CN101332462B - 一种静电吸盘的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种静电吸盘的清洗方法，该静电吸盘正面中部具有一凸部，该凸部上具有多个吸脚。现有技术因无合适的清洗方法致使静电吸盘出现氦气背压报警而使设备宕机。本发明的方法先提供一具有用于支撑静电吸盘的边沿的支撑部及用于容纳该凸部的容置空间的清洗装置；然后将静电吸盘凸部朝下放置在该清洗装置中；接着在该清洗装置中注入去离子水至少使该吸脚完全浸没在去离子水中；之后将该静电吸盘在该清洗装置中浸泡一第一预定时间；接着将该静电吸盘从清洗装置中取出，并反复用无尘布擦拭和用去离子水冲洗该凸部表面直至其干净；最后将该静电吸盘吹干并放置在烘烤设备中进行一第二预定时间的烘烤。采用本发明的方法可将静电吸盘彻底清洗干净。

Description

一种静电吸盘的清洗方法
技术领域
本发明涉及静电吸盘的清洗，特别涉及一种静电吸盘的清洗方法。
背景技术
为克服传统的干法刻蚀刻蚀机中采用机械方式固定晶圆进行刻蚀所造成的损坏晶圆和刻蚀不均匀等问题，现有的干法刻蚀刻蚀机通常使用静电吸盘技术固定晶圆进行刻蚀，该静电吸盘用于承载工件的正面中部具有一凸部，该凸部上具有多个吸脚，为避免由于温度不均所造成的刻蚀不均的现象，该吸脚间排布有气孔，用于供从静电吸盘背后通入的氦气(He)对晶圆背面进行冷却。上述氦气除用作冷却晶圆外，还可用来反应晶圆与静电吸盘之间是否接触良好，当氦气背压过大时，干法刻蚀刻蚀机就会产生报警提示晶圆与静电吸盘之间的接触有问题并宕机。
静电吸盘在使用一段时间(通常为500小时)后，其表面会沉积有一层多晶硅层，该多晶硅会附着在该吸脚上影响静电吸盘对晶圆的吸附力，另外还使静电吸盘表面的温度产生严重不均，该多晶硅层还会堵塞吸脚间的气孔，从而触发氦气背压报警而使干法刻蚀刻蚀机宕机，如此使在里面进行刻蚀的晶圆需进行返工或直接报废。
因此，如何提供一种静电吸盘的清洗方法以去除其表面的多晶硅，已成为行业内亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种静电吸盘的清洗方法，通过所述方法可将静电吸盘彻底清洗干净。
本发明的目的是这样实现的：一种静电吸盘的清洗方法，该静电吸盘装配在电子装置中且用于承载工件，该静电吸盘用于承载工件的正面中部具有一凸部，该凸部上设置有多个吸脚，该方法包括以下步骤：(1)提供一清洗装置，该清洗装置具有用于支撑静电吸盘的边沿的支撑部以及用于容纳该凸部的容置空间；(2)将静电吸盘凸部朝下放置在该清洗装置中，其中，该静电吸盘的边沿放置在该支撑部上，该凸部放置在该容置空间中；(3)在该容置空间中注入去离子水至少使该吸脚完全浸没在去离子水中；(4)将该静电吸盘在该清洗装置中浸泡一第一预定时间；(5)将该静电吸盘从清洗装置中取出且反复用无尘布擦拭和用去离子水冲洗该凸部表面，直至将其表面清洗干净；(6)将该静电吸盘吹干并放置在烘烤设备中进行一第二预定时间的烘烤。
在上述的静电吸盘的清洗方法中，该静电吸盘的背面上设置有进气口。
在上述的静电吸盘的清洗方法中，该吸脚间排布有与该进气口相连通的出气口，且该出气口的数量大于该进气口的数量。
在上述的静电吸盘的清洗方法中，该第一预定时间范围为4至5小时。
在上述的静电吸盘的清洗方法中，在步骤(6)中，该烘烤温度为100摄氏度，该第二预定时间为4至5小时。
在上述的静电吸盘的清洗方法中，该电子装置为干法刻蚀刻蚀机。
与现有技术中无合适的静电吸盘清洗方法而使在沉积有多晶硅的静电吸盘上进行刻蚀的晶圆返工或报废相比，本发明的静电吸盘的清洗方法将静电吸盘的吸脚完全浸没在去离子水中，于是刻蚀过程中沉积在吸脚上和吸脚间的多晶硅就被软化，再反复用无尘布擦拭和去离子水清洗干净，避免了由于静电吸盘表面沉积多晶硅所造成的氦气背压报警和电子设备宕机，继而使晶圆返工或报废的事件发生。
附图说明
本发明的静电吸盘的清洗方法由以下的实施例及附图给出。
图1为静电吸盘的侧视图；
图2为本发明的静电吸盘的清洗方法的实施例的流程图；
图3为图2步骤S20所提供的清洗装置的主视图。
具体实施方式
以下将对本发明的静电吸盘的清洗方法作进一步的详细描述。
本发明的静电吸盘装配在电子装置(未图示)中且用于承载工件，其中，静电吸盘用于承载工件的面为正面，参见图1，显示了静电吸盘1的侧视图，如图所示，静电吸盘1的正面中部具有用于直接承载工件的凸部10，所述凸部10上设置有多个吸脚100。静电吸盘1的边沿11不与工件接触，静电吸盘1的背面上具有一铝基座12，所述铝基座12通过粘胶(未图示)与所述凸部10连接。所述静电吸盘的背面上设置有进气口(未图示)，所述吸脚100间排布有与所述进气口相连通的出气口(未图示)，且所述出气口的数量大于所述进气口的数量。在本实施例中，所述电子装置为干法刻蚀刻蚀机。
参见图2，本发明的静电吸盘的清洗方法首先进行步骤S20，提供一清洗装置，所述清洗装置具有用于支撑静电吸盘的边沿11的支撑部和用于容纳所述凸部10的容置空间。
参见图3，显示了清洗装置的主视图，如图所示，清洗装置3为一剖面大于凸部10且小于铝基座12的方形容器，其具有支撑部30和容置空间31，支撑部30用于支撑静电吸盘1的边沿11，容置空间31用于容纳所述凸部10。在本实施例中，支撑部30为方形容器的边框，所述容置空间为所述方形容器的边框所围成的内部空间。
接着继续步骤S21，将静电吸盘1凸部10朝下放置在所述清洗装置中，其中，所述静电吸盘的边沿11放置在所述支撑部上，所述凸部10放置在所述容置空间中。
接着继续步骤S22，在所述容置空间中注入去离子水至少使所述吸脚100完全浸没在去离子水中。
接着继续步骤S23，将所述静电吸盘1在所述清洗装置中浸泡一第一预定时间，其中，所述第一预定时间范围为4至5小时。在本实施例中，所述第一预定时间范围为4小时，在经过4小时的浸泡后，吸脚100上和吸脚100间的沉积的多晶硅已经软化。
接着继续步骤S24，将所述静电吸盘1从清洗装置中取出且反复用无尘布擦拭和用去离子水冲洗凸部10表面，直至将其表面清洗干净。在本实施例中，反复用无尘布擦拭和用去离子水冲洗所述吸脚100上和吸脚100间的沉积的已经软化的多晶硅，直至其上已软化的多晶硅被彻底清理干净。
接着继续步骤S25，将所述静电吸盘吹干并放置在烘烤设备中进行一第二预定时间的烘烤，其中，所述第二预定时间范围为4至5小时。在本实施例中，用氮气枪从静电吸盘背面的进气口吹入氮气，所述氮气从静电吸盘正面的出气口吹出，如此可将静电吸盘彻底吹干，所述第二预定时间范围为4小时。
实验数据证明，在对静电吸盘进行清洗后，且在进行下一个清洗前，不会出现因静电吸盘与晶圆吸附不良所出现的电子设备宕机现象，静电吸盘表面的温度均匀性也得到改善，在清洗前，测得静电吸盘表面的温度范围为80到120摄氏度，且中间的温度明显高于周围的温度，而在清洗静电吸盘后，静电吸盘表面的温度范围缩小到81到90摄氏度，如此就可以确保在静电吸盘上进行的刻蚀的均匀性。
综上所述，本发明的静电吸盘的清洗方法将静电吸盘的吸脚完全浸没在去离子水中，于是刻蚀过程中沉积在吸脚上和吸脚间的多晶硅就被软化，再反复用无尘布擦拭和去离子水清洗干净，最后把静电吸盘吹干和烘干，如此可提高了静电吸盘表面温度的均匀性，另外可避免氦气背压报警而使晶圆返工或报废的事件发生。

