된 세라믹 분말을 상기 기판의 상부면으로 분사한다. 구체적으로, 플라즈마 건 가스 주입구를 통해 유입된 플라즈마 가스(Ar, N2, H2, He 등)는 고전압 직류 고전력(일반적으로 30-100KV, 400-1000A)이 인가된 음극과 양극 사이의 간극을 통과하면서 상기 플라즈마 가스의 일부가 해리되어 5,000 ~ 15,000 ℃의 고온 플라즈마 불꽃(flame)을 형성한다. 상기 양극의 내부에 구비되는 냉각통로는 고온의 플라즈마에 의해 가열되는 상기 양극을 냉각한다. 분말 형태의 세라믹을 분말 주입구를 통해 고온의 플라즈마 불꽃 속으로 주입한다. 상기 분말 주입구(250)를 통해 주입된 분말은 고온의 플라즈마 불꽃에 의해 완전 용융되거나 일부 용융된 상태로 고속(200 ~ 700m/s)으로 상기 기판을 향해 분사되어 상기 기판의 상부면을 코팅한다.
상기 세라믹의 예로는 Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2,BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 등을 들 수 있다. 이들은 단독 혹은 복합적으로 사용될 수 있다.
상기 제1 세라믹 용사 코팅층을 형성하기 전에 상기 기판의 상부면에 접착층을 형성할 수 있다. 상기 접착층은 금속 물질을 증착하거나 코팅하여 형성될 수 있다. 상기 금속 물질의 예로는 니켈-알루미늄 합금을 들 수 있다. 상기 접착층은 상기 기판의 열팽창율과 후속하여 형성되는 제1 세라믹 용사 코팅층의 열팽창율 사이의 열팽창율을 가질 수 있다.
상기 제1 세라믹 용사 코팅층 상부면 일부 영역에 도전성 물질을 도포 또는 증착하거나 도전성 플레이트를 부착하여 전극층을 형성한다(S220).
상기 도포 공정으로는 용사 코팅 공정, 실크스크린 공정 등을 들 수 있다. 상기 증착 공정으로는 화학기상증착 공정 또는 물리적기상증착 공정 등을 들 수 있다. 상기 도전성 물질의 예로는 텅스텐 등을 들 수 있다.
상기 제1 세라믹 용사 코팅층 상부면 나머지 부분 및 상기 전극층 상에 기판을 지지하기 위한 제2 세라믹 용사 코팅층을 형성한다(S230).
상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 형성하는 공정은 상기 제1 세라믹 용사 코팅층을 형성하는 공정과 실질적으로 동일하다.
상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 수화처리한다(S240).
일 예로, 상기 기판, 제1 세라믹 용사 코팅층, 전극층 및 제2 세라믹 용사 코팅층으로 이루어진 정전척에 물을 분사하거나, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층에 물을 분사하여 상기 제2 세라믹 용사 코팅층의 기공 및 미세 크랙에 수분을 침투시킨다. 다른 예로, 상기 기판, 제1 세라믹 용사 코팅층, 전극층 및 제2 세라믹 용사 코팅층으로 이루어진 정전척을 침지하여 상기 제2 세라믹 용사 코팅층의 기공 및 미세 크랙에 수분을 침투시킨다.
상기 정전척 표면의 수분을 제거하거나, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층의 제외한 표면들의 수분을 제거한다. 상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 가열하여 상기 수분과 상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 반응시켜 상기 제2 세라믹 용사 코팅층의 기공 및 미세 크랙에 수산화물을 형성한다. 이후, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층 내부에 잔류하는 수분을 제거한다.
