JP2003297809A - プラズマエッチング装置用部材及びその製造方法 - Google Patents
プラズマエッチング装置用部材及びその製造方法Info
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマに対する耐エッチング性が高く維持で
き異常なエッチングの発生がなく、長時間使用できるプ
ラズマエッチング装置用部材及びその製造方法を提供す
ること。 【解決手段】石英ガラス、アルミニウム、アルマイト又
はそれらの組み合わせからなる部材の表面に酸化イット
リウム又はＹＡＧの被膜を形成したことを特徴とするプ
ラズマエッチング装置用部材及びその製造方法。
き異常なエッチングの発生がなく、長時間使用できるプ
ラズマエッチング装置用部材及びその製造方法を提供す
ること。 【解決手段】石英ガラス、アルミニウム、アルマイト又
はそれらの組み合わせからなる部材の表面に酸化イット
リウム又はＹＡＧの被膜を形成したことを特徴とするプ
ラズマエッチング装置用部材及びその製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスのプラ
ズマエッチング装置に用いる部材に関し、さらに詳しく
は酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜で被覆されたプラ
ズマエッチング装置用部材及びその製造方法に関するも
のである。
ズマエッチング装置に用いる部材に関し、さらに詳しく
は酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜で被覆されたプラ
ズマエッチング装置用部材及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体デバイスの製造プロセス
において、プラズマ内で発生したイオンやラジカルを利
用して、Ｓｉウェーハ表面の薄膜をエッチング処理する
ことが行なわれている。このプラズマエッチング処理で
はＳｉウェーハ表面の薄膜を化学的なエッチングメカニ
ズムで、又は物理的なエッチングメカニズムで、或はさ
らは電気的にイオンのスピードを加速させて、Ｓｉウェ
ーハ表面に引き寄せて薄膜を異方的にエッチングする方
法などがある。このプラズマエッチング処理に当たり、
石英ガラス、アルミ、アルマイトなどからなる部品や容
器（以下部材という）を利用することが行なわれるが、
その際、部材自体の表面もエッチングされ、パーティク
ルが発生し、半導体デバイスを汚染する問題があった。
そのため、部材表面にフッ素樹脂やエンジニアリングプ
ラスチック製のテープを簡易的に貼る方法や前記樹脂の
被膜を形成する方法が提案されている。しかし、テープ
を貼る方法では、テープ自体の膜厚が薄く、耐エッチン
グ性が十分でないことや、テープを貼ることによりつな
ぎ目が形成され、この部分の隙間にプラズマのイオンが
染み込んで生地を部分的にエッチングしたり、或は、テ
ープを均一に表面に貼るのが難しく、部分的に生地とテ
ープの間に隙間ができてしまい、この隙間により表面に
凹凸が形成され表面での電気的特性にムラが生じ、それ
が原因で部分的な絶縁破壊が起こり、テープにピンホー
ルが発生するなどの不具合があった。さらに、テープの
粘着材から汚染物質が放出され、Ｓｉウェーハの特性を
劣化させる欠点もあった。
において、プラズマ内で発生したイオンやラジカルを利
用して、Ｓｉウェーハ表面の薄膜をエッチング処理する
ことが行なわれている。このプラズマエッチング処理で
はＳｉウェーハ表面の薄膜を化学的なエッチングメカニ
ズムで、又は物理的なエッチングメカニズムで、或はさ
らは電気的にイオンのスピードを加速させて、Ｓｉウェ
ーハ表面に引き寄せて薄膜を異方的にエッチングする方
法などがある。このプラズマエッチング処理に当たり、
石英ガラス、アルミ、アルマイトなどからなる部品や容
器（以下部材という）を利用することが行なわれるが、
その際、部材自体の表面もエッチングされ、パーティク
ルが発生し、半導体デバイスを汚染する問題があった。
そのため、部材表面にフッ素樹脂やエンジニアリングプ
ラスチック製のテープを簡易的に貼る方法や前記樹脂の
被膜を形成する方法が提案されている。しかし、テープ
を貼る方法では、テープ自体の膜厚が薄く、耐エッチン
グ性が十分でないことや、テープを貼ることによりつな
ぎ目が形成され、この部分の隙間にプラズマのイオンが
染み込んで生地を部分的にエッチングしたり、或は、テ
ープを均一に表面に貼るのが難しく、部分的に生地とテ
ープの間に隙間ができてしまい、この隙間により表面に
凹凸が形成され表面での電気的特性にムラが生じ、それ
が原因で部分的な絶縁破壊が起こり、テープにピンホー
ルが発生するなどの不具合があった。さらに、テープの
粘着材から汚染物質が放出され、Ｓｉウェーハの特性を
劣化させる欠点もあった。
【０００３】また、従来のフッ素樹脂やエンジニアリン
グプラスチック被覆の部材にあっては、表面が粗れ易く
プラズマがうまく発生しなかったり、膜にピンホールが
形成されるなどの欠点があった。
グプラスチック被覆の部材にあっては、表面が粗れ易く
プラズマがうまく発生しなかったり、膜にピンホールが
形成されるなどの欠点があった。
【０００４】こうした石英ガラス、アルミ、アルマイト
などからなる部材の欠点を解決するため耐プラズマ性に
優れたセラミックからなる部材が特開２００１−１１８
９１０号公報などで提案されている。しかし、前記セラ
ミックスからなる部材は、焼成時にクラックや反りが発
生し大型の部材の作製が困難な上に、高価でコスト高と
なるなどの問題があった。
などからなる部材の欠点を解決するため耐プラズマ性に
優れたセラミックからなる部材が特開２００１−１１８
９１０号公報などで提案されている。しかし、前記セラ
ミックスからなる部材は、焼成時にクラックや反りが発
生し大型の部材の作製が困難な上に、高価でコスト高と
なるなどの問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、部材表面に酸化
イットリウム又はＹＡＧの被膜を形成することで、耐プ
ラズマ性が高く維持でき部分的な電気的特性の変化によ
