JP2007103876A - エッチング方法およびエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板、または、シリコン酸化物誘電体層を含むシリコン基板に対して、SF6とO2からなる混合ガス、または、SF6、O2とSiF4からなる混合ガスに、その混合された総ガス流量の5%〜16%の範囲で水素を含有するガスを添加した混合ガスプラズマでシリコントレンチを形成して溝または穴を形成するプラズマエッチングを行う。
【選択図】 図1
Description
また、3次元実装技術としてもSiトレンチの応用が盛んであり、上記と同様に深いトレンチを形成するエッチングは共通の技術となっている。
つまり、上記特許文献1の従来技術では、トレンチ形成後の埋め込みを考慮した場合、若干のテ−パ形状が必要となる場合が多く、その場合は、イオン性が高いとトレンチテ−パ部へのイオン衝撃により、壁が損傷を受け、えぐれや表面荒れを生じる可能性があることについて配慮されておらず、イオン性が高いエッチング手法によるエッチングを実施している為、トレンチ内壁面に与えるイオン衝撃により、保護膜が損傷を受けやすく、結果的に側面のえぐれや荒れが生じるという課題が挙げられる。
また、マイクロ波発生器(図示しない)で発信されたマイクロ波を整合器106及び導波管107を通しマイクロ波導入窓108よりエッチング処理室101に輸送して前記エッチングガスをプラズマ化する。
ここでは、前述のプラズマエッチング装置を使用し、SF6,O2,SiF4の混合ガスプラズマを主体としたプロセスにおける一例を示す。被処理基板102の詳細構造とエッチング後の状態を図2に示す。
また、上述の説明では混合ガスとしてSiF4の含有を必須としたが、側壁保護膜として適度なSiOが形成されればSF6とO2ガスでも本発明は達成される。
本プロセスにおいて、このようなSi表面の損傷204を低減するには、エッチャントであるフッ素ラジカル量を減少させる事で抑制できるが、その場合、深さ方向に対するエッチングも抑制されてしまう為、エッチレート低下やエッチストップが発生する。
図3は、前述のエッチング条件に対し、HBr(臭化水素)を添加した場合のトレンチエッチング結果を示す。この場合の例として、SF6:150mL/min、O2:30mL/min、SiF4:200mL/minの混合ガスにHBrを30mL/min添加することにより、Siトレンチの側面荒れ204が抑制できた。ここで、HBrの添加流量は総ガス流量の約8%である。
このHBr添加流量に対するSiエッチング量(μm)であるSiトレンチエッチング量依存性は、HBr以外のHI,HCl,H2,H2O,NH3などの水素を含有するガスでも、同様の傾向を示し、前記水素を含有するガスを、Ar、He、N2で希釈して添加されたガス、または、予め、前述のガスにより希釈されたガスであっても同様である。希釈されたガスの場合には、希釈前の水素を含有するガスの量を添加量として考慮する。
上記のエッチングレートを維持しながら、Siトレンチの側面荒れを抑制することが実行上達成できなくなる60mL/minのHBrの添加量は、SF6:150mL/min、O2:30mL/min、SiF4:200mL/minの混合ガスの380mL/minに対して、約16%に相当している。
HBr添加流量の少ない場合(〜0mL/min)には、Si側壁には、約140nmの荒れ量が発生しているが、HBrの添加により荒れ量が低減し、HBr添加流量が20mL/minとなると、荒れ量は約15nmとなり、HBrの添加の無い場合と比較して、Siトレンチ側壁荒れ量の大幅な削減効果を奏する。20mL/minのHBr添加流量は、混合ガスの380mL/minに対して、約5%に相当している。
HBr添加流量を、約5%を超えて、更に、増やすと、Siトレンチ側壁荒れ量は減少して実質的に、Siトレンチ側壁荒れが発生しない状態が続く。
更に、HBrの添加量を増やすと、徐々に、Siトレンチ側壁荒れが増加する。HBrの添加量が約60mL/min(混合ガスの約16%)でも、わずかのSiトレンチ側壁荒れが発生するが、この程度なら実用上問題ない範囲である。
HBrの添加量が約60mL/minを超えると相当量のSiトレンチ側壁荒れが発生し、問題となる。さらに、HBrの添加量が約80mL/min(混合ガスの約21%)の状態では、許容値を超えた相当量のSiトレンチ側壁荒れが発生し、エッチングレートを維持しながらSiトレンチの側面荒れを抑制することはできない。このSiトレンチ側壁荒れの増加の原因は、エッチングに寄与するラジカル種(ここではフッ素など)が余剰となり、結果的にSiトレンチ側壁面などに反応してしまう現象が起き、その結果、側壁荒れが増えることによるものと考えられる。
