JP2008192828A - 基板処理装置の検査方法及び基板のパーティクル低減方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ０℃以下の低温で検査用基板に処理を施した後にその基板上にパーティクルが増大することを防止する。
【解決手段】 処理室２０２で検査用ウエハＷに対して所定の検査用の処理を施した後に，検査用基板上のパーティクルを測定することにより処理室内の状態を検査する検査方法であって，処理室で処理された検査用ウエハをロードロック室１５０を介して搬送室１３０に戻す際に，ロードロック室において乾燥させた不活性ガスを導入しながら所定時間保持した後に搬送室に搬出するようにし，この所定時間は少なくとも検査用ウエハ上のパーティクルの増加を許容範囲内に抑えられる時間に設定する。
【選択図】 図１

Description

本発明は，処理室内の状態を検査用基板上のパーティクルを測定して検査する基板処理装置の検査方法及び基板のパーティクル低減方法に関する。

ガラス基板（例えば液晶基板）や半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する。）などの被処理基板に対してエッチング処理，成膜処理などの所定の処理を施す基板処理装置は，例えばウエハに所定の処理を施すための処理室に中継室としてのロードロック室を接続してなる処理ユニットを備えるとともに，この処理ユニットに対して例えば搬送アームなどの搬送機構によりウエハの受渡し（ウエハの搬出入）を行う搬送室を備える。

このような基板処理装置では，搬送室の搬送機構によりカセット容器に収納された未処理ウエハが取出され処理ユニットへ受け渡される。これにより，未処理ウエハはロードロック室を介して処理室に搬送されて，処理室にてエッチング処理などの所定の処理が実行される。処理室での処理が終了した処理済ウエハは，処理室からロードロック室を介して元のカセット容器に戻される。

ところが，ウエハのエッチング処理などが実行されると，処理室内にはエッチングによる反応生成物などのパーティクルが発生する。このパーティクルがウエハに付着すると，ウエハから製造される半導体デバイスの配線ショート等の原因となり歩留り低下の要因となる。このようなパーティクルの付着量は，各処理室内の状態によって変化するため，各処理室内の状態を定期的に検査する必要がある。

近年では，このような処理室内の状態の検査を，製品用ウエハとは異なる検査用ウエハを検査対象の処理室に搬送して処理を施し，この検査用ウエハ上のパーティクルを測定することによって，処理室内の状態を検査する方法が知られている（例えば特許文献１参照）。

特開２００６−１７９５２８号公報

しかしながら，検査用ウエハに施す処理の処理条件によっては，処理直後又は所定時間放置後に検査用ウエハ上のパーティクルが増大するという問題が明らかになった。例えば検査用ウエハに０℃以下の低温（例えば−１０℃以下）で処理を施した場合には，ロードロック室から大気圧雰囲気の搬送室で搬送している間に大気圧雰囲気中に含まれる水分によると考えられるパーティクルが増大するという現象が生じた。

また，検査用ウエハにフルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスとを含む処理ガスを用いて処理を行うと，検査用ウエハに処理を施した直後に又はカセット容器に戻して所定時間以上放置したときに，検査用ウエハ上にパーティクルが増大するという現象も生じた。

これでは，検査用ウエハのパーティクル測定を行う際には，検査用ウエハ上のパーティクル量が見かけ上増大してしまい，検査用ウエハの処理によって検査用ウエハ上に付着したパーティクルを正確に測定できず，例えば処理室内の状態（処理室内のパーティクル量など）を正確に検査することもできない。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，基板に処理を施した後にその基板上にパーティクルが増大することを防止することができ，基板の処理によりその基板上に付着したパーティクルを正確に測定できる基板処理装置の検査方法及び基板のパーティクル低減方法を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，真空圧雰囲気中において０℃以下の低温に設定された載置台に載置された基板に対して所定の処理を施す処理室と，この処理室に接続されるロードロック室と，このロードロック室に接続されて大気圧雰囲気中で基板を搬送する搬送室とを備える基板処理装置において，前記処理室で検査用基板に対して所定の検査用の処理を施した後に，前記検査用基板上のパーティクルを測定することにより前記処理室内の状態を検査する検査方法であって，前記処理室で処理された検査用基板を前記ロードロック室を介して前記搬送室に戻す際に，前記ロードロック室において乾燥させた不活性ガスを導入しながら所定時間保持した後に前記搬送室に搬出するようにし，この所定時間は少なくとも前記検査用基板上のパーティクルの増加を許容範囲内に抑えられる時間（例えば少なくとも２５秒以上の時間）に設定することを特徴とする基板処理装置の検査方法が提供される。なお，前記載置台の温度は，例えば−１０℃以下に設定され，前記不活性ガスは，例えばＮ_２ガスである。

このような本発明によれば，０℃以下の低温で検査用基板に処理を施した後にその検査用基板上にパーティクルが増大することを防止することができる。これにより，検査用基板の処理によりその基板上に付着したパーティクルを正確に測定でき，処理室内の状態を正確に検査することができる。

さらに，上記検査用処理が，少なくともフルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスを有する処理ガスを用いた処理の場合には，前記検査用処理の後に続けて，前記Ｎ_２ガスを含まないフルオロカーボン系ガス（例えばＣＦ_４ガス）を処理ガスとするトリートメント処理を行うことが好ましい。これによれば，検査用基板にフルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスとを含む処理ガスを用いて検査用処理を行った直後に又はカセット容器に戻して所定時間以上放置したときに，検査用基板上にパーティクルが増大することを防止することができる。これにより，処理室内での検査用処理によって基板上に付着したパーティクルを正確に測定でき，処理室内の状態を正確に検査することができる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，真空圧雰囲気中において０℃以下の低温に設定された下部電極に載置された基板に対して前記下部電極に高周波電力を供給することによって所定のプラズマ処理を施す処理室を備える基板処理装置において，少なくともフルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスを含む処理ガスを用いたプラズマ処理が施された前記基板のパーティクル低減方法であって，前記処理室で実行される所定の処理の後に続けて，前記Ｎ_２ガスを含まないフルオロカーボン系ガス（例えばＣＦ_４ガス）を処理ガスとするトリートメント処理を行うことを特徴とする基板のパーティクル低減方法が提供される。

このような本発明によれば，基板にフルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスとを含む処理ガスを用いて処理を行った直後に又はカセット容器に戻して所定時間以上放置したときに，基板上にパーティクルが増大することを防止することができる。これにより，処理室内での処理によって基板上に付着したパーティクルを正確に測定できる。

また，上記トリートメント処理における前記処理室内圧力と前記下部電極に印加する高周波電力は，前記基板がエッチング処理されない程度の条件に設定することが好ましい。これにより，基板がトリートメント処理によってダメージを受けることを防止することができる。