る異常エッチングがなく、長時間の使用が可能なプラズ
マエッチング装置用部材が得られること、特に１２イン
チＳｉウェーハに対応できる大型の部材であっても耐プ
ラズマ性が高く維持でき部分的な電気的特性の変化によ
る異常エッチングがなく、長時間の使用が可能となるこ
とを見出して、本発明を完成したものである。すなわ
ち、
本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、部材表面に酸化
イットリウム又はＹＡＧの被膜を形成することで、耐プ
ラズマ性が高く維持でき部分的な電気的特性の変化によ
る異常エッチングがなく、長時間の使用が可能なプラズ
マエッチング装置用部材が得られること、特に１２イン
チＳｉウェーハに対応できる大型の部材であっても耐プ
ラズマ性が高く維持でき部分的な電気的特性の変化によ
る異常エッチングがなく、長時間の使用が可能となるこ
とを見出して、本発明を完成したものである。すなわ
ち、
【０００６】本発明は、耐プラズマ性が高く維持でき部
分的な電気的特性の変化による異常エッチングがなく、
長時間の使用が可能なプラズマエッチング装置用部材を
提供することを目的とする。
分的な電気的特性の変化による異常エッチングがなく、
長時間の使用が可能なプラズマエッチング装置用部材を
提供することを目的とする。
【０００７】また、本発明は、１２インチＳｉウェーハ
という大型の半導体デバイスにも対応できるプラズマエ
ッチング装置用部材を提供することを目的とする。
という大型の半導体デバイスにも対応できるプラズマエ
ッチング装置用部材を提供することを目的とする。
【０００８】さらに、本発明は、上記プラズマエッチン
グ装置用部材の製造方法を提供することを目的とする。
グ装置用部材の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、石英ガラス、アルミニウム、アルマイト又はそれ
らの組み合わせからなる部材の表面に酸化イットリウム
又はＹＡＧの被膜を形成したことを特徴とするプラズマ
エッチング装置用部材及びその製造方法に係る。
明は、石英ガラス、アルミニウム、アルマイト又はそれ
らの組み合わせからなる部材の表面に酸化イットリウム
又はＹＡＧの被膜を形成したことを特徴とするプラズマ
エッチング装置用部材及びその製造方法に係る。
【００１０】上述のとおり本発明の部材の表面は酸化イ
ットリウム又はＹＡＧの被膜が形成された部材である
が、それを形成する素材としては石英ガラス、アルミニ
ウム、アルマイト又はそれらの組み合わせなどが挙げら
れる。そして、前記部材表面に形成される酸化イットリ
ウム又はＹＡＧの被膜の膜厚は１０μｍ以上、その面粗
さＲａは１μｍ以下であるのがよい。さらに、被膜のば
らつきが１０％以下であるのが望ましい。酸化イットリ
ウム又はＹＡＧ被膜の膜膜が１０μｍ未満ではピンホー
ルが発生し易く、部材の稜部が極端に薄くなりクラック
が発生する。また、表面粗さＲａが１μｍを超えると、
被膜表面の電気特性に部分的な変化が生じ、異常なエッ
チングが起こる。さらに、膜厚のばらつきが１０％を超
えると、被膜の表面粗さＲａが１μｍ以下でも大きなう
ねりが生じ、このうねりにより被膜の電気的特性が劣化
し、プラズマによるピンホールの発生が容易となる。
ットリウム又はＹＡＧの被膜が形成された部材である
が、それを形成する素材としては石英ガラス、アルミニ
ウム、アルマイト又はそれらの組み合わせなどが挙げら
れる。そして、前記部材表面に形成される酸化イットリ
ウム又はＹＡＧの被膜の膜厚は１０μｍ以上、その面粗
さＲａは１μｍ以下であるのがよい。さらに、被膜のば
らつきが１０％以下であるのが望ましい。酸化イットリ
ウム又はＹＡＧ被膜の膜膜が１０μｍ未満ではピンホー
ルが発生し易く、部材の稜部が極端に薄くなりクラック
が発生する。また、表面粗さＲａが１μｍを超えると、
被膜表面の電気特性に部分的な変化が生じ、異常なエッ
チングが起こる。さらに、膜厚のばらつきが１０％を超
えると、被膜の表面粗さＲａが１μｍ以下でも大きなう
ねりが生じ、このうねりにより被膜の電気的特性が劣化
し、プラズマによるピンホールの発生が容易となる。
【００１１】特に、部材が石英ガラスからなる場合に
は、予め酸化イットリウム又はＹＡＧを１〜１０重量％
の範囲で含有させその上に酸化イットリウム又はＹＡＧ
の被膜を形成すると、耐プラズマ性が一段と増大し、パ
ーティクルの発生が押えられ使用時間をより長くするこ
とができる。
は、予め酸化イットリウム又はＹＡＧを１〜１０重量％
の範囲で含有させその上に酸化イットリウム又はＹＡＧ
の被膜を形成すると、耐プラズマ性が一段と増大し、パ
ーティクルの発生が押えられ使用時間をより長くするこ
とができる。
【００１２】次に、本発明のプラズマエッチング装置用
部材の製造方法の態様を示すと、石英ガラス、アルミニ
ウム、アルマイト又はそれらの組み合わせからなる素材
を機械加工でプラズマエッチング装置用部材に形成し、
その表面に、（ｉ）酸化イットリウム又はＹＡＧをプラ
ズマ溶射する方法、（ｉｉ）酸化イットリウム又はＹＡ
Ｇ粉を酸水素火炎中で溶融し、それで被覆する方法、
（ｉｉｉ）イットリウムやイットリウム化合物又はＹＡ
Ｇを溶解する溶液を部材に塗布し、乾燥したのち、酸水
素火炎で加熱溶融する方法（以下溶液塗布法という）、
又はそれらの組合せからなる方法で、酸化イットリウム
又はＹＡＧの被膜を形成する方法などが挙げられる。中
でも、溶液塗布法で酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜
を形成しその上に酸化イットリウム又はＹＡＧをプラズ
マ溶射すると、膜厚が厚く均質な酸化イットリウム又は
ＹＡＧ被膜が形成できて好ましい。前記酸化イットリウ
ム又はＹＡＧの被膜は好ましくは膜厚が１０μｍ以上、
面粗さＲａが１μｍ以下であるのがよい。特に部材がア
ルミ、アルマイトで作製された場合には、耐熱性に劣る
のでプラズマ溶射又は溶液塗布法又はそれらの組合せで
被覆するのがよい。前記溶液塗布法で使用するイットリ
ウム化合物としては、水酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸
塩、シュウ酸塩などが挙げられる。前記イットリウムや