Claims (4)

1.一种静电吸盘的清洗方法，该静电吸盘装配在干法刻蚀刻蚀机中且用于承载工件，该静电吸盘用于承载工件的正面中部具有一凸部，该凸部上设置有多个吸脚，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)提供一清洗装置，该清洗装置具有用于支撑静电吸盘的边沿的支撑部以及用于容纳该凸部的容置空间；(2)将静电吸盘凸部朝下放置在该清洗装置中，其中，该静电吸盘的边沿放置在该支撑部上，该凸部放置在该容置空间中；(3)在该容置空间中注入去离子水至少使该吸脚完全浸没在去离子水中；(4)将该静电吸盘在该清洗装置中浸泡一第一预定时间，所述第一预定时间范围为4至5小时；(5)将该静电吸盘从清洗装置中取出且反复用无尘布擦拭和用去离子水冲洗该凸部表面，直至将其表面清洗干净；(6)将该静电吸盘吹干并放置在烘烤设备中进行一第二预定时间的烘烤。
2.如权利要求1所述的静电吸盘的清洗方法，其特征在于，该静电吸盘的背面上设置有进气口。
3.如权利要求2所述的静电吸盘的清洗方法，其特征在于，该吸脚间排布有与该进气口相连通的出气口，且该出气口的数量大于该进气口的数量。
4.如权利要求1所述的静电吸盘的清洗方法，其特征在于，在步骤(6)中，该烘烤温度为100摄氏度，该第二预定时间范围为4至5小时。
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