CN205111604U - 喷砂治具 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种喷砂治具。喷砂治具包括框体及多个螺孔，框体是用以覆盖于半导体设备的零件的至少部分区域，多个螺孔是设置于框体上，当框体覆盖于半导体设备的零件的至少部分区域上时，多个螺丝可通过多个螺孔来固定框体于半导体设备零件的特定区域上，避免在喷砂过程中半导体设备零件的特定区域被喷砂处理影响。

Description

喷砂治具

【技术领域】

本实用新型涉及一种喷砂治具，特别是涉及一种涉及可用于喷砂处理的喷砂治具。

【背景技术】

在半导体制程中，必须定期或不定期地对半导体制程设备的零件进行清洗及再生，以维持半导体制程设备的效能，并可延长设备的使用寿命。

以物理气相沉积制程为例，物理气相沉积制程主要是在一基板上沉积一薄膜。首先利用一直流电源分别电性耦接至一背板及一遮覆板，通过该背板及该遮覆板于该反应室腔体内形成电场将离子枪束击向金属靶材。在离子枪束撞击靶材后，会将该靶材上的金属溅射在该基板上而形成该薄膜。

通常，物理气相沉积之反应室腔体在使用一段时间后，会在反应室腔体中该遮覆板及母材的表面形成金属镀膜，因此必须对反应室腔体进行洗净与再生，防止金属镀膜破裂或剥落所产生之微尘粒子散布至该基板而影响良率。所谓洗净系指针对反应室腔体中该遮覆板及该母材之金属镀膜的材质选用适当之方法与材料予以去除，例如以酸性或碱性之化学溶液浸泡反应室腔体，将形成于遮覆板及母材表面之金属镀膜溶解分离。所谓再生是指洗净后再以喷砂及整形等方式恢复该遮覆板及母材原有外形与表面特性。然而上述洗净及再生皆会侵蚀与损耗反应室腔体中遮覆板及母材的本体厚度，造成使用寿命减短。

此外，对于反应室腔中的螺丝孔，例如锁固于该母材之间之螺丝孔，上述以化学溶液浸泡反应室腔体、对该遮覆板及该母材喷砂及整形等步骤会使螺丝孔产生扩孔现象，因此在多次进行洗净及再生后，会造成螺丝孔尺寸与原先尺寸有所差异，导致螺丝孔与螺丝在组合时误差过大而使得锁固功能不佳甚至无法继续使用。

并且，由于在前述洗净等过程中，必须使用大量的酸性或碱性之化学溶液，浸泡遮覆板及母材，以溶解金属镀膜，使其与遮覆板及母材分离。由于不可避免地必须使用大量的酸性或碱性之化学溶液，因而在洗净的过程中，必须使用大量的清水来冲洗半导体制程的零件。

【实用新型内容】

本实用新型的主要目的在于提供一种喷砂治具，所述喷砂治具包括：

框体，用以覆盖于半导体设备的零件的至少部分区域；以及

多个螺孔，设置于所述框体上，当所述框体覆盖于所述半导体设备的零件的至少部分区域上时，多个螺丝是通过所述多个螺孔来固定所述框体。

当所述喷砂治具固定于所述半导体设备的零件上时，所述零件具有多个相应螺孔来螺合所述喷砂治具的所述框体的所述多个螺孔及所述多个螺丝。

相较于现有的喷砂处理的问题，在进行喷砂处理时，可利用本实施例的喷砂治具来覆盖半导体设备的零件的至少部分区域(或特定区域)，避免在喷砂过程中半导体设备零件的特定区域被喷砂处理影响。

为让本实用新型的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

【附图说明】

图1为本实用新型的喷砂治具的一实施例的示意图。

【具体实施方式】

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本实用新型可用以实施的特定实施例。本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。

附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本实用新型不限于此。

在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。

另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。

请参照图1，图1为本实用新型的喷砂治具的一实施例的示意图。本实施例的喷砂治具可用于覆盖半导体设备的零件的至少部分区域(或特定区域)，避免在喷砂过程中半导体设备零件的特定区域被喷砂处理影响。喷砂治具111包括框体112及多个螺孔113，框体112是用以覆盖于半导体设备的零件的至少部分区域(例如零件的周围区域)，多个螺孔113是设置于框体112上，当框体112覆盖于半导体设备的零件的至少部分区域上时，多个螺丝可通过多个螺孔113来固定框体112于半导体设备零件的特定区域上。值得注意的是，当喷砂治具111固定于半导体设备零件上时，零件也具有相应的螺孔来螺合喷砂治具111。

接着，以半导体设备的反应腔体内的零组件清洗过程为例来进行说明，主要于铝合金零组件机械加工完成并施作相关的表面处理(如阳极处理、熔射处理、喷砂处理等)后，或经半导体干蚀刻机使用后下机，后续皆可使用该清洗方式进行超洁净清洗，以符合严苛的半导体蚀刻机室内的超高洁净要求，提升生产效率及产品良率的功效为目的。

在进行喷砂处理时，可利用本实施例的喷砂治具111来覆盖半导体设备的零件的至少部分区域(或特定区域)，避免在喷砂过程中半导体设备零件的特定区域被喷砂处理影响。

例如适用于铝底材施作阳极处理的零组件，在清洗前必须根据零组件之状态，而作不同事前准备。当零组件为新品件时，先使用皂洗液进行脱脂制程，之后再进行新阳极膜处理，完成后进入清洗流程。当零组件为阳极再生件，需将旧阳极膜进行退镀及新阳极膜再生制程与新熔射膜再生制程，完成后进入清洗流程。当零组件为上机清洗件，依据不同反应腔体制程取相对应的药液进行除膜制程，完成进入清洗流程。

在清洗前准备完成后，即可进行清洗流程，其步骤例如依序如下：一次IPA擦拭，使用无尘布沾取IPA(异丙醇)均匀擦拭零组件表面；纯水冲洗，接续使用纯水完全喷洗零组件表面；脱脂，再将零组件浸泡于配置温度40～50℃、清洁剂(ALCONOXLuminox)药液中，以清除零组件表面油脂；二次纯水冲洗，再使用纯水完全喷洗零组件表面；二次IPA擦拭，将零组件转置进入无尘室，将零组件置放于平台，使用无尘布沾少许IPA(异丙醇)均匀擦拭零组件表面；超纯水冲洗：在无尘室完全喷洗零组件表面，时间2～5分钟；热超纯水浸泡，在无尘室，将零组件浸泡于溢流的超纯水温度40～50℃中，浸泡时间5～15分钟；二次超纯水冲洗，在无尘室内使用超纯水完全喷洗零组件表面；超音波清洗，在无尘室内将零组件浸泡于溢流的超纯水室温中，搭配超音波频率40kHz，进行超音波清洗；再次超纯水冲洗：在无尘室，使用超纯水完全喷洗零组件表面；吹干，在无尘室，使用洁净空气或氮气吹干零组件表面；烘干：进入无尘室内，将零组件置放于90～120℃的无尘炉中，烘烤时间大于60分钟，烘烤后待零组件表面的温度低于50℃；吹氮气，在无尘室，取出烘干后的零组件，使用氮气吹零组件表面；一次包装，在无尘室，将零组件置放于充满氮气的尼龙(Nylon)袋，利用封口机与抽气设备进行真空包装；再次包装，在无尘室，将尼龙(Nylon)袋包装好的零组件置放于PE袋，利用封口机与抽气设备进行真空包装；装箱运送，零组件取出无尘室，置放于专用通箱内，完成清洗流程，即可出货至客户端使用。

因此，在进行喷砂处理时，可利用本实施例的喷砂治具来覆盖半导体设备的零件的至少部分区域(或特定区域)，避免在喷砂过程中半导体设备零件的特定区域被喷砂处理影响。

“在一些实施例中”及“在各种实施例中”等用语被重复地使用。该用语通常不是指相同的实施例；但它亦可以是指相同的实施例。“包含”、“具有”及“包括”等用词是同义词，除非其前后文意显示出其它意思。

虽然各种方法、设备、及系统的例子已被描述于本文中，但本揭示内容涵盖的范围并不局限于此。相反地，本揭示内容涵盖所有合理地落在权利要求界定的范围内的方法、设备、系统及制造之物，权利要求的范围应依据已被建立的申请专利范围解释原理来加以解读。例如，虽然上面揭示的系统的例子在其它构件之外还包括可自硬件上执行的软件或或韧体，但应被理解的是，该等系统只是示范性的例子，并应被解读为是限制性的例子。详言之，任何或所有被揭示的硬件、软件、及/或韧体构件可被专门地被体现为硬件、专门地被体现为软件、专门地被体现为韧体、或硬件、软件及/或韧体的一些组合。

综上所述，虽然本实用新型已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本实用新型，本领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本实用新型的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (2)

1.一种喷砂治具，其特征在于：所述喷砂治具包括：

框体，用以覆盖于半导体设备的零件的至少部分区域；以及

多个螺孔，设置于所述框体上，当所述框体覆盖于所述半导体设备的零件的至少部分区域上时，多个螺丝是通过所述多个螺孔来固定所述框体。

2.根据权利要求1所述的喷砂治具，其特征在于：当所述喷砂治具固定于所述半导体设备的零件上时，所述零件具有多个相应螺孔来螺合所述喷砂治具的所述框体的所述多个螺孔及所述多个螺丝。