JP4773735B2 - 真空容器の水分除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
1)チャンバ内を真空引きする際に、チャンバ内の真空到達時間が長くなり、プロセス装置の稼働率が低下する。
2)CVD装置のチャンバにおいてウエハ上に金属成膜を行う際に、ウエハ表面に酸化膜が形成され、ウエハ表面において金属膜剥がれが起こったりウエハ表面の抵抗が高くなったりする等の成膜異常が発生する。
3)酸化膜エッチングの際に、チャンバの閉蓋直後のロットのエッチレート(Etch Rate)と、チャンバの閉蓋後、所定の時間が経過してチャンバ内が安定したときのロットのエッチレートとの間に相違が生じる。
4)エッチング処理をウエハに施す際に、フッ素を含むプラズマ生成ガスでプラズマを生成すると、チャンバ内の水分子とプラズマ生成ガスとが反応してフッ酸が生成され、該生成されたフッ酸によってチャンバ内壁表面が腐食されて剥離パーティクルが発生する。
5)チャンバ内の水分子に起因する異常放電が発生し、ウエハにダメージを与えると共に剥離パーティクルの発生を促進する。
J. J. F. McAndrew, and R. S. Inman, J. Vac. Sci. A 14, 1266(1996)
但し、(1)式は価数を考慮していない。
27 ロード・ロックモジュール
100 プラズマ処理装置
111 チャンバ
116 TMP
117 DP
132 ガス導入シャワーヘッド
Claims (6)
- 真空中において被処理体に所定の処理を施す真空容器から水分を除去する水分除去方法であって、
少なくとも水分子を分解して水素分子を生成する還元性ガスである一酸化炭素及び前記生成された水素分子と反応して酸を生成するハロゲン系ガスから成る水分除去ガスを前記真空容器に導入する導入ステップと、
前記真空容器内のガスを排気する排気ステップとを備え、
前記ハロゲン系ガスはフッ化炭素又は塩素であることを特徴とする真空容器の水分除去方法。 - 前記真空容器内の水分量を測定する水分量測定ステップと、
前記測定された水分量が所定値以上であるか否かを判別する判別ステップと、を更に備え、
前記測定された水分量が所定値以上であるときは、前記導入ステップで前記水分除去ガスを前記真空容器に導入することを特徴とする請求項1に記載の真空容器の水分除去方法。 - 前記所定の処理は、前記被処理体へのエッチング処理であることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空容器の水分除去方法。
- 前記所定の処理は、前記被処理体の搬送処理であることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空容器の水分除去方法。
- 真空中において被処理体に所定の処理を施す真空容器から水分を除去する水分除去方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記水分除去方法は、少なくとも水分子を分解して水素分子を生成する還元性ガスである一酸化炭素及び前記生成された水素分子と反応して酸を生成するハロゲン系ガスから成る水分除去ガスを前記真空容器に導入する導入ステップと、前記真空容器内のガスを排気する排気ステップとを備え、
前記ハロゲン系ガスはフッ化炭素又は塩素であることを特徴とするプログラム。 - 真空中において被処理体に所定の処理を施す真空容器から水分を除去する水分除去方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記水分除去方法は、少なくとも水分子を分解して水素分子を生成する還元性ガスである一酸化炭素及び前記生成された水素分子と反応して酸を生成するハロゲン系ガスから成る水分除去ガスを前記真空容器に導入する導入ステップと、前記真空容器内のガスを排気する排気ステップとを備え、
前記ハロゲン系ガスはフッ化炭素又は塩素であることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005079165A JP4773735B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 真空容器の水分除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 |
US11/376,162 US7560083B2 (en) | 2005-03-18 | 2006-03-16 | Method for removing water molecules from vacuum chamber, program for executing the method, and storage medium storing the program |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005079165A JP4773735B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 真空容器の水分除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 |
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JP2006261518A JP2006261518A (ja) | 2006-09-28 |
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ID=37100394
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4773735B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6269091B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2018-01-31 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
JP7154325B2 (ja) * | 2021-01-20 | 2022-10-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1098019A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Kawasaki Steel Corp | 表面清浄化方法 |
JP2001338967A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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2005
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Publication number | Publication date |
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JP2006261518A (ja) | 2006-09-28 |
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