イットリウム化合物又はＹＡＧを溶解する溶媒としては
純水又は有機溶媒などが挙げられ、それらの溶媒にイッ
トリウムやイットリウム化合物又はＹＡＧを溶解して塗
布液を調製する。前記溶液塗布法においてはピンホール
が発生しないように３回以上塗布するのがよい。
部材の製造方法の態様を示すと、石英ガラス、アルミニ
ウム、アルマイト又はそれらの組み合わせからなる素材
を機械加工でプラズマエッチング装置用部材に形成し、
その表面に、（ｉ）酸化イットリウム又はＹＡＧをプラ
ズマ溶射する方法、（ｉｉ）酸化イットリウム又はＹＡ
Ｇ粉を酸水素火炎中で溶融し、それで被覆する方法、
（ｉｉｉ）イットリウムやイットリウム化合物又はＹＡ
Ｇを溶解する溶液を部材に塗布し、乾燥したのち、酸水
素火炎で加熱溶融する方法（以下溶液塗布法という）、
又はそれらの組合せからなる方法で、酸化イットリウム
又はＹＡＧの被膜を形成する方法などが挙げられる。中
でも、溶液塗布法で酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜
を形成しその上に酸化イットリウム又はＹＡＧをプラズ
マ溶射すると、膜厚が厚く均質な酸化イットリウム又は
ＹＡＧ被膜が形成できて好ましい。前記酸化イットリウ
ム又はＹＡＧの被膜は好ましくは膜厚が１０μｍ以上、
面粗さＲａが１μｍ以下であるのがよい。特に部材がア
ルミ、アルマイトで作製された場合には、耐熱性に劣る
のでプラズマ溶射又は溶液塗布法又はそれらの組合せで
被覆するのがよい。前記溶液塗布法で使用するイットリ
ウム化合物としては、水酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸
塩、シュウ酸塩などが挙げられる。前記イットリウムや
イットリウム化合物又はＹＡＧを溶解する溶媒としては
純水又は有機溶媒などが挙げられ、それらの溶媒にイッ
トリウムやイットリウム化合物又はＹＡＧを溶解して塗
布液を調製する。前記溶液塗布法においてはピンホール
が発生しないように３回以上塗布するのがよい。
【００１３】上記酸化イットリウム又はＹＡＧの被覆に
際し、部材の稜部を丸め加工をするのがよい。この丸め
加工で被膜の薄化が防止できピンホールの発生が少なく
なる。前記まるめ加工はＲが０．５ｍｍ以上に加工する
のがよく石英ガラスからなる部材の場合には、酸水素火
炎で稜部を加熱する方法、グラインダー等で稜部を機械
的に擦る方法、結晶質二酸化珪素粉、炭化珪素粉などを
稜部に吹きつける方法等が挙げられる。また、アルミニ
ウム、アルマイトからなる部材の場合には、前記グライ
ンダー等で機械的に擦る方法や結晶質二酸化珪素粉、炭
化珪素粉などを吹きつけ方法などが使用される。
際し、部材の稜部を丸め加工をするのがよい。この丸め
加工で被膜の薄化が防止できピンホールの発生が少なく
なる。前記まるめ加工はＲが０．５ｍｍ以上に加工する
のがよく石英ガラスからなる部材の場合には、酸水素火
炎で稜部を加熱する方法、グラインダー等で稜部を機械
的に擦る方法、結晶質二酸化珪素粉、炭化珪素粉などを
稜部に吹きつける方法等が挙げられる。また、アルミニ
ウム、アルマイトからなる部材の場合には、前記グライ
ンダー等で機械的に擦る方法や結晶質二酸化珪素粉、炭
化珪素粉などを吹きつけ方法などが使用される。
【００１４】本発明のプラズマエッチング装置用部材が
石英ガラスからなる場合には、上記酸化イットリウム又
はＹＡＧ被覆の前に部材表面にフロスト処理を施して被
膜を滑りにくくし剥離を防ぐのがよい。前記フロスト処
理とは、物理的手段や化学的手段で石英ガラス表面に凹
凸を設けることをいうが、物理的手段としては、結晶質
二酸化珪素粉、炭化珪素粉等を加圧空気で吹きつけるい
わゆるサンドブラスト法、ブラシに結晶質二酸化珪素
粉、炭化珪素粉等をつけ、水で濡らして磨く方法などが
ある。また、化学的手段としてはフッ化水素、フッ化ア
ンモニウムの混合試薬に浸漬する薬液処理方法などがあ
る。特に化学的手段では表面にマイクロクラックの発生
がなく、表面での石英ガラスの機械的強度が低下しない
ので好適である。前記フロスト処理で形成される表面粗
さＲａは０．１〜１０μｍの範囲がよい。前記範囲を逸
脱すると、酸化イットリウム又はＹＡＧ被膜と石英ガラ
スとの密着性が十分に改善されず好ましくない。前記フ
ロスト処理による粗面化後の被覆であっても石英ガラス
の熱膨張係数が小さいことから酸化イットリウム又はＹ
ＡＧ被膜の厚みを厚くすることが困難であるので、石英
ガラスの製造時に酸化イットリウム又はＹＡＧ粉末を添
加し、予め酸化イットリウム又はＹＡＧを１〜１０重量
％の範囲で含有させ膨張係数を制御したのち前記酸化イ
ットリウム又はＹＡＧ被膜を形成するのがよい。
石英ガラスからなる場合には、上記酸化イットリウム又
はＹＡＧ被覆の前に部材表面にフロスト処理を施して被
膜を滑りにくくし剥離を防ぐのがよい。前記フロスト処
理とは、物理的手段や化学的手段で石英ガラス表面に凹
凸を設けることをいうが、物理的手段としては、結晶質
二酸化珪素粉、炭化珪素粉等を加圧空気で吹きつけるい
わゆるサンドブラスト法、ブラシに結晶質二酸化珪素
粉、炭化珪素粉等をつけ、水で濡らして磨く方法などが
ある。また、化学的手段としてはフッ化水素、フッ化ア
ンモニウムの混合試薬に浸漬する薬液処理方法などがあ
る。特に化学的手段では表面にマイクロクラックの発生
がなく、表面での石英ガラスの機械的強度が低下しない
ので好適である。前記フロスト処理で形成される表面粗
さＲａは０．１〜１０μｍの範囲がよい。前記範囲を逸
脱すると、酸化イットリウム又はＹＡＧ被膜と石英ガラ
スとの密着性が十分に改善されず好ましくない。前記フ
ロスト処理による粗面化後の被覆であっても石英ガラス
の熱膨張係数が小さいことから酸化イットリウム又はＹ
ＡＧ被膜の厚みを厚くすることが困難であるので、石英
ガラスの製造時に酸化イットリウム又はＹＡＧ粉末を添
加し、予め酸化イットリウム又はＹＡＧを１〜１０重量
％の範囲で含有させ膨張係数を制御したのち前記酸化イ
ットリウム又はＹＡＧ被膜を形成するのがよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について述べ