本発明によれば，基板に処理を施した後にその基板上にパーティクルが増大することを防止することができ，基板の処理によりその基板上に付着したパーティクルを正確に測定できる基板処理装置の検査方法及び基板のパーティクル低減方法を提供できるものである。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（基板処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは，搬送室に少なくとも１以上の真空処理ユニットが接続された基板処理装置を例に挙げて説明する。図１は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。

基板処理装置１００は，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう。）Ｗに対して所定の処理（例えばエッチング処理）を行う１つ又は２つ以上の真空処理ユニット１１０と，この真空処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。搬送ユニット１２０は，ウエハＷを搬送する際に共用される搬送室１３０を有している。

図１では，例えば２つの真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂを搬送ユニット１２０の側面に配設したものを示す。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂはそれぞれ，プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂと，これらのそれぞれに連設され，真空引き可能に構成された中継室としてのロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂを有している。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂは，各プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂ内でウエハＷに対して同種の処理例えばエッチング処理を行うようになっている。

例えば各プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂは，処理室２０２Ａ，２０２Ｂを備え，その内部に配置したウエハの載置台を兼ねる下部電極２０５Ａ，２０５Ｂに高周波電力を印加するとともに，処理室２０２Ａ，２０２Ｂ内に処理ガスを供給してプラズマ化してウエハ表面にプラズマエッチング処理を施す。本実施形態では，各プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂのうちの少なくとも一方は，低温（例えば０℃以下）でのエッチング処理を可能に構成される。このような０℃以下の低温でのエッチング処理が可能なプラズマ処理装置の具体的な構成例については後述する。

なお，図１に示すようにプラズマ処理装置を備える真空処理ユニットを２つ設けた場合について説明したが，これに限定されるものではなく，プラズマ処理装置を備える真空処理ユニットを３つ以上設けてもよい。また，必ずしもすべての真空処理ユニットにプラズマ処理装置を設けなくてもよく，例えばプラズマ処理装置を備える真空処理ユニットと，プラズマ処理装置以外の処理装置（例えば熱処理装置など）を備える真空処理ユニットとを設けてもよい。

上記搬送ユニット１２０の搬送室１３０は，例えばＮ_２ガス等の不活性ガスや清浄空気が循環される断面略矩形状の箱体により構成されている。搬送室１３０における断面略矩形状の長辺を構成する一側面には，複数のカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃが並設されている。これらカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃは，カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃを載置する被処理基板待機ポートとして機能する。図１では，例えば各カセット台１３２Ａ〜１３２Ｃに３台のカセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃをそれぞれ１つずつ載置することができる例を挙げているが，カセット台とカセット容器の数はこれに限られず，例えば１台又は２台であってもよく，また４台以上設けてもよい。

各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃには，例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ_２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室１３０はその内部へゲートバルブ１３６Ａ〜１３６Ｃを介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。

搬送室１３０内には，ウエハＷをその長手方向（図１に示す矢印方向）に沿って搬送する共通搬送機構（大気圧側搬送機構）１６０が設けられている。この共通搬送機構１６０は，例えば基台１６２上に固定され，この基台１６２は搬送室１３０内の中心部を長さ方向に沿って設けられた図示しない案内レール上を例えばリニアモータ駆動機構によりスライド移動可能に構成されている。共通搬送機構１６０は例えば図１に示すような２つのピックを備えるダブルアーム機構であってもよく，また１つのピックを備えるシングルアーム機構であってもよい。

搬送室における断面略矩形状の長辺を構成する他側面には，上記２つのロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの基端が，開閉可能に構成されたゲートバルブ（大気圧側ゲートバルブ）１５２Ａ，１５２Ｂをそれぞれ介して連結されている。各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの先端は，開閉可能に構成されたゲートバルブ（真空圧側ゲートバルブ）１４４Ａ，１４４Ｂを介してそれぞれ上記処理室２０２Ａ，２０２Ｂに連結されている。

各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂ内にはそれぞれ，ウエハＷを一時的に載置して待機させる一対のバッファ用載置台１５４Ａ及び１５６Ａと１５４Ｂ及び１５６Ｂが設けられる。ここで搬送室側のバッファ用載置台１５４Ａ，１５４Ｂを第１バッファ用載置台とし，反対側のバッファ用載置台１５６Ａ，１５６Ｂを第２バッファ用載置台とする。そして，両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ間及び１５４Ｂ，１５６Ｂ間には，屈伸，旋回及び昇降可能になされた多関節アームよりなる個別搬送機構（真空圧側搬送機構）１７０Ａ，１７０Ｂが設けられている。

これら個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂの先端にはピック１７２Ａ，１７２Ｂが設けられ，このピック１７２Ａ，１７２Ｂを用いて第１，第２の両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ及び１５４Ｂ，１５６Ｂ間でウエハＷの受け渡し移載を行い得るようになっている。なお，ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂから処理室２０２Ａ，２０２Ｂ内へのウエハの搬出入は，それぞれ上記個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂを用いて行われる。

搬送室１３０の一端部，すなわち断面略矩形状の短辺を構成する一方の側面には，ウエハＷの位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３７が設けられている。オリエンタ１３７は，例えば内部に回転載置台１３８とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１３９とを備え，ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行う。

搬送室１３０の他端部，すなわち断面略矩形状の短辺を構成する他方の側面には，測定室３００が配設されている。ここでの測定室３００は，ウエハＷを載置する載置台３０５を備え，この載置台３０５に載置されたウエハＷ上に付着した付着物などのパーティクル量を測定できるパーティクル測定室（Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｍｏｎｉｔｏｒ）として構成されている。なお，測定室３００内の構成は公知のものを適用することができるので，ここではその構成の詳細な説明は省略する。

このような測定室３００によりウエハＷ上のパーティクル量を測定するには，例えばパーティクル量を測定したいウエハＷを共通搬送機構１６０により測定室３００へ搬入して，直接そのウエハＷ上に付着したパーティクル量を測定する。

上記各処理室２０２Ａ，２０２Ｂ，測定室３００，オリエンタ１３７，各搬送機構１６０，１７０など各部は，制御部１８０からの制御信号に基づいて制御される。制御部１８０は，所定のプログラムに基づいて各部を制御することによって，ウエハの処理を実行するようになっている。また，測定室３００により測定されたパーティクル量などの測定結果は制御部１８０へ送られ，制御部１８０内に設けられたメモリなどの記憶手段に記憶されるようになっている。制御部１８０は，このような測定室３００により測定されたパーティクル量に基づいて，例えば処理室の状態を検出して，その処理室の状態に応じてその処理室で実行される次のウエハの処理の処理条件を調整したり，その処理室のクリーニング時期を知らせたりすることができる。

