JP2021100103A - プラズマエッチングのための方法及び装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板と不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素とを備える構造をプラズマエッチングする方法を提供する。【解決手段】基板と不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素とを備える構造を提供するステップと、１つ又は複数のガス入口を備える第１ガス入口配列１０、及び１つ又は複数のガス入口を備える第２ガス入口配列１２を有するチャンバ１１内の支持体２０上に構造を設置するステップと、単に第１ガス入口配列１０を通してチャンバ１１内に導入されるだけの第１エッチングプロセスガス混合物を用いて第１プラズマエッチングステップを実行することによって構造をエッチングするステップと、単に第２ガス入口配列１２を通してチャンバ１１内に導入されるだけの第２エッチングプロセスガス混合物を用いて第２プラズマエッチングステップを実行することによって構造を更にエッチングするステップを含む。【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマエッチングの方法に関し、具体的には、基板と不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素とを備える構造をプラズマエッチングする方法に関する。本発明は、また、プラズマエッチングのための装置に関する。
プラズマエッチングは、半導体デバイス製造の分野における一般的な技術である。エッチングプロセスの望ましくない予想外の結果は、エッチングが生じるチャンバ内部での材料の蓄積である。一旦材料が特定の厚さに達すると、チャンバは、定期的に清掃されねばならず、材料がチャンバ壁から剥落してシステムを汚染することを防止しなければならない。この期間は、清掃同士の間の平均時間（ＭＴＢＣ）として知られている。より長いＭＴＢＣが望ましく、その理由は、これがプラズマ装置の生産性を増加させるからである。
米国特許出願公開第２０１１／１００９５４号 米国特許出願公開第２０１３／１１５７８１号
基板とエッチングされるときに不揮発性金属エッチング生成物を形成する別の構成要素とを備える特有の構造をエッチングする場合に、本質的な課題に直面することがある。Ｐｔ等の貴金属電極を典型的に利用するＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）をエッチングする場合に、特有の課題に直面する。ＰＺＴは、圧電材料であり、当該圧電材料は、一般に、センサ／超音波変換器、ＡＦＭ作動装置等の作動装置応用において、及び不揮発性メモリデバイスの作製のためのマイクロエレクトロニクスにおいて用いられる。ＰＺＴ層のドライエッチングは、特に、大きいウェーハ直径（＞１５０ｍｍ）及び高度に空いた面積（＞８０％）における特有の技術課題がある。エッチング副産物は、主として不揮発性であり、カーボン、フッ素、及び酸素等の、エッチング中に用いられるプロセスガスの副産物とともに、ＰＺＴからのＰｂ、Ｚｒ及びＴｉ並びに電極からのＰｔが豊富な薄膜による、プロセスチャンバ内部の被覆をもたらす。О２バッチ清掃及びＯ２ウェーハ間清掃の使用が、カーボンベースの副産物堆積を最小化してもよい反面、残りの副産物は、不揮発性であり、そのためドライエッチングによって除去することが困難である。特定の厚さを越すと、堆積材料内の薄膜応力の変動が、堆積材料の剥落をもたらすことがある。これは、チャンバ内の熱勾配、及び／又はアイドル時間中の熱循環、及び／又は不良接着点の存在によって悪化させられる。剥落は、処理されたウェーハ上での粒子及び欠陥の数の増加を引き起こす。それで、真空チャンバを環境に開放して、湿式／機械式方法を用いてチャンバの内部を清掃することが必要になる。これは、望ましいものよりも短いＭＴＢＣしかもたらさない。それに加えて、静電チャック（ＥＳＣ）上への材料の剥落が、ＥＳＣによって加えられる締付け力の完全性を妨げることがある。これは、ＰＺＴ含有構造とＥＳＣとの間の熱伝達に影響を及ぼして、不均一なウェーハ冷却、及びプロセス性能において結果として生じる悪化をもたらす。最終的に、これが不完全な製品をもたらす。そのため、ツール生産性が低下させられ、その上、予想外の粒子生成がデバイス収率に悪影響を及ぼすことがあるので、剥落と関連する有意な経済的影響が存在する。しかし、ＰＺＴベースのデバイスに対する需要が増加しているため、材料のプラズマエッチングプロセスを改善して、デバイス収率を改善し、エッチングシステムの生産性を増大させることが増々必要になる。
