JPH04360527A - エッチング方法およびエッチング装置 - Google Patents
エッチング方法およびエッチング装置Info
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- JPH04360527A JPH04360527A JP3136121A JP13612191A JPH04360527A JP H04360527 A JPH04360527 A JP H04360527A JP 3136121 A JP3136121 A JP 3136121A JP 13612191 A JP13612191 A JP 13612191A JP H04360527 A JPH04360527 A JP H04360527A
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- etching
- semiconductor wafer
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング方法および
エッチング装置に関する。
エッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体デバイスの微細な回路
パターンの形成等に、いわゆるドライエッチングにより
エッチング処理を施すエッチング装置が利用されている
。
パターンの形成等に、いわゆるドライエッチングにより
エッチング処理を施すエッチング装置が利用されている
。
【０００３】このようなエッチング装置では、例えば処
理チャンバ（エッチング処理室）内に、上下に対向する
如く上部電極と下部電極とが設けられており、エッチン
グ処理室内を減圧された所定のエッチングガス雰囲気と
するとともに、上部電極と下部電極との間に高周波電源
から高周波電力を供給することにより、エッチングガス
を活性化（プラズマ化）し、例えば下部電極上に載置し
た半導体ウエハに作用させてエッチング処理を実施する
。なお、他の半導体製造装置等と同様に、エッチング処
理室にはゲートバルブを介して接続されたロードロック
室が設けられており、このロードロック室を介して、半
導体ウエハを減圧雰囲気のエッチング処理室に搬入ある
いはエッチング処理室から搬出するよう構成されている
。
理チャンバ（エッチング処理室）内に、上下に対向する
如く上部電極と下部電極とが設けられており、エッチン
グ処理室内を減圧された所定のエッチングガス雰囲気と
するとともに、上部電極と下部電極との間に高周波電源
から高周波電力を供給することにより、エッチングガス
を活性化（プラズマ化）し、例えば下部電極上に載置し
た半導体ウエハに作用させてエッチング処理を実施する
。なお、他の半導体製造装置等と同様に、エッチング処
理室にはゲートバルブを介して接続されたロードロック
室が設けられており、このロードロック室を介して、半
導体ウエハを減圧雰囲気のエッチング処理室に搬入ある
いはエッチング処理室から搬出するよう構成されている
。
【０００４】また、近年の半導体デバイスの高集積化に
伴う回路パータンの微細化等に対応するため、半導体ウ
エハを例えばマイナス数十度程度に冷却しながらエッチ
ング処理を実施するエッチング方法およびエッチング装
置が開発されている。
伴う回路パータンの微細化等に対応するため、半導体ウ
エハを例えばマイナス数十度程度に冷却しながらエッチ
ング処理を実施するエッチング方法およびエッチング装
置が開発されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等が詳査したところ、上述した従来の技術では、次の
ような問題があることが判明した。
者等が詳査したところ、上述した従来の技術では、次の
ような問題があることが判明した。
【０００６】すなわち、エッチング処理室内の減圧雰囲
気において冷却された半導体ウエハ等に吸着したガス例
えば塩素系ガスが、半導体ウエハ等を常温常圧の外部に
搬出した際大気中に放出され、装置や人体に悪影響を与
える恐れがある。また、このように半導体ウエハ等に吸
着したガスの反応により、半導体ウエハ等に反応生成物
が付着するという問題がある。さらに、冷却された半導
体ウエハ等に水滴が付着するという問題もある。
気において冷却された半導体ウエハ等に吸着したガス例
えば塩素系ガスが、半導体ウエハ等を常温常圧の外部に
搬出した際大気中に放出され、装置や人体に悪影響を与
える恐れがある。また、このように半導体ウエハ等に吸