HBr添加流量に対するSi側壁の荒れ量(nm)であるSiトレンチ側壁荒れ量依存性は、HBr以外のHI,HCl,H2,H2O,NH3などの水素を含有するガスでも、同様の傾向を示し、前記水素を含有するガスを、Ar、He、N2で希釈して添加されたガス、または、予め、前述のガスにより希釈されたガスであっても同様である。希釈されたガスの場合には、希釈前の水素を含有するガスの量を添加量として考慮する。
図3(c)を参照すると、HBr添加流量に応じて、マスク選択比が徐々に減少していく。混合ガスに対して、HBr添加流量が約5%から約16%の範囲では、充分に高いマスク選択比を示している。
HBr添加流量に対するマスク選択比である対マスク選択依存性は、HBr以外の、HI,HCl,H2,H2O,NH3などの水素を含有するガスでも、前記水素を含有するガスを、Ar、He、N2で希釈して添加されたガス、または、予め、前述のガスにより希釈されたガスであっても同様である。
上述したように、図3よりHBrの添加比率が5%以下の場合には、Si側壁荒れ抑制に効果が得られないことが判った。これは、側壁保護効果のあるデポ性反応性生物の供給が不足している状況にあると考えられる。また、添加量が16%以上の場合には、側壁保護効果が得られるはずの反応性生物の生成が過剰となり、深さ方向へのエッチングを阻害する現象が見られた。その結果、徐々にSiのレート低下が見られると同時に対マスク選択比の低下が伴った。また、深さ方向へのレート低下により、Br系のエッチャントも余剰となり、保護されていたはずの側壁への反応が再び始まる為、Si側壁荒れが進行した。これらの結果より、HBrの添加比率は5%〜16%程度が適正であると言える。
102 被処理基板
103 試料台
104 ガス導入手段
105 透過窓
106 整合器
107 導波管
108 マイクロ波導入窓
109 ソレノイドコイル
110 静電吸着電源
111 チラーユニット
112 冷却ガス供給口
113 高周波電源
114 絶縁カバー
201 マスク材
202 被処理基板
203 トレンチ開口部
204 トレンチ側壁の面荒れ層
Claims (10)
- SF6とO2からなる混合ガス、または、SF6、O2とSiF4からなる混合ガスに、その混合された総ガス流量の5%〜16%の範囲で水素を含有するガスを添加した混合ガスにより生成したプラズマでシリコン基板、または、シリコン酸化物誘電体層を含むシリコン基板にトレンチ(溝または穴)を形成することを特徴とする形成するエッチング方法。
- 請求項1に記載のエッチング方法において、
前記水素を含有するガスは、HBr,HI,HCl,H2,H2O,NH3であることを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1に記載のエッチング方法において、
前記水素を含有するガスは、HBr,HI,HCl,H2,H2O,NH3であり、これらのガスを、Ar、He、N2で希釈して添加されたガス、または、予め、前述のガスにより希釈されたガスであることを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1に記載のエッチング方法において、
前記水素を含有するガスは、炭素やフッ素を含まないことを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1に記載のエッチング方法において、前記シリコン基板、または、シリコン酸化物誘電体層を含むシリコン基板が設置される試料台の温度が0℃以下に制御されていることを特徴とするエッチング方法。
- SF6とO2からなる混合ガス、または、SF6、O2とSiF4からなる混合ガスに、その混合された総ガス流量の5%〜16%の範囲で水素を含有するガスを添加した混合ガスを供給するガス供給部及びシリコン基板、または、シリコン酸化物誘電体層を含むシリコン基板を設置する試料台を備え、
前記混合ガスにより生成したプラズマでシリコン基板、または、シリコン酸化物誘電体層を含むシリコン基板にトレンチ(溝または穴)を形成することを特徴とするエッチング装置。 - 請求項6に記載のエッチング装置において、
前記水素を含有するガスは、HBr,HI,HCl,H2,H2O,NH3であることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項6に記載のエッチング装置において、
前記水素を含有するガスは、HBr,HI,HCl,H2,H2O,NH3であり、これらのガスを、Ar、He、N2で希釈して添加されたガス、または、予め、前述のガスにより希釈されたガスであることを特徴とするエッチング装置。 - 請求項6に記載のエッチング装置において、
前記水素を含有するガスは、炭素やフッ素を含まないことを特徴とするエッチング装置。 - 請求項6に記載のエッチング装置において、
前記試料台の温度が0℃以下に制御されていることを特徴とするエッチング装置。
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