本発明は、それの実施形態の少なくとも一部において、上記の課題及び要望のうちの１つ又は複数を対象とする。
本発明の一態様に従って、基板と不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素とを備える構造をプラズマエッチングする方法が提供されており、本方法は、
基板と不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素とを備える構造を提供するステップと、
１つ又は複数のガス入口を備える第１ガス入口配列、及び１つ又は複数のガス入口を備える第２ガス入口配列を有するチャンバ内の支持体上に構造を設置するステップと、
単に第１ガス入口配列を通してチャンバに供給されるだけの第１エッチングプロセスガス混合物を用いて第１プラズマエッチングステップを実行することによって構造をエッチングするステップと、
単に第２ガス入口配列を通してチャンバに供給される第２エッチングプロセスガス混合物を用いて第２プラズマエッチングステップを実行することによって構造を更にエッチングするステップと、
を含む。
本発明の更なる一態様に従って、基板と不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素とを備える構造をプラズマエッチングするためのプラズマエッチング装置が提供されており、本装置は、
１つ又は複数のガス入口を備える第１ガス入口配列、及び１つ又は複数のガス入口を備える第２ガス入口配列を有するチャンバと、
構造が上に設置されてもよい、チャンバ内に位置する支持体と、
プラズマ生成デバイスと、
制御器であって、制御器は、第１及び第２ガス入口配列を制御するように構成されることにより、構造は、単に第１ガス入口配列を通してチャンバに供給されるだけの第１エッチングプロセスガス混合物を用いて第１プラズマエッチングステップを実行することによってエッチングされ、そして、第２ガス入口配列を通してチャンバに供給されるだけの第２エッチングプロセスガス混合物を用いて第２プラズマエッチングステップを実行することによって更にエッチングされる、制御器と、
を備える。
本発明は、ガス入口切替えを用いる２ステップのエッチングプロセスを利用して、チャンバ清掃同士の間の平均時間を拡大する。考えられるのは、ガス入口の周辺での前駆体ガスのより高い濃度が、ガス入口の周りでの堆積の増加につながることである。切替え式ガス入口を用いて２ステップのエッチングプロセスを利用することによって、本発明は、チャンバ堆積内における大きい均一性を提供し、それによってＭＴＢＣを拡大する。
第１ガス入口配列のガス入口は、第２ガス入口配列のガス入口の半径方向内側に位置してもよく、又はその逆も同じである。チャンバは、プラズマ生成デバイスを更に備えてもよい。プラズマ生成デバイスは、第１ガス入口配列のガス入口を第２ガス入口配列のガス入口から分離してもよい。
プラズマ生成デバイスは、環状ハウジングと、環状ハウジング内に配設されたプラズマ生成要素と、を備えてもよい。第１ガス入口配列のガス入口は、環状ハウジングの半径方向内側に位置してもよく、そして、第２ガス入口配列のガス入口は、環状ハウジングの半径方向外側に位置してもよく、又はその逆も同じである。プラズマ生成要素は、ＲＦアンテナであってもよい。環状ハウジングは、セラミック材料から形成されてもよい。
構造は、支持体上に設置されてもよく、そして、ＲＦバイアス電力が、第１及び第２プラズマエッチングステップ中に支持体に印加されてもよい。したがって、プラズマエッチング装置は、ＲＦバイアス電力を支持体に印加するための電力印加配列を備えてもよい。ＲＦバイアス電力は、第２プラズマエッチングステップにおけるよりも、第１プラズマエッチングステップにおいてより大きくてもよい。
第１及び第２プラズマエッチングステップは、異なるエッチングプロセスガス混合物を用いてもよい。第２エッチングプロセスガス混合物は、フッ化炭素を含んでもよい。上記フッ化炭素は、第１エッチングプロセスガス混合物に存在しなくてもよい。その代替として、第１及び第２プラズマエッチングステップは、同じエッチングプロセスガス混合物を用いてもよい。
