JP5461148B2 - プラズマエッチング方法及び装置 - Google Patents
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Description
また、動作中もデータを保持するため一定時間置きに再書き込みが必要であり消費電力が大きくなる。一方、フラッシュメモリは不揮発性メモリであるが、情報の書き込み時間がμ秒オーダーと遅い。これらの欠点なく、低消費電力かつ高速に動作する不揮発性メモリとしてMRAM(Magnetic Random Access Memory)の適応が期待されている。
しかし、一般に、COはプラズマ中で下記の反応等により容易に解離してしまう。
CO → C + O
2CO → C + CO2
上記問題を解決するにはプラズマ中でCOの解離を抑制しつつ、磁性膜とCOの反応を促進するためCOの励起活性種を生成することが必要である。
特許文献1では装置上部にAr等のプラズマ生成ガスを導入することで高密度プラズマ領域を作製し、それにより装置下部に発生したアフターグロー領域にCOガスを導入することでCOの解離を抑制する方法が開示されている。
パルス変調を用いることで、たしかにプラズマ密度を維持しつつ電子温度の時間平均値を減少することが可能であるが、図2に示したとおり、アンテナ電力をONにした状態では電子温度も上昇する。
そのため、高温・高密度のプラズマ領域にCOが導入された場合、ICP電力をパルス変調したとしても、ONにした際のCOの解離により、同様にエッチングが阻害されることになる。
(1)処理室内でFe・Co・Niの中から少なくとも一つの元素を含有する磁性膜をC元素及びO元素を含有するガスを用いて、パルス変調されたプラズマにより前記磁性膜をエッチングするプラズマエッチング方法において、前記パルス変調の振幅を第一の振幅とする期間にプラズマ生成ガスを前記処理室内に供給し、前記パルス変調の振幅を前記第一の振幅より低い第二の振幅とする期間は、第一の期間と第二の期間と第三の期間とを有し、前記第一の期間は、電子温度が緩和する期間であるとともに前記C元素及びO元素を含有するガスが前記処理室内に供給されない期間であり、前記第二の期間は、前記C元素及びO元素を含有するガスが前記処理室内に供給される期間であり、前記第三の期間は、前記C元素及びO元素を含有するガスが前記処理室内に供給されない期間であるとした。
上記非特許文献1によると、COの解離エネルギーは11.2eV、上記非特許文献2によるとCOの振動励起エネルギーは0.266eV、電子励起エネルギーは5.898eVとの報告がある。したがって、電子エネルギーの大部分を0.266eVより大きく、11.2eVより小さくすれば、COの解離を抑制しつつ、COの励起活性種を生成することが可能になることが分かる。
図3において横軸は電子のエネルギー値を、縦軸は全電子数を100としたときの各エネルギーにおける電子の割合を対数で表したものを示す。
この計算によると、通常のプラズマプロセスで用いる電子温度が2〜3eVのときは11.2eVより大きい電子が全体の1〜5.5%を占めるが、電子温度が1eV以下のときは11.2eVより大きい電子が全体の0.006%以下となり、ほぼ消滅する。
したがって、電子温度が1eV以下であれば、COの解離を抑制しつつ、COの励起活性種を効率よく生成可能となる。
一方、アンテナ電力をパルス変調してもプラズマ密度は大きく変化しない。
すなわち、上記非特許文献3におけるPramod Subramonium等の計算結果によると、Arガスを用い、処理圧20mTorr・ICP電力300W・パルス周波数10kHz・デューティー比30%でパルス放電した場合、プラズマ密度はアンテナ電力がONの状態では1.0×1012cm−3、アンテナ電力がOFFの状態でも2.0×1011cm−3にしか減少しないことが報告されており、エッチングに必要と考える1.0×109cm−3以上のプラズマ密度はすべての状態で維持されていることが確認されている。
そのため、電子温度が1eV以下と低くなるアンテナ電力がOFFのときのプラズマにCOガスを供給した場合、COの解離を抑制しつつCOを励起することができるが、電子温度が1eVより高くなるアンテナ電力がONの状態にCOガスを供給した場合、COの解離を抑制することは困難になる。
そのため、区間(a)は電子温度の緩和時間より大きい、つまり1μs以上であることが望ましい。
例えばプラズマの体積を0.02m−3、処理圧力を0.5Pa、プロセスガス流量を600ccmとした場合、滞在時間は約10msになる。
また、該プラズマ中ではプラズマ生成ガスがプラズマ化することで生成された正イオンが可動式電極403に印加された400kHzから13.56MHzの高周波電力415により、基板402に引き込まれる。これにより、基板上に形成された磁性膜はCOガスにより生成された励起活性種による反応と該正イオンによる衝撃により効果的にエッチングすることができる。
なお、図4ではICPを用いたプラズマエッチング装置について記載したが、本発明を用いたシーケンスはCCP・ECRプラズマ・ヘリコン波プラズマ・表面波プラズマなどを用いた他の放電方式を用いてもよい。
真空容器401の下部中央には上面に磁性膜が形成された基板402を設置するための可動式電極403が設けられている。該電極は真空ベローズ404を通して基板の外に突出した構造をしており、該可動式電極が矢印(a)の方向に可動することで、可動式電極403及び可動式電極に設置された基板402の高さをプロセス条件に合わせて任意の値に設定できる。装置上部の第一のガス導入口405より導入されたプラズマ生成ガス、及び基板402の上面近傍に延びる第二のガス導入口501より導入されたCOガスは排気口407を通して真空容器401の外に常に排気されている。この際、排気口407上部に設置された調圧バルブ408により真空容器401内が所定の圧力になるように制御される。
