JP5437014B2 - ターボ分子ポンプ及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板の裏面を副ガスで冷却しながら行う基板処理に用いるターボ分子ポンプ及び基板処理装置に関する。

多くの基板処理装置では、基板処理における化学的・物理的反応下での基板の温度上昇を抑え、基板を均一に適切な温度に制御するために、基板を保持するステージの基板保持面に凹部を設け、この凹部にＨｅガス等の熱伝導性の高い副ガスを流して、基板の冷却効率を高める方法が行われている。

図３の符号１８０は従来の基板処理装置の模式図を示している。基板処理装置１８０は真空槽１８９と、副ガス供給部１８６と、真空排気部１８２とを有している。
副ガス供給部１８６は真空槽１８９の外側に配置され、副ガス供給部１８６には副ガス流路１９４が接続されている。副ガス流路１９４は真空槽１８９内のステージ１８８の凹部１９７に接続されている。副ガス供給部１８６から副ガス流路１９４を介して凹部１９７に副ガスを流し、基板裏面に副ガスを接触させ、基板の冷却効率を高める。

真空排気部１８２は真空槽１８９の主排気ポンプであるターボ分子ポンプ１６１とそれを補助する補助ポンプ１６５とを有している。ターボ分子ポンプは１６１は真空槽１８９内に接続され、真空槽１８９内のガスを吸入し、補助ポンプ１６５を介して大気へ排出する。

従来、副ガス流路１９４を補助ポンプ１６５に接続して、凹部１９７から副ガスを排気していたのだが、排気時間が長くかかるとともに、長時間かけても十分低い圧力まで排気することができないという不都合があった。図４は基板処理後に副ガスを排気したときの凹部１９７の排気曲線を示す。
低い圧力まで到達できないために、装置の真空槽１８９内に残留した処理ガスが基板とステージ１８８との隙間から基板裏面に回り込み、基板裏面及びステージ１８８表面や内部治具等を汚染するという問題が生じていた。

この原因は、副ガス流路１９４が接続される接続管１６６内はターボ分子ポンプ１６１によりガスが圧縮された状態であるため、補助ポンプ１６５の能力不足によるものと考えられる。
従って、副ガス排気のために真空ポンプを増設すれば問題を解決できるのだが、それではコストがかかるという不都合があった。

特開２００３−１２９９５７号公報

本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、真空ポンプを増設せずに、副ガスの排気時間を短縮させるとともに、副ガス排気の到達圧力を低下させることができるターボ分子ポンプ及び基板処理装置を提供することにある。