（ロードロック室のガス配管構成例）
次に，上記真空処理ユニットにおけるロードロック室のガス配管の概略構成を図面を参照しながら説明する。図２は，ロードロック室のガス配管の概略構成を示す図である。図１に示す各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂのガス配管構成は同様であるため，以下，符号のＡ，Ｂを省略したロードロック室１５０によって代表して説明する。

ロードロック室１５０の給気側（例えばロードロック室１５０の上部や側部）には，不活性ガス導入系が配設されている。この不活性ガス導入系は，ロードロック室１５０へ不活性ガス（例えばＡｒガスやＮ_２ガス等）をパージガスとして供給するためのパージガス供給管１９１を備える。パージガス供給管１９１には，ガス導入バルブとしての制御バルブ（パージバルブ）Ｖ２が介在している。

また，ロードロック室１５０の給気側には，大気圧状態（７６０ｍＴ）を検出するための圧力計が配管１９２を介して接続されている。圧力計は例えばピラニ真空計（ピラニゲージ）により構成される。

一方，ロードロック室１５０の排気側（例えばロードロック室１５０の底部）には，大気開放系が配設されている。この大気開放系は，ロードロック室１５０内をリリーフバルブ（大気開放バルブ）Ｖ４を介して大気と連通するリリーフ管（大気連通管）１９３を備える。なお，リリーフ管（大気連通管）には，図示はしないが，ロードロック室１５０とリリーフバルブＶ４との間に，エアパージ用のエア（空気）を供給するためのエア供給管流量調整用の制御バルブを介して接続されている。

また，ロードロック室１５０の排気側には，真空排気系が配設されている。この真空排気系は，ロードロック室１５０内を真空排気するための真空排気管１９４を備える。真空排気管１９４には，排気バルブＶ６が介在しており，例えばドライポンプなどの真空ポンプ１９６に接続されている。

上述した各制御バルブＶ２，Ｖ４，Ｖ６等は例えば制御部１８０により制御され，ロードロック室１５０内の圧力制御が行われる。この圧力制御は例えばロードロック室１５０の大気圧側のゲートバルブ１５２を開放する際の大気開放（大気圧復帰）にて行われる。

（プラズマ処理装置の構成例）
次に，上記プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂの構成例について図面を参照しながら説明する。なお，本実施形態にかかる基板処理装置１００では，プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂは同様に構成される場合を例に挙げるため，以下，符号のＡ，Ｂを省略した処理室２０２によって代表して説明する。図３はこのようなプラズマ処理装置２００の概略構成を示す断面図を示す断面図である。プラズマ処理装置２００は０℃以下の低温（例えば−１０℃以下）でのエッチング処理を実行可能な平行平板型のプラズマ処理装置である。

図３に示すように，プラズマ処理装置２００は，例えば表面が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムから成る円筒形状に成形された処理容器を有する処理室２０２を備える。この処理室２０２は接地されている。処理室２０２内の底部にはセラミックなどの絶縁板２０３を介して，ウエハＷを載置するための略円柱状の支持台２０４が設けられている。この支持台２０４の上には，下部電極（サセプタ）２０５が設けられている。この下部電極２０５にはハイパスフィルタ（ＨＰＦ）２０６が接続されている。

支持台２０４の内部には，冷媒室２０７が設けられている。そして，導入管２０８を介して冷媒室２０７に０℃以下の低温（例えば−１０℃以下）の冷媒が導入，循環され，排出管２０９から排出される。このような冷媒の循環により，下部電極２０５を所望の温度（例えば−１０℃）に制御できるようになっている。

下部電極２０５は，その上側中央部が凸状の円板状に成形され，その上にウエハＷと略同形の静電チャック２１１が設けられている。静電チャック２１１は，絶縁材の間に電極２１２が介在された構成となっている。静電チャック２１１は，電極２１２に接続された直流電源２１３から例えば１．５ｋＶの直流電圧が印加される。これによって，ウエハＷが静電チャック２１１に静電吸着される。

そして，絶縁板２０３，支持台２０４，下部電極２０５，および静電チャック２１１には，被処理体であるウエハＷの裏面に，伝熱媒体（例えばＨｅガスなどのバックサイドガス）を供給するためのガス通路２１４が形成されている。この伝熱媒体を介して下部電極２０５とウエハＷとの間の熱伝達がなされ，ウエハＷが所定の温度（例えば−１０℃）に維持される。

下部電極２０５の上端周縁部には，静電チャック２１１上に載置されたウエハＷを囲むように，環状のフォーカスリング２１５が配置されている。このフォーカスリング２１５は，セラミックスもしくは石英などの絶縁性材料，または導電性材料によって構成されている。フォーカスリング２１５が配置されることによって，エッチングの均一性が向上する。

また，下部電極２０５の上方には，この下部電極２０５と平行に対向して上部電極２２１が設けられている。この上部電極２２１は，絶縁材２２２を介して，処理室２０２の内部に支持されている。上部電極２２１は，下部電極２０５との対向面を構成し多数の吐出孔２２３を有する電極板２２４と，この電極板２２４を支持する電極支持体２２５とによって構成されている。電極板２２４は例えば石英から成り，電極支持体２２５は例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムなどの導電性材料から成る。なお，下部電極２０５と上部電極２２１との間隔は，調節可能とされている。

上部電極２２１における電極支持体２２５の中央には，ガス導入口２２６が設けられている。このガス導入口２２６には，ガス供給管２２７が接続されている。さらにこのガス供給管２２７には，バルブ２２８およびマスフローコントローラ２２９を介して，処理ガス供給源２３０が接続されている。

この処理ガス供給源２３０から，プラズマエッチングのためのエッチングガスが供給されるようになっている。なお，図３にはガス供給管２２７，バルブ２２８，マスフローコントローラ２２９，および処理ガス供給源２３０等から成る処理ガス供給系を１つのみ示しているが，プラズマ処理装置２００は，複数の処理ガス供給系を備えている。例えば，ＣＦ_４，ＣＨＦ_３，Ｃ_４Ｆ_８，Ａｒ，Ｎ_２等の処理ガスが，それぞれ独立に流量制御され，処理室２０２内に供給される。

処理室２０２の底部には排気管２３１が接続されており，この排気管２３１には排気装置２３５が接続されている。排気装置２３５は，ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており，処理室２０２内を所定の減圧雰囲気（例えば０．６７Ｐａ以下）に調整する。

