KR102271200B1 - 전기-도금 접착력을 위한 양극산화 아키텍쳐 - Google Patents

전기-도금 접착력을 위한 양극산화 아키텍쳐 Download PDF

Info

Publication number
KR102271200B1
KR102271200B1 KR1020167002572A KR20167002572A KR102271200B1 KR 102271200 B1 KR102271200 B1 KR 102271200B1 KR 1020167002572 A KR1020167002572 A KR 1020167002572A KR 20167002572 A KR20167002572 A KR 20167002572A KR 102271200 B1 KR102271200 B1 KR 102271200B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
anodization
layer
microns
article
anodization layer
Prior art date
Application number
KR1020167002572A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160048064A (ko
Inventor
제니퍼 와이. 선
비라자 피. 카누고
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20160048064A publication Critical patent/KR20160048064A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102271200B1 publication Critical patent/KR102271200B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/12—Anodising more than once, e.g. in different baths
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
    • C25D11/08—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used containing inorganic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C25D11/20—Electrolytic after-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/42—Electroplating: Baths therefor from solutions of light metals
    • C25D3/44—Aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
    • C25D5/42—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated of light metals
    • C25D5/44—Aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트를 제조하기 위해, 불순물들이 있는 금속성 물품 상에 제 1 양극산화 층이 형성되고, 제 1 양극산화 층은 약 100nm 초과의 두께를 가지며, 알루미늄 코팅이 제 1 양극산화 층 상에 형성되고, 알루미늄 코팅은 실질적으로 불순물들이 없다. 제 2 양극산화 층이 알루미늄 코팅 상에 형성될 수 있다.

Description

전기-도금 접착력을 위한 양극산화 아키텍쳐{ANODIZATION ARCHITECTURE FOR ELECTRO-PLATE ADHESION}
[0001] 본 개시물의 실시예들은, 일반적으로, 알루미늄 코팅된 물품들(articles), 및 알루미늄 코팅을 기판에 적용하기(applying) 위한 프로세스에 관한 것이다.
[0002] 반도체 산업에서, 디바이스들은, 계속-감소하는(ever-decreasing) 크기의 구조들을 생성하는 다수의 제조 프로세스들에 의해 제조된다. 건식 에칭(dry etch)과 같은 몇몇 제조 프로세스들은 프로세싱되는 기판 상에 입자들 및 금속 오염물을 생성할 수 있으며, 이는 디바이스 결함들의 원인이 된다. 디바이스 기하 형상들(geometries)이 축소됨에 따라, 이러한 결함들에 대한 민감도(susceptibility)가 증가하고, 입자 및 금속 오염물 요건들은 더 엄격해진다. 따라서, 디바이스 기하 형상들이 축소됨에 따라, 입자 결함들 및 금속 오염물에 대한 허용 가능한 레벨들이 상당히 감소될 수 있다.
[0003] 일 실시예에서, 약 100nm 초과의 두께를 갖는 제 1 양극산화(anodization) 층이, 불순물들(impurities) 및 개재물들(inclusions)을 포함하는 금속성 물품 상에 형성되고, 실질적으로 불순물들 및 개재물들이 없는(free) 알루미늄 코팅이 제 1 양극산화 층 상에 형성되는데, 그러한 알루미늄 코팅은 실질적으로 불순물들이 없다.
[0004] 알루미늄 코팅은 약 20미크론 내지 약 80미크론 범위의 두께를 가질 수 있다. 양극산화 처리된(anodized) 금속성 물품은, 양극산화 이후에, 탈이온수 밀봉(DI sealing; deionized water sealing)을 겪지 않을 수 있다. 양극산화 처리된 금속성 물품은, 양극산화 층 상에 알루미늄 코팅이 형성되기 전에, 약 2시간 내지 약 12시간 범위의 시간 동안, 약 60℃ 내지 약 150℃ 범위의 온도로 가열될 수 있다. 제 2 양극산화 층이 알루미늄 코팅 상에 형성될 수 있고, 약 5미크론 내지 약 30미크론 범위의 두께를 가질 수 있다. 양극산화 이전의 금속성 물품의 평균 표면 거칠기(Ra)는 약 15마이크로-인치 내지 약 300마이크로-인치 범위일 수 있다.
[0005] 복합 세라믹 층(composite ceramic layer)이 알루미늄 코팅 상에 형성될 수 있고, 약 50미크론 내지 약 300미크론 범위의 두께를 가질 수 있다. 물품은 Al 6061일 수 있다. 알루미늄 코팅은 물품 상에 전기도금될(electroplated) 수 있다.
[0006] 본 개시물은, 유사한 참조부호들이 유사한 엘리먼트들을 나타내는 첨부한 도면들의 도들에서, 예로써 예시되며, 제한으로써 예시되지 않는다. 본 개시물에서 "단수 형태의(an 또는 one)" 실시예에 대한 상이한 참조들이 반드시 동일한 실시예에 대한 것은 아니고, 그러한 참조들은 적어도 하나를 의미함이 주목되어야 한다.
[0007] 도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른, 반도체 제조 챔버에서 사용하기 위한 챔버 컴포넌트를 예시한다.
[0008] 도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른, 제조 시스템의 예시적인 아키텍쳐를 예시한다.
[0009] 도 3은, 본 발명의 실시예들에 따른, 제조 프로세스의 상이한 스테이지들 동안의, 물품의 측단면도들을 예시한다.
[0010] 도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른, 물품을 양극산화 처리하기 위한 프로세스를 예시한다.
[0011] 도 5는, 본 발명의 일 실시예에 따른, 물품 상에 알루미늄 코팅을 형성하기 위한 프로세스를 예시한다.
[0012] 도 6은, 본 발명의 실시예들에 따른, 물품을 제조하기 위한 프로세스를 도시하는 흐름도이다.
[0013] 도 7a, 7b, 및 7c는, 본 발명의 실시예들에 따른, 물품 상의 층들의 부가적인 현미경 단면도들(cross-sectional micrograph views)을 예시한다.
[0014] 본 개시물의 실시예들은, 특정 두께(예를 들어, 약 100nm 초과)의 양극산화 층을 형성하기 위해, 물품(예를 들어, 반도체 제조에서 사용하기 위한 물품)을 양극산화 처리하고, 그러한 물품을 알루미늄 코팅으로 코팅하기 위한 프로세스, 및 그러한 코팅 프로세스를 사용하여 생성된 물품에 관한 것이다. 예를 들어, 물품은, 에칭기(etcher), 세정기, 및 노(furnace), 등과 같은 프로세싱 장비를 위한 챔버의 샤워헤드, 캐소드 슬리브(cathode sleeve), 슬리브 라이너 도어(liner door), 캐소드 베이스(base), 챔버 라이너, 정전 척 베이스, 등일 수 있다. 일 실시예에서, 챔버는 플라즈마 에칭기 또는 플라즈마 세정기를 위한 것이다. 일 실시예에서, 이러한 물품들은 알루미늄 합금(예를 들어, Al 6061), 다른 합금, 금속, 금속 옥사이드, 또는 임의의 다른 적합한 재료(예를 들어, 전도성 재료)로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 복합 세라믹 층이 알루미늄 코팅 위에 형성될 수 있다.
[0015] 반도체 챔버 컴포넌트들을 제조하는 데에 사용된 금속들(예를 들어, Al 6061)의 불순물들 때문에, 이러한 컴포넌트들은 몇몇 반도체 제조 사양들을 충족시키지 않을 수 있다. 예를 들어, 90nm 미만의 크기들을 갖는 디바이스 노드들에 대한 금속 오염물 사양들이 엄격할 수 있다. 이러한 불순물들은, 웨이퍼의 플라즈마 프로세싱 동안, 전형적인 코팅된 또는 양극산화 처리된 물품들 밖으로 침출되어(leach out) 오염도들(contamination levels)을 증가시킬 수 있다. 그러나, 순수 알루미늄은, 더 낮은 구조적 강도 때문에, 이러한 컴포넌트들의 제조에 대해 적합한 재료가 아닐 수 있다. 또한, 전형적인 양극산화 마이크로구조들 상에 코팅된 실질적으로 순수한 알루미늄은, 양극산화 컬럼(column) 높이 대 양극산화 컬럼들 사이의 갭 직경(또한, 세공(pore) 직경으로 지칭됨)의 낮은 종횡비 때문에, 낮은 접착력(adhesion)(예를 들어, 약 10MPa 미만)을 가질 수 있다. 이는 알루미늄 코팅의 낮은 전단 저항으로 이어질 수 있다. 또한, 양극산화는, 밀봉 층을 생성하기 위해, 양극산화 컬럼들 사이의 충분한 수분 보유(moisture retention)를 초래할 수 있다. 그러한 밀봉 층은, 양극산화 컬럼들 사이의 갭들 또는 세공들 내로의 연속적인 순수 알루미늄의 침투(infiltration)를 감소시키고, 이는, 알루미늄 코팅의 추가적으로 감소된 접착력으로 이어진다. 실시예들에 따르면, 이러한 컴포넌트들의 양극산화를 위한 파라미터들(예를 들어, 양극산화 층의 두께)은, 물품으로부터의 금속 오염물을 감소시키고 알루미늄 코팅의 접착력을 증가시키도록 최적화될 수 있다. 양극산화를 위한 그러한 하나의 예시적인 파라미터는 양극산화 층의 두께이다. 실시예들에 따르면, 물품의 성능 특성들은, 상대적으로 긴 수명, 및 웨이퍼-상의(on-wafer) 낮은 금속 오염을 포함한다.