上記課題を解決するために本発明は、筒形状の筐体と、前記筐体の一端に設けられ、真空槽に接続される主吸気口と、前記筐体の他端に設けられ、補助ポンプに接続される排気口と、前記筐体内で、中心軸線が前記筐体の中心軸線と一致するように配置された回転軸と、を有し、前記回転軸は、真空排気時に前記筐体の中心軸線を中心として回転可能に構成され、前記筐体内は、前記回転軸に沿って動翼部と静翼部とが交互に複数設けられ、各前記動翼部は、複数の動翼羽根が前記回転軸に対して垂直に、前記筐体の内壁面に向かって伸びるように設けられ、各前記静翼部は、複数の静翼羽根が前記筐体の内壁面に対して垂直に、前記回転軸に向かって伸びるように設けられ、各前記動翼羽根と各前記静翼羽根は、それぞれ前記主吸気口に近い辺と前記排気口に近い辺の二辺を有し、真空排気時に、前記排気口に近い辺に対する前記主吸気口に近い辺は、各前記動翼羽根では回転方向に前進するように傾けられ、各前記静翼羽根では回転方向とは逆向きに前進するように傾けられ、前記筐体の側壁の、前記主吸気口に最も近い前記動翼部と前記排気口に最も近い前記動翼部との間に、前記真空槽内に配置され、基板が配置されるステージの凹部に接続される副吸気口が設けられ、前記排気口が前記補助ポンプで排気され、前記回転軸が回転すると、前記主吸気口から前記真空槽内が排気され、前記副吸気口から前記凹部内の副ガスが排気されるように構成されたターボ分子ポンプである。
本発明はターボ分子ポンプであって、前記筐体側壁の、前記副吸気口と前記排気口に最も近い前記動翼部との間には窒素供給口が設けられ、真空排気時に前記回転軸を回転し、前記窒素供給口から窒素ガスを供給して、前記筐体内の気体を希釈し、前記排気口から排出するターボ分子ポンプである。
本発明はターボ分子ポンプであって、前記凹部には、Ｈｅガス又はＡｒガスのいずれか一方の前記副ガスが供給されるターボ分子ポンプである。
本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置され、基板を載置可能に構成されたステージと、前記真空槽内に基板処理用の主ガスを供給可能に構成された主ガス供給部と、前記真空槽内を真空排気可能に構成された真空排気部と、前記ステージの基板載置面に設けられた凹部と、前記凹部に接続された副ガス流路と、前記副ガス流路に接続され、前記凹部に熱伝導性の副ガスを供給可能に構成された副ガス供給部と、を有する基板処理装置であって、前記真空排気部は、筒形状の筐体と、前記筐体の一端に設けられた主吸気口と、他端に設けられた排気口と、前記筐体内で、中心軸線が前記筐体の中心軸線と一致するように配置された回転軸と、を有し、前記回転軸は、真空排気時に前記筐体の中心軸線を中心として回転可能に構成され、前記筐体内は、前記回転軸に沿って動翼部と静翼部とが交互に複数設けられ、各前記動翼部は、複数の動翼羽根が前記回転軸に対して垂直に、前記筐体の内壁面に向かって伸びるように設けられ、各前記静翼部は、複数の静翼羽根が前記筐体の内壁面に対して垂直に、前記回転軸に向かって伸びるように設けられ、各前記動翼羽根と各前記静翼羽根は、それぞれ前記主吸気口に近い辺と前記排気口に近い辺の二辺を有し、真空排気時に、前記排気口に近い辺に対する前記主吸気口に近い辺は、各前記動翼羽根では回転方向に前進するように傾けられ、各前記静翼羽根では回転方向とは逆向きに前進するように傾けられ、前記回転軸を回転して、前記主吸気口からガスを吸入し、前記排気口から排出するターボ分子ポンプであって、前記筐体の側壁の、前記主吸気口に最も近い前記動翼部と前記排気口に最も近い前記動翼部との間には副吸気口が設けられ、真空排気時に前記回転軸を回転すると、前記副吸気口からもガスを吸入し、前記排気口から排出するように構成されたターボ分子ポンプを有し、前記副吸気口は前記副ガス流路に接続された基板処理装置である。
本発明は基板処理装置であって、前記ターボ分子ポンプは、前記筐体側壁の、前記副吸気口と前記排気口に最も近い前記動翼部との間に窒素供給口が設けられ、真空排気時に前記回転軸を回転し、前記窒素供給口から窒素ガスを供給して、前記筐体内で圧縮されたガスを希釈し、前記排気口から排出する基板処理装置である。
本発明は基板処理装置であって、前記副吸気口から吸入するガスは、Ｈｅガス又はＡｒガスのいずれか一方のガスであることを特徴とする基板処理装置である。
本発明は基板処理装置であって、前記真空槽内に前記主ガスを供給して、前記ステージ上の基板に対し、エッチング処理又は成膜処理のいずれか一方の処理が可能に構成された基板処理装置である。

基板処理後に基板裏面の副ガスを高速で排気することが可能となるので、基板処理のスループットを向上させることができる。
副ガスの排気時間を短縮するとともに、到達圧力を低下させることができるので、残留した処理ガスの基板裏面への回り込みを抑制して、基板裏面及びステージ表面や内部治具等の汚染を防ぐことができ、メンテナンスの頻度を最小にすることができる。
真空槽の主排気と副ガスの排気を一台の真空ポンプで行うので、各排気のために複数台の真空ポンプを用意する必要がなく、低コストである。

本発明の一例であるエッチング装置の構造を説明するための図 本発明の基板処理装置で予想される副ガスの排気曲線を示す図 従来の基板処理装置の構造を説明するための図 従来の基板処理装置における副ガスの排気曲線を示す図 動翼羽根と静翼羽根の外観を説明するための模式図

＜基板処理装置の構造＞
本発明の基板処理装置の一例として、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源を搭載したエッチング装置を説明する。
図１の符号８０はこのエッチング装置を示している。
エッチング装置８０は真空槽８９と真空排気部８２と主ガス供給部８１と副ガス供給部８６とプラズマ生成部９２とを有している。真空排気部８２と主ガス供給部８１と副ガス供給部８６とプラズマ生成部９２はいずれも真空槽８９の外側に配置されている。
真空排気部８２は、主排気ポンプであるターボ分子ポンプ６１とそれを補助する補助ポンプ６５とを有している。