上部電極２２１には，第１の高周波電源２４０が接続されており，その給電線には第１の整合器２４１が介挿されている。また，上部電極２２１にはローパスフィルタ（ＬＰＦ）２４２が接続されている。この第１の高周波電源２４０は，５０〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有する電力を出力することが可能である。このように高い周波数の電力を上部電極２２１に印加することにより，処理室２０２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができ，従来と比べて低温条件下（例えば０℃以下）のプラズマ処理が可能となる。第１の高周波電源１４０の出力電力の周波数は，５０〜８０ＭＨｚが好ましく，典型的には図示した６０ＭＨｚまたはその近傍の周波数に調整される。

下部電極２０５には，第２の高周波電源２５０が接続されており，その給電線には第２の整合器２５１が介挿されている。この第２の高周波電源２５０は数百ｋＨｚ〜十数ＭＨｚの範囲の周波数を有する電力を出力することが可能である。このような範囲の周波数の電力を下部電極２０５に印加することにより，被処理体であるウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第２の高周波電源２５０の出力電力の周波数は，典型的には図示した２ＭＨｚまたは１３．５６ＭＨｚ等に調整される。

（基板処理装置の動作）
次に，上述したような構成の基板処理装置１００の動作について説明する。基板処理装置１００によって例えばカセット容器１３４Ａに収容されている製品用のウエハＷに処理室２０２Ａで０℃以下の低温（例えば−１０℃以下）でのエッチング処理を施す場合，次のように動作する。すなわち，先ず共通搬送機構１６０によりカセット容器１３４Ａから処理を行う製品用ウエハが取り出される。共通搬送機構１６０により取り出された製品用ウエハは，オリエンタ１３７まで搬送されてオリエンタ１３７の回転載置台１３８に移載され，ここで位置決めされる。

位置決めされた製品用ウエハは，再度，上記共通搬送機構１６０により受け取られて保持され，この製品用ウエハに対して処理を行うロードロック室１５０Ａの直前まで搬送される。そして，ゲートバルブ１５２Ａが開放されると，共通搬送機構１６０に保持されている製品用ウエハが搬送室１３０からロードロック室１５０Ａ内へ搬入される。ロードロック室１５０Ａへの製品用ウエハの搬入が終了すると，ゲートバルブ１５２Ａが閉塞され，圧力調整が行われる。

ロードロック室１５０Ａが所定の真空圧力になり，ゲートバルブ１４４Ａが開放されると，ロードロック室１５０Ａ内の製品用ウエハは個別搬送機構１７０Ａにより処理室２０２Ａへ搬入され，下部電極２０５Ａに載置される。処理室２０２Ａへの製品用ウエハの搬入が完了すると，ゲートバルブ１４４Ａが閉塞され，処理室２０２Ａにおいて製品用ウエハのエッチング処理が開始される。

具体的には，処理室２０２Ａ内が所定の真空圧力に保持され，下部電極２０５Ａの温度が冷媒によって例えば−１０℃に温度調整される。この状態で，所定の処理ガス（例えばＣＦ_４，ＣＨＦ_３など）が導入され，上部電極と下部電極に所定の高周波電力が印加されると，処理ガスのプラズマが発生し，製品用ウエハにエッチング処理が施される。

そして，処理室２０２Ａでの製品用ウエハの処理が終了して，ゲートバルブ１４４Ａが開放されると，製品用ウエハは個別搬送機構１７０Ａによりロードロック室１５０Ａへ搬出される。ロードロック室１５０Ａへの製品用ウエハの搬出が終了すると，ゲートバルブ１４４Ａが閉塞し，搬送室１３０への製品用ウエハの搬出動作が行われる。すなわち，ロードロック室１５０Ａへ搬出された処理済の製品用ウエハは，ゲートバルブ１５２Ａが開放されると，共通搬送機構１６０によりロードロック室１５０Ａから搬送室１３０へ搬出され，ゲートバルブ１５２Ａが閉塞される。

このような製品用ウエハのエッチング処理が実行されると，処理室２０２内にエッチングによる反応生成物などのパーティクルが発生する。このパーティクルが製品用ウエハに付着すると，製品用ウエハから製造される半導体デバイスの配線ショート等の原因となり歩留り低下の要因となる。このようなパーティクルの付着量は，各処理室内の状態によって変化するため，各処理室内の状態を定期的に検査する必要がある。このような処理室内の状態の検査は，例えばＱＣ（Ｑｕａｌｉｔｙ Ｃｏｎｔｒｏｌ）チェック処理と呼ばれる検査処理によって実行される。

ＱＣチェック処理は，例えば基板処理装置１００に設けられる操作パネルによって製品用ウエハの処理を行うための通常モードからＱＣチェック処理を行うＱＣチェックモードに切換えることによって実行可能となる。

ＱＣチェック処理では，製品用ウエハとは別の検査用基板としての検査用ウエハ（例えばウエハ全面がシリコンで構成されるベアシリコンウエハ）を収容したカセット容器をカセット台にセットする。そして，カセット容器から検査用ウエハを搬出し，検査対象となる処理室２０２まで，上述した製品用ウエハの場合と同様にオリエンタ１３７，ロードロック室１５０を経由して搬送し，処理室２０２内で検査用ウエハに所定の検査用処理を施す。

検査用処理としては，例えば製品用ウエハと同様の処理を施す。すなわち，上述した具体例では，処理室２０２内を所定の真空圧力に保持し，下部電極２０５の温度が冷媒によって０℃以下の低温（例えば−１０℃）に温度調整される。この状態で，所定の処理ガス（例えばＣＦ_４，ＣＨＦ_３など）が導入され，上部電極２２１と下部電極２０５に所定の高周波電力が印加されると，処理ガスのプラズマが発生し，検査用ウエハに検査用処理が施される。検査用処理が施された検査用ウエハは，上述した製品用ウエハの場合と同様にロードロック室１５０を介して搬送室１３０に搬出される。

その後，検査用ウエハは測定室３００まで搬送され，測定室３００にてパーティクル測定が行われ，元のカセット容器に戻される。なお，この場合，検査用処理が施された検査用ウエハを測定室３００に搬送せずに，そのまま元のカセット容器に戻し，所定時間経過後に，改めて測定室３００まで搬送してパーティクル測定を行うようにしてもよい。

上述の動作のうち，ロードロック室１５０から大気圧雰囲気の搬送室１３０との間でウエハＷを搬出入する際には，大気圧側のゲートバルブ１５２を開放するのに先だって，不活性ガス（例えばＮ_２ガス）によってロードロック室１５０をパージしつつ，圧力調整を行うようになっている。このときのロードロック室内の圧力変化を図４に示す。図４は，不活性ガス（例えばＮ_２ガス）によるパージを開始したときからのロードロック室１５０内の圧力変化をグラフにしたものである。

具体的には，図２に示すように制御バルブ（パージバルブ）Ｖ２を開いて例えばＮ_２ガスなどの不活性ガスをロードロック室１５０へ導入してロードロック室１５０内のパージを開始する。すると，図４に示すようにロードロック室１５０内の圧力は上昇する。そして，ロードロック室１５０が大気圧状態になったか否かを圧力計（例えばピラニゲージ）によって判断する。例えば図４に示すように圧力計が大気圧（７６０ｍＴｏｒｒ：１．０×１０^５Ｐａ）に達した時点ｔ０でロードロック室１５０が大気圧状態になったものと判断する。

ロードロック室１５０が大気圧状態になったと判断した場合は，大気圧状態になった時点ｔ０から所定時間経過後にリリーフバルブＶ４を開いてロードロック室１５０内を大気と連通させる。その後，大気圧状態になった時点ｔ０から所定のパージディレイ時間Ｔの経過後（例えば図４では９ｓｅｃ後）に制御バルブ（パージバルブ）Ｖ２を閉じてパージガスの導入を停止し，大気圧側のゲートバルブ１５２が開放される。

（低温での検査用処理と検査用ウエハ上のパーティクル増加）
ところで，検査用ウエハを製品用ウエハと同様に０℃以下の低温（例えば−１０℃以下）で検査用処理を施した場合には，上述のようにロードロック室１５０から大気圧雰囲気の搬送室１３０に搬出して測定室３００へ検査用ウエハを搬送している間に大気圧雰囲気中に含まれる水分によると考えられるパーティクルが増大することが本発明者らの実験によって確認された。これでは，測定室３００でパーティクル測定を行ったときには，検査用ウエハ上のパーティクル量が見かけ上増大してしまい，処理室２０２内の状態を正確に検査することができないという問題がある。

ここで，図４に示すように大気圧状態になった時点ｔ０からパージディレイ時間Ｔが９ｓｅｃ後の時間ｔ１に制御バルブ（パージバルブ）Ｖ２を閉じてパージガスの導入を停止し，大気圧側のゲートバルブ１５２を開放して測定室３００まで搬送したときの検査用ウエハ上のパーティクルの測定結果を図５に示す。図５によれば，極めて多量のパーティクルが付着していることがわかる。

そこで，本発明者らは，このような問題を解消するため，上述したロードロック室１５０において乾燥した不活性ガスを導入してパージを行い，さらにそのときのパージディレイ時間Ｔを変えて，検査用ウエハ上のパーティクル量を測定してみたところ，パージディレイ時間Ｔを所定時間以上にすると，搬送中に付着したと考えられるパーティクルが激減することを見出した。

ここで，ロードロック室１５０での乾燥したＮ_２ガスによるパージディレイ時間Ｔと検査用ウエハ上のパーティクル量との関係を図面を参照しながら説明する。図６は，上記パージディレイ時間Ｔを変えて検査用ウエハ上のパーティクル量を測定した場合の実験結果をグラフにした図である。図７は，パージディレイ時間Ｔを１２ｓｅｃ，１８ｓｅｃ，２５ｓｅｃ，３７ｓｅｃ，５０ｓｅｃ，１００ｓｅｃとしたときの検査用ウエハ上のパーティクル量の測定結果を示す図である。

図６によれば，パージディレイ時間Ｔが２５ｓｅｃ未満では，図７に示す１２ｓｅｃ，１８ｓｅｃのときの測定結果からもわかるように，パーティクル量が１００個を超えるほど多量であることがわかる。これに対して，パージディレイ時間Ｔが２５ｓｅｃくらいでパーティクル量が激減し，その後はほぼパージディレイ時間Ｔを長くするほどパーティクル量が減少していることがわかる。

この場合，検査用ウエハ上のパーティクル増加の許容範囲を，例えば０．１６μｍ以上のパーティクルが３５個以内又は０．２０μｍ以上のパーティクルが１５個以内とすると，パージディレイ時間Ｔが２５ｓｅｃ未満までは許容範囲を超えるのに対して，パージディレイ時間Ｔが２５ｓｅｃ以上になると，許容範囲内に収まる。

従って，ロードロック室１５０での乾燥した不活性ガスによるパージディレイ時間Ｔを２５ｓｅｃ以上の時間に設定することによって，大気圧雰囲気中に含まれる水分によると考えられるパーティクルの増加を許容範囲内に抑えることができる。これにより，検査用ウエハ上のパーティクルによって処理室２０２内で付着したパーティクル量を正確に測定することができる。また，パージディレイ時間Ｔを長く設定するという簡単な方法で，パーティクルの増加を防止することができる。なお，パーティクルの増加を防止するためには，上記パージディレイ時間Ｔが長いほどよいが，検査用ウエハについてのスループットを考慮すれば，実用的には５０ｓｅｃ程度に設定することが好ましい。

（Ｎ_２ガスを用いた検査用処理と検査用ウエハ上のパーティクル増加）
上述したようにロードロック室１５０での乾燥した不活性ガスによるパージディレイ時間Ｔを長い時間に設定（例えば５０ｓｅｃ）しても，検査用処理に用いられる処理ガスの種類（例えばフルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスとを含む処理ガス）によっては，検査用ウエハに検査用処理を施した直後に又はカセット容器に戻して所定時間以上放置したときに，検査用ウエハ上にパーティクルが増大することが本発明者らの実験によって確認された。

例えば図３に示すようなプラズマ処理装置２００において，検査用ウエハに対してＮ_２ガスを含む処理ガスを用いた検査用処理として後述する第１〜第３ステップの処理を行い，この検査用処理前，検査用処理直後，２時間放置後にそれぞれ検査用ウエハ上のパーティクル測定を行ったところ，図８に示す実験結果が得られた。また，これと比較するために，上記検査用処理（第１〜第３ステップ）においてＮ_２ガスの流量を０として，Ｎ_２ガスを含まない場合の検査用ウエハ上のパーティクル測定を上記と同様に行ったところ，図９に示す実験結果が得られた。

図８に示す実験における検査用処理の第１ステップではＣＦ_４ガスを処理ガスとして用いてプラズマ処理を行い，第２ステップではＣＨＦ_３ガス，ＣＦ_４ガス，Ａｒガス，Ｎ_２ガスの混合ガスを処理ガスとして用いてプラズマ処理を行い，第３ステップではＣ_４Ｆ_８ガス，Ａｒガス，Ｎ_２ガスの混合ガスを処理ガスとして用いてプラズマ処理を行った。これら第１〜第３ステップまでの処理条件をまとめると次のようになる。なお，第１〜第３ステップにおける上部電極温度は６０℃，下部電極温度は−１０℃，側壁温度は６０℃に設定した。これに対して，図９に示す実験では，下記第２ステップ及び第３ステップのＮ_２ガスの流量を０とし，他の条件は同じにして検査用処理を行った。