[0016] 본원에서 설명되는 실시예들은, 플라즈마 풍부(rich) 프로세스들을 위한 프로세스 챔버에서 사용되는 경우, 웨이퍼 상의 감소된 금속 오염을 야기할 수 있다. 그러나, 본원에서 논의되는 알루미늄 코팅된 물품들은 또한, 비-플라즈마(non-plasma) 에칭기들, 비-플라즈마 세정기들, 화학 기상 증착(CVD) 챔버, 및 물리 기상 증착(PVD) 챔버, 등과 같은, 다른 프로세스들을 위한 프로세스 챔버들에서 사용되는 경우, 감소된 금속 오염을 제공할 수 있다는 점이 이해되어야 한다.
[0017] "약(about)" 및 "대략(approximately)"이라는 용어들이 본원에서 사용되는 경우, 이러한 용어들은, 제시되는 공칭값이 ±10% 내로 정확하다는 것을 의미하도록 의도된다. 본원에서 설명되는 물품들은 플라즈마에 노출되는 다른 구조들일 수 있다.
[0018] 도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른, 반도체 제조 챔버에서 사용하기 위한 챔버 컴포넌트(100)의 단면도를 예시한다. 챔버 컴포넌트(100)는 물품(102), 양극산화 층(104), 알루미늄 코팅(106), 및 제 2 양극산화 층(108)을 포함한다. 도시된 챔버 컴포넌트(100)는 표현의 목적들을 위한 것이며, 반드시 실척인(to scale) 것은 아니다.
[0019] 물품(102)은, 전형적으로 알루미늄 합금들(예를 들어, 6061 Al)로 제조된 반도체 챔버 컴포넌트일 수 있다. 그러나, 물품(102)은 또한, 다른 금속들 또는 금속 합금들과 같은, 임의의 다른 적합한 재료로 형성될 수 있다. 실시예들에 따르면, 물품은, 에칭기, 세정기, 및 노, 등과 같은 프로세싱 장비를 위한 챔버의 샤워헤드, 캐소드 슬리브, 슬리브 라이너 도어, 캐소드 베이스, 챔버 라이너, 정전 척 베이스, 등일 수 있다.
[0020] 일 실시예에서, 물품(102)의 표면 거칠기는 약 15마이크로-인치 내지 약 300마이크로-인치 범위에 있다(예를 들어, 120마이크로-인치). 물품(102)은, 표면 거칠기가 상기 범위에 있도록, 초기에 형성되었을 수 있다. 그러나, 물품(102)의 표면 거칠기는 표면 거칠기를 감소시키는 것에 의해(예를 들어, 폴리싱 또는 샌딩(sanding)에 의해), 또는 표면 거칠기를 증가시키는 것에 의해(예를 들어, 비드 블라스팅(bead blasting) 또는 그라인딩(grinding)에 의해), 조정될 수 있다. 표면 거칠기는 상이한 어플리케이션들에 대해, 예컨대, 반도체 제조 챔버 내의 물품의 상이한 위치들에 대해 최적화될 수 있다.
[0021] 물품(102)은, 물품(102)의 표면 상에 양극산화 층(104)을 형성하기 위해, (예를 들어, 옥살산 양극산화를 통해) 양극산화 처리되고, 세공들(112)은, Al2O3로부터 형성된 양극산화 컬럼들(110) 사이에 형성된다. 양극산화 층(104)은, 결과적으로 양극산화 컬럼(110) 높이 대 세공 직경의 종횡비가 약 10 대 1 (10:1) 내지 약 2000 대 1 (2000:1) 범위가 되게 하는 특정 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 그러한 종횡비들은, 몇몇 실시예들에서 세공들(112)이 적절하게 깊은(deep) 것을 보장할 수 있다. 예를 들어, 세공 직경은 전형적으로, 약 10nm 내지 약 50nm(예를 들어, 약 30nm) 범위이고, 이로써, 10 대 1의 종횡비는, 약 300nm의 두께를 갖는 양극산화 층(104)을 초래할 것이다. 다른 예에서, 2000 대 1의 종횡비는, 약 60미크론의 두께를 갖는 양극산화 층(104)을 초래할 것이다. 양극산화 층(104)의 형성은 이하에서 더 상세하게 논의될 것이다.
[0022] 양극산화 프로세스에서의 표준 최종 단계는 탈이온수(DI) 밀봉을 수행하는 것이다. DI 밀봉은, 수화된(hydrated) 알루미늄 옥사이드(베마이트(boehmit))를 양극산화 층의 주상(columnar) 세공들에 형성하기 위해, 양극산화 처리된 파트(part)가 탈이온수(예를 들어, 약 96-100℃의 뜨거운 DI 물) 내로 침지되는(immersed) 프로세스이다. DI 밀봉은 양극산화 층의 주상 구조(예를 들어, 세공들)를 폐쇄하거나 밀봉하기 위해 수행된다. 고품질의 밀봉이 없으면, 양극산화 층(양극성 코팅)은 먼지, 그리스(grease), 오일들, 및 스테인들(stains)을 매우 잘 흡수할 수 있다. 전형적으로 DI 밀봉은 최대 내부식성을 제공하도록 수행된다. 그러나, 실시예들에서, DI 밀봉 프로세스는, 후속하는 고순도 코팅이 주상 세공들에 고정될 수 있게 하고 양호한 접착력을 제공하기 위해, 생략된다.
[0023] 그런 후에, 알루미늄 코팅(106)이 (예를 들어, 전기도금 또는 임의의 다른 적합한 방법을 통해) 양극산화 층(104) 위에 형성될 수 있다. 언급된 바와 같이, 일 실시예에서, 알루미늄 코팅(106)을 형성하기 이전에 탈이온수(DI) 밀봉이 수행되지 않고, 이로써, 수분이 세공들(112)에 부가되지 않는다. 또한, 일 실시예에 따르면, 양극산화 층(104)을 구비한 물품(102)은, 세공들(112)로부터 수분을 추가적으로 제거하기 위해, 베이킹될(baked) 수 있다. 그러한 베이킹은, 약 60℃ 내지 약 150℃ 범위의 온도에서, 약 2 내지 약 12시간 범위의 시간 동안 이루어질 수 있다. 예를 들어, 양극산화 층(104)을 구비한 물품(102)은 약 95℃에서 약 6시간 동안 베이킹될 수 있다. 알루미늄 코팅(106)의 형성은 이하에서 더 상세하게 논의될 것이다.
[0024] 알루미늄 코팅(106)이 양극산화 층(104) 상에 형성됨에 따라, 알루미늄 코팅(106)의 부분들(114)이 세공들(112)에 침투할 수 있다. 세공들(112)이 적절하게 깊고, 그리고 절적하게 깊지 않다면 수분에 의해 차단되기 때문에, 세공들(112) 내에 침투하는, 알루미늄 코팅(106)의 부분들(114)은, 알루미늄 코팅(106)을 양극산화 층(104)에 적절하게 접착시키기에 충분하게 길다. 결과적으로, 물품에 대한 알루미늄 코팅(106)의 접착력은 전형적인 알루미늄 코팅들에 비해 개선된다. 일 실시예에서, 알루미늄 코팅의 두께는 약 20미크론 내지 약 80미크론 범위(예를 들어, 약 50미크론)일 수 있다.