ここでは、補助ポンプ６５としてドライポンプを用いる。本発明の補助ポンプ６５は、ターボ分子ポンプ６１で圧縮されたガスを吸入し、大気に排出する能力がある真空ポンプであれば、ドライポンプに限定されない。
ターボ分子ポンプ６１は、筒形状の筐体７８と、筐体７８の一端に設けられた主吸気口７１と、他端に設けられた排気口７２と、回転軸７９とを有している。
回転軸７９は、筐体７８内で中心軸線が筐体７８の中心軸線と一致するように配置され、ターボ分子ポンプ６１による吸排気時に、筐体７８の中心軸線を中心として回転可能に構成されている。

筐体７８内は、回転軸７９に沿って動翼部７６と静翼部７７とが交互に複数設けられている。
各動翼部７６は、複数の動翼羽根７４が回転軸７９に対して垂直に、筐体７８の内壁面に向かって伸びるように複数枚設けられている。
各静翼部７７は、複数の静翼羽根７５が筐体７８の内壁面に対して垂直に、回転軸７９に向かって伸びるように複数枚設けられている。

図５は動翼羽根７４と静翼羽根７５の外観を説明するために、隣り合う一組の動翼部７６と静翼部７７を立体的に示した模式図である。符号４１は、ターボ分子ポンプ６１による真空排気時の、回転軸７９の回転方向を示している。また、符号４２は主吸気口７１から排気口７２へと向かう方向を示している。
各動翼羽根７４と各静翼羽根７５は、それぞれ主吸気口７１に近い辺と排気口７２に近い辺の二辺を有している。
真空排気時に、排気口７２に近い辺に対する主吸気口７１に近い辺は、各動翼羽根７４では回転方向４１に前進するように傾けられ、各静翼羽根７５では回転方向４１とは逆向きに前進するように傾けられている。

回転軸７９を真空排気時の回転方向４１に回転すると、各動翼羽根７４の排気口７２側を向いた面が前進してガスを排気口７２側に押しやり、排気口７２側から主吸気口７１側に移動しようとするガスは各静翼羽根７５の排気口７２側を向いた面で排気口７２側に跳ね返される。ガスは交互に設けられた動翼部７６と静翼部７７により、筐体７８内を主吸気口７１側から排気口７２側への一方向４２に移動されるので、排気口７２側に近づくにつれて次第に圧縮されていく。

従って、ターボ分子ポンプ６１は、回転軸７９を真空排気時の回転方向４１に回転して、主吸気口７１からガスを吸入し、排気口７２から排出することができる。
排気口７２には接続管６６を介して補助ポンプ６５が接続されている。これは、ターボ分子ポンプ６１単体では大気圧までガスを圧縮できないからである。補助ポンプ６５はターボ分子ポンプ６１が圧縮したガスを吸入し、大気へ排出する。

主吸気口７１は、調圧バルブ６３を介して真空槽８９内に接続されている。調圧バルブ６３は不図示の制御装置に接続され、制御装置により排気コンダクタンスの増減を制御されている。ターボ分子ポンプ６１を起動して真空槽８９内を真空排気しながら、調圧バルブ６３を制御することにより、真空槽８９内を所定の圧力にできるようにされている。

真空槽８９の内部には基板を載置するためのステージ８８が設けられている。ステージ８８にはチャック用電極９５が設けられており、チャック用電極９５にはチャック用直流電源９６が電気的に接続されている。チャック用直流電源９６からチャック用電極９５に直流電圧を印加すると、ステージ８８は基板を静電吸着により保持できるように構成されている。

ステージ８８には不図示の冷却装置が設けられ、ここではステージ８８に埋設された冷却パイプに温度管理した冷却媒体を循環させることにより、ステージ８８上の基板を冷却できるようにされている。
ステージ８８の基板載置面には凹部９７が設けられている。この凹部９７には副ガス流路９４が接続されており、副ガス供給部８６は副ガス流路９４に接続されている。