着したガスの反応により、半導体ウエハ等に反応生成物
が付着するという問題がある。さらに、冷却された半導
体ウエハ等に水滴が付着するという問題もある。
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、不所望なガスの大気中への放出を抑制す
ることができるとともに、被処理物に対する反応生成物
の付着および水滴の付着を防止して良好なエッチング処
理を行うことのできるエッチング方法およびエッチング
装置を提供しようとするものである。
されたもので、不所望なガスの大気中への放出を抑制す
ることができるとともに、被処理物に対する反応生成物
の付着および水滴の付着を防止して良好なエッチング処
理を行うことのできるエッチング方法およびエッチング
装置を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明のエッ
チング方法は、被処理物を冷却しつつ減圧雰囲気下でエ
ッチングガスを作用させ、該被処理物のエッチング処理
を行うエッチング工程と、前記エッチング工程の後、減
圧雰囲気または不活性ガスの常圧雰囲気下で前記被処理
物を加熱する工程とを備えたことを特徴とする。
チング方法は、被処理物を冷却しつつ減圧雰囲気下でエ
ッチングガスを作用させ、該被処理物のエッチング処理
を行うエッチング工程と、前記エッチング工程の後、減
圧雰囲気または不活性ガスの常圧雰囲気下で前記被処理
物を加熱する工程とを備えたことを特徴とする。
【０００９】また、本発明のエッチング装置は、被処理
物に減圧雰囲気下でエッチングガスを作用させ、該被処
理物のエッチング処理を行うエッチング処理室と、前記
エッチング処理室でエッチング処理を行った前記被処理
物を常圧雰囲気に搬出するためのロードロック室とを備
えたエッチング装置において、前記エッチング処理室に
前記被処理物を冷却するための冷却手段を設けるととも
に、前記ロードロック室に前記被処理物を加熱するため
の加熱手段を設けたことを特徴とする。
物に減圧雰囲気下でエッチングガスを作用させ、該被処
理物のエッチング処理を行うエッチング処理室と、前記
エッチング処理室でエッチング処理を行った前記被処理
物を常圧雰囲気に搬出するためのロードロック室とを備
えたエッチング装置において、前記エッチング処理室に
前記被処理物を冷却するための冷却手段を設けるととも
に、前記ロードロック室に前記被処理物を加熱するため
の加熱手段を設けたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記構成の本発明のエッチング方法およびエッ
チング装置では、例えばエッチング処理室内で、被処理
物例えば半導体ウエハを冷却しつつ減圧雰囲気下でエッ
チングガスを作用させエッチング処理を行い、この後、
例えば減圧または不活性ガスを充填して常圧としたロー
ドロック室内で、半導体ウエハを加熱、例えば数十度乃
至百数十度程度に加熱する。
チング装置では、例えばエッチング処理室内で、被処理
物例えば半導体ウエハを冷却しつつ減圧雰囲気下でエッ
チングガスを作用させエッチング処理を行い、この後、
例えば減圧または不活性ガスを充填して常圧としたロー
ドロック室内で、半導体ウエハを加熱、例えば数十度乃
至百数十度程度に加熱する。
【００１１】これにより、多量のガスが吸着された状態
で、被処理物例えば半導体ウエハが大気中に搬出される
ことを防止することができ、不所望なガスの大気中への
放出を抑制することができるとともに、被処理物に対す
る反応生成物の付着および水滴の付着を防止して良好な
エッチング処理を行うことができる。
で、被処理物例えば半導体ウエハが大気中に搬出される
ことを防止することができ、不所望なガスの大気中への
放出を抑制することができるとともに、被処理物に対す
る反応生成物の付着および水滴の付着を防止して良好な
エッチング処理を行うことができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１３】図１に示すように、エッチング装置１には
、材質例えばアルマイト処理を施したアルミニウムから
円筒状に構成され、内部を気密に閉塞可能に構成された
エッチング処理室２が設けられている。このエッチング
処理室２は、例えば電気的にアースされており、その上
部および下部には、エッチング処理室２の内壁と絶縁部
材３によって電気的に絶縁された上部電極４と下部電極
５が、一対の平行平板電極を構成する如く対向して設け
られている。
、材質例えばアルマイト処理を施したアルミニウムから