るが、これにより本発明は何ら限定されるものではな
い。
るが、これにより本発明は何ら限定されるものではな
い。
【００１６】
【実施例】実施例１
１２インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用の
石英ガラスチャンバーを作成した。この石英ガラスチャ
ンバーの内表面に結晶質二酸化珪素粉を吹きつけて、チ
ャンバーの稜部をＲ２ｍｍにまるめ加工を行った。さら
に、チャンバー内表面全体にも結晶質二酸化珪素粉（粒
径１００〜３００μｍ）を吹き付けて、表面粗さＲａ
２．５μｍ、Ｒｍａｘ２０μｍの凹凸面とした。得られ
た石英ガラスチャンバー内表面にＹ2Ｏ3をプラズマ溶射
し、厚さ４０μｍのＹ2Ｏ3被膜を形成した。その被膜の
表面粗さＲａは０．２μｍで、膜厚のばらつきは１２％
であった。
石英ガラスチャンバーを作成した。この石英ガラスチャ
ンバーの内表面に結晶質二酸化珪素粉を吹きつけて、チ
ャンバーの稜部をＲ２ｍｍにまるめ加工を行った。さら
に、チャンバー内表面全体にも結晶質二酸化珪素粉（粒
径１００〜３００μｍ）を吹き付けて、表面粗さＲａ
２．５μｍ、Ｒｍａｘ２０μｍの凹凸面とした。得られ
た石英ガラスチャンバー内表面にＹ2Ｏ3をプラズマ溶射
し、厚さ４０μｍのＹ2Ｏ3被膜を形成した。その被膜の
表面粗さＲａは０．２μｍで、膜厚のばらつきは１２％
であった。
【００１７】上記石英ガラスチャンバー内で、ＣＦ4＋
Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２インチＳｉウェーハ
の酸化膜をエッチングした。５週間このチャンンバーを
使用したが、Ｙ2Ｏ3被膜がエッチングされて石英ガラス
が露出することがなく、Ｓｉウェーハ表面にも異常なパ
ーティクルが発生することもなかった。
Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２インチＳｉウェーハ
の酸化膜をエッチングした。５週間このチャンンバーを
使用したが、Ｙ2Ｏ3被膜がエッチングされて石英ガラス
が露出することがなく、Ｓｉウェーハ表面にも異常なパ
ーティクルが発生することもなかった。
【００１８】実施例２
実施例１と同じ、１２インチの石英ガラスチャンバーを
石英ガラスで作成した。このチャンバーの稜部を酸水素
火炎で加熱して、Ｒ１ｍｍにまるめ加工を行った。さら
に、石英ガラスチャンバーをフッ酸とフッ化アンモニウ
ムとの薬液でエッチング処理を行ない、内表面にＲａ
１．５μｍ、Ｒｍａｘ１３μｍの凹凸面を形成した。こ
のチャンバー内表面にＹＡＧをプラズマ溶射し、５０μ
ｍのＹＡＧ被膜を形成した。このときのＹＡＧ被膜の表
面粗さＲａは０．５μｍで、膜厚のばらつきは８％であ
った。
石英ガラスで作成した。このチャンバーの稜部を酸水素
火炎で加熱して、Ｒ１ｍｍにまるめ加工を行った。さら
に、石英ガラスチャンバーをフッ酸とフッ化アンモニウ
ムとの薬液でエッチング処理を行ない、内表面にＲａ
１．５μｍ、Ｒｍａｘ１３μｍの凹凸面を形成した。こ
のチャンバー内表面にＹＡＧをプラズマ溶射し、５０μ
ｍのＹＡＧ被膜を形成した。このときのＹＡＧ被膜の表
面粗さＲａは０．５μｍで、膜厚のばらつきは８％であ
った。
【００１９】上記石英ガラスチャンバー内で、ＣＦ4＋
Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２インチウェーハの酸
化膜をエッチングした。５週間このチャンンバーを使用
したが、ＹＡＧ被膜がエッチングされて石英ガラスが露
出することがなく、Ｓｉウェーハ表面にも異常なパーテ
ィクルが発生することがなかった。
Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２インチウェーハの酸
化膜をエッチングした。５週間このチャンンバーを使用
したが、ＹＡＧ被膜がエッチングされて石英ガラスが露
出することがなく、Ｓｉウェーハ表面にも異常なパーテ
ィクルが発生することがなかった。
【００２０】実施例３
１２インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用の
アルミカバーを作成した。アルミカバーの表面をアルマ
イト処理した。このカバーの稜部を、Ｒ１ｍｍにまるめ
加工を行い、その外表面にＹ2Ｏ3を溶射して、２００μ
ｍのＹ2Ｏ3被膜を形成した。このときのＹ2Ｏ3被膜の表
面粗さＲａは０．１μｍで、膜厚のばらつきは１５％で
あった。
アルミカバーを作成した。アルミカバーの表面をアルマ
イト処理した。このカバーの稜部を、Ｒ１ｍｍにまるめ
加工を行い、その外表面にＹ2Ｏ3を溶射して、２００μ
ｍのＹ2Ｏ3被膜を形成した。このときのＹ2Ｏ3被膜の表
面粗さＲａは０．１μｍで、膜厚のばらつきは１５％で
あった。
【００２１】上記アルミカバーを備えたエッチング装置
内で、ＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２インチ
ウェーハの酸化膜をエッチングした。５週間このカバー
を使用したが、Ｙ2Ｏ3被膜がエッチングされてアルミニ
ウムが露出することハなく、Ｓｉウェーハ表面にも異常
なパーティクルが発生することもなかった。
内で、ＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２インチ
ウェーハの酸化膜をエッチングした。５週間このカバー
を使用したが、Ｙ2Ｏ3被膜がエッチングされてアルミニ
ウムが露出することハなく、Ｓｉウェーハ表面にも異常
なパーティクルが発生することもなかった。
【００２２】実施例４
石英粉に５重量％のＹ2Ｏ3粉を混合し、ボールミルで十
分に均一に混合した。この原料を酸水素火炎の中で溶融
し石英ガラスの塊を作製した。この母材から１２インチ
のＳｉウェーハのドライエッチング装置用の石英ガラス
チャンンバーを作成した。このチャンバーの内表面に結
晶質二酸化珪素粉（１００〜３００μｍ）を吹き付け
て、表面粗さＲａ２．５μｍ、Ｒｍａｘ２０μｍの凹凸
面を形成した。得られたチャンバー内表面にＹ2Ｏ3をプ
ラズマ溶射し、厚さ１５０μｍのＹ 2Ｏ3被膜を得た。該
被膜の表面粗さＲａは０．５μｍ、膜厚のばらつきは１