副ガス供給部８６から副ガス流路９４を介して凹部９７に流されたＨｅガスやＡｒガス等の熱伝導性の副ガスは、ステージ８８と静電吸着された基板との隙間を流れて、真空槽８９内に流出し、真空排気部８２の主吸気口７１より真空排気される。副ガスをステージ８８と基板との隙間に流すことにより、基板の冷却効率を高めている。

ターボ分子ポンプ６１の筐体７８側壁の、主吸気口７１に最も近い動翼部７６と、排気口７２に最も近い動翼部７６との間には、副吸気口７３が設けられている。
副吸気口７３は開閉バルブ６７を介して副ガス流路９４に接続されている。開閉バルブ６７は不図示の制御装置により開閉を制御されている。

開閉バルブ６７が開いた状態で、ターボ分子ポンプ６１の回転軸７９を真空排気時の回転方向４１に回転すると、主吸気口７１からガスを吸入するのと一緒に、副吸気口７３からもガスを吸入する。副吸気口７３から吸入されたガスは、副吸気口７３より主吸気口７１側に配置された翼部の排気口７２側を向いた面で跳ね返されるので、主吸気口７１から真空槽８９内へ逆流するのは防止されている。また、副吸気口７３より排気口７２側に配置された動翼部７６の排気口７２側を向いた面が前進して副吸気口７３から吸入したガスを排気口７２側へ押しやり、圧縮して、主吸気口７１から吸入したガスと共に排気口７２から排出する。

主ガス供給部８１は、ガス管を介して真空槽８９内部に接続され、真空槽８９内に基板処理用のエッチングガスである主ガスを供給可能にされている。
真空槽８９の天部には石英やアルミナ等からなるＲＦ導入窓９３が設けられており、真空槽８９の外部から内部へ電波を透過できるようにされている。

プラズマ生成部９２はここではＲＦアンテナ８３とマッチングボックス８７ａとプラズマ用交流電源８４とを有している。ＲＦアンテナ８３はＲＦ導入窓９３の上方に設置され、マッチングボックス８７ａを介してプラズマ用交流電源８４に電気的に接続されている。プラズマ用交流電源８４からＲＦアンテナ８３に交流電圧を印加すると、ＲＦアンテナ８３からＲＦ導入窓９３を透過して真空槽８９内に電波が放射され、真空排気部８２により真空排気された真空槽８９内に供給されたエッチングガスをプラズマ化できるようにされている。

またステージ８８に設けられた不図示の電極にはマッチングボックス８７ｂを介して基板バイアス用交流電源８５が電気的に接続されている。基板バイアス用交流電源８５からステージ８８の電極に交流電圧を印加すると、プラズマ中のイオンが加速されてステージ８８上の基板に衝突し、基板をエッチングできるようにされている。

ターボ分子ポンプ６１の筐体７８側壁の、副吸気口７３と、排気口７２に最も近い動翼部７６との間には窒素供給口７０が設けられ、この窒素供給口７０には窒素供給部６２が接続されている。
窒素供給部６２は窒素供給口７０から筐体７８内に窒素ガスを供給して、筐体７８で圧縮されたガスを希釈することにより、腐食性ガスによる筐体７８内の腐食や、基板のエッチングで生成されたガス状の反応生成物が筐体７８内に付着するのを防止している。

窒素供給口７０は、副吸気口７３より排気口７２側に配置されているので、窒素供給口７０から供給した窒素ガスは、副吸気口７３と窒素供給口７０との間に配置された翼部の排気口７２側を向いた面で排気口７２側に跳ね返され、副吸気口７３部分の圧力を増加させることはない。従って、窒素供給口７０から窒素ガスを供給しても副吸気口７３からの吸気能力は変わらない。

本発明の基板処理装置としてのエッチング装置は、上述したような誘導結合プラズマ型のエッチング装置に限定されない。
また本発明の基板処理装置は上述したようなエッチング装置に限定されず、成膜装置等、基板裏面に副ガスを流して基板の冷却効率を高めながら基板を処理する装置でもよい。
また本発明の基板処理装置の基板の温度制御装置は、上述したような冷却装置に限定されず、加熱装置でもよく、副ガスを加熱効率を高めるために使用してもよい。

＜基板処理装置を用いた基板処理方法＞
本発明の基板処理装置による基板処理方法の一例を、前述したエッチング装置８０を用いて説明する。
先ず、補助ポンプ６５とターボ分子ポンプ６１とを順に起動し、真空槽８９内を真空排気する。以降の工程では真空排気を継続している。