[0025] 일 실시예에서, 알루미늄 코팅(106)은, 알루미늄 코팅(106)으로부터, 상기 설명된 양극산화와 유사한 방식으로, Al2O3로 형성된 제 2 양극산화 층(108)을 형성하도록 양극산화 처리될 수 있다. 제 2 양극산화 층(108)은, 챔버 컴포넌트(100)의 사용 동안, 알루미늄 코팅(106)을 마모(wear) 및 찢김(tear)으로부터 보호할 수 있다. 또한, 순수 알루미늄 코팅(예를 들어, 초-순수 Al 코팅)을 갖는 것의 결과로서, 제 2 양극산화 층(108)은 상대적으로 순수하다. 그러므로, 플라즈마 케미스트리(plasma chemistry)에 대한 노출은 더 적은 금속 오염물을 초래할 것이다. 또한, 제 2 양극산화 층(108)은 베어(bare) 알루미늄보다 더 플라즈마-저항성이다. 일 실시예에서, 제 2 양극산화 층(108)의 두께는 약 5미크론 내지 약 30미크론 범위일 수 있다. 그러나, 제 2 양극산화 층(108)은 선택적일 수 있다. 접착 강도(adhesion strength)의 범위는 약 5 내지 약 100MPa일 수 있다.
[0026] 일 실시예에서, 세라믹 층이 알루미늄 코팅(106) 또는 제 2 양극산화 층(108) 위에 형성될 수 있다. 세라믹 층은 Y2O3, Al2O3, ZrO2 또는 이러한 금속 옥사이드들의 혼합물과 같은 임의의 적합한 재료로 형성된 세라믹 복합 층일 수 있다. 세라믹 층은 약 100미크론 내지 약 300미크론 범위(예를 들어, 약 200미크론 내지 약 250미크론 범위)의 두께를 가질 수 있다. 대안적으로, 일 실시예에서, 세라믹 층은 약 2-10미크론의 두께를 가질 수 있다. 세라믹 복합 층은 챔버 컴포넌트(100)를 보호하는 것을 도울 수 있고, 컴포넌트의 입자 성능을 개선할 수 있다.
[0027] 도 2는 챔버 컴포넌트(예를 들어, 도 1의 챔버 컴포넌트(100))를 제조하기 위한 제조 시스템(200)의 예시적인 아키텍쳐를 예시한다. 제조 시스템(200)은 반도체 제조에 사용하기 위한 물품을 제조하기 위한 시스템일 수 있다. 일 실시예에서, 제조 시스템(200)은, 장비 자동화 계층(215)에 연결된 프로세싱 장비(201)를 포함한다. 프로세싱 장비(201)는 비드 블라스터(203), 알루미늄 코팅기(204), 및/또는 양극산화 처리기(205)를 포함할 수 있다. 제조 시스템(200)은, 장비 자동화 계층(215)에 연결된 하나 또는 그 초과의 컴퓨팅 디바이스들(220)을 더 포함할 수 있다. 대안적인 실시예들에서, 제조 시스템(200)은 더 많은 또는 더 적은 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제조 시스템(200)은, 장비 자동화 계층(215) 또는 컴퓨팅 디바이스(220)가 없는, 수동으로 작동되는(예를 들어, 오프-라인(off-line)) 프로세싱 장비(201)를 포함할 수 있다.
[0028] 비드 블라스터(203)는 임의의 층들 또는 코팅들이 형성되기 이전에 물품의 표면 거칠기를 조정할 수 있다. 예를 들어, 비드 블라스터(203)는 물품의 표면 거칠기를, 약 15마이크로-인치 내지 약 300마이크로-인치 범위(예를 들어, 약 120마이크로-인치)가 되도록 조정할 수 있다. 다른 실시예들에서, 물품의 표면 거칠기는 그라인딩에 의해 증가될 수 있거나, 또는 샌딩 또는 폴리싱에 의해 감소될 수 있다. 그러나, 물품의 표면 거칠기는 이미 적절할 수 있으므로, 표면 거칠기 조정은 선택적일 수 있다. 표면 거칠기 조정은 이하에서 더 상세하게 설명될 것이다.
[0029] 일 실시예에서, 습식 세정기(wet cleaner)는, (예를 들어, 표면 거칠기 조정 이후에 또는 코팅들 또는 층들이 형성되기 이전에) 물품이 습식 배스(wet bath)에 침지되는 습식 세정 프로세스를 사용하여 물품을 세정한다. 다른 실시예들에서, 건식 세정기들과 같은, 대안적인 타입들의 세정기들이, 물품들을 세정하는 데에 사용될 수 있다. 건식 세정기들은, 열을 적용하는 것에 의해, 가스를 적용하는 것에 의해, 그리고 플라즈마를 적용하는 것, 등에 의해 물품들을 세정할 수 있다. 일 실시예에서, 양극산화 층을 형성하는 양극산화 이후에 습식 세정기(도시되지 않음)에서 물품이 세정되지 않는다. 또한, 양극산화 이후에, 물품 및/또는 양극산화 층으로부터 잔여 수분을 제거하기 위해, 물품은 특정 온도(예를 들어, 60℃ 내지 150℃)에서 특정 기간(예를 들어, 2시간 내지 12시간) 동안 가열 장치(예를 들어, 오븐)에서 베이킹될 수 있다.
[0030] 일 실시예에서, 양극산화 처리기(205)는 알루미늄 코팅 상에 양극산화 층을 형성하도록 구성된 시스템이다. 예를 들어, 물품(예를 들어, 전도성 물품)은, 예를 들어, 황산, 옥살산, 인산, 또는 이러한 산들의 혼합물을 포함하는 양극산화 배스에 침지되고, 물품이 애노드가 되도록, 전기 전류가 물품에 인가된다. 그런 다음에, 양극산화 층이 물품 상의 알루미늄 코팅 상에 형성되며, 이는 이하에서 더 상세하게 설명될 것이다.
[0031] 일 실시예에서, 양극산화 층을 형성하는 양극산화 이후에 습식 세정기에서 물품이 세정되지 않는다. 또한, 양극산화 이후에, 물품 및/또는 양극산화 층으로부터 잔여 수분을 제거하기 위해, 물품은 특정 온도(예를 들어, 60℃ 내지 150℃)에서 특정 기간(예를 들어, 2시간 내지 12시간) 동안 가열 장치(예를 들어, 오븐)에서 베이킹될 수 있다.
[0032] 알루미늄 코팅기(204)는 물품의 표면에 알루미늄 코팅을 적용하도록 구성된 시스템이다. 일 실시예에서, 알루미늄 코팅기(204)는, 알루미늄을 포함하는 전기도금 배스에 물품이 침지되었을 때, 물품에 전기 전류를 인가하는 것에 의해, 물품(예를 들어, 전도성 물품) 상에 알루미늄을 도금하는 전기도금 시스템이고, 이는 이하에서 더 상세하게 설명될 것이다. 여기서, 물품의 표면들은 균등하게 코팅될 수 있는데, 이는, 전도성 물품이 배스에 침지되기 때문이다. 대안적인 실시예들에서, 알루미늄 코팅기(204)는, 물리 기상 증착(PVD), 화학 기상 증착(CVD), 트윈 와이어 아크 스프레이(twin wire arc spray), 이온 기상 증착(ion vapor deposition), 스퍼터링, 및 콜드 스프레이(cold spray)와 같은, 알루미늄 코팅을 적용하는 다른 기술들을 사용할 수 있다. 알루미늄 코팅의 형성은 이하에서 더 상세하게 설명될 것이다.
[0033] 장비 자동화 계층(215)은 제조 기계들(201)의 전부 또는 일부를, 컴퓨팅 디바이스들(220)과, 다른 제조 기계들과, 계측 툴들(metrology tools)과, 그리고/또는 다른 디바이스들과 서로 연결할 수 있다. 장비 자동화 계층(215)은 네트워크(예를 들어, 근거리 네트워크(LAN)), 라우터들, 게이트웨이들, 서버들, 및 데이터 저장소들, 등을 포함할 수 있다. 제조 기계들(201)은 SECS/GEM(SEMI Equipment Communications Standard/Generic Equipment Model) 인터페이스를 통해, 이더넷 인터페이스를 통해, 그리고/또는 다른 인터페이스들을 통해 장비 자동화 계층(215)에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 장비 자동화 계층(215)은, 프로세스 데이터(예를 들어, 프로세스 실행 동안 제조 기계들(201)에 의해 수집되는 데이터)가, 데이터 저장소(도시되지 않음)에 저장될 수 있게 한다. 대안적인 실시예에서, 컴퓨팅 디바이스(220)는 제조 기계들(201) 중 하나 또는 그 초과에 직접 연결된다.