０％であった。
分に均一に混合した。この原料を酸水素火炎の中で溶融
し石英ガラスの塊を作製した。この母材から１２インチ
のＳｉウェーハのドライエッチング装置用の石英ガラス
チャンンバーを作成した。このチャンバーの内表面に結
晶質二酸化珪素粉（１００〜３００μｍ）を吹き付け
て、表面粗さＲａ２．５μｍ、Ｒｍａｘ２０μｍの凹凸
面を形成した。得られたチャンバー内表面にＹ2Ｏ3をプ
ラズマ溶射し、厚さ１５０μｍのＹ 2Ｏ3被膜を得た。該
被膜の表面粗さＲａは０．５μｍ、膜厚のばらつきは１
０％であった。
【００２３】上記石英ガラスチャンバー内で、ＣＦ4＋
Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２インチＳｉウェーハ
の酸化膜をエッチングした。１２週間このチャンンバー
を使用したが、Ｙ2Ｏ3被膜がエッチングされて石英ガラ
スが露出することがなく、Ｓｉウェーハ表面にも異常な
パーティクルが発生することもなかった。
Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２インチＳｉウェーハ
の酸化膜をエッチングした。１２週間このチャンンバー
を使用したが、Ｙ2Ｏ3被膜がエッチングされて石英ガラ
スが露出することがなく、Ｓｉウェーハ表面にも異常な
パーティクルが発生することもなかった。
【００２４】実施例５
１２インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用の
石英ガラスチャンバーを作成した。このチャンバーの稜
部を酸水素火炎で加熱して、Ｒ１ｍｍにまるめ加工を行
った。さらに、チャンバー内をフッ酸とフッ化アンモニ
ウムの薬液でエッチング処理を行い、表面粗さＲａ２．
５μｍ、Ｒｍａｘ２０μｍの凹凸面を形成した。得られ
たチャンバー内表面に硝酸イットリウムの溶液を４回塗
布し、乾燥したのち酸水素火炎で加熱溶融して、５０μ
ｍのＹ2Ｏ3被膜を得た。該被膜の表面粗さＲａは０．５
μｍ、膜厚のばらつきは８％であった。
石英ガラスチャンバーを作成した。このチャンバーの稜
部を酸水素火炎で加熱して、Ｒ１ｍｍにまるめ加工を行
った。さらに、チャンバー内をフッ酸とフッ化アンモニ
ウムの薬液でエッチング処理を行い、表面粗さＲａ２．
５μｍ、Ｒｍａｘ２０μｍの凹凸面を形成した。得られ
たチャンバー内表面に硝酸イットリウムの溶液を４回塗
布し、乾燥したのち酸水素火炎で加熱溶融して、５０μ
ｍのＹ2Ｏ3被膜を得た。該被膜の表面粗さＲａは０．５
μｍ、膜厚のばらつきは８％であった。
【００２５】上記石英ガラスチャンバー内で、ＣＦ4＋
Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２インチＳｉウェーハ
の酸化膜をエッチングした。１２週間このチャンンバー
を使用したが、Ｙ2Ｏ3被膜がエッチングされて石英ガラ
スが露出することがなく、Ｓｉウェーハ表面にも異常な
パーティクルが発生することもなかった。
Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２インチＳｉウェーハ
の酸化膜をエッチングした。１２週間このチャンンバー
を使用したが、Ｙ2Ｏ3被膜がエッチングされて石英ガラ
スが露出することがなく、Ｓｉウェーハ表面にも異常な
パーティクルが発生することもなかった。
【００２６】比較例１
１２インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用の
石英ガラスチャンバーを作成した。この石英ガラスチャ
ンバー内で、ＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２
インチＳｉウェーハの酸化膜をエッチングした。２週間
このチャンバーを使用したところ、Ｓｉウェーハ表面に
異常なパーティクルが発生し、１週間で使用を中止し
た。
石英ガラスチャンバーを作成した。この石英ガラスチャ
ンバー内で、ＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２
インチＳｉウェーハの酸化膜をエッチングした。２週間
このチャンバーを使用したところ、Ｓｉウェーハ表面に
異常なパーティクルが発生し、１週間で使用を中止し
た。
【００２７】比較例２
１２インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用の
アルミカバーを作成した。その表面をアルマイト処理し
た。このアルミカバーの外表面に１２５μｍのポリイミ
ドのテープを貼り付け、このアルミカバーを使用したエ
ッチング装置で、ＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、
８インチウェーハの酸化膜をエッチングした。２週間使
用したところ、ポリイミドテープの隙間が異常にエッチ
ングされてアルミが露出し、また表面に凹凸ができ部分
的にエッチングが加速され、ポリイミドテープにピンホ
ールが発生した。２週間後、ポリイミドテープを剥離し
て、再度ポリイミドテープを貼り付け装置にセッテング
したところ、異常な汚染がウェーハに認められ、使用を
を中止した。
アルミカバーを作成した。その表面をアルマイト処理し
た。このアルミカバーの外表面に１２５μｍのポリイミ
ドのテープを貼り付け、このアルミカバーを使用したエ
ッチング装置で、ＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、
８インチウェーハの酸化膜をエッチングした。２週間使
用したところ、ポリイミドテープの隙間が異常にエッチ
ングされてアルミが露出し、また表面に凹凸ができ部分
的にエッチングが加速され、ポリイミドテープにピンホ
ールが発生した。２週間後、ポリイミドテープを剥離し
て、再度ポリイミドテープを貼り付け装置にセッテング
したところ、異常な汚染がウェーハに認められ、使用を
を中止した。
【００２８】比較例３
１２インチのＳｉウェーハのドライエッチング装置用の
アルミカバーを作成した。このアルミカバーの表面をア
ルマイト処理した。このアルミカバーを使用したエッチ