真空槽８９内の真空雰囲気を維持したまま、不図示の搬入室からロボット等により基板を真空槽８９内に搬入し、ステージ８８上に載置する。
チャック用直流電源９６を起動し、ステージ８８に設けられたチャック用電極９５に直流電圧を印加して、静電吸着により基板をステージ８８上に保持する。
ステージ８８に設けられた不図示の冷却装置を起動し、ステージ８８に設けられた冷却パイプに温度管理した冷却媒体を循環させる。

開閉バルブ６７を閉じた状態で、副ガス供給部８６を起動し、副ガス流路９４を介して凹部９７への副ガスの供給を開始して、ステージ８８と基板裏面との間へ副ガスを流し、基板の冷却効率を高め、以降の基板処理中も基板を所定の温度に制御する。
開閉バルブ６７はわずかに開いた状態とし、常に微量の副ガスがターボ分子ポンプ６１へ流れる状態でもよい。

主ガス供給部８１を起動し、真空槽８９内に主ガスの供給を開始し、真空槽８９内を所定の圧力にする。
真空槽８９内の圧力が安定したのち、真空排気部８２内の窒素供給部６２を起動して、ターボ分子ポンプ６１の筐体７８内への窒素の供給を開始し、エッチング生成物による筐体７８内の汚染を予防する。

次いで、プラズマ用交流電源８４を起動し、ＲＦアンテナ８３に交流電流を流し、ＲＦアンテナ８３からＲＦ導入窓９３を透過して真空槽８９内に電波を放射させ、主ガスをプラズマ化し、主ガスのイオンやラジカル等の活性種を生成して、基板に接触させる。
次いで、基板バイアス用交流電源８５を起動し、ステージ８８に設けられた電極に交流電圧を印加して、プラズマ中のイオンを基板に入射させ、エッチング処理を開始する。

基板はプラズマと反応し、生成されたエッチング生成物が蒸発し、又は入射したイオンにスパッタされ、ガス化したエッチング生成物が真空排気部８２により真空排気されて除去される。
基板を所定の膜厚にエッチングしたのち、プラズマ用交流電源８４と基板バイアス用交流電源８５の動作をそれぞれ停止し、かつ主ガス供給部８１からの主ガスの供給と、副ガス供給部８６からの副ガスの供給を停止する。
開閉バルブ６７を開いて、ターボ分子ポンプ６１により、主ガスの排気と一緒に、副ガスの排気を開始する。

図２は本発明の基板処理装置で基板処理後に副ガスを排気したときのステージ８８の凹部９７の排気曲線を示す。
凹部９７が従来よりも低い圧力部分に接続されるため、凹部９７からの排気時間が短くなるとともに、到達圧力が低下する。到達圧力が低くなるために、基板裏面に残留ガスが回り込みにくく、基板裏面、ステージ表面及び内部治具の汚染が防止される。
主ガスと副ガスの排気を終えたのち、チャック用直流電源９６を停止し、静電吸着を解除して、真空槽８９内の真空雰囲気を維持したまま、不図示の搬出室へロボット等により基板を搬出する。

４１……回転方向
６１……ターボ分子ポンプ
７０……窒素供給口
７１……主吸気口
７２……排気口
７３……副吸気口
７４……動翼羽根
７５……静翼羽根
７６……動翼部
７７……静翼部
７８……筐体
７９……回転軸
８０……エッチング装置
８１……主ガス供給部
８２……真空排気部
８６……副ガス供給部
８８……ステージ
８９……真空槽
９４……副ガス流路
９７……凹部

Claims (7)