構造が、単一の第１プラズマエッチングステップ及び単一の第２プラズマエッチングステップを用いて、プラズマエッチングされてもよい。その代替として、第１及び第２プラズマエッチングステップを所望の回数だけ交互に反復することによる循環方式で、構造をエッチングすることが可能である。循環エッチングプロセスが用いられるとき、エッチング循環同士の間において第１及び第２ガス入口配列の順序を交換することが可能である、すなわち、いくつかのエッチング循環において、第１エッチングプロセスガス混合物が、単に第２ガス入口配列を通してチャンバに供給されるだけでもよく、そして、第２エッチングプロセスガス混合物が、単に第２ガス入口配列を通してチャンバに供給されるだけでもよい。そのため、方法は、単に第２ガス入口配列を通してチャンバに供給されるだけである第１エッチングプロセスガス混合物を用いて第１プラズマエッチングステップを実行することによって構造をなお更にエッチングするステップと、単に第１ガス入口配列を通してチャンバに供給されるだけの第２エッチングプロセスガス混合物を用いて第２プラズマエッチングステップを実行することによって構造をなお更によりエッチングするステップと、を更に含む。
不揮発性金属エッチング生成物を形成する構造の構成要素は、圧電層及び／又は金属電極であってもよい。不揮発性金属エッチング生成物を形成する構造の構成要素は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）の層及び／又はＰｔ電極等の貴金属電極であってもよい。ＰＺＴの層は、別の材料の１つ又は複数の層によって、半導体基板から分離されてもよい。ＰＺＴの層は、下面を備えてもよい。下面は、Ｐｔの層等の電極層によって、半導体基板から分離されてもよい。それに付加して又は代替して、ＰＺＴの層は、ＳｉＯ２等のバリヤ層によって、半導体基板から分離されてもよい。ＰＺＴの層は、上面を備えてもよい。Ｐｔの層等の電極層が、上面上に存在してもよい。構造は、フォトレジスト層又は別のマスク材料を更に備えてもよい。
ＰＺＴ及び／又は貴金属電極をエッチングするとき、第１エッチングプロセスガス混合物は、ＣＦ４、Ｈ２、及び随意にＡｒ等の１つ又は複数の不活性希釈剤から本質的に成ってもよく、そして、第２エッチングプロセスガス混合物は、Ｃ４Ｆ８、ＣＦ４、Ｈ２、及び随意にＡｒ等の１つ又は複数の不活性希釈剤から本質的に成ってもよい。
基板は、半導体基板であってもよい。
半導体基板は、シリコン基板であってもよい。いくつかの実施形態では、半導体基板は、シリコン基板であり、そして、不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素は、ＰＺＴの層である。
半導体基板は、ＳｉＣ基板であってもよく、そして、不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素は、金属マスクであってもよい。プラズマエッチングは、金属マスクによる、ＳｉＣ基板の裏面エッチングを含んでもよい。
第１及び第２ガス入口配列は、それぞれ、任意の好適な数のガス入口を備えてもよい。原則として、第１及び／又は第２ガス入口配列は、単一のガス入口を有してもよいけれども、実際には、それぞれのガス配列が複数のガス入口を有することがよりあり得る。
基板は、ウェーハの形式のものであってもよい。Ｓｉ等の半導体基板は、典型的に、ウェーハの形式であろう。
プラズマエッチングに適した異なる種類のプラズマ生成デバイスが、熟練した読者には周知である。本発明は、様々なこれらのプラズマ生成デバイスと連携して用いられてもよい。
本発明が上記において説明されてきたが、それは、上記で又は以下の説明において述べた特性についてのいずれかの発明的な組合せにまで及ぶ。例えば、本発明の１つの態様に関連して説明された特性が、本発明の別の態様に関連して開示される。本発明の例示的実施形態が、添付図面を参照して本明細書において詳述されるけれども、理解されるべきは、本発明がこれらのまさにその実施形態に限定されないことである。更に、考えられるのは、個々に又は実施形態の部分としてのいずれかで説明された特定の特性が、たとえ別の特性及び実施形態がその特定の特性への言及を行わなくとも、別の個々に説明された特性又は別の実施形態の部分と組み合わされてもよいことである。したがって、本発明は、未だ説明されていないかかる特定の組合せにまで及ぶ。
本発明は、ここで、以下の添付図面を参照して、単に例として説明される。
本発明のプラズマエッチング装置の概略図である。 本発明のプラズマエッチング装置の概略図である。 ＲＦ源ウインドウでの堆積を表し、図４及び５が対応する領域を示す。 図３に示す良好接着材料についてのＳＥＭ顕微鏡写真である。 図３に示す不良接着材料についてのＳＥＭ顕微鏡写真である。 堆積材料層についてのＥＤＸ組成分析を表す。
本発明は、２ステップのエッチング方法及び対応するプラズマエッチング装置を利用して、チャンバ清掃同士の間の平均時間を拡大する。
