JP2010027727A - 半導体加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】減圧処理室204と、該減圧処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内に、半導体基板を載置して保持する試料台205と、前記減圧処理室に供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、生成したプラズマにより前記半導体基板にプラズマエッチング処理を施す半導体加工方法において、前記試料台上に、HfあるいはZrを含む高誘電率絶縁膜、TiあるいはTaを含む仕事関数制御金属導体膜、およびレジストを順次形成した半導体基板206を載置し、前記レジストを用いて前記導体膜をエッチング加工するに際して、前記試料台にオンオフ変調された基板バイアス電圧を印加する。
【選択図】図2
Description
前記試料台上に、HfあるいはZrを含む高誘電率絶縁膜、TiあるいはTaを含む仕事関数制御金属導体膜、およびレジストを順次形成した半導体基板を載置し、前記レジストを用いて前記導体膜をエッチング加工するに際して、前記試料台にオンオフ変調された基板バイアス電圧を印加する。
102 HfSiON膜
103 仕事関数制御金属膜
104 poly−Si膜
105 SiN膜
106 反射防止膜
107 レジスト
108 イオン
109 堆積物
110 F原子
201 プラズマ電源
202 アンテナ
203 窓
204 真空チャンバ
205 試料台
206 ウエハ
207 バイアス電源
208 電磁コイル
Claims (7)
- 減圧処理室と、該減圧処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内に、半導体基板を載置して保持する試料台と、前記減圧処理室に供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、生成したプラズマにより前記半導体基板にプラズマエッチング処理を施す半導体加工方法において、
前記試料台上に、HfあるいはZrを含む高誘電率絶縁膜、TiあるいはTaを含む仕事関数制御金属導体膜、およびレジストを順次形成した半導体基板を載置し、前記レジストを用いて前記導体膜をエッチング加工するに際して、前記試料台にオンオフ変調された基板バイアス電圧を印加することを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記金属導体膜がTaを含むとき、前記処理ガスとしてFを含むガスを選択することを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記金属導体膜がTaを含むとき、前記処理ガスとして、少なくともSF6、NF3、CF4、CHF3の何れかを選択することを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項3記載の半導体加工方法において
SF6ガスを他のガスと混合する場合は3%以上、NF3ガスを他のガスと混合する場合は6%以上、CF4ガスを他のガスと混合する場合は10%以上、CHF3ガスを他のガスと混合する場合は40%以上の流量割合となるように他のガスと混合することを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記金属導体膜がTiを含むとき、前記処理ガスとしてCl2を含むガスを選択することを特徴とする半導体加工方法。 - 請求項5記載の半導体加工方法において
Cl2ガスを他のガスと混合する場合は30%以上の流量割合となるように他のガスと混合することを特徴とする半導体加工方法 - 請求項1記載の半導体加工方法において、
前記処理ガスの圧力は1Pa以下、半導体基板温度は0ないし100℃、基板バイアス電圧は200V以下、デューティ比は5ないし50%であることを特徴とする半導体加工方法。
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