1. 筒形状の筐体と、
   前記筐体の一端に設けられ、真空槽に接続される主吸気口と、
   前記筐体の他端に設けられ、補助ポンプに接続される排気口と、
   前記筐体内で、中心軸線が前記筐体の中心軸線と一致するように配置された回転軸と、
   を有し、
   前記回転軸は、真空排気時に前記筐体の中心軸線を中心として回転可能に構成され、
   前記筐体内は、前記回転軸に沿って動翼部と静翼部とが交互に複数設けられ、
   各前記動翼部は、複数の動翼羽根が前記回転軸に対して垂直に、前記筐体の内壁面に向かって伸びるように設けられ、
   各前記静翼部は、複数の静翼羽根が前記筐体の内壁面に対して垂直に、前記回転軸に向かって伸びるように設けられ、
   各前記動翼羽根と各前記静翼羽根は、それぞれ前記主吸気口に近い辺と前記排気口に近い辺の二辺を有し、
   真空排気時に、前記排気口に近い辺に対する前記主吸気口に近い辺は、各前記動翼羽根では回転方向に前進するように傾けられ、各前記静翼羽根では回転方向とは逆向きに前進するように傾けられ、
   前記筐体の側壁の、前記主吸気口に最も近い前記動翼部と前記排気口に最も近い前記動翼部との間に、前記真空槽内に配置され、基板が配置されるステージの凹部に接続される副吸気口が設けられ、
   前記排気口が前記補助ポンプで排気され、前記回転軸が回転すると、前記主吸気口から前記真空槽内が排気され、前記副吸気口から前記凹部内の副ガスが排気されるように構成されたターボ分子ポンプ。
2. 前記筐体側壁の、前記副吸気口と前記排気口に最も近い前記動翼部との間には窒素供給口が設けられ、
   真空排気時に前記回転軸を回転し、前記窒素供給口から窒素ガスを供給して、前記筐体内の気体を希釈し、前記排気口から排出する請求項１記載のターボ分子ポンプ。
3. 前記凹部には、Ｈｅガス又はＡｒガスのいずれか一方の前記副ガスが供給される請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のターボ分子ポンプ。
4. 真空槽と、
   前記真空槽内に配置され、基板を載置可能に構成されたステージと、
   前記真空槽内に基板処理用の主ガスを供給可能に構成された主ガス供給部と、
   前記真空槽内を真空排気可能に構成された真空排気部と、
   前記ステージの基板載置面に設けられた凹部と、
   前記凹部に接続された副ガス流路と、
   前記副ガス流路に接続され、前記凹部に熱伝導性の副ガスを供給可能に構成された副ガス供給部と、
   を有する基板処理装置であって、
   前記真空排気部は、
   筒形状の筐体と、
   前記筐体の一端に設けられた主吸気口と、他端に設けられた排気口と、
   前記筐体内で、中心軸線が前記筐体の中心軸線と一致するように配置された回転軸と、
   を有し、
   前記回転軸は、真空排気時に前記筐体の中心軸線を中心として回転可能に構成され、
   前記筐体内は、前記回転軸に沿って動翼部と静翼部とが交互に複数設けられ、
   各前記動翼部は、複数の動翼羽根が前記回転軸に対して垂直に、前記筐体の内壁面に向かって伸びるように設けられ、
   各前記静翼部は、
   複数の静翼羽根が前記筐体の内壁面に対して垂直に、前記回転軸に向かって伸びるように設けられ、
   各前記動翼羽根と各前記静翼羽根は、それぞれ前記主吸気口に近い辺と前記排気口に近い辺の二辺を有し、
   真空排気時に、前記排気口に近い辺に対する前記主吸気口に近い辺は、各前記動翼羽根では回転方向に前進するように傾けられ、各前記静翼羽根では回転方向とは逆向きに前進するように傾けられ、
   前記回転軸を回転して、前記主吸気口からガスを吸入し、前記排気口から排出するターボ分子ポンプであって、
   前記筐体の側壁の、前記主吸気口に最も近い前記動翼部と前記排気口に最も近い前記動翼部との間には副吸気口が設けられ、
   真空排気時に前記回転軸を回転すると、前記副吸気口からもガスを吸入し、前記排気口から排出するように構成されたターボ分子ポンプを有し、
   前記副吸気口は前記副ガス流路に接続された基板処理装置。
5. 前記ターボ分子ポンプは、
   前記筐体側壁の、前記副吸気口と前記排気口に最も近い前記動翼部との間に窒素供給口が設けられ、
   真空排気時に前記回転軸を回転し、前記窒素供給口から窒素ガスを供給して、前記筐体内で圧縮されたガスを希釈し、前記排気口から排出する請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記副吸気口から吸入するガスは、Ｈｅガス又はＡｒガスのいずれか一方のガスであることを特徴とする請求項４又は請求項５のいずれか１項記載の基板処理装置。
7. 前記真空槽内に前記主ガスを供給して、前記ステージ上の基板に対し、エッチング処理又は成膜処理のいずれか一方の処理が可能に構成された請求項４乃至請求項６のいずれか１項記載の基板処理装置。

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