JP2006080504A - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エッチング装置1は、処理チャンバ11と、シリコン基板Kが載置される基台12と、処理チャンバ11内にエッチングガス,酸素ガス及び保護膜形成ガスをその流量を調整しつつ供給するガス供給機構20と、処理チャンバ11の外部近傍に配設されたコイル31と、コイル31に高周波電力を印加して、処理チャンバ11内のガスをプラズマ化する高周波電源32と、ガス供給機構20を制御することにより、エッチングガスを供給してシリコン基板Kをエッチングするエッチング処理と、酸素ガスを供給してシリコン基板Kに第1保護膜(酸化膜)を形成する第1保護膜形成処理と、保護膜形成ガスを供給して第1保護膜上に第2保護膜(ポリマー膜)を形成する第2保護膜形成処理とを順次繰り返して実行する制御装置40とを備える。
【選択図】図1
Description
基台上に載置されたシリコン基板をエッチングする方法であって、
エッチングガスをプラズマ化するとともに、前記基台にバイアス電位を与えて前記シリコン基板をエッチングするエッチング処理と、
酸素ガスをプラズマ化して前記シリコン基板に酸化膜たる第1保護膜を形成する第1保護膜形成処理と、
保護膜形成ガスをプラズマ化して前記第1保護膜上に第2保護膜を形成する第2保護膜形成処理とを順次繰り返して実行するようにしたことを特徴とするエッチング方法に係る。
即ち、このエッチング装置は、
閉塞空間を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバ内の下部側に配設され、シリコン基板が載置される基台と、
前記基台に高周波電力を印加する基台電力供給手段と、
前記処理チャンバ内にエッチングガス,酸素ガス及び保護膜形成ガスを供給するとともに、該エッチングガス,酸素ガス及び保護膜形成ガスの供給流量をそれぞれ調整可能に構成されたガス供給手段と、
前記処理チャンバの外部近傍に配設されたコイルと、
前記コイルに高周波電力を印加して前記処理チャンバ内のエッチングガス,酸素ガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化するコイル電力供給手段と、
前記基台電力供給手段,コイル電力供給手段及びガス供給手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して前記処理チャンバ内に供給される前記エッチングガス,酸素ガス及び保護膜形成ガスの供給流量を調整することにより、前記エッチングガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板をエッチングするエッチング処理と、前記酸素ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板に酸化膜たる第1保護膜を形成する第1保護膜形成処理と、前記保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記第1保護膜上に第2保護膜を形成する第2保護膜形成処理とを順次繰り返して実行するとともに、少なくとも前記エッチング処理時に、前記基台電力供給手段によって前記基台に高周波電力を印加するように構成される。
11 処理チャンバ
12 基台
13 第1高周波電源
14 排気装置
16 真空ポンプ
17 流量調整機構
20 ガス供給装置
22,23,24 ガスボンベ
25,26,27 流量調整機構
30 プラズマ生成装置
31 コイル
32 第2高周波電源
40 制御装置
41 供給流量制御部
42 排気流量制御部
43 基台電力制御部
44 コイル電力制御部
K シリコン基板
Claims (2)
- 基台上に載置されたシリコン基板をエッチングする方法であって、
エッチングガスをプラズマ化するとともに、前記基台にバイアス電位を与えて前記シリコン基板をエッチングするエッチング処理と、
酸素ガスをプラズマ化して前記シリコン基板に酸化膜たる第1保護膜を形成する第1保護膜形成処理と、
保護膜形成ガスをプラズマ化して前記第1保護膜上に第2保護膜を形成する第2保護膜形成処理とを順次繰り返して実行するようにしたことを特徴とするエッチング方法。 - 閉塞空間を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバ内の下部側に配設され、シリコン基板が載置される基台と、
前記基台に高周波電力を印加する基台電力供給手段と、
前記処理チャンバ内にエッチングガス,酸素ガス及び保護膜形成ガスを供給するとともに、該エッチングガス,酸素ガス及び保護膜形成ガスの供給流量をそれぞれ調整可能に構成されたガス供給手段と、
前記処理チャンバの外部近傍に配設されたコイルと、
前記コイルに高周波電力を印加して前記処理チャンバ内のエッチングガス,酸素ガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化するコイル電力供給手段と、
前記基台電力供給手段,コイル電力供給手段及びガス供給手段を制御する制御手段とを備えたエッチング装置であって、
前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して前記処理チャンバ内に供給される前記エッチングガス,酸素ガス及び保護膜形成ガスの供給流量を調整することにより、前記エッチングガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板をエッチングするエッチング処理と、前記酸素ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板に酸化膜たる第1保護膜を形成する第1保護膜形成処理と、前記保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記第1保護膜上に第2保護膜を形成する第2保護膜形成処理とを順次繰り返して実行するとともに、少なくとも前記エッチング処理時に、前記基台電力供給手段によって前記基台に高周波電力を印加するように構成されてなることを特徴とするエッチング装置。
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JP2010103358A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2010113358A1 (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 住友精密工業株式会社 | プラズマエッチング装置 |
WO2012008179A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | 住友精密工業株式会社 | エッチング方法 |
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