真空容器401の下部中央には上面に磁性膜が形成された基板402を設置するための可動式電極403が設けられている。この可動式電極403は、真空ベローズ404を通して基板の外に突出した構造をしており、可動式電極403が矢印(a)の方向に可動することで、可動式電極403及び該可動式電極403の上面に設置された基板402の高さをプロセス条件に合わせて任意の値に設定できる。装置上部の上部ガス導入口601より導入されたプラズマ生成ガス及び下部ガス導入口602より導入されたCOガスは、排気口407を通して真空容器401の外に常に排気されている。
なお、図6ではICPを用いたプラズマエッチング装置について記載したが、本発明を用いたシーケンスはCCP・ECRプラズマ・ヘリコン波プラズマ・表面波プラズマなどを用いた他の放電方式に用いてもよい。
ただし、COの代わりにCH3OHやC2H5OHやC3H7OHやCO2を用いた場合、解離を抑制しすぎるとCOの励起活性種が発生しない可能性があるため、アンテナ電力がパルス的に低いときの電力値をプロセスに合わせて調整する必要がある。
Claims (11)
- 処理室内でFe・Co・Niの中から少なくとも一つの元素を含有する磁性膜をC元素及びO元素を含有するガスを用いて、パルス変調されたプラズマにより前記磁性膜をエッチングするプラズマエッチング方法において、
前記パルス変調の振幅を第一の振幅とする期間にプラズマ生成ガスを前記処理室内に供給し、
前記パルス変調の振幅を前記第一の振幅より低い第二の振幅とする期間は、第一の期間と第二の期間と第三の期間とを有し、
前記第一の期間は、電子温度が緩和する期間であるとともに前記C元素及びO元素を含有するガスが前記処理室内に供給されない期間であり、
前記第二の期間は、前記C元素及びO元素を含有するガスが前記処理室内に供給される期間であり、
前記第三の期間は、前記C元素及びO元素を含有するガスが前記処理室内に供給されない期間であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第一の期間は、1μs以上であり、前記第三の期間は、1ms以上50ms以下であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第二の期間に前記プラズマ生成ガスをさらに前記処理室内に供給することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第二の期間に供給される前記C元素及びO元素を含有するガスの量は、時間とともに変化することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記プラズマ生成ガスは、Heガス、ArガスまたはXeガスの中で少なくともいずれか一つのガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第二の期間にH2ガスまたはNH3ガスをさらに前記処理室内に供給することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記C元素及びO元素を含有するガスとして、CO、CH3OH、C2H5OH、C3H7OH、CO2を用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第二の振幅は、前記第一の振幅の1/10以下にすることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 処理室内でFe・Co・Niの中から少なくとも一つの元素を含有する磁性膜をC元素及びO元素を含有するガスを用いて、パルス変調されたプラズマにより前記磁性膜をエッチングするプラズマエッチング装置において、
プラズマを生成するためのアンテナに印加する電力をパルス変調するパルス変調手段と、
前記C元素及びO元素を含有するガスを前記真空容器内に導入する導入通路に設けた第一の流量制御バルブの開度を制御するとともにプラズマ生成用ガスを前記真空容器内に導入する導入通路に設けた第二の流量制御バルブの開度を制御するガスコントローラーとを備え、
前記ガスコントローラーは、前記パルス変調手段により変調されたアンテナ電力を第一の電力とするときには、前記第二の流量制御バルブの開度を0でない所定の開度となるように制御するとともに前記第一の流量制御バルブの開度を0となるように制御し、
前記パルス変調手段により変調されたアンテナ電力を前記第一の電力より低い第二の電力とするときには、前記第一の流量制御バルブの開度を0でない所定の開度となるように制御することを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項9に記載したプラズマエッチング装置において、
プラズマ生成用ガスと前記C元素及びO元素を含有するガスを別々の導入口から導入することを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 請求項10に記載したプラズマエッチング装置において、
ガス導入口を真空容器の上部に設置し中央側の導入口から前記C元素及びO元素を含有するガスを、外側の導入口から前記プラズマ生成用ガスを導入することを特徴とするプラズマエッチング装置。
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