CN101281855A - 一种清洗静电吸盘的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种清洗静电吸盘的方法，该静电吸盘装配在电子装置中，其正面中部具有一凸部。现有技术不拆卸静电吸盘仅用浸有去离子水和有机溶剂的无尘布擦洗静电吸盘，致使其未被清洗干净而出现氦气背压的报警。本发明的方法先提供一具有支撑部及容置空间的清洗装置；然后将静电吸盘放置在该清洗装置中，该静电吸盘的边沿和凸部分别放置在该支撑部上和该容置空间中；接着在该容置空间中注入去离子水直至该凸部完全浸没在去离子水中，并将该静电吸盘浸泡一第一预定时间；之后取出该静电吸盘且依次用浸有去离子水和有机溶剂的无尘布擦拭该静电吸盘；最后将该静电吸盘吹干并进行一第二预定时间的烘干。采用本发明的方法可将静电吸盘彻底清洗干净。
Description
技术领域
本发明涉及静电吸盘的清洗，特别涉及一种清洗静电吸盘的方法。
背景技术
为克服传统的干法刻蚀刻蚀机中采用机械方式固定晶圆进行刻蚀所造成的损坏晶圆和刻蚀不均匀等问题，现有的干法刻蚀刻蚀机通常使用静电吸盘(Electrostatic Chuck；ESC)技术固定晶圆进行刻蚀，另外，为避免由于温度不均所造成的刻蚀不均的现象，还在晶圆背面使用了氦气(He)冷却技术。上述氦气除用作冷却晶圆外，还可用来反应晶圆与静电吸盘之间是否接触良好，当氦气背压过大时，干法刻蚀刻蚀机就会产生报警提示晶圆与静电吸盘之间的接触有问题。
干法刻蚀刻蚀机通常在使用一段时间(例如500小时)后，就会进行清洗保养，在进行清洗保养时，静电吸盘是重要的清洗部件，现通常采用浸有纯净水或异丙醇的无尘布对静电吸盘进行擦拭，但此种清洗方法不能将静电吸盘上的反应物彻底清理，如此在清洗保养后再使用该干法刻蚀刻蚀机进行刻蚀时，经常会出现静电吸盘清理不干净所造成的氦气背压报警，如此就会影响干法刻蚀刻蚀机的正常使用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种清洗静电吸盘的方法，通过所述方法可将静电吸盘彻底清洗干净。
本发明的目的是这样实现的：一种清洗静电吸盘的方法，该静电吸盘装配在电子装置中且用于承载工件，该静电吸盘用于承载工件的正面中部具有一凸部，该方法包括以下步骤：(1)提供一清洗装置，该清洗装置具有用于支撑静电吸盘的边沿的支撑部以及用于容纳该凸部的容置空间；(2)将已脱离电子装置的静电吸盘凸部朝下放置在该清洗装置中，其中，该静电吸盘的边沿放置在该支撑部上，该凸部放置在该容置空间中；(3)在该容置空间中注入去离子水直至该凸部完全浸没在去离子水中；(4)将该静电吸盘在该清洗装置中浸泡一第一预定时间；(5)将该静电吸盘从清洗装置中取出且依次用浸有去离子水和有机溶剂的无尘布擦拭该静电吸盘；(6)将该静电吸盘吹干并放置在烘干设备中进行一第二预定时间的烘干。
在上述的清洗静电吸盘的方法中，在步骤(2)中，先在该已脱离电子装置的静电吸盘的正面覆盖一保护层，再将该静电吸盘凸部朝下放置在该清洗装置中，其中，该保护层为无尘布。
在上述的清洗静电吸盘的方法中，该静电吸盘的背面上设置有不能沾水的电子元件。
在上述的清洗静电吸盘的方法中，该方法在完成步骤(2)后，还在该静电吸盘的背面扣一防水罩。
在上述的清洗静电吸盘的方法中，在步骤(4)中，该第一预定时间为15分钟。
在上述的清洗静电吸盘的方法中，在步骤(5)中，该有机溶剂为异丙醇。
在上述的清洗静电吸盘的方法中，在步骤(6)中，该第二预定时间为30分钟。
在上述的清洗静电吸盘的方法中，该电子装置为干法刻蚀刻蚀机。
与现有技术中不拆卸静电吸盘仅用浸有去离子水和有机溶剂的无尘布擦洗静电吸盘相比，本发明的清洗静电吸盘的方法将已与电子装置脱离的静电吸盘的凸部完全浸没在去离子水中，于是刻蚀过程中所沉积的氟化物或氯化物就与去离子水反应而被去除，之后再用浸有去离子水和有机溶剂的无尘布擦拭该静电吸盘，如此可将静电吸盘彻底清洗干净，避免了由于静电吸盘清洗不干净所造成的氦气背压报警。
附图说明
本发明的清洗静电吸盘的方法由以下的实施例及附图给出。
图1为静电吸盘的主视图；
图2为本发明的清洗静电吸盘的方法的实施例的流程图；
图3为图2步骤S20所提供的清洗装置的主视图。
具体实施方式
以下将对本发明的清洗静电吸盘的方法作进一步的详细描述。
本发明的静电吸盘装配在电子装置(未图示)中，其中，静电吸盘用于承载工件的面为正面，参见图1，显示了静电吸盘1的主视图，如图所示，静电吸盘1的正面中部具有用于直接承载工件的凸部10，静电吸盘1的边沿11不与工件接触。所述静电吸盘1的背面上设置有不能沾水的电子元件(未图示)。在本实施例中，所述电子装置为干法刻蚀刻蚀机。
参见图2，本发明的清洗静电吸盘的方法首先进行步骤S20，提供一清洗装置，所述清洗装置具有用于支撑静电吸盘的边沿11的支撑部以及用于容纳所述凸部10的容置空间。
参见图3，显示了清洗装置的主视图，如图所示，清洗装置3具有支撑部30和容置空间31，支撑部30用于支撑静电吸盘1的边沿11，容置空间31用于容纳所述凸部10。在本实施例中，支撑部30为与静电吸盘1的边沿11相匹配的凸块。
接着继续步骤S21，在所述已脱离电子装置的静电吸盘1的正面覆盖一保护层。在本实施例中，所述保护层为无尘布。
接着继续步骤S22，将静电吸盘1凸部10朝下放置在所述清洗装置中，其中，所述静电吸盘1的边沿11放置在所述支撑部上，所述凸部10放置在所述容置空间中。
接着继续步骤S23，在所述静电吸盘1的背面扣一防水罩。
接着继续步骤S24，在所述容置空间中注入去离子水直至所述凸部10完全浸没在去离子水中，此时干法刻蚀时沉积在凸部10上的氟化物或氯化物会与去离子水发生反应。
接着继续步骤S25，将所述静电吸盘1在所述清洗装置中浸泡一第一预定时间。在本实施例中，所述第一预定时间为15分钟，在经过15分钟的浸泡后，凸部10上的所沉积的氟化物或氯化物已完全与去离子水反应而被去除。
接着继续步骤S26，将所述静电吸盘1从清洗装置中取出且依次用浸有去离子水和有机溶剂的无尘布擦拭所述静电吸盘1。在本实施例中，所述有机溶剂为异丙醇，在用浸有去离子水和有机溶剂的无尘布擦拭所述静电吸盘1时，依照从静电吸盘1的中心至边沿的顺序擦拭。
接着继续步骤S27，将所述静电吸盘1吹干并放置在烘干设备中进行一第二预定时间的烘干。在本实施例中，所述第二预定时间为30分钟。
综上所述，本发明的清洗静电吸盘的方法将已与电子装置脱离的静电吸盘1的凸部10完全浸没在去离子水中，于是刻蚀过程中所沉积的氟化物或氯化物就与去离子水充分反应而被去除，之后再用浸有去离子水和有机溶剂的无尘布擦拭所述静电吸盘1，如此可将静电吸盘彻底清洗干净，避免了由于静电吸盘清洗不干净所造成的氦气背压报警。
Claims (9)
1. 一种清洗静电吸盘的方法，该静电吸盘装配在电子装置中且用于承载工件，该静电吸盘用于承载工件的正面中部具有一凸部，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)提供一清洗装置，该清洗装置具有用于支撑静电吸盘的边沿的支撑部以及用于容纳该凸部的容置空间；(2)将已脱离电子装置的静电吸盘凸部朝下放置在该清洗装置中，其中，该静电吸盘的边沿放置在该支撑部上，该凸部放置在该容置空间中；(3)在该容置空间中注入去离子水直至该凸部完全浸没在去离子水中；(4)将该静电吸盘在该清洗装置中浸泡一第一预定时间；(5)将该静电吸盘从清洗装置中取出且依次用浸有去离子水和有机溶剂的无尘布擦拭该静电吸盘；(6)将该静电吸盘吹干并放置在烘干设备中进行一第二预定时间的烘干。
2. 如权利要求1所述的清洗静电吸盘的方法，其特征在于，在步骤(2)中，先在该已脱离电子装置的静电吸盘的正面覆盖一保护层，再将该静电盘凸部朝下放置在该清洗装置中。
3. 如权利要求2所述的清洗静电吸盘的方法，其特征在于，该保护层为无尘布。
4. 如权利要求1所述的清洗静电吸盘的方法，其特征在于，该静电吸盘的背面上设置有不能沾水的电子元件。
5. 如权利要求4所述的清洗静电吸盘的方法，其特征在于，该方法在完成步骤(2)后，还在该静电吸盘的背面扣一防水罩。
6. 如权利要求1所述的清洗静电吸盘的方法，其特征在于，在步骤(4)中，该第一预定时间为15分钟。
7. 如权利要求1所述的清洗静电吸盘的方法，其特征在于，在步骤(5)中，该有机溶剂为异丙醇。
8. 如权利要求1所述的清洗静电吸盘的方法，其特征在于，在步骤(6)中，该第二预定时间为30分钟。
9. 如权利要求1所述的清洗静电吸盘的方法，其特征在于，该电子装置为干法刻蚀刻蚀机。
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|---|---|---|---|---|
| CN107952727A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-04-24 | 芜湖通潮精密机械股份有限公司 | 静电卡盘产品污染物清洗处理的方法 |
| CN112222096A (zh) * | 2019-07-15 | 2021-01-15 | 长鑫存储技术有限公司 | 清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法 |
| CN112466805A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-03-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体清洗设备及其承载装置 |
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