円筒状に構成され、内部を気密に閉塞可能に構成された
エッチング処理室２が設けられている。このエッチング
処理室２は、例えば電気的にアースされており、その上
部および下部には、エッチング処理室２の内壁と絶縁部
材３によって電気的に絶縁された上部電極４と下部電極
５が、一対の平行平板電極を構成する如く対向して設け
られている。
【００１４】上記下部電極５は、上面に被処理物である
半導体ウエハ６を載置可能に構成されており、下部電極
５の内部に形成された冷媒循環流路５ａ内に、冷媒循環
配管７によって冷媒を循環することにより半導体ウエハ
６を冷却することができるよう構成されている。また、
下部電極５は、整合器８を介して高周波電源９に接続さ
れており、一方、上部電極４は、接地電位に接続されて
いる。そして、上部電極４の上部外側には、図示しない
駆動機構に接続された回転軸１０により、図中矢印で示
す如く回転自在に構成され、上記半導体ウエハ６と平行
な磁界を形成するマグネット１１が設けられている。な
お、上述した上部電極４に高周波電圧を印加し、下部電
極５を接地したり、上部電極４および下部電極５に位相
の異なる高周波電圧を印加するよう構成することもでき
る。
半導体ウエハ６を載置可能に構成されており、下部電極
５の内部に形成された冷媒循環流路５ａ内に、冷媒循環
配管７によって冷媒を循環することにより半導体ウエハ
６を冷却することができるよう構成されている。また、
下部電極５は、整合器８を介して高周波電源９に接続さ
れており、一方、上部電極４は、接地電位に接続されて
いる。そして、上部電極４の上部外側には、図示しない
駆動機構に接続された回転軸１０により、図中矢印で示
す如く回転自在に構成され、上記半導体ウエハ６と平行
な磁界を形成するマグネット１１が設けられている。な
お、上述した上部電極４に高周波電圧を印加し、下部電
極５を接地したり、上部電極４および下部電極５に位相
の異なる高周波電圧を印加するよう構成することもでき
る。
【００１５】また、エッチング処理室２の側壁部には、
エッチングガスを導入するためのガス供給配管１２が設
けられており、下部電極５の周囲には、エッチング処理
室２内を所定の減圧雰囲気とするための真空配管１３が
設けられている。
エッチングガスを導入するためのガス供給配管１２が設
けられており、下部電極５の周囲には、エッチング処理
室２内を所定の減圧雰囲気とするための真空配管１３が
設けられている。
【００１６】さらに、エッチング処理室２の側方には、
搬出用ロードロック室１４と、図示しない搬入用ロード
ロック室が設けられている。この搬出用ロードロック室
１４とエッチング処理室２との間には、ゲートバルブ１
５が設けられており、搬出用ロードロック室１４から大
気中に半導体ウエハ６を搬出するための搬出口にもゲー
トバルブ１６が設けられている。また、搬出用ロードロ
ック室１４内には、半導体ウエハ６を保持して搬送する
ための搬送アーム１７が設けられており、搬出用ロード
ロック室１４の上部には、石英製の窓１８を介して半導
体ウエハ６を加熱するためのハロゲンランプ１９が設け
られている。なお、本実施例ではハロゲンランプ１９と
して、１００Ｗのハロゲンランプが４ つ設けられてい
る。
搬出用ロードロック室１４と、図示しない搬入用ロード
ロック室が設けられている。この搬出用ロードロック室
１４とエッチング処理室２との間には、ゲートバルブ１
５が設けられており、搬出用ロードロック室１４から大
気中に半導体ウエハ６を搬出するための搬出口にもゲー
トバルブ１６が設けられている。また、搬出用ロードロ
ック室１４内には、半導体ウエハ６を保持して搬送する
ための搬送アーム１７が設けられており、搬出用ロード
ロック室１４の上部には、石英製の窓１８を介して半導
体ウエハ６を加熱するためのハロゲンランプ１９が設け
られている。なお、本実施例ではハロゲンランプ１９と
して、１００Ｗのハロゲンランプが４ つ設けられてい
る。
【００１７】上記構成の本実施例のエッチング装置１を
用いて本実施例では、次のようにして半導体ウエハ６の
エッチング処理を行う。
用いて本実施例では、次のようにして半導体ウエハ６の
エッチング処理を行う。
【００１８】すなわち、まず、図示しない搬入用ロード
ロック室を介して、半導体ウエハ６をエッチング処理室
２内に搬入し、下部電極５上に載置する。そして、冷媒
循環配管７によって冷媒循環流路５ａ内に冷媒を循環さ
せることにより、半導体ウエハ６を０ 乃至マイナス数
十度（例えば−３０ ℃程度）に冷却する。これととも