［第１ステップの処理条件］
処理ガス：ＣＦ_４ガス
処理室内圧力：９８ｍＴ（１３．０Ｐａ）
上部電極印加高周波電力：３００Ｗ
下部電極印加高周波電力：３００Ｗ
処理時間：１０ｓｅｃ

［第２ステップの処理条件］
処理ガス：ＣＨＦ_３ガス，ＣＦ_４ガス，Ａｒガス，Ｎ_２ガス
処理室内圧力：３０ｍＴ（４．０Ｐａ）
上部電極印加高周波電力：５００Ｗ
下部電極印加高周波電力：１０００Ｗ
処理時間：１０ｓｅｃ

［第３ステップの処理条件］
処理ガス：Ｃ_４Ｆ_８ガス，Ａｒガス，Ｎ_２ガス
処理室内圧力：５０ｍＴ（６．６Ｐａ）
上部電極印加高周波電力：５００Ｗ
下部電極印加高周波電力：２０００Ｗ
処理時間：１０ｓｅｃ

さらに，上記第１〜第３ステップまでについて他の条件を変えて検査用処理を実行し，上記と同様にこの検査用処理前，検査用処理直後，２時間放置後にそれぞれ検査用ウエハ上のパーティクル測定を行った。

具体的には，検査用処理の各ステップとの関係を確認するために，第１ステップのみを３０ｓｅｃ実行した場合（実験１），第２ステップのみを３０ｓｅｃ実行した場合（実験２），第３ステップのみを３０ｓｅｃ実行した場合（実験３）についてそれぞれ検査用ウエハ上のパーティクル測定を行った。

また，検査用処理に使用するガスの種類との関係を確認するために，第１〜第３ステップをＣＦ_４ガスなしで実行した場合（実験４），第１〜第３ステップをＣＨＦ_３ガスなしで実行した場合（実験５），第２ステップのみをＣＨＦ_３ガスなしで実行した場合（実験６），第２ステップのみをＮ_２ガスなしで実行した場合（実験７），第１ステップのみをＮ_２ガスなしで実行した場合（実験８）についてもそれぞれ検査用ウエハ上のパーティクル測定を行った。

これらの確認実験１〜８までの結果を下記表１にまとめる。表１は，各実験１〜８の検査用ウエハ上のパーティクル測定結果について，検査用処理の直後及び２時間放置後のものを評価した結果である。ここでは，検査用ウエハ上のパーティクル増加の許容範囲を，例えば０．１６μｍ以上のパーティクルが３５個以内又は０．２０μｍ以上のパーティクルが１５個以内とし，検査用処理の直後又は２時間放置後のパーティクル測定結果が許容範囲内である場合にはＯＫ，許容範囲を超える場合にはＮＧとしている。

（実験結果の評価）
図８の実験結果に示すように，フルオロカーボン系ガスにＮ_２ガスが含まれる場合には，検査用ウエハ上のパーティクルは，上述した第１〜第３ステップの検査用処理の直後では，検査用処理前の場合とほとんど変わらず，数個程度にとどまっている。ところが，２時間放置後の場合には測定室３００でのパーティクル測定可能範囲（５００Ｋ個）を超えてしまうほどパーティクル数が増大する。

これに対して，図９の実験結果に示すように，フルオロカーボン系ガスにＮ_２ガスが含まれない場合には，検査用ウエハ上のパーティクルは，上述した第１〜第３ステップの検査用処理の直後では，検査用処理前の場合とほとんど変わらず，数個程度にとどまっており，さらに２時間放置後の場合においてもほとんどパーティクル数は増加しない。

さらに，表１に示す実験結果によれば，検査用処理の各ステップとパーティクル測定結果との関係については，実験１〜３における２時間放置後のパーティクル測定結果は，Ｎ_２ガスが含まれない第１ステップでは許容範囲にとどまっているのに対して，Ｎ_２ガスが含まれる第２ステップ及び第３ステップでは許容範囲を超えてパーティクルが増大した。

また，表１に示す実験結果によれば，検査用処理に使用するガスの種類とパーティクル測定結果との関係については，実験４〜８における２時間放置後のパーティクル測定結果は，ＣＦ_４ガスなし又はＣＨＦ_３ガスなしの場合（実験４〜６）には許容範囲を超えてパーティクルが増大しているのに対して，Ｎ_２ガスなしの場合（実験７，８）には許容範囲にとどまり，パーティクルは増大しない。このように，図８，図９，表１に示す実験結果によれば，２時間放置後のパーティクル数が増大には，Ｎ_２ガスに要因があることが推察できる。

なお，表１に示す実験結果のうち実験２，５，６によれば，ＣＨＦ_３ガスを含む第２ステップのみの場合（実験２）には，２時間放置後のみならず，処理直後にも許容範囲を超えてパーティクルが増大しているのに対して，ＣＨＦ_３ガスなしの場合（実験５，６）には，２時間放置後には許容範囲を超えているものの，処理直後は許容範囲にとどまっている。これによれば，ＣＦ_４ガスとＮ_２ガスに加えてさらにＣＨＦ_３ガスを含む場合には処理直後であっても加速的にパーティクルが増大することが推察できる。

以上の実験結果によれば，フルオロカーボン系ガスにＮ_２ガスが含まれると，所定時間放置後（例えば２時間放置後）に検査用ウエハ上のパーティクルが大量発生することがわかる。これはフルオロカーボン系ガス（例えばＣＦ系ガス（Ｃ_ｘＦ_ｙ）や，ＣＨＦ系ガス（ハイドロフルオロカーボンガス；Ｃ_ｐＨ_ｑＦ_ｒ）など）とＮ_２ガスを含む処理ガスで検査用処理を行った場合，そのプラズマ処理によって例えば下記化学式（１）に示すような化学反応が起こって，検査用ウエハ上にＮＨ_３が形成されるのが主な要因と考えられる。

特に検査用ウエハ上には，通常，自然酸化膜ＳｉＯ_２が形成されており，このＳｉＯ_２は親水性なので大気中の水分（Ｈ_２Ｏ）が吸着している。このため，上記プラズマ処理によって下記化学式（１）の反応が進み易く，さらに例えば下記化学式（２）〜（４）に示すような化学反応が起って，検査用ウエハ上に形成されたＮＨ_３は例えばハロゲン系のガス成分（Ｆ）と反応して例えばハロゲン系のアンモニア塩（例えば（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６）が形成される。

