JP2014150149A - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁体膜12上に設けられたSi基板13のエッチング方法であって、SF6ガスとO2ガスとSiF4ガスとを含む第1のエッチングガスでSi基板13をエッチングすることにより、Si基板13に中心部分が絶縁体膜12に達するまで孔14を形成する第1エッチング工程と、形成された孔14の内部に保護膜形成する保護膜形成工程、及びFを含む第2のエッチングガスで保護膜16が形成された孔14をエッチングすることにより前記中心部分の周辺部分をエッチングする第2エッチング工程を交互に繰り返すサイクルエッチング工程と、を有し、第1エッチング工程において、ラジカルの発光量をモニタリングし、このモニタリングしているラジカルの発光量が増加した時に第1エッチング工程におけるエッチングを終了させる。
【選択図】図3
Description
図5に示すドライエッチング装置20を用い、厚さ1μmのSiO2からなる絶縁体膜12と厚さ150μmで直径200mmのシリコンウエハー(Si基板13)が積層された複合体のSi基板13側の表面に、フォトリソグフラフィー法によりパターニングされたレジスト膜15を設けた基板Wに対して、下記に示す条件で、第1エッチング工程を行った。そして、この第1エッチング工程において、Fラジカルの発光量(発光強度)を下記条件でモニタリングし、Fラジカルの発光量が5%増加した時に、ガス流量制御手段36において第1のエッチングガスの流量をゼロにした。なお、第1のエッチングガスの流量をゼロにしても、反応室21内に残存する第1のエッチングガスが反応するため、第1のエッチングガスの流量をゼロすると同時にエッチング反応が終了するわけではない。実施例1においては、エッチング開始から420秒後に、Fラジカルの発光量が5%増加したため第1のエッチングガスの流量をゼロにしたところ、エッチング反応が終了したのは、エッチング開始から422秒後であった。Fラジカルの発光量をモニタリングした結果を図6に示す。ピークの解析に関しては、図4と同じであるので、説明しない。
エッチングガス・・・SF6(275sccm)、O2(40sccm)、SiF4(50sccm)
エッチングガス圧力・・・15Pa
キャリアガス・・・He
キャリアガス圧力・・・1500Pa
アンテナパワー(第1高周波電源31)・・・1000W
バイアスパワー(第2高周波電源34)・・・25W
エッチングレート・・・15μm/分
開口率・・・2%
発光モニター型式・・・SD1024F/Verity(Verity社製)
Fラジカル測定波長(発光波長)・・・712.8nm
保護膜形成ガス・・・C4F8(30sccm)、Ar(30sccm)
保護膜形成ガス圧力・・・15Pa
アンテナパワー(第1高周波電源31)・・・1000W
バイアスパワー(第2高周波電源34)・・・0W
時間・・・10秒
エッチングガス・・・SF6(215sccm)、O2(40sccm)、SiF4(80sccm)
エッチングガス圧力・・・15Pa
キャリアガス・・・He
キャリアガス圧力・・・1500Pa
アンテナパワー(第1高周波電源31)・・・1000W
バイアスパワー(第2高周波電源34)・・・35W
エッチング時間・・・10秒
エッチングレート・・・3μm/分
3 基板 4 深孔
5 レジスト膜 6 ノッチ
12 絶縁体膜 13 Si基板
14 孔 15 レジスト膜
16 保護膜 20 ドライエッチング装置
21 反応室 22 ロード/アンロード室
23 真空ポンプ 24 シャワープレート
25 円筒状側壁 26 プラズマ発生室
27a、27b、27c 磁場コイル 28 アンテナコイル
30、33 マッチングボックス 31 第1高周波電源
32 基板電極 34 第2高周波電源
35 天板 36 ガス流量制御手段
37 ガス源 38 チラー 41 ラジカル発光量測定器 42 制御手段
Claims (3)
- 絶縁体膜上に設けられたSi基板のエッチング方法であって、
SF6ガスとO2ガスとSiF4ガスとを含む第1のエッチングガスを分解して発生させたプラズマ中のラジカルでSi基板をエッチングすることにより、Si基板に、中心部分が前記絶縁体膜に達するまで孔を形成する第1エッチング工程と、
形成された孔の内部に保護膜形成ガスにより保護膜を形成する保護膜形成工程、及びFを含む第2のエッチングガスを分解して発生させたプラズマ中のラジカルで前記保護膜が形成された孔をエッチングすることにより前記中心部分の周辺部分をエッチングする第2エッチング工程を交互に繰り返すサイクルエッチング工程と、を有し、
前記第1エッチング工程において、第1のエッチングガスを分解して発生させたプラズマ中の少なくとも一種のラジカルの発光量をモニタリングし、このモニタリングしているラジカルの発光量が増加した時に前記第1エッチング工程におけるエッチングを終了させることを特徴とするエッチング方法。 - 前記第1エッチング工程においてモニタリングするラジカルが、Fラジカル、酸素ラジカル、ケイ素ラジカル及び硫黄ラジカルから選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載するエッチング方法。
- 請求項1又は2に記載するラジカルエッチング方法を行うエッチング装置であって、
Si基板が載置される反応室と、
前記第1のエッチングガスを前記反応室に供給する第1のエッチングガス供給手段と、
前記保護膜形成ガスを前記反応室に供給する保護膜形成ガス供給手段と、
前記第2のエッチングガスを前記反応室に供給する第2のエッチングガス供給手段と、
前記第1のエッチングガス及び第2のエッチングガスを分解してプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記第1エッチング工程においてラジカルの発光量をモニタリングするラジカルモニタリング手段と、を備えることを特徴とするエッチング装置。
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