[0034] 일 실시예에서, 제조 기계들(201)의 일부 또는 전부는, 프로세스 레시피들(process recipes)을 로딩하고, 저장하고, 그리고 실행할 수 있는 프로그램가능한 제어기를 포함한다. 프로그램가능한 제어기는, 제조 기계들(201)의 온도 설정들, 가스 및/또는 진공 설정들, 시간 설정들, 등을 제어할 수 있다. 프로그램가능한 제어기는 주 메모리(예를 들어, 리드-온리 메모리(ROM), 플래시 메모리, 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM), 정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM), 등) 및/또는 이차 메모리(예를 들어, 디스크 드라이브와 같은 데이터 저장 디바이스)를 포함할 수 있다. 주 메모리 및/또는 이차 메모리는 본원에서 설명되는 열 처리 프로세스들을 수행하기 위한 명령들을 저장할 수 있다.
[0035] 프로그램가능한 제어기는 또한, 명령들을 실행하기 위해 주 메모리 및/또는 이차 메모리에 (예를 들어, 버스(bus)를 통해) 커플링된 프로세싱 디바이스를 포함할 수 있다. 프로세싱 디바이스는 마이크로프로세서, 또는 중앙 처리 유닛, 등과 같은 범용 프로세싱 디바이스일 수 있다. 프로세싱 디바이스는 또한, ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field programmable gate array), DSP(digital signal processor), 또는 네트워크 프로세서, 등과 같은 특수-목적 프로세싱 디바이스일 수 있다. 일 실시예에서, 프로그램가능한 제어기는 프로그램 가능한 로직 제어기(PLC)이다.
[0036] 도 3은, 본 발명의 실시예들에 따른, 제조 프로세스의 상이한 스테이지들 동안의, 물품의 측단면도들(310 및 320)을 도시한다. 일 실시예에서, 측단면도들은, 표면 거칠기를 조정하는 것에 의한, 양극산화에 대한 준비 동안의, 도 1의 챔버 컴포넌트(100)의 상태에 대응한다.
[0037] 측면도(310)는 제공된 물품의 보호되는 부분 위에 배치된 하드 마스크(353)를 도시한다. 제공된 물품은 금속 본체(예를 들어, Al 6061로 형성됨)를 가질 수 있다. 하드 마스크(353)는, 비드 블라스팅 동안, 보호되는 부분이 조면화되는(roughened) 것을 방지할 수 있다. 물품은 비드 블라스터(또는 다른 세라믹 러프너(roughener))에 의해 조면화된다. 일 실시예에서, 비드 블라스터는 물품의 표면을 블라스팅하기 위해 세라믹 비드들을 사용한다. 일 실시예에서, 세라믹 비드들은 대략 0.2-2mm 범위의 크기를 갖는다. 비드 블라스터는, 대략 30-90psi의 공기압, 및 대략 50-150mm의 작동 거리로 물품을 비드 블라스팅할 수 있고, 본체에 대한 블라스팅 각도는 약 90도, 또는 90도 약간 미만이어야 한다. 비드 블라스터는 물품의 본체의 노출된 부분들(마스크에 의해 커버되지 않는 부분들)을 조면화할 수 있다.
[0038] 측면도(320)는 비드 블라스팅이 수행된 이후의 물품(352)을 도시한다. 물품(352)은 조면화된 표면(358)을 갖고, 이는, 비드 블라스팅 동안 보호되지 않은, 물품의 부분에 대응한다. 물품(352)은, 조면화되지 않는, 물품의 부분에 대응하는 평활한(smooth) 표면(357)을 부가적으로 갖는다. 도시된 바와 같이, 소프트 마스크(356)가 물품(352) 상에, 물품(352)이 조면화된 이후의 평활한 표면(357) 위에 배치된다. 소프트 마스크(356)는, 하드 마스크(353)에 의해 이전에 보호되었던, 물품(352)의 동일한 영역을 커버하는 데에 사용될 수 있다. 측면도(320)는 블록(212)의 완료 이후의 물품의 상태를 도시한다.
[0039] 일 실시예에서, 프로세싱된 물품은 약 15마이크로-인치 내지 약 300마이크로-인치 범위의 블라스팅-이후(post-blast) 거칠기를 갖는다. 일 실시예에서, 블라스팅-이후 거칠기는 약 120마이크로-인치일 수 있다. 물품을 최적 거칠기로 조면화하는 것은, 후속하는 층들 또는 코팅들의 접착 강도를 개선할 수 있다. 그러나, 일 실시예에서, 물품은 조면화되지 않는다.
[0040] 도 4는, 일 실시예에 따른, 양극산화 층(409)을 형성하기 위해 물품(403)을 양극산화 처리하기 위한 프로세스(400)를 예시한다. 예를 들어, 물품(403)은 도 1의 물품(102)일 수 있다. 양극산화는 물품(403)의 표면의 미세 텍스쳐(microscopic texture)를 변화시키고, 따라서 도 4는 오직 예시 목적들만을 위한 것이며, 실척이 아닐 수 있다. 양극산화 프로세스 이전에, 물품(403)은 질산 배스, 알칼리 용액, 또는 NaOH에서 세정될 수 있거나, 또는 양극산화 이전에 화학 처리(예를 들어, 탈산(deoxidation))를 겪을 수 있다.
[0041] 물품(403)은, 산 용액을 포함하는 양극산화 배스(401)에, 캐소드 본체(405)와 함께 침지된다. 사용될 수 있는 캐소드 본체들의 예들은, Al6061 및 Al3003과 같은 알루미늄 합금 및 탄소 본체들을 포함한다. 전류 공급기(407)(예를 들어, 배터리 또는 다른 전력 공급부)를 통해, 전류를 전해질 용액 또는 산 용액을 통과시킴으로써, 양극산화 층(409)이 물품(403) 상에서 성장된다. 여기서, 물품(403)은 애노드(양의 전극)이다. 그런 다음에, 전류는, 알루미늄 옥사이드의 양극산화 층(409)을 형성하기 위해, 캐소드 본체(405), 예를 들어, 음의 전극에서 수소를, 그리고 물품(403)의 표면에서 산소를 방출한다. 실시예들에서, 다양한 용액들을 사용하는 양극산화를 가능하게 하는 전압은 1 내지 300V 또는 15 내지 21V 범위일 수 있다. 양극산화 처리 전류는 양극산화 처리되는 캐소드 본체(405)의 지역에 의해 변하고, 30 내지 300amperes/m2 (2.8 내지 28ampere/ft2) 범위일 수 있다.
[0042] 세공들(예를 들어, 주상 나노-세공들)의 코팅을 형성하기 위해, 산 용액은 물품(403)의 표면(예를 들어, 알루미늄 코팅)을 용해시킨다(예를 들어, 소모하거나(consume) 또는 변환시킨다(convert)). 그런 다음에, 양극산화 층(409)은, 나노-세공들의 이러한 코팅으로부터 계속 성장된다. 세공들은 약 10nm 내지 약 50nm 범위(예를 들어, 약 30nm)의 직경을 가질 수 있다. 산 용액은 옥살산, 인산, 황산(타입 III 양극산화), 또는 이러한 산들의 조합, 및/또는 다른 산들일 수 있다. 옥살산의 경우, 물품 소모 대 양극산화 층 성장의 비율은 약 1:1이다. 물품(403) 상에 일정한 알루미늄 옥사이드 양극산화 층(409)을 형성하기 위해, 전해질 농도, 산성도, 용액 온도, 및 전류가 제어된다. 일 실시예에서, 양극산화 층(409)은 약 100nm 내지 약 60미크론 범위의 두께를 갖도록 성장될 수 있다.
[0043] 일 실시예에서, 양극산화 층의 매우 조밀한(dense) 배리어 층 부분을 성장시키기 위해, 초기에 전류 밀도가 높고, 그런 다음에, 양극산화 층의 다공성 주상 층 부분을 성장시키기 위해, 전류 밀도가 감소된다. 양극산화 층을 형성하는 데에 옥살산이 사용되는 일 실시예에서, 다공도는 약 40% 내지 약 50% 범위이고, 세공들은 약 10nm 내지 약 50nm 범위의 직경을 갖는다.