本発明に従うプラズマ処理装置が、図１及び２に示されている。本発明は、出願人のＯｍｅｇａ（登録商標）Ｓｙｎａｐｓｅ（商標）エッチングプロセスモジュールについての適応バージョンで実行されてもよく、当該適応バージョンは、ガス入口切替えによって２ステップのエッチングプロセスを実行するように構成されている。排気ガスポンピングシステム等の周知の特性が、図１及び２に表されていないけれども、熟練した読者によっては理解されるであろう。
装置は、複数の内面を有するプラズマエッチングチャンバ１１を備える。装置は、第１ガス入口配列１０と、第２ガス入口配列１２と、セラミック環状ハウジング１８と、ＲＦアンテナ１４と、プラテンＲＦ電極１６と、エッチングを受ける構造２８を支持するための支持体２０と、を備える。図１及び２に示す実施形態において、支持体２０は、静電チャックであり、そして、プラテンＲＦ電極１６が用いられて、エッチングイオンの指向性を制御する。これは、次いで、処理中に達成される物理エッチングの範囲を制御する。プラテン電力が高い程、基板エッチング速度をより増加させる。
プラズマエッチングチャンバ１１は、上側壁又は蓋を有する。環状ハウジング１８は、チャンバ１１内に沈設され、上側壁から下向きに垂れ下がっている。環状ハウジング１８は、上側壁の内部に円形領域を画定している。
図１及び２に示す実施形態において、第１ガス入口配列１０は、内側ガスプレナムであり、第２ガス入口配列１２は、外側ガスプレナムである。それぞれのガス入口配列が、複数のガス入口を備え、それぞれのガス入口は、開口部で終端し、当該開口部を通してプロセスガスがチャンバ１１の内部に入る。内側ガスプレナム１０は、環状ハウジング１８によって画定された円形領域内に位置している。内側ガスプレナム１０のガス入口は、円形パターンに配設された複数の開口部として、環状ハウジング１８の内側に設置されている。外側ガスプレナム１２は、環状ハウジング１８によって画定された円形領域の外側に設置されている。内側ガスプレナム１０のガス入口は、円形パターンに配設された複数の開口部として、環状ハウジング１８の外側に設置されている。内側ガスプレナムは、８つのガス入口を有してもよく、一方、外側ガスプレナムは、約１０倍の数のガス入口を有してもよい。しかし、いうまでもなく、第１及び第２ガス入口配列は、任意の好適な数のガス入口を有してもよい。
エッチングチャンバが、図２に更に示されており、当該図は、チャンバ内に存在する構造２８の処理を示している。チャンバは、チャンバ壁２４を備え、当該チャンバ壁内で、構造２８が支持体２０上に置かれている。プラズマ２６は、環状ハウジング１８内に具備されたＲＦアンテナ１４を介して、ＲＦ電力源（図示せず）からチャンバ内に結合されたＲＦ電力によって点火されて維持される。環状ハウジング１８は、ＲＦ電力をチャンバ内に結合するのを可能にするウインドウとして作用する。エッチングプロセスガスは、内側ガスプレナム１０又は外側ガスプレナム１２のいずれかのガス入口を通ってチャンバに入る。制御器３０が用いられて、第１ガスプレナムから第２ガスプレナムにガス入口点を切り替える。
本発明が用いられて、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を含有する構造をエッチングしてもよい。典型的なウェーハ構造は、シリコン基板基層と、それに続く、ＳｉＯ２層と、プラチナ層と、ＰＺＴ層と、第２プラチナ層と、最後にウェーハの上面上のフォトレジストマスクと、である。フォトレジストマスクは、ウェーハをプラズマエッチングから保護する。マスクは、所望のエッチング製品に従ってパターン付けされる。典型的には、プラチナ電極層は、５０〜２５０ｎｍの厚さを有し、ＰＺＴ層は、５００〜２５００ｎｍの厚さを有する。
エッチングされるべきウェーハは、支持体２０に静電気で固定される。ヘリウムが用いられてウェーハを冷却する。
第１エッチングステップ中に、比較的高いプラテン電力が用いられて、ＰＺＴを高速度で低選択性（ＰＺＴ／Ｐｔ）によって、停止層までエッチングする。停止層は、典型的にはプラチナ電極である。プラテン電力は、第２ステップにおいて低下させられ、そして、完全にスイッチを切られてもよい。プラテン電力の低下は、ＰＺＴについてのエッチング速度の低下につながり、ＰＺＴ／Ｐｔ選択性を増加させる。これは、第２ステップ中に、プラズマがいくらかの残りのＰＺＴをエッチングし続けるけれども、停止層をエッチングしないか、又は実質的に低下した速度でＰｔを除去することになる。
チャンバの内面がテクスチャ加工されていることにより、堆積した材料の第１層の接着性を改善する。チャンバ内の金属遮蔽が、アーク溶射Ａｌによって被覆されて、約２０〜３５μｍの表面粗度を達成し、一方、環状ハウジング１８は、イットリア塗装によって被覆されて、約６μｍの表面粗度を達成した。試験が、エッチングプロセスガスを供給するために用いられる内側又は外側ガスプレナムのいずれかについての表１に示すプロセス条件を用いて、高度に空いた面積（８０％ОＡ）のパターン付きウェーハをエッチングすることによって実行され、当該ウェーハは、その上に形成されたフォトレジストマスク（厚さ４．５μｍ）／Ｐｔ（厚さ１００ｎｍ）／ＰＺＴ（厚さ２μｍ）／Ｐｔ（厚さ１００ｎｍ）の層を有する。
表１は、それぞれのステップについての典型的なプロセスパラメータを表す。ＰＺＴエッチングは、典型的には、５５℃のチャンバ温度及び５〜５０ｍＴｏｒｒの圧力において実行される。
Figure 2021100103
外側ガスプレナムが用いられてエッチングステップを実行したときに、堆積が、外側ガスプレナムの周辺のチャンバ表面上にはっきり表われていることが判った。内側ガスプレナムが用いられてエッチングステップを実行したときに、堆積が、環状ハウジング上に及び内側ガスプレナムの周辺に視認できた。２１４ミクロンを超えるＰＺＴが、材料が環状ハウジングのセラミックウインドウから層間剥離する前に、内側プレナムを用いて成功裏にエッチングされた。
図３は、環状ハウジング１８上に堆積された材料を表す。材料は、いくつかの領域において良好に接着しており、一方、別の領域において剥離していることが見て取れる。
図４に表すＳＥＭ顕微鏡写真は、図３に示す良好接着領域に対応する。フッ化炭素ポリマの厚い層が、金属性エッチング生成物の各層同士の間に存在する。ウェーハがチャンバ内で処理される回数が増加するにつれて、エッチング生成物とフッ化炭素ポリマとの層構造が、チャンバ内部に蓄積する。
対照的に、図５のＳＥＭ顕微鏡写真が、図３に示す不良接着領域から撮られている。この領域において、エッチング生成物層同士の間のフッ化炭素層は、薄いか又は存在しない。ＳＥＭ画像は、厚いフッ化炭素ポリマ層がそれぞれの再堆積エッチング生成物層の間に存在する領域が、フッ化炭素層が薄いか又は存在しない領域よりも良好に接着していることを示す。
図６は、良好接着領域から取られた再堆積材料についてのＥＤＸ組成分析を表す。材料の組成は、図４に見られるような金属エッチング生成物の層同士の間に挟まれた厚いフッ化炭素層の存在と整合している。
いずれかの特定の理論又は推測によって限定されることを望まないが、チャンバ内部での堆積についての２つの主要機構が存在すると考えられる。第１機構は、プロセスガスのチャンバ内部上での直接堆積である。第２のものは、エッチング中における、ウェーハからのエッチング生成物の再堆積である。考えられるのは、エッチングプロセスガス混合物からの材料堆積が、ガス入口からの距離の関数としての前駆体ガス濃度の局所変動に起因して、チャンバ全体にわたって変化することである。このことは、ガス入口の周辺でのより高度の堆積をもたらす。２ステップのエッチング方法を用いること、及び２つのエッチングステップの間でガス入口の位置を切り替えることによって、より均一な堆積が達成されてもよく、したがって、チャンバ清掃同士の間の時間が拡大される。ウェーハエッチング生成物からの堆積は、ウェーハからの直線距離方式で作用すると考えられ、そのため、ガス入口による影響を受けない。
本発明がＰＺＴのエッチングに関して特に有効であることが判ったけれども、本発明は、不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素を備える別の構造についてのエッチングに適用されてもよい。例えば、本発明は、金属マスクを用いる、ＳｉＣの裏面エッチングに適用されてもよい。
１０ 第１ガス入口配列、１１ プラズマエッチングチャンバ、１２ 第２ガス入口配列、１４ ＲＦアンテナ、１６ プラテンＲＦ電極、１８ セラミック環状ハウジング、２０ 支持体、２４ チャンバ壁、２６ プラズマ、２８ 構造、３０ 制御器。

Claims (16)

  1. 基板と不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素とを備える構造をプラズマエッチングする方法であって、
    基板と不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素とを備える構造を提供するステップと、
    １つ又は複数のガス入口を備える第１ガス入口配列、及び１つ又は複数のガス入口を備える第２ガス入口配列を有するチャンバ内の支持体上に前記構造を設置するステップと、
    単に前記第１ガス入口配列を通して前記チャンバに供給されるだけの第１エッチングプロセスガス混合物を用いて第１プラズマエッチングステップを実行することによって前記構造をエッチングするステップと、
