JP3613472B2 - プラズマエッチング装置用部材及びその製造方法 - Google Patents

プラズマエッチング装置用部材及びその製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体デバイスのプラズマエッチング装置に用いる部材に関し、さらに詳しくは酸化イットリウム又はYAGの被膜で被覆されたプラズマエッチング装置用部材及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から半導体デバイスの製造プロセスにおいて、プラズマ内で発生したイオンやラジカルを利用して、Siウェーハ表面の薄膜をエッチング処理することが行なわれている。このプラズマエッチング処理ではSiウェーハ表面の薄膜を化学的なエッチングメカニズムで、又は物理的なエッチングメカニズムで、或はさらは電気的にイオンのスピードを加速させて、Siウェーハ表面に引き寄せて薄膜を異方的にエッチングする方法などがある。このプラズマエッチング処理に当たり、石英ガラス、アルミ、アルマイトなどからなる部品や容器(以下部材という)を利用することが行なわれるが、その際、部材自体の表面もエッチングされ、パーティクルが発生し、半導体デバイスを汚染する問題があった。そのため、部材表面にフッ素樹脂やエンジニアリングプラスチック製のテープを簡易的に貼る方法や前記樹脂の被膜を形成する方法が提案されている。しかし、テープを貼る方法では、テープ自体の膜厚が薄く、耐エッチング性が十分でないことや、テープを貼ることによりつなぎ目が形成され、この部分の隙間にプラズマのイオンが染み込んで生地を部分的にエッチングしたり、或は、テープを均一に表面に貼るのが難しく、部分的に生地とテープの間に隙間ができてしまい、この隙間により表面に凹凸が形成され表面での電気的特性にムラが生じ、それが原因で部分的な絶縁破壊が起こり、テープにピンホールが発生するなどの不具合があった。さらに、テープの粘着材から汚染物質が放出され、Siウェーハの特性を劣化させる欠点もあった。
【0003】
また、従来のフッ素樹脂やエンジニアリングプラスチック被覆の部材にあっては、表面が粗れ易くプラズマがうまく発生しなかったり、膜にピンホールが形成されるなどの欠点があった。
【0004】
これらの石英ガラスからなる部材の欠点を解決するため耐プラズマ性に優れたセラミックからなる部材が特開2001−118910号公報などで提案されている。しかし、前記セラミックスからなる部材は、焼成時にクラックや反りが発生し大型の部材の作製が困難な上に、高価でコスト高となるなどの問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
こうした現状に鑑み、本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、部材表面に酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成することで、耐プラズマ性が高く維持でき部分的な電気的特性の変化による異常エッチングがなく、長時間の使用が可能なプラズマエッチング装置用部材が得られること、特に12インチSiウェーハに対応できる大型の部材であっても耐プラズマ性高く維持でき部分的な電気的特性の変化による異常なエッチングがな長時間の使用が可能となることを見出して、本発明を完成したものである。すなわち、
【0006】
本発明は、耐プラズマ性が高く維持でき部分的な電気的特性の変化による異常エッチングがなく、長時間の使用が可能なプラズマエッチング装置用部材を提供することを目的とする。
【0007】
また、本発明は、12インチSiウェーハという大型の半導体デバイスにも対応できるプラズマエッチング装置用部材を提供することを目的とする。
【0008】
さらに、本発明は、上記プラズマエッチング装置用部材の製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明は、酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%含有する石英ガラスからなる部材の表面に被膜の膜厚が10μm以上の酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成したことを特徴とするプラズマエッチング装置用部材及びその製造方法に係る。
【0010】
上述のとおり本発明のプラズマエッチング装置用部材は、その表面に酸化イットリウム又はYAGの被膜が形成されその膜厚は10μm以上であり、好ましくは被膜のばらつきが15%以下、被膜の面粗さRaが1μm以下であるのがよい。そして、前記部材を形成する素材は酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%の範囲で含有する石英ガラスからなる。この酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%含有することで、耐プラズマ性が一段と優れ、パーティクルの発生が押えられ使用時間をより長くすることができる。酸化イットリウム又はYAG被膜の膜膜が10μm未満ではピンホールが発生し易く、部材の稜部が極端に薄くなりクラックが発生する。また、被膜のばらつきが15%を超えると、被膜の表面粗さRaが1μm以下でも大きなうねりが生じ、このうねりにより被膜の電気的特性が劣化し、プラズマによるピンホールの発生が容易となる。さらに、表面粗さRaが1μmを超えると、被膜表面の電気特性に部分的な変化が生じ、異常なエッチングが起こる。
【0011】
次に、本発明のプラズマエッチング装置用部材の製造方法の態様を示すと、石英ガラスからなる素材を機械加工でプラズマエッチング装置用部材に形成し、その表面に、(i)酸化イットリウム又はYAGをプラズマ溶射する方法、(ii)酸化イットリウム又はYAG粉を酸水素火炎中で溶融し、それで被覆する方法、(iii)イットリウムやイットリウム化合物又はYAGを溶解する溶液を部材に塗布し、乾燥したのち、酸水素火炎で加熱溶融する方法(以下溶液塗布法という)、又は(iv)それらの組合せからなる方法が挙げられる。中でも、溶液塗布法で酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成しその上に酸化イットリウム又はYAGをプラズマ溶射すると、膜厚が厚く均質な酸化イットリウム又はYAG被膜が形成できて好ましい。前記溶液塗布法で使用するイットリウム化合物としては、水酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩、シュウ酸塩などが挙げられる。前記イットリウムやイットリウム化合物又はYAGを溶解する溶媒としては純水又は有機溶媒が挙げられ、それらの溶媒にイットリウムやイットリウム化合物又はYAGを溶解して塗布液が調製される。前記溶液塗布法においてはピンホールが発生しないように3回以上塗布するのがよい。
【0012】
上記酸化イットリウム又はYAG被覆の形成に際し、部材の稜部を丸め加工をするのがよい。この丸め加工で被膜の薄化が防止できピンホールの発生が少なくなる。前記丸め加工はRが0.5mm以上に加工するのがよく、酸水素火炎で稜部を加熱する方法、グラインダー等で稜部を機械的に擦る方法、結晶質二酸化珪素粉、炭化珪素粉などを稜部に吹きつける方法等が採られる。
【0013】
さらに、上記酸化イットリウム又はYAG被覆の前に部材表面にフロスト処理を施して被膜を滑りにくくし剥離を防ぐのがよい。前記フロスト処理とは、物理的手段や化学的手段で石英ガラス表面に凹凸を設けることをいうが、物理的手段としては、結晶質二酸化珪素粉、炭化珪素粉等を加圧空気で吹きつけるいわゆるサンドブラスト法、ブラシに結晶質二酸化珪素粉、炭化珪素粉等をつけ、水で濡らして磨く方法などがある。また、化学的手段としてはフッ化水素、フッ化アンモニウムの混合試薬に浸漬する薬液処理方法などがある。特に化学的手段では表面にマイクロクラックの発生がなく、表面での石英ガラスの機械的強度が低下しないので好適である。前記フロスト処理で形成される表面粗さRaは0.1〜10μmの範囲がよい。前記範囲を逸脱すると、酸化イットリウム又はYAG被膜と石英ガラスとの密着性が十分に改善されず好ましくない。前記フロスト処理による粗面化後の被覆であっても石英ガラスの熱膨張係数が小さいことから酸化イットリウム又はYAG被膜の厚みを厚くすることが困難であるが、酸化イットリウム又はYAG粉末を予め添加した原料で酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%の範囲で含有する石英ガラスとすることで膨張係数が制御され前記酸化イットリウム又はYAG被膜を容易に厚くできる
【0014】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施例について述べるが、これにより本発明は何ら限定されるものではない。
【0015】
【実施例】
参考例1
12インチのSiウェーハのドライエッチング装置用の石英ガラスチャンバーを作成した。この石英ガラスチャンバーの内表面に結晶質二酸化珪素粉を吹きつけて、チャンバーの稜部をR2mmにまるめ加工を行った。さらに、チャンバー内表面全体にも結晶質二酸化珪素粉(粒径100〜300μm)を吹き付けて、表面粗さRa2.5μm、Rmax20μmの凹凸面とした。得られた石英ガラスチャンバー内表面にYをプラズマ溶射し、厚さ40μmのY被膜を形成した。その被膜の表面粗さRaは0.2μmで、膜厚のばらつきは12%であった。
【0016】
上記石英ガラスチャンバー内で、CF+Oのガスをプラズマ化して、12インチSiウェーハの酸化膜をエッチングした。5週間このチャンンバーを使用したが、Y被膜がエッチングされて石英ガラスが露出することがなく、Siウェーハ表面にも異常なパーティクルが発生することもなかった。
【0017】
参考例2
実施例1と同じ、12インチの石英ガラスチャンバーを石英ガラスで作成した。このチャンバーの稜部を酸水素火炎で加熱して、R1mmにまるめ加工を行った。さらに、石英ガラスチャンバーをフッ酸とフッ化アンモニウムとの薬液でエッチング処理を行ない、内表面にRa1.5μm、Rmax13μmの凹凸面を形成した。このチャンバー内表面にYAGをプラズマ溶射し、50μmのYAG被膜を形成した。このときのYAG被膜の表面粗さRaは0.5μmで、膜厚のばらつきは8%であった。
【0018】
上記石英ガラスチャンバー内で、CF+Oのガスをプラズマ化して、12インチウェーハの酸化膜をエッチングした。5週間このチャンンバーを使用したが、YAG被膜がエッチングされて石英ガラスが露出することがなく、Siウェーハ表面にも異常なパーティクルが発生することがなかった。
【0019】
参考例3
12インチのSiウェーハのドライエッチング装置用のアルミカバーを作成した。アルミカバーの表面をアルマイト処理した。このカバーの稜部を、R1mmにまるめ加工を行い、その外表面にYを溶射して、200μmのY被膜を形成した。このときのY被膜の表面粗さRaは0.1μmで、膜厚のばらつきは15%であった。
【0020】
上記アルミカバーを備えたエッチング装置内で、CF+Oのガスをプラズマ化して、12インチウェーハの酸化膜をエッチングした。5週間このカバーを使用したが、Y被膜がエッチングされてアルミニウムが露出することハなく、Siウェーハ表面にも異常なパーティクルが発生することもなかった。
【0021】
実施例
石英粉に5重量%のY粉を混合し、ボールミルで十分に均一に混合した。この原料を酸水素火炎の中で溶融し石英ガラスの塊を作製した。この母材から12インチのSiウェーハのドライエッチング装置用の石英ガラスチャンンバーを作成した。このチャンバーの内表面に結晶質二酸化珪素粉(100〜300μm)を吹き付けて、表面粗さRa2.5μm、Rmax20μmの凹凸面を形成した。得られたチャンバー内表面にYをプラズマ溶射し、厚さ150μmのY被膜を得た。該被膜の表面粗さRaは0.5μm、膜厚のばらつきは10%であった。
【0022】
上記石英ガラスチャンバー内で、CF+Oのガスをプラズマ化して、12インチSiウェーハの酸化膜をエッチングした。12週間このチャンンバーを使用したが、Y被膜がエッチングされて石英ガラスが露出することがなく、Siウェーハ表面にも異常なパーティクルが発生することもなかった。
【0023】
実施例
実施例1と同様にして12インチのSiウェーハのドライエッチング装置用の石英ガラスチャンバーを作成した。このチャンバーの稜部を酸水素火炎で加熱して、R1mmにまるめ加工を行った。さらに、チャンバー内をフッ酸とフッ化アンモニウムの薬液でエッチング処理を行い、表面粗さRa2.5μm、Rmax20μmの凹凸面を形成した。得られたチャンバー内表面に硝酸イットリウムの溶液を4回塗布し、乾燥したのち酸水素火炎で加熱溶融して、50μmのY被膜を得た。該被膜の表面粗さRaは0.5μm、膜厚のばらつきは8%であった。
【0024】
上記石英ガラスチャンバー内で、CF+Oのガスをプラズマ化して、12インチSiウェーハの酸化膜をエッチングした。12週間このチャンンバーを使用したが、Y被膜がエッチングされて石英ガラスが露出することがなく、Siウェーハ表面にも異常なパーティクルが発生することもなかった。
【0025】
比較例1
12インチのSiウェーハのドライエッチング装置用の石英ガラスチャンバーを作成した。この石英ガラスチャンバー内で、CF+Oのガスをプラズマ化して、12インチSiウェーハの酸化膜をエッチングした。2週間このチャンバーを使用したところ、Siウェーハ表面に異常なパーティクルが発生し、1週間で使用を中止した。
【0026】
比較例2
12インチのSiウェーハのドライエッチング装置用のアルミカバーを作成した。その表面をアルマイト処理した。このアルミカバーの外表面に125μmのポリイミドのテープを貼り付け、このアルミカバーを使用したエッチング装置で、CF+Oのガスをプラズマ化して、8インチウェーハの酸化膜をエッチングした。2週間使用したところ、ポリイミドテープの隙間が異常にエッチングされてアルミが露出し、また表面に凹凸ができ部分的にエッチングが加速され、ポリイミドテープにピンホールが発生した。2週間後、ポリイミドテープを剥離して、再度ポリイミドテープを貼り付け装置にセッテングしたところ、異常な汚染がウェーハに認められ、使用を中止した。
【0027】
比較例3
12インチのSiウェーハのドライエッチング装置用のアルミカバーを作成した。このアルミカバーの表面をアルマイト処理した。このアルミカバーを使用したエッチング装置で、CF+Oのガスをプラズマ化して、12インチSiウェーハの酸化膜をエッチングした。2週間このカバーを使用したところ、1週間後からアルマイトが剥離して、ウェーハ表面にパーティクルの発生が認められ、使用を中止した。
【0028】
【発明の効果】
本発明のプラズマエッチング装置用部材は、プラズマに対する耐エッチング性が高く異常なエッチングの発生がなく長時間使用できる。特に、12インチSiに対応できる大型の部材であっても長時間の使用ができる。このプラズマエッチング装置用部材は、YやYAGを溶射する方法、イトリウムやYAG化合物の溶液を塗布し後酸水素火炎で酸化する方法、Y やYAG粉を溶融しそれで被覆する方法、又はそれらの組合せの 方法など簡便な方法で製造でき、その工業的価値は高いものがある。

Claims (10)

  1. 酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%含有する石英ガラスからなる部材の表面に被膜の膜厚が10μm以上の酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成したことを特徴とするプラズマエッチング装置用部材。
  2. 酸化イットリウム又はYAGの被膜の面粗さRaが1μm以下であることを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング装置用部材。
  3. 酸化イットリウム又はYAGの被膜の厚さのばらつきが15%以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマエッチング装置用部材。
  4. 請求項1ないし3のいずれか1記載の酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成したプラズマエッチング装置用部材の製造方法において、酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%含有する石英ガラスからなる部材の表面に、酸化イットリウムやYAGをプラズマ溶射することを特徴とするプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
  5. 請求項1ないし3のいずれか1記載の酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成したプラズマエッチング装置用部材の製造方法において、酸化イットリウムやYAG粉末を酸水素火炎で溶融し、それを酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%含有する石英ガラスからなる部材の表面に被覆することを特徴とするプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
  6. 請求項1ないし3のいずれか1記載の酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成したプラズマエッチング装置用部材の製造方法において、酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%含有する石英ガラスからなる部材の表面に、イットリウムやイットリウム化合物又はYAGを溶解する溶液を塗布し、加熱溶融することを特徴とするプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
  7. 請求項1ないし3のいずれか1記載の酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成したプラズマエッチング装置用部材の製造方法において、酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%含有する石英ガラスからなる部材の表面に、イットリウムやイットリウム化合物又はYAGを溶解する溶液を塗布し、加熱溶融して酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成したのち、さらに酸化イットリウムやYAGをプラズマ溶射することを特徴とするプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
  8. 酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%含有する石英ガラスからなる部材の稜部をR0.5mm以上に丸め加工したのち、酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成することを特徴とする請求項4ないし7のいずれか1記載のプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
  9. 酸化イットリウム又はYAGを1〜10重量%含有する石英ガラスからなる部材の表面をフロスト処理したのち、酸化イットリウム又はYAGの被膜を形成することを特徴とする請求項4ないし8のいずれか1記載のプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
  10. フロスト処理が薬液による表面処理であることを特徴とする請求項記載のプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
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