ング装置で、ＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２
インチＳｉウェーハの酸化膜をエッチングした。２週間
このカバーを使用したところ、１週間後からアルマイト
が剥離して、ウェーハ表面にパーティクルの発生が認め
られ、使用を中止した。
アルミカバーを作成した。このアルミカバーの表面をア
ルマイト処理した。このアルミカバーを使用したエッチ
ング装置で、ＣＦ4＋Ｏ2のガスをプラズマ化して、１２
インチＳｉウェーハの酸化膜をエッチングした。２週間
このカバーを使用したところ、１週間後からアルマイト
が剥離して、ウェーハ表面にパーティクルの発生が認め
られ、使用を中止した。
【００２９】
【発明の効果】本発明のプラズマエッチング装置用部材
は、プラズマに対する耐エッチング性が高く維持でき、
異常なエッチングの発生がなく長時間使用できる。特
に、１２インチＳｉに対応できる大型の部材であっても
長時間の使用ができる。この部材は、Ｙ2Ｏ3やＹＡＧを
溶射、イトリウムやＹＡＧ化合物の溶液を塗布し後酸水
素火炎で酸化する、又はＹ2Ｏ3やＹＡＧ粉を溶融しそれ
で被覆するなど簡便な方法で製造でき、その工業的価値
は高いものがある。
は、プラズマに対する耐エッチング性が高く維持でき、
異常なエッチングの発生がなく長時間使用できる。特
に、１２インチＳｉに対応できる大型の部材であっても
長時間の使用ができる。この部材は、Ｙ2Ｏ3やＹＡＧを
溶射、イトリウムやＹＡＧ化合物の溶液を塗布し後酸水
素火炎で酸化する、又はＹ2Ｏ3やＹＡＧ粉を溶融しそれ
で被覆するなど簡便な方法で製造でき、その工業的価値
は高いものがある。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K031 AA04 AB02 AB03 AB10 BA02
CB37 CB42 CB43 CB47 DA03
DA04 FA10
5F004 AA15 AA16 BB29 BD03 DA01
DA26 DB03
Claims (11)
- 【請求項１】石英ガラス、アルミニウム、アルマイト又
はそれらの組み合わせからなる部材の表面に酸化イット
リウム又はＹＡＧの被膜を形成したことを特徴とするプ
ラズマエッチング装置用部材。 - 【請求項２】被膜の膜厚が１０μｍ以上、面粗さＲａが
１μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマエッチング装置用部材。 - 【請求項３】被膜の厚さのばらつきが１０％以下である
ことを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマエッチ
ング装置用部材。 - 【請求項４】部材が石英ガラスからなることを特徴とす
る請求項１ないし３のいずれか１記載のプラズマエッチ
ング装置用部材。 - 【請求項５】石英ガラス部材が酸化イットリウム又はＹ
ＡＧを１〜５重量％含有することを特徴とする請求項４
記載のプラズマエッチング装置用部材。 - 【請求項６】石英ガラス、アルミニウム、アルマイト又
はそれらの組み合わせからなるプラズマエッチング装置
用部材の製造方法において、前記部材表面に、酸化イッ
トリウムやＹＡＧをプラズマ溶射する方法、酸化イット
リウムやＹＡＧ粉末を酸水素火炎で溶融し、被覆する方
法、イットリウムやイットリウム化合物又はＹＡＧを溶
解する溶液を塗布し、加熱溶融する方法又はそれらの組
合せのいずれか１の方法で酸化イットリウム又はＹＡＧ
の被膜を形成することを特徴とするプラズマエッチング
装置用部材の製造方法。 - 【請求項７】酸化イットリウム又はＹＡＧ被膜の形成に
おいて、イットリウムやイットリウム化合物又はＹＡＧ
を溶解する溶液を塗布し、加熱溶融して酸化イットリウ
ム又はＹＡＧ被膜を形成したのち、さらに酸化イットリ
ウムやＹＡＧをプラズマ溶射することを特徴とする請求
項６記載のプラズマエッチング装置用部材の製造方法。 - 【請求項８】部材の稜部をＲ０．５ｍｍ以上に丸め加工
したのち、酸化イットリウム又はＹＡＧの被膜を形成す
ることを特徴とする請求項６又は７記載のプラズマエッ
チング装置用部材の製造方法。 - 【請求項９】石英ガラスからなるプラズマエッチング装
置用部材の表面をフロスト処理したのち、酸化イットリ
ウム又はＹＡＧの被膜を形成することを特徴とする請求
項６ないし８のいずれか１記載のプラズマエッチング装
置用部材の製造方法。 - 【請求項１０】フロスト処理が薬液による表面処理であ
ることを特徴とする請求項９記載のプラズマエッチング
装置用部材。 - 【請求項１１】石英ガラスらなるプラズマエッチング装
置用部材の製造方法において、予め石英ガラス部材に酸
化イットリウム又はＹＡＧを１〜１０重量％含有せしめ
ることを特徴とする請求項６ないし１０のいずれか１記
載プラズマエッチング装置用部材の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002096896A JP3613472B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | プラズマエッチング装置用部材及びその製造方法 |
| TW092125680A TWI242245B (en) | 2002-03-29 | 2003-09-16 | Component for plasma etching device and the making method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002096896A JP3613472B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | プラズマエッチング装置用部材及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297809A true JP2003297809A (ja) | 2003-10-17 |
| JP2003297809A5 JP2003297809A5 (ja) | 2004-12-24 |