상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 수화처리하는 공정에 대한 구체적인 설명은 도 1을 참조한 상기 용사 코팅층 수화 처리 방법(S110 내지 S140)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층 뿐만 아니라 제1 세라믹 용사 코팅층도 수화처리할 수 있다. 일예로, 상기 제1 세라믹 용사 코팅층과 상기 제2 세라믹 용사 코팅층은 동시에 수화처리될 수 있다. 다른 예로, 상기 제1 세라믹 용사 코팅층과 상기 제2 세라믹 용사 코팅층은 각각 수화처리될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 세라믹 용사 코팅층을 형성한 후 상기 제1 세라믹 용사 코팅층을 수화처리하고, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 형성한 후 상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 수화처리할 수 있다. 상기 제1 세라믹 용사 코팅층을 수화처리 하는 공정에 대한 구체적인 설명은 도 1을 참조한 상기 용사 코팅층 수화 처리 방법(S110 내지 S140)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
상기 정전척 제조 방법에 따르면, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 수화처리함으로써 상기 제2 세라믹 용사 코팅층의 전기적 특성 및 소수성을 향상시킬 수 있다. 그러므로, 상기 정전척 제조 방법에 의해 형성되는 정전척의 수명을 향상시킬 수 있다.
실험예 1
표 1
Figure 112007050114664-pat00001
표 1은 산화이트륨을 포함하는 세라믹 용사 코팅층의 체적 저항을 나타낸다.
표 1을 참조하면, 1㎛당 5V의 전압이 가해지는 조건에서, 수화처리 공정전에는 상기 세라믹 용사 코팅층의 체적 저항은 약 6.0e+10(Ω-㎝)이었다. 상기 수화처리 공정후에는 상기 세라믹 용사 코팅층의 체적 저항은 약 8.0e+15(Ω-㎝)로 증가하였다. 상기 수화처리 공정후 24시간, 96시간, 168시간 대기에 노출되더라도 상기 세라믹 용사 코팅층의 체적 저항은 1.0e+14(Ω-㎝)로 유지되었다. 따라서, 상기 수화처리 공정을 통해 상기 세라믹 용사 코팅층의 체적 저항이 향상됨을 알 수 있다.
실험예 2
표 2
Figure 112007050114664-pat00002
표 2는 산화이트륨을 포함하는 세라믹 용사 코팅층의 누설 전류를 나타낸다.
표 2를 참조하면, 수화처리 공정전에는 1000V, 2000V, 3000V 및 4000V의 전압이 가해지는 조건에서 상기 세라믹 용사 코팅층의 누설 전류가 0.8㎂, 16㎂, 168㎂으로 증가하다가 패일(Fail)이 발생하였다. 상기 수화처리 공정직후에는 1000V, 2000V, 3000V 및 4000V의 전압이 가해지는 조건에서 상기 세라믹 용사 코팅층의 누설 전류가 거의 발생하지 않았다. 상기 수화처리 공정후 24시간, 96시간, 168시간 대기에 노출되더라도 상기 세라믹 용사 코팅층의 누설 전류가 거의 발생하지 않았다. 따라서, 상기 수화처리 공정을 통해 상기 세라믹 용사 코팅층의 누설 전류를 발생이 방지됨을 알 수 있다.
실험예 3
표 3
Figure 112007050114664-pat00003
표 3은 산화이트륨을 포함하는 세라믹 용사 코팅층의 유전율을 나타낸다.
표 3을 참조하면, 여러 측정 주파수에서 수화처리 공정전의 상기 세라믹 용사 코팅층의 유전율보다 수화처리 공정후의 상기 세라믹 용사 코팅층의 유전율이 증가하였다. 따라서, 상기 수화처리 공정을 통해 상기 세라믹 용사 코팅층의 유전율을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 3a는 수화처리 공정 전의 세라믹 용사 코팅층의 소수성을 설명하기 위한 사진이다. 도 3b는 수화처리 공정 후의 세라믹 용사 코팅층의 소수성을 설명하기 위한 사진이다.
도 3a를 참조하면, 상기 수화처리 공정 전의 세라믹 용사 코팅층은 표면의 물방울이 퍼져 소수성이 상대적으로 약함을 알 수 있다. 도 3b를 참조하면, 상기 수화처리 공정 후의 세라믹 용사 코팅층은 표면의 물방울이 퍼지지 않아 소수성이 상대적으로 강함을 알 수 있다. 따라서, 상기 수화처리 공정을 통해 상기 세라믹 용사 코팅층의 소수성을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
기판 구조물
도 4는 도 1에 도시된 방법에 의해 형성된 세라믹 용사 코팅층(120)을 갖는 기판 구조물(100)을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 기판 구조물(100)은 기판(110) 및 세라믹 용사 코팅층(120)을 포함한다.
상기 기판(110)은 세라믹 용사 코팅층(120)이 구비되기 위한 대상체가 되는 것으로, 평판 형태 뿐만 아니라 다양한 형태를 가질 수 있다.
상기 세라믹 용사 코팅층(120)은 상기 기판(110) 상에 구비된다. 상기 세라믹 용사 코팅층(120)은 내부의 기공 및 크랙에 수산화물을 갖는다. 상기 수산화물은 수화처리에 의해 형성된다. 상기 수화처리는 상기 도 1을 참조한 세라믹 용사 코팅층의 수화처리 방법에 의해 이루어질 수 있다.
상기 수산화물이 상기 기공 및 크랙을 채우므로 상기 세라믹 용사 코팅층(120)은 수화처리가 수행되지 않은 세라믹 용사 코팅층에 비해 체적 저항이 증가되며, 누설 전류는 감소되며, 유전율은 증가된다.
구체적으로, 상기 세라믹 용사 코팅층(120)은 1㎛당 5V의 전압이 가해지는 조건에서 약 1.0e+14 Ω-㎝ 내지 약 8.0e+15 Ω-㎝의 체적 저항을 갖는다. 또한, 약 1000V 내지 4000V의 전압이 가해지는 조건에서 상기 세라믹 용사 코팅층(120)에서의 누설 전류가 거의 발생하지 않는다. 그리고, 상기 세라믹 용사 코팅층(120)은 약 1㎑ 내지 약 13.5㎒의 주파수에서 약 11.39 εr 내지 12.04 εr 유전율을 갖는다.
정전척
도 5는 도 2에 도시된 방법에 의해 형성된 정전척(200)을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 정전척(200)은 몸체(210), 제1 세라믹 용사 코팅층(220), 전극(230) 및 제2 세라믹 용사 코팅층(240)을 포함한다.
상기 몸체(210)는 평판 형태를 갖는다. 상기 몸체(200)의 크기는 반도체 소자 또는 평판표시 소자를 형성하기 위한 기판의 크기와 같거나 상기 기판의 크기보다 클 수 있다. 일 예로, 상기 몸체(210)는 금속을 포함할 수 있다. 상기 금속의 예로는 알루미늄을 들 수 있다. 다른 예로, 상기 몸체(210)는 표면에 금속 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 제1 세라믹 용사 코팅층(220)은 상기 몸체(210) 상에 구비된다. 상기 제1 세라믹 용사 코팅층(220)을 형성하는 세라믹의 예로는 Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2,BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 등을 들 수 있다. 이들은 단독 혹은 복합적으로 사용될 수 있다. 상기 제1 세라믹 용사 코팅층(220)은 상기 전극(230)과 상기 몸체(210) 사이를 절연한다.
한편, 상기 몸체(210)와 상기 제1 세라믹 용사 코팅층(230) 사이에는 접착층(미도시)이 구비될 수 있다. 상기 접착층은 상기 몸체(210)와 상기 제1 세라믹 용사 코팅층(230)을 접착한다. 또한, 상기 접착층은 상기 몸체(210)의 열팽창율과 상기 제1 세라믹 용사 코팅층(230)의 열팽창율 사이의 열팽창율을 가지며, 서로 다른 열팽창율을 갖는 상기 몸체(210)와 상기 제1 세라믹 용사 코팅층(230) 사이를 완충한다. 상기 접착층은 금속 합금을 포함할 수 있다. 상기 금속 합금의 예로는 니켈-알루미늄 합금을 들 수 있다.
상기 전극(230)은 상기 제1 세라믹 용사 코팅층(220)의 상부면 일부 영역에 구비된다. 상기 전극(230)은 이 전원이 인가되며 상기 기판을 고정하기 위한 정전기력을 발생한다. 상기 전극(230)은 금속 재질을 포함한다. 상기 금속의 예로는 텅스텐, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 들 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전극(230)은 두 개, 즉 제1 전극 및 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 엇갈리도록 배치되며, 서로 연결되지 않는다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에는 서로 다른 전원이 인가된다. 예를 들면, 상기 제1 전극에는 양전위를 발생하기 위한 전원이 인가되고, 상기 제2 전극에는 음전위를 발생하기 위한 전원이 인가될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 전극은 하나의 전극일 수 있다.
상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)은 상기 제1 유전체(220)의 상부면 나머지 영역 및 상기 전극(230) 상에 구비된다. 상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)은 상기 기판을 지지한다. 상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)을 형성하는 상기 세라믹의 예로는 Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2,BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 등을 들 수 있다. 이들은 단독 혹은 복합적으로 사용될 수 있다.
상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)은 내부의 기공 및 크랙에 수산화물을 갖는다. 상기 수산화물은 수화처리에 의해 형성된다. 상기 수화처리는 상기 도 1을 참조한 세라믹 용사 코팅층의 수화처리 방법에 의해 이루어질 수 있다.
상기 수산화물이 상기 기공 및 크랙을 채우므로 상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)은 수화처리가 수행되지 않은 세라믹 용사 코팅층에 비해 체적 저항이 증가되며, 누설 전류는 감소되며, 유전율은 증가된다.
구체적으로, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)은 1㎛당 5V의 전압이 가해지는 조건에서 약 1.0e+14 Ω-㎝ 내지 약 8.0e+15 Ω-㎝의 체적 저항을 갖는다. 또한, 약 1000V 내지 4000V의 전압이 가해지는 조건에서 상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)에서의 누설 전류가 거의 발생하지 않는다. 그리고, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)은 약 1㎑ 내지 약 13.5㎒의 주파수에서 약 11.39 εr 내지 12.04 εr 유전율을 갖는다.
상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)은 상부면에 다수의 돌기들을 더 포함할 수 있다. 상기 돌기들 사이의 간격을 통해 상기 기판을 냉각하기 위한 냉각 가스가 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 세라믹 용사 코팅층(220)과 상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 세라믹 용사 코팅층(220)과 상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240) 뿐만 아니라 상기 제1 세라믹 용사 코팅층(220)도 내부의 기공 및 크랙에 수산화물을 가질 수 있다. 상기 수산화물은 수화처리에 의해 형성된다. 상기 수화처리는 상기 도 1을 참조한 세라믹 용사 코팅층의 수화처리 방법에 의해 이루어질 수 있다.
상기와 같이 수화 처리를 통해 상기 제2 세라믹 용사 코팅층(240)의 전기적 특성이 향상되므로 상기 정전척(200)의 성능을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면 세라믹 용사 코팅층의 기공 및 미세 크랙에 수분을 침투시킨 후 상기 코팅층을 가열하여 상기 기공 및 미세 크랙에 수산화물을 형성함으로써 상기 세라믹 용사 코팅층을 수화처리한다. 또한 상기 수화처리를 통해 상기 세라믹 용사 코팅층의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 코팅층의 체적 저항을 증가시키며, 누설 전류를 감소시키고, 유전율을 증가시킬 수 있다. 그리고, 상기 수화처리를 통해 상기 세라믹 용사 코팅층의 소수성을 향상시킬 수 있다. 또한 기판이 고온수에 장시간 노출되지 않아 상기 세라믹 용사코팅층이 형성되는 기판으로 상기 수분이 침투하여 상기 기판에 얼룩을 발생시키거나 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3a는 수화처리 공정 전의 세라믹 용사 코팅층의 소수성을 설명하기 위한 사진이다.
도 3b는 수화처리 공정 후의 세라믹 용사 코팅층의 소수성을 설명하기 위한 사진이다.
도 4는 도 1에 도시된 방법에 의해 형성된 세라믹 용사 코팅층을 갖는 기판 구조물을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 방법에 의해 형성된 정전척을 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 구조물 110 : 기판
120 : 세라믹 용사 코팅층 200 : 정전척
210 : 몸체 220 : 제1 세라믹 용사 코팅층
230 : 전극 240 : 제2 세라믹 용사 코팅층

Claims (13)

  1. 세라믹 용사 코팅층에 수분을 침투시키는 단계; 및
    상기 코팅층에 침투된 수분과 상기 코팅층을 반응시켜 수산화물을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 수산화물이 형성된 코팅층 내부에 잔류하는 수분을 제거하는 단계를 더 포함하고,
    상기 수분을 제거하는 단계는,
    10-2 내지 10-4 torr의 압력에서 60 내지 120℃의 온도로 1 내지 48시간동안 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 가열하는 것을 특징으로 하는 세라믹 용사 코팅층의 수화처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수분을 침투시키는 단계는,
    상압에서 10℃ 내지 40℃의 온도를 갖는 상기 수분을 1분 내지 10분 동안 상기 코팅층으로 제공하는 것을 특징으로 하는 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수산화물을 형성하는 단계는,
    60 내지 120℃의 온도로 1 내지 10시간동안 상기 수분이 침투된 상기 코팅층을 가열하는 것을 특징으로 하는 세라믹 용사 코팅층의 수화처리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 수산화물을 형성하기 전에 상기 코팅층으로 에어를 분사하거나 천으로 상기 코팅층 표면을 닦아 상기 코팅층 표면의 수분을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 용사 코팅층의 수화처리 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 세라믹 용사 코팅층에 수분을 침투시키는 단계; 및
    상기 코팅층에 침투된 수분과 상기 코팅층을 반응시켜 수산화물을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 수산화물이 형성된 코팅층 내부에 잔류하는 수분을 제거하는 단계를 더 포함하고,
    상기 수분을 제거하는 단계는,
    상기 수산화물이 형성된 코팅층으로 알코올을 제공하는 단계; 및
    60 내지 120℃의 온도로 1 내지 24시간동안 상기 수산화물이 형성된 코팅층을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 용사 코팅층의 수화처리 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 수분을 침투시키는 단계 및 상기 수분과 상기 코팅층을 반응시켜 상기 수산화물을 형성하는 단계를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 용사 코팅층의 수화 처리 방법.
  9. 금속 몸체 상에 제1 세라믹 용사 코팅층을 형성하는 단계;
    상기 제1 세라믹 용사 코팅층 상부면 일부 영역에 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1 세라믹 용사 코팅층 상부면 나머지 부분 및 상기 전극층 상에 기판을 지지하기 위한 제2 세라믹 용사 코팅층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 세라믹 용사 코팅층에 수분을 침투시키는 단계, 상기 제2 세라믹 용사 코팅층에 침투된 수분과 상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 반응시켜 수산화물을 형성하는 단계 및 상기 수산화물이 형성된 제2 세라믹 용사 코팅층 내부에 잔류하는 수분을 제거하는 단계로 이루어지는 상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 수화처리하는 단계를 포함하되,
    상기 수분을 제거하는 단계는,
    10-2 내지 10-4 torr의 압력에서 60 내지 120℃의 온도로 1 내지 48시간동안 상기 수산화물이 형성된 상기 제2 세라믹 용사 코팅층을 가열하는 것을 특징으로 하는 정전척 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 기판; 및
    상기 기판 상에 구비되며, 내부의 기공 및 크랙에 수산화물을 갖는 세라믹 용사 코팅층을 포함하되,
    상기 세라믹 용사 코팅층은 1㎛당 5V의 전압이 가해지는 조건에서 1.0e+14 Ω-㎝ 내지 8.0e+15 Ω-㎝의 체적 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 구조물.
  12. 기판; 및
    상기 기판 상에 구비되며, 내부의 기공 및 크랙에 수산화물을 갖는 세라믹 용사 코팅층을 포함하되,
    상기 세라믹 용사 코팅층은 1㎑ 내지 13.5㎒의 주파수에서 11.39 εr 내지 12.04 εr 유전율을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 구조물.
  13. 몸체;
    상기 몸체 상에 구비되는 제1 세라믹 용사 코팅층;
    상기 제1 세라믹 용사 코팅층 상부면 일부 영역에 구비되는 전극층; 및
    상기 제1 세라믹 용사 코팅층 상부면 나머지 부분 및 상기 전극층 상에 기판을 지지하기 위해 구비되는 제2 세라믹 용사 코팅층을 포함하되,
    상기 제1 및 제2 세라믹 용사 코팅층 중 적어도 하나는 내부의 기공 및 크랙에 수산화물을 가지며,
    상기 수산화물을 갖는 세라믹 용사 코팅층은 1㎛당 5V의 전압이 가해지는 조건에서 1.0e+14 Ω-㎝ 내지 8.0e+15 Ω-㎝의 체적 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 정전척.
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