KR100995250B1 - 열 응력 감소를 위한 버퍼층을 포함하는 정전 척 - Google Patents
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- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 title abstract description 26
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 114
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
Description
Claims (13)
- 순차적으로 적층되는 바디부 및 세라믹 기재;상기 세라믹 기재 내부에 매설되는 전극층;상기 바디부 및 상기 세라믹 기재의 일부를 관통하여 상기 전극층과 전기적으로 접속되는 단자;상기 단자의 주변에 형성되어 상기 바디부와 상기 단자를 절연시키는 절연 부재; 및상기 바디부와 상기 절연 부재의 접촉면 중 적어도 상기 절연 부재의 상단부 일부에 형성되는 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
- 제1항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 세라믹 기재와 상기 절연 부재의 접촉면, 및 상기 세라믹 기재와 상기 단자의 접촉면에 더 형성되는 것을 특징으로 하는 정전 척.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 버퍼층은 세라믹 재질인 것을 특징으로 하는 정전 척.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 100㎛ 내지 250㎛ 범위 내인 것을 특징으로 하는 정전 척.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 버퍼층의 표면 조도는 0.1㎛ 내지 2㎛ 범위 내인 것을 특징으로 하는 정전 척.
- 제3항에 있어서,상기 버퍼층의 기공률은 상기 세라믹 기재의 기공률과 같거나 그 이상인 것을 특징으로 하는 정전 척.
- 제6항에 있어서,상기 버퍼층의 기공률은 2 내지 10% 인 것을 특징으로 하는 정전 척.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 버퍼층은 대기 플라즈마 용사(APS; Atmospherically Plasma Spray) 코팅 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 정전 척.
- 정전 척의 바디부의 일부를 관통하여 외부 전원과 전기적으로 접속되는 단자;상기 단자의 주변에 형성되어 상기 바디부와 상기 단자를 절연시키는 절연 부재; 및상기 바디부와 상기 절연 부재의 접촉면 중 적어도 상기 절연 부재의 상단부 일부에 형성되는 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 전극부.
- 바디부에 전극부를 삽입하는 단계 - 상기 전극부는 외부 전원과 연결되는 단자와, 상기 바디부와 상기 단자를 절연시키도록 상기 단자를 둘러싸는 절연 부재 및 상기 절연 부재 상에 형성되는 버퍼층을 포함함 -;상기 바디부 상에 하부 세라믹 기재층을 형성하는 단계:상기 하부 세라믹 기재층 상에 전극층을 형성하는 단계; 및상기 하부 세라믹 기재층 및 상기 전극층 상에 상부 세라믹 기재층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 제조방법.
- (a) 정전 척의 바디부의 일부를 관통하여 외부 전원과 전기적으로 접속되는 단자를 준비하는 단계;(b) 상기 단자의 주변에 형성되어 상기 바디부와 상기 단자를 절연시키는 절연 부재를 준비하는 단계;(c) 상기 절연 부재에 상기 단자를 삽입하는 단계; 및(d) 상기 절연 부재의 적어도 일부에 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 전극부 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 절연 부재의 상기 버퍼층이 형성되는 영역을 상기 버퍼층의 두께만큼 가공하여 깎아 낸 후에 상기 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 전극부 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 버퍼층의 에지부를 연마하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척의 전극부 제조방법.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080088972A KR100995250B1 (ko) | 2008-09-09 | 2008-09-09 | 열 응력 감소를 위한 버퍼층을 포함하는 정전 척 |
TW098130090A TWI401768B (zh) | 2008-09-09 | 2009-09-07 | 包含用以降低熱應力之緩衝層之靜電夾頭 |
CN2013101207103A CN103227138A (zh) | 2008-09-09 | 2009-09-08 | 包含有用于减小热应力的缓冲层的静电吸盘 |
CN200980135897.6A CN102150233B (zh) | 2008-09-09 | 2009-09-08 | 包含有用于减小热应力的缓冲层的静电吸盘 |
PCT/KR2009/005070 WO2010030102A2 (ko) | 2008-09-09 | 2009-09-08 | 열응력 감소를 위한 버퍼층을 포함하는 정전 척 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080088972A KR100995250B1 (ko) | 2008-09-09 | 2008-09-09 | 열 응력 감소를 위한 버퍼층을 포함하는 정전 척 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100030168A KR20100030168A (ko) | 2010-03-18 |
KR100995250B1 true KR100995250B1 (ko) | 2010-11-18 |
Family
ID=42005613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080088972A KR100995250B1 (ko) | 2008-09-09 | 2008-09-09 | 열 응력 감소를 위한 버퍼층을 포함하는 정전 척 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100995250B1 (ko) |
CN (2) | CN102150233B (ko) |
TW (1) | TWI401768B (ko) |
WO (1) | WO2010030102A2 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2008
- 2008-09-09 KR KR1020080088972A patent/KR100995250B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-09-07 TW TW098130090A patent/TWI401768B/zh active
- 2009-09-08 CN CN200980135897.6A patent/CN102150233B/zh active Active
- 2009-09-08 WO PCT/KR2009/005070 patent/WO2010030102A2/ko active Application Filing
- 2009-09-08 CN CN2013101207103A patent/CN103227138A/zh active Pending
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CN102150233A (zh) | 2011-08-10 |
KR20100030168A (ko) | 2010-03-18 |
TWI401768B (zh) | 2013-07-11 |
CN102150233B (zh) | 2014-10-15 |
WO2010030102A2 (ko) | 2010-03-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130904 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150922 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160907 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170907 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190909 Year of fee payment: 10 |