    単に前記第２ガス入口配列を通して前記チャンバに供給されるだけの第２エッチングプロセスガス混合物を用いて第２プラズマエッチングステップを実行することによって前記構造を更にエッチングするステップと、
    を含む、方法。
  2. 前記第１ガス入口配列の前記ガス入口は、前記第２ガス入口配列の前記ガス入口の半径方向内側に位置する、又はその逆も同じである、請求項１に記載の方法。
  3. 前記チャンバは、前記第１ガス入口配列の前記ガス入口を前記第２ガス入口配列の前記ガス入口から分離するプラズマ生成デバイスを更に備える、請求項２に記載の方法。
  4. 前記プラズマ生成デバイスは、環状ハウジングと、前記環状ハウジング内に配設されたプラズマ生成要素と、を備え、前記第１ガス入口配列の前記ガス入口は、前記環状ハウジングの半径方向内側に位置し、前記第２ガス入口配列の前記ガス入口は、前記環状ハウジングの半径方向外側に位置している、又はその逆も同じである、請求項３に記載の方法。
  5. 前記プラズマ生成要素は、ＲＦアンテナである、請求項４に記載の方法。
  6. 前記構造は、支持体上に設置され、ＲＦバイアス電力が、前記第１及び第２プラズマエッチングステップ中に前記支持体に印加される、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
  7. 前記第１及び第２プラズマエッチングステップは、異なるエッチングプロセスガス混合物を用いる、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
  8. 前記第２エッチングプロセスガス混合物は、フッ化炭素を含み、前記フッ化炭素は、前記第１エッチングプロセスガス混合物には存在しない、請求項７に記載の方法。
  9. 不揮発性金属エッチング生成物を形成する前記構造の前記構成要素は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）の層及び／又は貴金属電極である、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
  10. 前記基板は、半導体基板である、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
  11. 前記半導体基板は、シリコン基板である、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記半導体基板は、ＳｉＣ基板であり、不揮発性金属エッチング生成物を形成する前記構成要素は、金属マスクである、請求項１０に記載の方法。
  13. 基板と不揮発性金属エッチング生成物を形成する構成要素とを備える構造をプラズマエッチングするためのプラズマエッチング装置であって、
    １つ又は複数のガス入口を備える第１ガス入口配列、及び１つ又は複数のガス入口を備える第２ガス入口配列を有するチャンバと、
    前記構造が上に設置されてもよい、前記チャンバ内に位置する支持体と、
    プラズマ生成デバイスと、
    制御器であって、前記制御器は、前記第１及び第２ガス入口配列を制御するように構成されていることにより、前記構造は、単に前記第１ガス入口配列を通して前記チャンバ内に供給されるだけの第１エッチングプロセスガス混合物を用いて第１プラズマエッチングステップを実行することによってエッチングされ、そして、単に前記第２ガス入口配列を通して前記チャンバに供給されるだけの第２エッチングプロセスガス混合物を用いて第２プラズマエッチングステップを実行することによって更にエッチングされる、制御器と、
    を備える、プラズマエッチング装置。
  14. 前記第１ガス入口配列の前記ガス入口は、前記第２ガス入口配列の前記ガス入口の半径方向内側に位置する、又はその逆も同じである、請求項１３に記載の装置。
  15. 前記チャンバは、前記第１ガス入口配列の前記ガス入口を前記第２ガス入口配列の前記ガス入口から分離するプラズマ生成デバイスを更に備える、請求項１４に記載の装置。
  16. 前記プラズマ生成デバイスは、環状ハウジングと、前記環状ハウジング内に配設されたプラズマ生成要素と、を備え、前記第１ガス入口配列の前記ガス入口は、前記環状ハウジングの半径方向内側に位置し、前記第２ガス入口配列の前記ガス入口は、前記環状ハウジングの半径方向外側に位置する、又はその逆も同じである、請求項１５に記載の装置。
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