| JP3613472B2 JP3613472B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=29387549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002096896A Expired - Lifetime JP3613472B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | プラズマエッチング装置用部材及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3613472B2 (ja) |
| TW (1) | TWI242245B (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1676935A2 (en) | 2004-12-28 | 2006-07-05 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Yttrium-containing ceramic coating |
| JP2007100143A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujimi Inc | 溶射皮膜 |
| JP2008095132A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Ulvac Material Kk | 真空成膜装置、エッチング装置等における装置構成部品、およびその製造方法と再生方法 |
| US7645526B2 (en) | 2003-09-16 | 2010-01-12 | Shin-Etsu Quartz Products, Ltd. | Member for plasma etching device and method for manufacture thereof |
| JP2010183092A (ja) * | 2005-11-15 | 2010-08-19 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
| JPWO2009110226A1 (ja) * | 2008-03-05 | 2011-07-14 | 株式会社イー・エム・ディー | 高周波アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
| KR20170123254A (ko) * | 2016-04-28 | 2017-11-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 처리 챔버를 위한 세라믹 코팅된 석영 리드 |
| JP2018140913A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 国立大学法人長岡技術科学大学 | 酸化ケイ素基材上に酸化イットリウム膜が形成された複合材料の製造方法 |
| WO2019160122A1 (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 京セラ株式会社 | プラズマ処理装置用部材およびこれを備えるプラズマ処理装置 |
| JP2019153789A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 保護皮膜を備える石英部品 |
| CN113582726A (zh) * | 2020-04-30 | 2021-11-02 | Toto株式会社 | 复合结构物以及具备复合结构物的半导体制造装置 |
| JP2021177543A (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-11 | Toto株式会社 | 複合構造物および複合構造物を備えた半導体製造装置 |
| JP2021177542A (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-11 | Toto株式会社 | 複合構造物および複合構造物を備えた半導体製造装置 |
| US11421319B2 (en) * | 2016-03-04 | 2022-08-23 | Beneq Oy | Plasma etch-resistant film and a method for its fabrication |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117985949B (zh) * | 2024-04-03 | 2024-06-21 | 苏州高芯众科半导体有限公司 | 一种硅钇铝铬镁氧中间相喷涂粉及其制备方法 |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002096896A patent/JP3613472B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-16 TW TW092125680A patent/TWI242245B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7645526B2 (en) | 2003-09-16 | 2010-01-12 | Shin-Etsu Quartz Products, Ltd. | Member for plasma etching device and method for manufacture thereof |
| EP1676935A2 (en) | 2004-12-28 | 2006-07-05 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Yttrium-containing ceramic coating |
| EP2110460A1 (en) | 2004-12-28 | 2009-10-21 | Covalent Materials Corporation | Yttrium-containing ceramic coating |
| JP2007100143A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujimi Inc | 溶射皮膜 |
| JP2010183092A (ja) * | 2005-11-15 | 2010-08-19 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2008095132A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Ulvac Material Kk | 真空成膜装置、エッチング装置等における装置構成部品、およびその製造方法と再生方法 |
| JPWO2009110226A1 (ja) * | 2008-03-05 | 2011-07-14 | 株式会社イー・エム・ディー | 高周波アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
| US9078336B2 (en) | 2008-03-05 | 2015-07-07 | Emd Corporation | Radio-frequency antenna unit and plasma processing apparatus |
| US11421319B2 (en) * | 2016-03-04 | 2022-08-23 | Beneq Oy | Plasma etch-resistant film and a method for its fabrication |
| JP2017224804A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-12-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 処理チャンバ用セラミック被覆石英リッド |
| US12009178B2 (en) | 2016-04-28 | 2024-06-11 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coated quartz lid for processing chamber |
| JP7284245B2 (ja) | 2016-04-28 | 2023-05-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバ用セラミック被覆石英リッド |
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| KR102457581B1 (ko) * | 2016-04-28 | 2022-10-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 처리 챔버를 위한 세라믹 코팅된 석영 리드 |
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| KR20170123254A (ko) * | 2016-04-28 | 2017-11-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 처리 챔버를 위한 세라믹 코팅된 석영 리드 |
| JP2022058374A (ja) * | 2016-04-28 | 2022-04-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバ用セラミック被覆石英リッド |
| KR20220038637A (ko) * | 2016-04-28 | 2022-03-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 처리 챔버를 위한 세라믹 코팅된 석영 리드 |
| KR102376942B1 (ko) * | 2016-04-28 | 2022-03-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 처리 챔버를 위한 세라믹 코팅된 석영 리드 |
| JP2018140913A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 国立大学法人長岡技術科学大学 | 酸化ケイ素基材上に酸化イットリウム膜が形成された複合材料の製造方法 |
| JP6991474B2 (ja) | 2017-02-28 | 2022-01-12 | 国立大学法人長岡技術科学大学 | 酸化ケイ素基材上に酸化イットリウム膜が形成された複合材料の製造方法 |
| KR102430752B1 (ko) * | 2018-02-15 | 2022-08-09 | 교세라 가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치용 부재 및 이것을 구비하는 플라즈마 처리 장치 |
| CN111712586A (zh) * | 2018-02-15 | 2020-09-25 | 京瓷株式会社 | 等离子体处理装置用构件和具备它的等离子体处理装置 |
| WO2019160122A1 (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 京セラ株式会社 | プラズマ処理装置用部材およびこれを備えるプラズマ処理装置 |
| EP3754046A4 (en) * | 2018-02-15 | 2021-11-10 | Kyocera Corporation | ELEMENT FOR USE IN A PLASMA TREATMENT DEVICE AND PLASMA TREATMENT DEVICE THEREFORE |
| EP3754047A4 (en) * | 2018-02-15 | 2022-04-13 | Kyocera Corporation | ELEMENT FOR USE IN A PLASMA TREATMENT DEVICE, AND PLASMA TREATMENT DEVICE EQUIPPED THEREOF |
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