６Ｈ＋Ｎ_２→２ＮＨ_３
・・・・（１）

ＮＨ_３＋Ｆ→ＨＦ＋ＮＨ_２
・・・・（２）

ＨＦ＋ＮＨ_３→ＮＨ_４Ｆ
・・・・（３）

６ＮＨ_４Ｆ＋ＳｉＯ_２→（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６＋２Ｈ_２Ｏ
・・・・（４）

また，ＣＦ系ガスとＮ_２ガスに，さらにＣＨＦ系ガスが含まれると，このＣＨＦ系ガスはＨを含むのでＨがより多くなるので，例えば上記化学式（１）に示すような反応が促進されより多くのＮＨ_３が形成され易い。このため，上記化学式（３），（４）による化学反応も進み易いので，検査用処理の直後であってもアンモニア塩（例えば（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６）が加速的に発生するものと考えられる。

こうして検査用ウエハの表面上にハロゲン系のアンモニア塩（例えば（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６）が形成されると，この検査用ウエハ上のアンモニア塩は，検査用ウエハを取巻く雰囲気中に含まれる水分（Ｈ_２Ｏ）を徐々に吸収し，時間の経過に伴ってパーティクルが発生する。すなわち，最初は０．００１μｍ程度の電子顕微鏡でも測定できないような小さなパーティクルが発生し，その数が徐々に増加していくともに，これらパーティクルの大きさも徐々に大きくなっていく。例えば１時間くらい経過すると，０．１μｍくらいに成長し，さらに２４時間くらい経過すると，０．５〜０．７μｍくらいのパーティクルに成長するものもある。こうして，大気中の水分との反応により所定時間放置後に検査用ウエハ上のパーティクルが大量発生するものと考えられる。

なお，ＣＦ系ガスとＮ_２ガスに，さらにＣＨＦ系ガスが含まれる場合には，検査用処理の直後であってもアンモニア塩（例えば（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６）も水分（Ｈ_２Ｏ）もより加速的に発生するので，所定時間放置後のみならず，検査用処理の直後であってもアンモニア塩が水分を吸収して加速的にパーティクルが増加するものと考えられる。

これに対して，フルオロカーボン系ガスにＮ_２ガスが含まれない場合には，例えば上記化学式（１）に示す化学反応はほとんど起こらないので，これによってＮＨ_３が増大することもない。このため，上記化学式（３），（４）の反応もほとんど起らず，アンモニア塩も発生しないので，フルオロカーボン系ガスにＮ_２ガスが含まれない場合には，検査用ウエハ上のパーティクルが増加しないものと考えられる。

このように，検査用処理にフルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスとを含む処理ガスを用いると，検査用ウエハに検査用処理を施した直後に又はカセット容器１３４に戻して所定時間以上放置したときに，検査用ウエハ上にパーティクルが増大することがわかった。この場合，例えば処理室２０２において検査用処理を行った検査用ウエハをいったんカセット容器に戻し，所定時間以上経過してから改めて測定室３００に搬送してパーティクル測定を行うようなＱＣチェックの運用を行う場合には，測定室３００でパーティクル測定を行うときに検査用ウエハ上のパーティクル量が増大していて，処理室２０２内の状態を正確に検査することができない虞がある。

そこで，本発明では，フルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスを有する処理ガスを用いた検査用処理を行った場合には，その後に続けてＣＦ_４ガスを処理ガスとするトリートメント処理を行う。これにより，検査用ウエハ上のアンモニア成分を除去することができるので，２時間放置後のパーティクルの増大を防止することができる。

ここで，フルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスを有する処理ガスを用いた検査用処理として例えば上述した第１〜第３ステップを行った後に続けて，ＣＦ_４ガスを処理ガスとして用いてプラズマ処理を行うトリートメント処理を実行し，これら一連の処理前，処理直後，２時間放置後にそれぞれ検査用ウエハ上のパーティクル測定を行ったところ，図１０に示す実験結果が得られた。図１０に示す実験で行ったトリートメント処理の処理条件は以下の通りである。

［トリートメント処理の処理条件］
処理ガス：ＣＦ_４ガス
処理室内圧力：１００ｍＴ（１３．３Ｐａ）
上部電極印加高周波電力：５００Ｗ
下部電極印加高周波電力：６００Ｗ
処理時間：１０ｓｅｃ

図１０に示す実験結果によれば，トリートメント処理の直後のみならず，２時間放置後についても，検査用ウエハ上のパーティクル量はほとんど増加していないことがわかる。これは，トリートメント処理では，検査用ウエハの表面がＮ_２ガスを含まないＣＦ_４ガスによるプラズマに晒されるので，たとえＮＨ_３が発生しても，上述したように例えば上記化学式（２）に示すような化学反応の方が進み易い。このため，ＮＨ_３がより多く消費され，上記化学式（３），（４）の反応はほとんど起らず，アンモニア塩の発生が抑えられる。さらに，トリートメント処理によるプラズマの熱によって，アンモニア塩自体が例えば下記化学式（５）に示す化学反応により分解されてアンモニア塩の除去が促進されるものと考えられる。

（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６→ＮＨ_３＋ＨＦ＋ＳｉＦ_４
・・・・（５）

なお，トリートメント処理の処理条件としては，処理ガス以外の条件（例えば各電極に印加する高周波電力など）については，少なくとも検査用ウエハをエッチングしない程度の範囲で設定することが好ましい。これにより，検査用ウエハがダメージを受けることなく，検査用ウエハ上に付着したアンモニア成分を除去することができる。また，処理ガスとしては，ＣＦ_４ガスに限られるものではなく，他のフルオロカーボン系ガスを適用することもできる。

他のフルオロカーボン系ガスとしては，例えばＣＦ_４ガスの他にＣ₄ Ｆ₆ ガス，Ｃ₅ Ｆ₈ガス，Ｃ₄Ｆ₈ガスなどのＣＦ系ガスＣＦ系ガス（Ｃ_ｘＦ_ｙ）や，ＣＨＦ_３ガスなどのＣＨＦ系ガス（ハイドロフルオロカーボンガス；Ｃ_ｐＨ_ｑＦ_ｒ）が挙げられる。また，Ｎ_２を含まなければ，これら複数種類のフルオロカーボン系ガスを組合せた混合ガスをトリートメント処理の処理ガスとして用いてもよい。これらフルオロカーボン系ガスを用いてトリートメント処理を行っても，検査用ウエハ上に付着したアンモニア成分を除去できるので，検査用ウエハ上のパーティクルの増加を抑えることができる。

また，ここではフルオロロカーボン系ガスにＮ_２ガスを含む処理ガスを用いて検査用処理を検査用ウエハに施した場合に，処理直後又は所定時間以上放置後に検査用ウエハ上のパーティクルが増加する場合を例に挙げて説明したが，検査用ウエハ以外でも適用可能である。例えば製品用ウエハに対して，フルオロカーボン系ガスにＮ_２ガスを含む処理ガスを用いてウエハの処理を施した場合であって，処理直後又は所定時間以上放置後に製品用ウエハ上のパーティクルが増加する場合には，そのウエハの処理の後に続けて上記トリートメント処理を実行するようにしてもよい。

また，上述したロードロック室１５０での乾燥した不活性ガスによるパージディレイ時間Ｔを長い時間に設定してパーティクルを低減する方法と，トリートメント処理を行ってパーティクルを低減する方法については，これらを組み合わせてもよいし，また別々に実行してもよい。

なお，本発明は，図１に示す基板処理装置に限られず，様々な基板処理装置に適用できる。例えば真空処理ユニットが例えば搬送機構を備える共通搬送室の周りに複数の処理室を接続したマルチチャンバで構成される基板処理装置に適用してもよい。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は，基板処理装置の検査方法及び基板のパーティクル低減方法に適用可能である。

本発明を適用可能な基板処理装置の構成例を示す断面図である。 図１におけるロードロック室のガス配管の概略構成を示す断面図である。 図１におけるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。 ロードロック室内の圧力変化をグラフに示す図である。 パージディレイ時間が９ｓｅｃの場合のパーティクル測定の結果を示す図である。 パージディレイ時間とパーティクル測定の結果との関係を示す図である。 パージディレイ時間を１２ｓｅｃ，１８ｓｅｃ，２５ｓｅｃ，３７ｓｅｃ，５０ｓｅｃ，１００ｓｅｃとしたときの検査用ウエハ上のパーティクル測定の結果を示す図である。 Ｎ_２ガスを含む処理ガスで検査用処理を行った場合のパーティクル測定の結果を示す図である。 Ｎ_２ガスを含まない処理ガスで検査用処理を行った場合のパーティクル測定の結果を示す図である。 検査用処理後にＣＦ_４ガスを用いたトリートメント処理を行った場合のパーティクル測定の結果を示す図である。

符号の説明

１００ 基板処理装置
１１０（１１０Ａ，１１０Ｂ） 真空処理ユニット
１２０ 搬送ユニット
１３０ 搬送室
１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ） カセット台
１３４（１３４Ａ〜１３４Ｃ） カセット容器
１３６（１３６Ａ〜１３６Ｃ） ゲートバルブ
１３７ オリエンタ
１３８ 回転載置台
１３９ 光学センサ
１４０ 高周波電源
１４４（１４４Ａ，１４４Ｂ） ゲートバルブ
１５０（１５０Ａ，１５０Ｂ） ロードロック室
１５２（１５２Ａ，１５２Ｂ） ゲートバルブ
１５４Ａ，１５６Ａ バッファ用載置台
１５４Ｂ，１５６Ｂ バッファ用載置台
１６０ 共通搬送機構
１６２ 基台
１７０Ａ，１７０Ｂ 個別搬送機構
１７２Ａ，１７２Ｂ ピック
１８０ 制御部
１９１ パージガス供給管
１９２ 配管
１９３ リリーフ管
１９４ 真空排気管
１９６ 真空ポンプ
２００（２００Ａ，２００Ｂ） プラズマ処理装置
２０２（２０２Ａ，２０２Ｂ） 処理室
２０３ 絶縁板
２０４ 支持台
２０５（２０５Ａ，２０５Ｂ） 下部電極
２０７ 冷媒室
２０８ 導入管
２０９ 排出管
２１１ 静電チャック
２１２ 電極
２１３ 直流電源
２１４ ガス通路
２１５ フォーカスリング
２２１ 上部電極
２２２ 絶縁材
２２３ 吐出孔
２２４ 電極板
２２５ 電極支持体
２２６ ガス導入口
２２７ ガス供給管
２２８ バルブ
２２９ マスフローコントローラ
２３０ 処理ガス供給源
２３１ 排気管
２３５ 排気装置
２４０ 第１の高周波電源
２４１ 第１の整合器
２５０ 第２の高周波電源
２５１ 第２の整合器
３００ 測定室
３０５ 載置台

Claims (9)

1. 真空圧雰囲気中において０℃以下の低温に設定された載置台に載置された基板に対して所定の処理を施す処理室と，この処理室に接続されるロードロック室と，このロードロック室に接続されて大気圧雰囲気中で基板を搬送する搬送室とを備える基板処理装置において，前記処理室で検査用基板に対して所定の検査用の処理を施した後に，前記検査用基板上のパーティクルを測定することにより前記処理室内の状態を検査する検査方法であって，
   前記処理室で処理された検査用基板を前記ロードロック室を介して前記搬送室に戻す際に，前記ロードロック室において乾燥させた不活性ガスを導入しながら所定時間保持した後に前記搬送室に搬出するようにし，この所定時間は少なくとも前記検査用基板上のパーティクルの増加を許容範囲内に抑えられる時間に設定することを特徴とする基板処理装置の検査方法。
2. 前記所定時間は，少なくとも２５秒以上の時間に設定したことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の検査方法。
3. 前記載置台の温度は，−１０℃以下に設定したことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の検査方法。
4. 前記不活性ガスは，Ｎ_２ガスであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の検査方法。
5. 前記検査用処理が，少なくともフルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスを有する処理ガスを用いた処理の場合には，前記検査用処理の後に続けて，前記Ｎ_２ガスを含まないフルオロカーボン系ガスを処理ガスとするトリートメント処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の検査方法。
6. 前記トリートメント処理に用いるフルオロカーボン系ガスは，ＣＦ_４ガスであることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置の検査方法。
7. 真空圧雰囲気中において０℃以下の低温に設定された下部電極に載置された基板に対して前記下部電極に高周波電力を供給することによって所定のプラズマ処理を施す処理室を備える基板処理装置において，少なくともフルオロカーボン系ガスとＮ_２ガスを含む処理ガスを用いたプラズマ処理が施された前記基板のパーティクル低減方法であって，
   前記処理室で実行される所定の処理の後に続けて，前記Ｎ_２ガスを含まないフルオロカーボン系ガスを処理ガスとするトリートメント処理を行うことを特徴とする基板のパーティクル低減方法。
8. 前記トリートメント処理に用いるフルオロカーボン系ガスは，ＣＦ_４ガスであることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置の検査方法。
9. 前記トリートメント処理における前記処理室内圧力と前記下部電極に印加する高周波電力は，前記基板がエッチング処理されない程度の条件に設定することを特徴とする請求項７に記載の基板のパーティクル低減方法。
   

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