[0044] 일 실시예에서, 양극산화 층의 평균 표면 거칠기(Ra)는 약 15마이크로-인치 내지 약 300마이크로-인치 범위이고, 이는 물품의 초기 거칠기와 유사할 수 있다. 일 실시예에서, 평균 표면 거칠기는 약 120마이크로-인치이다.
[0045] 도 5는, 양극산화 층(509)을 구비한 물품(503)을 알루미늄 코팅(511)으로 전기도금하기 위한 프로세스(500)를 예시한다. 일 실시예에서, 물품(503)은 도 1로부터의, 양극산화 층(104)을 구비한 물품(102)이다. 전기도금은 99.99 순도를 갖는 알루미늄 층을 생성할 수 있다. 전기도금은, 전극 상에 금속 코팅을 형성하기 위해, 예를 들어, 양극산화 층(509)을 구비한 물품(503) 상에 알루미늄 코팅(511)을 형성하기 위해, 용해된 금속 양이온들을 환원(reduce)시키도록 전기 전류를 사용하는 프로세스이다. 물품(503)은 캐소드이고, 알루미늄 본체(505)(예를 들어, 고순도 알루미늄)는 애노드이다. 컴포넌트들 양자 모두는, 전류(electricity)의 흐름을 허용하는, 하나 또는 그 초과의 용해된 금속 염들뿐만 아니라 다른 이온들을 함유하는 전해질 용액을 포함하는 알루미늄 도금 배스(501)에 침지된다. 전류 공급기(507)(예를 들어, 배터리 또는 다른 전력 공급부)는 물품(503)에 직류를 공급한다. 금속 원자들이 용액에 용해되도록, 직류는 알루미늄 본체(505)의 금속 원자들을 산화시킨다. 물품(503) 상에 도금되어 알루미늄 코팅(511) 또는 알루미늄 도금 층을 형성하기 위해, 전해질 용액 내의 용해된 금속 이온들은 용액과 물품(503) 사이의 계면에서 환원된다. 실시예에 따르면, 금속 이온들은 또한, 양극산화 층(509) 내로 연장되는, 알루미늄 코팅(511)의 부분들을 형성하기 위해, 양극산화 층(509)의 세공들에 침투한다. 알루미늄 코팅(511)의 이러한 부분들은 양극산화 층(509) 내로 연장되고, 베이스 양극산화의 고 종횡비 주상 구조를 통해 알루미늄 코팅을 더 양호하게 고정시키는 것에 의해, 물품(503)에 대한 알루미늄 코팅(511)의 접착력을 개선하는 것을 돕는다.
[0046] 일 실시예에서, 알루미늄 코팅(511)은 평활하다. 예를 들어, 알루미늄 도금은 약 20마이크로-인치 내지 약 300마이크로-인치의 평균 표면 거칠기(Ra)를 가질 수 있다.
[0047] 일 실시예에서, 알루미늄 코팅(511) 두께는 비용 절감, 및 오염 방지를 위한 충분한 두께 양자 모두를 위해 최적화된다. 알루미늄 코팅의 두께는, 전체 알루미늄 코팅을 양극산화 처리하지 않고 알루미늄 코팅으로부터 약 25 내지 약 75㎛ 범위의 두께를 갖는 양극산화 층이 형성될 수 있도록, 선택될 수 있다. 일 실시예에서, 알루미늄 코팅(511)은 약 20미크론 내지 약 80미크론 범위(일 실시예에서, 예를 들어, 약 50미크론)의 두께를 갖는다. 또한, 전기도금 이외의 다른 알루미늄 코팅 프로세스들, 예컨대, HVOF(high-velovity oxy-fuel spray)가 다른 실시예들에서 사용될 수 있음을 주지한다.
[0048] 도 6은, 본 개시물의 실시예들에 따른, 알루미늄 코팅된 물품을 제조하기 위한 방법(600)을 도시하는 흐름도이다. 방법(600)의 동작들은, 도 2에 열거된 바와 같은, 다양한 제조 기계들에 의해 수행될 수 있다.
[0049] 블록(601)에서, 물품(예를 들어, 적어도 전도성 부분을 갖는 물품)이 제공된다. 예를 들어, 물품은 알루미늄 합금(예를 들어, Al 6061)으로 형성된 전도성 물품일 수 있다. 물품은, 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한, 샤워헤드, 캐소드 슬리브, 슬리브 라이너 도어, 캐소드 베이스, 챔버 라이너, 정전 척 베이스, 등일 수 있다.
[0050] 블록(603)에서, 일 실시예에 따라, 물품이 코팅을 위해 준비된다. 물품의 표면은 표면을 조면화, 평활화, 또는 세정하는 것에 의해 변경될 수 있다.
[0051] 블록(605)에서, 일 실시예에 따라, (예를 들어, Al2O3로 형성된) 양극산화 층을 형성하기 위해, 물품이 양극산화 처리된다. 예를 들어, 약 300nm 내지 약 60미크론 범위의 두께를 갖는 양극산화 층을 형성하기 위해, 도 4와 관련하여 유사하게 설명된 바와 같이, 옥살산 또는 황산의 배스에서 물품이 양극산화 처리될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 설명된 바와 같이, 양극산화 층의 세공들로부터 잔여 수분을 제거하기 위해, 양극산화 이후에 물품이 베이킹될 수 있다.
[0052] 블록(607)에서, 물품은 알루미늄 코팅(예를 들어, 실질적으로 순수한 알루미늄 코팅)으로 코팅된다(예를 들어, 도금된다). 예를 들어, 물품은, 약 20미크론 내지 약 80미크론 범위의 두께를 갖는 알루미늄 코팅을 형성하기 위해, 도 5와 관련하여 유사하게 설명된 바와 같이, 알루미늄으로 전기도금될 수 있다. 다른 예들에서, 물리 기상 증착(PVD), 화학 기상 증착(CVD), 트윈 와이어 아크 스프레이, 이온 기상 증착, 스퍼터링, 및 콜드 스프레이에 의해 코팅이 적용될 수 있다.
[0053] 블록(609)에서, 일 실시예에 따라, 물품은, 알루미늄 코팅 상에 제 2 양극산화 층을 형성하기 위해, 양극산화 처리될 수 있다. (예를 들어, 상기 설명된 바와 같이, Al2O3로 형성된) 제 2 양극산화 층은 약 5미크론 내지 약 30미크론 범위의 두께를 가질 수 있다. 그러나, 이러한 제 2 양극산화 층은 선택적일 수 있다.
[0054] 블록(611)에서, 일 실시예에 따라, 물품은 플라즈마 저항성 세라믹 층으로 코팅된다. 플라즈마 환경에 노출될, 물품의 측(side)이 코팅될 수 있다. 일 실시예에서, 물품 상에 세라믹 코팅을 플라즈마 스프레잉하는 데에 플라즈마 스프레이어(plasma sprayer)가 사용된다. 일 실시예에서, 코팅되지 않는, 물품의 부분들은, 코팅 이전에 마스킹된다. 그러나, 이러한 세라믹 층은 선택적일 수 있다.
[0055] 일 실시예에서, 혼합된 원료(raw) 세라믹 분말들이 물품 상에 스프레잉된다. 플라즈마 스프레잉 동안 물품은 대략 50-70℃의 온도로 가열될 수 있다. 일 실시예에서, 물품을 플라즈마 스프레잉하는 데에 대략 35-36.5와트(W)의 플라즈마 전력이 사용되지만, 다른 플라즈마 전력들이 또한 사용될 수 있다. 플라즈마 스프레이 프로세스는 다수의 스프레이 패스들(spray passes)로 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 세라믹 코팅을 생성하기 위해 대략 35-40의 스프레이 패스들이 적용된다. 일 예에서, 코팅은 대략 5-50mil의 두께를 가질 수 있다.
[0056] 일 실시예에서, 세라믹 코팅은, 열 스프레잉 기술(예를 들어, 플라즈마 스프레잉 기술)을 사용하여 세라믹 본체에 증착된, 이트륨 옥사이드 함유 세라믹, 또는 다른 이트륨 함유 옥사이드이다. 열 스프레잉 기술들(예를 들어, 플라즈마 스프레잉 기술들)은 재료들(예를 들어, 세라믹 분말들)을 용융시키고, 그러한 용융된 재료들을 물품 상에 스프레잉할 수 있다. 열 스프레잉된 또는 플라즈마 스프레잉된 복합 세라믹 층은 약 100미크론 내지 약 300미크론 범위의 두께(예를 들어, 약 200미크론 내지 약 250미크론 범위의 두께)를 가질 수 있다.