に、ガス供給配管１２からエッチングガス（例えば塩素
ガス）を所定流量（例えば１００ＳＣＣＭ ）で導入し
、真空配管１３から排気することによって、エッチング
処理室２内を所定の減圧雰囲気（例えば７５ ｍＴｏｒ
ｒ）に保持する。
ロック室を介して、半導体ウエハ６をエッチング処理室
２内に搬入し、下部電極５上に載置する。そして、冷媒
循環配管７によって冷媒循環流路５ａ内に冷媒を循環さ
せることにより、半導体ウエハ６を０ 乃至マイナス数
十度（例えば−３０ ℃程度）に冷却する。これととも
に、ガス供給配管１２からエッチングガス（例えば塩素
ガス）を所定流量（例えば１００ＳＣＣＭ ）で導入し
、真空配管１３から排気することによって、エッチング
処理室２内を所定の減圧雰囲気（例えば７５ ｍＴｏｒ
ｒ）に保持する。
【００１９】そして、高周波電源９から所定周波数（例
えば１３．５６ＭＨｚあるいは３８０ＫＨｚ）、所定電
力（例えば１５０Ｗ）の高周波電力を供給し、エッチン
グガスをプラズマ化するとともに、マグネット１１を所
定の回転数（例えば２０ｒｐｍ ）で回転させることに
より、プラズマを均一化し、下部電極５上に載置された
半導体ウエハ６に作用させて所定時間（例えば１７５
秒間）エッチング処理を行う。
えば１３．５６ＭＨｚあるいは３８０ＫＨｚ）、所定電
力（例えば１５０Ｗ）の高周波電力を供給し、エッチン
グガスをプラズマ化するとともに、マグネット１１を所
定の回転数（例えば２０ｒｐｍ ）で回転させることに
より、プラズマを均一化し、下部電極５上に載置された
半導体ウエハ６に作用させて所定時間（例えば１７５
秒間）エッチング処理を行う。
【００２０】この後、ゲートバルブ１５を開け、搬送ア
ーム１７によって、下部電極５上に載置された半導体ウ
エハ６を保持し、予めエッチング処理室２内とほぼ同様
な圧力に設定された搬出用ロードロック室１４内にこの
半導体ウエハ６を搬入する。そして、ゲートバルブ１５
を閉じ、石英製の窓１８を介してハロゲンランプ１９に
より半導体ウエハ６を加熱する。
ーム１７によって、下部電極５上に載置された半導体ウ
エハ６を保持し、予めエッチング処理室２内とほぼ同様
な圧力に設定された搬出用ロードロック室１４内にこの
半導体ウエハ６を搬入する。そして、ゲートバルブ１５
を閉じ、石英製の窓１８を介してハロゲンランプ１９に
より半導体ウエハ６を加熱する。
【００２１】なお、この半導体ウエハ６の加熱は、その
まま減圧雰囲気で行っても、不活性ガス例えば窒素ガス
を搬出用ロードロック室１４内に充填して常圧とした後
に行ってもよい。ただし、縦軸を温度、横軸を時間とし
た図２のグラフに示すように、減圧雰囲気で加熱した場
合（曲線Ａ）の方が、常圧で加熱した場合（曲線Ｂ）よ
り短時間で半導体ウエハ６の温度を上昇させることがで
きる。
まま減圧雰囲気で行っても、不活性ガス例えば窒素ガス
を搬出用ロードロック室１４内に充填して常圧とした後
に行ってもよい。ただし、縦軸を温度、横軸を時間とし
た図２のグラフに示すように、減圧雰囲気で加熱した場
合（曲線Ａ）の方が、常圧で加熱した場合（曲線Ｂ）よ
り短時間で半導体ウエハ６の温度を上昇させることがで
きる。
【００２２】上記加熱は、半導体ウエハ６の温度が好ま
しくは５０〜１２０ ℃、さらに好ましくは、８０〜１
００ ℃の範囲となるように行う。これは、反応生成物
のうち比較的沸点の高い四塩化炭素（ＣＣｌ４ ）等で
も沸点が８０℃以下であり、通常フォトレジストの耐熱
温度が１２０ 〜１４０ ℃程度であるからである。
しくは５０〜１２０ ℃、さらに好ましくは、８０〜１
００ ℃の範囲となるように行う。これは、反応生成物
のうち比較的沸点の高い四塩化炭素（ＣＣｌ４ ）等で
も沸点が８０℃以下であり、通常フォトレジストの耐熱
温度が１２０ 〜１４０ ℃程度であるからである。
【００２３】本発明者等が、搬出用ロードロック室１４
内における減圧雰囲気での加熱時間を６０〜１２０ 秒
の間で変化させ、他は上述した条件で、表面にパターニ
ングしたフォトレジストを被着させた６ インチの半導
体ウエハ（シリコンウエハ）６のエッチングを行い、顕
微鏡で観察したところ、加熱時間が６０秒では、シリコ
ン層、フォトレジスト層ともに良好な形状で、反応生成
物、水滴等の付着物等のない良好なエッチング処理を行
うことができた。ところが、加熱時間を９０〜１２０
秒とすると、フォトレジスト層に変形が見られた。なお
、加熱処理を行わない場合は、特にシリコン層の側壁部
に反応生成物とみられる付着物が観察された。
内における減圧雰囲気での加熱時間を６０〜１２０ 秒
の間で変化させ、他は上述した条件で、表面にパターニ
ングしたフォトレジストを被着させた６ インチの半導
体ウエハ（シリコンウエハ）６のエッチングを行い、顕
微鏡で観察したところ、加熱時間が６０秒では、シリコ
ン層、フォトレジスト層ともに良好な形状で、反応生成
物、水滴等の付着物等のない良好なエッチング処理を行
うことができた。ところが、加熱時間を９０〜１２０
秒とすると、フォトレジスト層に変形が見られた。なお
、加熱処理を行わない場合は、特にシリコン層の側壁部
に反応生成物とみられる付着物が観察された。
【００２４】また、半導体ウエハ６中の残留塩素量を純
水中に溶出させてイオンクロマトグラフィーにより測定
したところ、加熱処理を行わない場合に較べて、６０秒
の加熱により残留塩素量を半分程度に減少させることが
できた。
水中に溶出させてイオンクロマトグラフィーにより測定
したところ、加熱処理を行わない場合に較べて、６０秒
の加熱により残留塩素量を半分程度に減少させることが
できた。
【００２５】このように、本実施例によれば、半導体ウ
エハ６中の残留塩素量を低減することができ、塩素系ガ
スの大気中への放出を抑制することができるとともに、
例えば四塩化炭素等の反応生成物および水滴等の半導体
ウエハ６に対する付着を防止することができ、良好なエ
ッチング処理を行うことができる。
エハ６中の残留塩素量を低減することができ、塩素系ガ
スの大気中への放出を抑制することができるとともに、
例えば四塩化炭素等の反応生成物および水滴等の半導体
ウエハ６に対する付着を防止することができ、良好なエ
ッチング処理を行うことができる。
【００２６】なお、上記実施例では、搬出用ロードロッ
ク室１４の加熱機構として、ハロゲンランプ１９を用い
た例について説明したが、本発明はかかる実施例に限定
されるものではなく、加熱機構としては他のランプある
いはいわゆるホットプレートの如き機構等あらゆるもの
を使用することができる。また、半導体ウエハ６のエッ
チング処理室２への搬入・搬出を一つのロードロック室
で行ういわゆる１ ロードロック室型のエッチング装置
や、プラズマ制御用の磁石を有しない通常のエッチング
装置であっても同様に適用することができる。
ク室１４の加熱機構として、ハロゲンランプ１９を用い
た例について説明したが、本発明はかかる実施例に限定
されるものではなく、加熱機構としては他のランプある
いはいわゆるホットプレートの如き機構等あらゆるもの
を使用することができる。また、半導体ウエハ６のエッ
チング処理室２への搬入・搬出を一つのロードロック室
で行ういわゆる１ ロードロック室型のエッチング装置
や、プラズマ制御用の磁石を有しない通常のエッチング
装置であっても同様に適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グ方法およびエッチング装置によれば、不所望なガスの
大気中への放出を抑制することができるとともに、被処
理物に対する反応生成物の付着および水滴の付着を防止
して良好なエッチング処理を行うことができる。
グ方法およびエッチング装置によれば、不所望なガスの
大気中への放出を抑制することができるとともに、被処
理物に対する反応生成物の付着および水滴の付着を防止
して良好なエッチング処理を行うことができる。
【図１】本発明の一実施例のエッチング装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】半導体ウエハの温度変化を示すグラフである。
１ エッチング装置
２ エッチング処理室
３ 絶縁部材
４ 上部電極
５ 下部電極
６ 半導体ウエハ
７ 冷媒循環配管
８ 整合器
９ 高周波電源
１０ 回転軸
１１ マグネット
１２ ガス供給配管
１３ 真空配管
１４ 搬出用ロードロック室
１５，１６ ゲートバルブ
１７ 搬送アーム
１８ 石英製の窓
１９ ハロゲンランプ
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理物を冷却しつつ減圧雰囲気下で
エッチングガスを作用させ、該被処理物のエッチング処
理を行うエッチング工程と、前記エッチング工程の後、
減圧雰囲気または不活性ガスの常圧雰囲気下で前記被処
理物を加熱する工程とを備えたことを特徴とするエッチ
ング方法。 - 【請求項２】 被処理物に減圧雰囲気下でエッチング
ガスを作用させ、該被処理物のエッチング処理を行うエ
ッチング処理室と、前記エッチング処理室でエッチング
処理を行った前記被処理物を常圧雰囲気に搬出するため
のロードロック室とを備えたエッチング装置において、
前記エッチング処理室に前記被処理物を冷却するための
冷却手段を設けるとともに、前記ロードロック室に前記
被処理物を加熱するための加熱手段を設けたことを特徴
とするエッチング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3136121A JPH04360527A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | エッチング方法およびエッチング装置 |
| TW081104358A TW204411B (ja) | 1991-06-05 | 1992-06-02 | |
| US07/893,018 US5240556A (en) | 1991-06-05 | 1992-06-03 | Surface-heating apparatus and surface-treating method |
| KR1019920009799A KR0158894B1 (ko) | 1991-06-05 | 1992-06-05 | 표면처리장치 및 표면처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3136121A JPH04360527A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | エッチング方法およびエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04360527A true JPH04360527A (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15167798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3136121A Withdrawn JPH04360527A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-07 | エッチング方法およびエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04360527A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001898A1 (fr) * | 1996-07-04 | 1998-01-15 | Kabushiki Kaisha Ultraclean Technology Research Institute | Appareil de gravure a ions reactifs (rie) |
| JP2006521016A (ja) * | 2003-03-17 | 2006-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 隣接の温度制御された処理チャンバの熱的絶縁のための方法と装置。 |
| JP2008192828A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の検査方法及び基板のパーティクル低減方法 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP3136121A patent/JPH04360527A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001898A1 (fr) * | 1996-07-04 | 1998-01-15 | Kabushiki Kaisha Ultraclean Technology Research Institute | Appareil de gravure a ions reactifs (rie) |
| JP2006521016A (ja) * | 2003-03-17 | 2006-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 隣接の温度制御された処理チャンバの熱的絶縁のための方法と装置。 |
| JP2008192828A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の検査方法及び基板のパーティクル低減方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |