JP5077573B2 - ウエハ - Google Patents
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Description
請求項1:
シリコンウエハの基板と、基板の上に形成されたシリコンからなる表面粗さRaが1〜10μmの中間密着層と、中間密着層の上に最表層として形成された希土類酸化物溶射膜とを有することを特徴とするウエハ。
請求項2:
中間密着層がシリコン溶射膜であることを特徴とする請求項1記載のウエハ。
請求項3:
基板が粗面化処理されたシリコンウエハであることを特徴とする請求項1又は2記載のウエハ。
請求項4:
基板の表面粗さRaが0.5〜5μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のウエハ。
請求項5:
希土類元素が、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のウエハ。
請求項6:
ハロゲン系ガス又はハロゲン系プラズマ雰囲気下で使用される請求項1乃至5のいずれか1項記載のウエハ。
請求項7:
半導体製造工程のダミーウエハとして使用されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のウエハ。
基板上に希土類酸化物層を溶射する場合、アルミナ、炭化珪素、ジルコン、ガラスビーズ、石英等のエアーブラスト法による粗面化、フッ化水素酸と硝酸の混酸を主成分としたエッチング液による湿式法による粗面化では希土類酸化物溶射膜を形成するのに十分な表面状態が得られず、直接シリコン基板上に希土類酸化物層を溶射するのは困難であった。本発明者らは鋭意検討した結果、基板上に密着層としてシリコン層を形成することで、基板最表面に希土類酸化物層を形成できることを見出した。シリコン密着層はシリコン基板上をエアーブラスト、酸処理等により粗面化することで形成可能で、シリコン密着層を形成することで希土類酸化物層を密着させるのに十分な表面粗さを得られる。
なお、このようにして得られる溶射酸化膜硬度は2〜30GPa程度である。
8インチシリコン基板(厚さ725μm)を平均粒子径100μmのアルミナ研削材を用いて0.03MPaでエアーブラストし、シリコン基板表面粗さをRa=1.0μmとした。次にシリコンウエハ上に密着層を形成するために平均粒子径30μmのシリコン粉末を大気圧プラズマ溶射装置にてアルゴンガスをプラズマガスとして、出力40kW、溶射距離120mmにて5μm/Passで溶射し、10μmの膜厚に成膜した。シリコン溶射層の表面粗さを東京精密製表面粗さ計E−35Aで測定したところ、2.1μmであった。なお、シリコン層であることはEPMAで解析した。
上記シリコン粉末中の不純物をICP分光分析(誘導結合高周波プラズマ)したところ、不純物量は以下の通りであった。
Fe 25ppm
Al 280ppm
Ca 22ppm
Ni <5ppm
Cr <2ppm
Zr <5ppm
Na <5ppm
K <5ppm
図2に示すウエハにおいて、位置A〜Dにおける高さを株式会社東京精密製三次元座標測定機で測定し、下記式より反りを計算した。
なお、位置Aはウエハの中心、位置B〜Dはそれぞれ外周縁部から中心に向けて10mm離間した位置である。8インチシリコンウエハに前記条件で耐食層を成膜する場合、酸化イットリウムを40μm溶射することで反りを最小にすることができる。
各種希土類酸化物粉末を用いて実施例1と同じ方法でシリコン基板上に酸化物層を形成し、実施例1と同一評価をした。結果を表2に示す。
なお、実施例2〜12について、膜硬度を実施例1と同様にして測定した結果、いずれも硬度は3〜15GPaの範囲であった。
シリコン基板の鏡面を平均粒子径100μmのアルミナ研削材を用いて0.2MPaでエアーブラストした。ブラスト後のウエハを観察すると端部にチッピングが見られた。
シリコン基板の鏡面を平均粒子径100μmのアルミナ研削材を用いて0.03MPaでエアーブラストした。表面粗さはRa=0.9μmであった。前記粗面化処理したシリコンウエハ上に酸化イットリウム粉末を大気圧プラズマ溶射装置にてアルゴンガスをプラズマガスとして、出力40kW、溶射距離120mmにて15μm/Passになるような条件で溶射した。酸化イットリウム粉末はシリコンウエハ上に成膜されなかった。
シリコン基板鏡面の一部をポリイミドテープでマスキングして実施例1と同一条件でプラズマエッチングした。その後、実施例1と同じ方法で段差測定したところ、露出部は12μmエッチングされていた。
8インチアルミナ基板(厚さ725μm)をポリイミドテープでマスキングして実施例1と同一条件でプラズマエッチングした。その後、実施例1と同じ方法で段差測定したところ、露出部は4.9μmエッチングされていた。
Claims (7)
- シリコンウエハの基板と、基板の上に形成されたシリコンからなる表面粗さRaが1〜10μmの中間密着層と、中間密着層の上に最表層として形成された希土類酸化物溶射膜とを有することを特徴とするウエハ。
- 中間密着層がシリコン溶射膜であることを特徴とする請求項1記載のウエハ。
- 基板が粗面化処理されたシリコンウエハであることを特徴とする請求項1又は2記載のウエハ。
- 基板の表面粗さRaが0.5〜5μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のウエハ。
- 希土類元素が、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから選ばれる1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のウエハ。
- ハロゲン系ガス又はハロゲン系プラズマ雰囲気下で使用される請求項1乃至5のいずれか1項記載のウエハ。
- 半導体製造工程のダミーウエハとして使用されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のウエハ。
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