[0057] 일 실시예에서, 세라믹 코팅은, 함께 혼합되는, Y2O3, Al2O3, 및 ZrO2의 원료 세라믹 분말들로부터 생성된다. 일 실시예에서, 이러한 원료 세라믹 분말들은 99.9% 또는 그 초과의 순도를 가질 수 있다. 원료 세라믹 분말들은, 예를 들어, 볼 밀링(ball milling)을 사용하여 혼합될 수 있다. 원료 세라믹 분말들은 대략 0.5-5㎛의 분말 크기를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 원료 세라믹 분말들은 대략 1㎛의 분말 크기를 갖는다. 세라믹 분말들이 혼합된 후에, 그러한 세라믹 분말들은, 대략 1200-1600℃(예를 들어, 일 실시예에서, 1400℃)의 하소(calcination) 온도에서, 그리고 대략 5-10일(예를 들어, 일 실시예에서, 3일)의 하소 시간으로 하소될(calcinated) 수 있다. 혼합된 분말에 대한 스프레잉 건조된(spray dried) 과립형(granular) 입자 크기는 대략 3-50㎛의 크기 분포를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 평균(median) 크기는 약 15㎛이다. 다른 실시예에서, 평균 크기는 약 25㎛이다.
[0058] 부가적으로, 세라믹 코팅은 대략 4-25MPa(예를 들어, 일 실시예에서, 대략 14MPa 초과)의 접착 강도를 가질 수 있다. 접착 강도는, 세라믹 코팅이 물품으로부터 박리될(peel off) 때까지, 세라믹 코팅에 (예를 들어, 메가파스칼(megapascal)로 측정된) 수직 항력을 적용하는 것에 의해 결정될 수 있다.
[0059] 그런 다음에, 물품은 입자들에 대해 테스트될 수 있다. 입자 카운트(count)를 나타내는 측정된 파라미터들은 테이프 박리 테스트 입자 카운트(tape peel test particle count) 및 액체 입자 카운트(LPC; liquid particle count)이다. 테이프 테스트는, 접착 테이프를 세라믹 코팅에 부착시키고, 테이프를 박리시킨 다음에, 테이프에 접착된 입자들의 개수를 세는 것에 의해 수행될 수 있다. LPC는, 물품을 수조(예를 들어, 탈이온(DI)수 배스)에 위치시키고, 수조를 초음파 처리(sonicating)함으로써 결정될 수 있다. 그런 다음에, 예를 들어, 레이저 카운터를 사용하여, 용액에 떨어진 입자들의 개수를 셀 수 있다. 도 7a, 7b, 및 7c는, 각각, 옥살산 배스에서 형성된 양극처리 층을 구비한 Al 6061 물품들의 단면도들인, 200nm 스케일의 주사 전자 현미경 사진들(702, 704, 및 706)을 예시한다. 세공은 약 30nm의 직경을 갖는다.
[0060] 표 1은, 실시예에 따른, 전기도금된 알루미늄 코팅 접착력 테스트 결과들의 예를 도시하고, 여기서, 다양한 양극산화 층 타입들 및 두께들의 샘플들의 접착 강도가 측정되었다. 테스트 쿠폰들은 옥살산 또는 타입 III의 베이스 양극산화 층 타입으로 제조되었고, 여기서, 베이스 양극산화 층 두께는 각각의 양극산화 층 타입에 대해 0.3㎛, 3㎛, 및 10㎛ 중에서 변화되었다. 전기도금된 층의 접착력을 개선하기 위해, 양극산화 이후 테스트 쿠폰들의 탈이온수 밀봉은 없었다. 쿠폰들은 후속하여 고순도 알루미늄 층으로 약 50미크론의 두께로 전기도금되었다. 그런 다음에, 쿠폰들은, 각각의 양극산화 타입에 대해 10㎛ 및 30㎛ 중에서 변화되는 두께들을 갖는, 옥살산 또는 타입 III 양극산화 층을 형성하기 위해, 양극산화 처리되었다. 그런 다음에, 접착력 테스트는 ASTM633C에 의해 수행되었고, 여기서, 테스트 쿠폰들은 높은 강도의 접착제를 사용하여, 프로세싱되지 않은 쿠폰에 접착되었으며(glued), 그런 다음에, 테스트 쿠폰 및 프로세싱되지 않은 쿠폰을 뜯어내었다(pulled apart). 쿠폰들을 뜯어내기 위해 요구되는 파괴력(failure force)이 접착 강도로서 측정되었고, 여기서는, 예에서, 30MPa의 접착 강도가, 원하는 성능을 위한 임계 강도일 수 있다.
Figure 112016009630920-pct00001
[0061] 표 2는, 일 실시예에 따른, 전기도금된 알루미늄 코팅 접착력 테스트 결과들의 다른 예를 도시하고, 여기서, 사용된 절차들은, 테스트 결과들의 반복성을 입증하기 위해, 표 1에 대해서 상기 설명된 절차들과 유사하였다.
Figure 112016009630920-pct00002
[0062] 표 3은, 실시예에 따른, 전기도금된 알루미늄 코팅 접착력 테스트 결과들의 다른 예를 도시하고, 여기서, 사용된 절차들은, 실제의 챔버 조건들을 시뮬레이팅하기 위해, 테스트 쿠폰들이, 약 20시간 동안 약 130℃에서 진공 베이크 테스트를 겪었다는 점을 제외하고, 표 1에 대해서 상기 설명된 절차들과 유사하였다. 표 3의 결과들은, 진공 베이크 이후에, 접착력이 유지되었다는 것을 나타내고, 이는, 반도체 제조 챔버와 함께 사용하기 위한 적합성을 나타낼 수 있다.
Figure 112016009630920-pct00003
[0063] 표 4는, 표 1과 관련하여 설명된 절차들에 따라 프로세싱된 샘플들의 외관 검사의 테스트 결과들을 도시하고, 여기서 "양호함(good)"은 색의 균일성을 나타내며, "적합함(ok)"은 색의 약간의 불균일성을 나타내고, "부적합(bad)"은 색의 불균일성을 나타낸다. 색의 균일성은 양극산화 마감처리(finish)의 균일성을 나타낼 수 있다.
Figure 112016009630920-pct00004
[0064] 상기 설명은 본 개시물의 여러 실시예들에 대한 우수한 이해를 제공하기 위해, 특정 시스템들, 컴포넌트들, 방법들 등의 예들과 같은 다수의 특정한 세부 사항들을 제시한다. 그러나, 본 개시물의 적어도 몇몇 실시예들은, 이러한 특정한 세부 사항들 없이도 실행될 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 예시들에서, 주지된 컴포넌트들 또는 방법들은, 본 개시물을 불필요하게 모호하게 하는 것을 방지하기 위해, 상세하게 설명하지 않거나, 단순한 블록도 형식으로 나타낸다. 따라서, 제시된 구체적인 세부 사항들은 단지 예시적이다. 구체적인 구현예들은 이러한 예시적인 세부 사항들로부터 변화할 수 있으며, 본 개시물의 범위 내에 속하는 것으로 여전히 이해될 수 있다.
[0065] 본 명세서 전체에 걸쳐서 "하나의 실시예" 또는 "실시예"에 대한 언급은 실시예에 관하여 설명된 특정 피쳐, 구조, 또는 특징이 적어도 하나의 실시예에 포함됨을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전체의 다양한 위치들에서 "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"라는 문구의 출현들은 반드시 모두 동일한 실시예를 나타내는 것은 아니다. 또한, "또는"이라는 용어는 배타적인 "또는"이 아니라 포괄적인 "또는"을 의미하는 것으로 의도된다.
[0066] 본원의 방법들의 작동들이 특정 순서로 도시되고 설명되지만, 각각의 방법의 작동들의 순서는 변경될 수 있으며, 그에 따라, 특정 작동들은 역 순서로 수행될 수 있거나, 또는 특정 작동은 다른 작동들과 적어도 부분적으로 동시에 수행될 수 있다. 다른 실시예에서, 개별 작동들의 하위-작동들 또는 명령들은 간헐적 방식으로 및/또는 교호하는 방식으로 이루어질 수 있다.
[0067] 상기 설명이 예시적인 것으로 그리고 제한적이지 않은 것으로 의도됨이 이해되어야 한다. 상기 설명을 읽고 이해할 때 많은 다른 실시예들이 당업자들에게 명백해질 것이다. 그러므로, 본 개시물의 범위는 첨부된 청구항들에 관하여, 그러한 청구항들이 권리를 부여하는 등가물들의 전체 범위에 따라 결정되어야 한다.

Claims (16)

  1. 프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트(component)를 제조하는 방법으로서,
    복수의 세공(pore)들을 갖는 제 1 양극산화(anodization) 층을 형성하기 위해, 불순물들을 포함하는 금속성 물품(metallic article)을 양극산화 처리하는(anodizing) 단계 ― 상기 제 1 양극산화 층은 100㎚ 초과의 두께를 가짐 ―; 및
    상기 제 1 양극산화 층 상에 불순물들이 없는 알루미늄 코팅을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 금속성 물품을 양극산화 처리하는 단계는,
    상기 양극산화를 위해 초기에는 제 1 전류 밀도를 이용하여 상기 제 1 양극산화 층의 배리어 층 부분을 성장시키는 단계; 및
    상기 양극산화를 위해 그 다음에는 제 2 전류 밀도를 이용하여 상기 제 1 양극산화 층의 다공성 컬럼(column) 층 부분을 성장시키는 단계
    를 포함하며, 상기 제 2 전류 밀도는 상기 제 1 전류 밀도보다 낮은,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄 코팅은 20미크론 내지 80미크론 범위의 두께를 갖는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 양극산화 층 상에 상기 알루미늄 코팅을 형성하는 단계 이전에, 상기 복수의 세공들로부터 수분을 제거하기 위해, 양극산화 처리된 금속성 물품을 95℃ 내지 150℃ 범위의 온도로 2시간 내지 12시간 범위의 시간 동안 가열하는 단계를 더 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    5미크론 내지 30미크론 범위의 두께를 갖는 제 2 양극산화 층을 형성하기 위해, 상기 알루미늄 코팅을 양극산화 처리하는 단계를 더 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 양극산화 층 상에 세라믹 층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 세라믹 층은 100미크론 내지 300미크론 범위의 두께를 갖는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속성 물품을 양극산화 처리하는 단계에 후속하여 탈이온수 밀봉(deionized water sealing)이 수행되지 않는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄 코팅을 형성하는 단계는 전기도금을 수행하는 것을 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트를 제조하는 방법.
  8. 프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트로서,
    불순물들을 포함하는 금속성 물품;
    상기 금속성 물품 상의 제 1 양극산화 층 ― 상기 제 1 양극산화 층은 100㎚ 초과의 두께를 가지며,
    상기 제 1 양극산화 층은:
    배리어 층 부분; 및
    상기 배리어 층 부분 상의 다공성 컬럼 층 부분을 포함하고, 상기 다공성 컬럼 층 부분은 수분이 없는 복수의 세공들을 포함함 ―; 및
    상기 제 1 양극산화 층 상의 알루미늄 코팅
    을 포함하고,
    상기 알루미튬 코팅에는 불순물들이 없고, 상기 알루미늄 코팅의 부분들이 상기 제 1 양극산화 층의 상기 복수의 세공들로 침투하는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 알루미늄 코팅은 20미크론 내지 80미크론 범위의 두께를 갖는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 알루미늄 코팅 상의 제 2 양극산화 층을 더 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 양극산화 층은 5미크론 내지 30미크론 범위의 두께를 갖는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 양극산화 층 상의 세라믹 층을 더 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 양극산화 층은 5미크론 내지 30미크론 범위의 두께를 갖고,
    상기 세라믹 층은 100미크론 내지 300미크론 범위의 두께를 갖거나 2미크론 내지 10미크론 범위의 두께를 갖는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 물품은 Al 6061을 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 세라믹 층은 Y2O3, Al2O3, ZrO2 또는 이들의 혼합물 중 적어도 하나로 구성되는,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트.
  16. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 양극산화 층은 10:1 내지 2000:1 범위의 양극산화 컬럼 높이 대 세공 직경의 종횡비를 가지고,
    상기 제 1 양극산화 층의 상기 세공 직경은 10 내지 50 ㎚인,
    프로세싱 챔버를 위한 챔버 컴포넌트.
KR1020167002572A 2013-08-29 2014-08-21 전기-도금 접착력을 위한 양극산화 아키텍쳐 KR102271200B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361871807P 2013-08-29 2013-08-29
US61/871,807 2013-08-29
US14/463,001 2014-08-19
US14/463,001 US9624593B2 (en) 2013-08-29 2014-08-19 Anodization architecture for electro-plate adhesion
PCT/US2014/052104 WO2015031157A1 (en) 2013-08-29 2014-08-21 Anodization architecture for electro-plate adhesion

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160048064A KR20160048064A (ko) 2016-05-03
KR102271200B1 true KR102271200B1 (ko) 2021-06-29

Family

ID=52583645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167002572A KR102271200B1 (ko) 2013-08-29 2014-08-21 전기-도금 접착력을 위한 양극산화 아키텍쳐

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9624593B2 (ko)
JP (1) JP6670750B2 (ko)
KR (1) KR102271200B1 (ko)
CN (2) CN108611671A (ko)
TW (3) TWI633208B (ko)
WO (1) WO2015031157A1 (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014158767A1 (en) 2013-03-14 2014-10-02 Applied Materials, Inc. High purity aluminum top coat on substrate
US9583369B2 (en) 2013-07-20 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles
US9663870B2 (en) 2013-11-13 2017-05-30 Applied Materials, Inc. High purity metallic top coat for semiconductor manufacturing components
US9725799B2 (en) 2013-12-06 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
US9976211B2 (en) 2014-04-25 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application
KR102210971B1 (ko) * 2016-03-11 2021-02-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 프로세싱 장비 상에 이트륨 산화물을 형성하기 위한 방법
CN108885979B (zh) * 2016-03-11 2024-04-09 应用材料公司 作为铝半导体处理设备的阻挡层的铝电镀和氧化物形成
US11326253B2 (en) 2016-04-27 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components
US9850573B1 (en) 2016-06-23 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating
US20180016678A1 (en) 2016-07-15 2018-01-18 Applied Materials, Inc. Multi-layer coating with diffusion barrier layer and erosion resistant layer
US10186400B2 (en) 2017-01-20 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition
US10755900B2 (en) 2017-05-10 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Multi-layer plasma erosion protection for chamber components
US11279656B2 (en) 2017-10-27 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Nanopowders, nanoceramic materials and methods of making and use thereof
US10443126B1 (en) 2018-04-06 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Zone-controlled rare-earth oxide ALD and CVD coatings
US11667575B2 (en) 2018-07-18 2023-06-06 Applied Materials, Inc. Erosion resistant metal oxide coatings
US11312107B2 (en) * 2018-09-27 2022-04-26 Apple Inc. Plugging anodic oxides for increased corrosion resistance
US11180847B2 (en) 2018-12-06 2021-11-23 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition coatings for high temperature ceramic components
JP2022521291A (ja) 2019-02-21 2022-04-06 ラム リサーチ コーポレーション 陽極酸化およびコーティングされた表面の巨視的なテクスチャ
US10858741B2 (en) 2019-03-11 2020-12-08 Applied Materials, Inc. Plasma resistant multi-layer architecture for high aspect ratio parts
US11289357B2 (en) 2019-06-27 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for high voltage electrostatic chuck protection
CN112575365A (zh) * 2019-09-29 2021-03-30 张宇明 一种电镀阳极及使用该电镀阳极的电镀方法
CN113699573A (zh) * 2020-05-20 2021-11-26 苹果公司 非水性铝阳极化

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003328187A (ja) * 2002-05-17 2003-11-19 Nippon Light Metal Co Ltd アルミニウム材の表面処理方法
US20060024517A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Coating for aluminum component
JP2010535288A (ja) * 2007-08-02 2010-11-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3597259A (en) * 1969-05-21 1971-08-03 Horizons Inc Method of making high resolution image devices
US3969195A (en) * 1971-05-07 1976-07-13 Siemens Aktiengesellschaft Methods of coating and surface finishing articles made of metals and their alloys
CA1232227A (en) 1982-02-18 1988-02-02 Christopher Vance Manufacturing electrode by immersing substrate in aluminium halide and other metal solution and electroplating
GB8315203D0 (en) * 1983-06-02 1983-07-06 Secr Defence Surface pretreatment of aluminium and aluminium alloys
EP0309831A1 (de) 1987-09-29 1989-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Ionensperrschicht auf Metallen und Nichtmetallen
US4883541A (en) 1989-01-17 1989-11-28 Martin Marietta Corporation Nonchromate deoxidizer for aluminum alloys
US5104514A (en) * 1991-05-16 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Protective coating system for aluminum
JP2984116B2 (ja) * 1991-10-30 1999-11-29 日新製鋼株式会社 半導体素子搭載基板
JPH08319573A (ja) * 1995-05-22 1996-12-03 Nitsukooshi Prod Kk プラズマｃｖｄ及びエッチング用陽極酸化アルミニウム電極
JP3249400B2 (ja) * 1996-09-17 2002-01-21 九州三井アルミニウム工業株式会社 耐プラズマ性アルミニウム合金を用いたプラズマ処理装置
US7883609B2 (en) * 1998-06-15 2011-02-08 The Trustees Of Dartmouth College Ice modification removal and prevention
US6705152B2 (en) * 2000-10-24 2004-03-16 Nanoproducts Corporation Nanostructured ceramic platform for micromachined devices and device arrays
US6254341B1 (en) * 1998-11-13 2001-07-03 General Electric Company Engine having resistance to particle deposits
US7128804B2 (en) 2000-12-29 2006-10-31 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
US7132212B2 (en) * 2001-06-13 2006-11-07 Fuji Photo Film Co., Ltd. Presensitized plate
US20030047464A1 (en) * 2001-07-27 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces
US7371467B2 (en) 2002-01-08 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Process chamber component having electroplated yttrium containing coating
US20080264564A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Applied Materials, Inc. Method of reducing the erosion rate of semiconductor processing apparatus exposed to halogen-containing plasmas
US6776873B1 (en) * 2002-02-14 2004-08-17 Jennifer Y Sun Yttrium oxide based surface coating for semiconductor IC processing vacuum chambers
DE10224777A1 (de) 2002-06-04 2003-12-18 Linde Ag Verfahren und Vorrichtung zum Kaltgasspritzen
US20040137299A1 (en) 2002-08-13 2004-07-15 Hydrogenics Corporation Terminal plate and method for producing same
DE10248118B4 (de) 2002-10-10 2011-07-21 Süddeutsche Aluminium Manufaktur GmbH, 89558 Verfahren zum Aufbringen eines dünnkeramischen Beschichtungsmaterials auf eine zu beschichtende Oberfläche eines Kraftfahrzeug-Anbauteils und Kraftfahrzeug-Anbauteil
TW561068B (en) 2002-11-29 2003-11-11 Au Optronics Corp Nozzle head with excellent corrosion resistance for dry etching process and anti-corrosion method thereof
EP1606430A1 (en) 2003-03-31 2005-12-21 Sheffield Hallam University Base for decorative layer
US20040221959A1 (en) 2003-05-09 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Anodized substrate support
US7220497B2 (en) * 2003-12-18 2007-05-22 Lam Research Corporation Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components
TW200607426A (en) * 2004-06-10 2006-02-16 Showa Denko Kk Aluminum substrate for printed circuits, manufacturing method thereof, PCB, and manufacturing method thereof
US20080283408A1 (en) * 2004-06-10 2008-11-20 Showa Denko K.K. Aluminum Substrate for Printed Circuits, Manufacturing Method Thereof, Printed Circuit Board, and Manufacturing Method Thereof
JP2006024906A (ja) * 2004-06-10 2006-01-26 Showa Denko Kk プリント回路用アルミニウム基板及びその製造方法、並びにプリント基板及びその製造方法
US20060093736A1 (en) 2004-10-29 2006-05-04 Derek Raybould Aluminum articles with wear-resistant coatings and methods for applying the coatings onto the articles
EP1715085B1 (en) 2005-04-18 2013-04-03 FUJIFILM Corporation Method for producing anodized structure
KR100859955B1 (ko) 2005-04-22 2008-10-06 주식회사 코미코 플라즈마 처리 용기 내부재 및 그 제조 방법
KR20070001722A (ko) 2005-06-29 2007-01-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 플라즈마 에칭 처리 장치
US8036402B2 (en) 2005-12-15 2011-10-11 Harman International Industries, Incorporated Distortion compensation
US20080029032A1 (en) 2006-08-01 2008-02-07 Sun Jennifer Y Substrate support with protective layer for plasma resistance
US8128750B2 (en) 2007-03-29 2012-03-06 Lam Research Corporation Aluminum-plated components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components
TWI654159B (zh) * 2007-04-27 2019-03-21 美商應用材料股份有限公司 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備
WO2008157281A2 (en) 2007-06-13 2008-12-24 Alcoa Inc. Coated metal article and method of manufacturing same
US8231736B2 (en) * 2007-08-27 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Wet clean process for recovery of anodized chamber parts
JP2009099853A (ja) 2007-10-18 2009-05-07 Hitachi Metals Ltd 高耐食性ｒ−ｔ−ｂ系希土類磁石
US8349398B2 (en) 2008-06-02 2013-01-08 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Normal pressure aerosol spray apparatus and method of forming a film using the same
US20100155251A1 (en) 2008-12-23 2010-06-24 United Technologies Corporation Hard anodize of cold spray aluminum layer
US20100170937A1 (en) 2009-01-07 2010-07-08 General Electric Company System and Method of Joining Metallic Parts Using Cold Spray Technique
US20110206833A1 (en) 2010-02-22 2011-08-25 Lam Research Corporation Extension electrode of plasma bevel etching apparatus and method of manufacture thereof
JP6100691B2 (ja) * 2010-10-28 2017-03-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高純度アルミニウムコーティングの硬質陽極酸化処理
KR20120077375A (ko) 2010-12-30 2012-07-10 엘아이지에이디피 주식회사 평판표시소자 제조장치의 진공챔버
KR101547747B1 (ko) * 2011-03-07 2015-08-26 애플 인크. 양극산화된 전기도금 알루미늄 구조체 및 이를 제조하기 위한 방법
US8591986B1 (en) 2012-08-17 2013-11-26 General Electric Company Cold spray deposition method
CN102864479B (zh) * 2012-09-21 2015-04-22 湖北大学 两步法低能耗制备高绝缘性阳极氧化铝薄膜的方法
US9818501B2 (en) * 2012-10-18 2017-11-14 Ford Global Technologies, Llc Multi-coated anodized wire and method of making same
US10000859B2 (en) * 2013-02-19 2018-06-19 Alumiplate, Inc. Hard aluminum films formed using high current density plating
US9337002B2 (en) 2013-03-12 2016-05-10 Lam Research Corporation Corrosion resistant aluminum coating on plasma chamber components
US9123651B2 (en) 2013-03-27 2015-09-01 Lam Research Corporation Dense oxide coated component of a plasma processing chamber and method of manufacture thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003328187A (ja) * 2002-05-17 2003-11-19 Nippon Light Metal Co Ltd アルミニウム材の表面処理方法
US20060024517A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Coating for aluminum component
JP2010535288A (ja) * 2007-08-02 2010-11-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201823522A (zh) 2018-07-01
CN105453241A (zh) 2016-03-30
TWI639732B (zh) 2018-11-01
JP6670750B2 (ja) 2020-03-25
CN108611671A (zh) 2018-10-02
KR20160048064A (ko) 2016-05-03
TW201907054A (zh) 2019-02-16
JP2016529404A (ja) 2016-09-23
CN105453241B (zh) 2018-06-22
WO2015031157A1 (en) 2015-03-05
US20170175284A1 (en) 2017-06-22
TWI673392B (zh) 2019-10-01
US9624593B2 (en) 2017-04-18
TW201510288A (zh) 2015-03-16
US20150064450A1 (en) 2015-03-05
TWI633208B (zh) 2018-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102271200B1 (ko) 전기-도금 접착력을 위한 양극산화 아키텍쳐
JP7035005B2 (ja) 高度なデバイスのウェハ上の粒子性能に対して化学的適合性のあるコーティング材料
US10260160B2 (en) High purity metallic top coat for semiconductor manufacturing components
KR102098926B1 (ko) 반도체 적용을 위한 희토류 옥사이드 기반 내침식성 코팅
US10774436B2 (en) High purity aluminum top coat on substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant