JP4512529B2 - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
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Description
処理チャンバ内の基台上に載置されたシリコン基板をエッチングする方法であって、
前記処理チャンバ内にエッチングガスを供給してプラズマ化するとともに、前記基台にバイアス電位を与えて前記シリコン基板をエッチングするエッチング処理と、前記処理チャンバ内に保護膜形成ガスを供給してプラズマ化し、前記シリコン基板に保護膜を形成する保護膜形成処理とを交互に繰り返して実行する交番的エッチング工程と、
前記処理チャンバ内に保護膜除去ガスを供給してプラズマ化し、前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、
前記処理チャンバ内にエッチングガス及び保護膜形成ガスを供給してプラズマ化するとともに、前記基台にバイアス電位を与えて前記シリコン基板をエッチングする非交番的エッチング工程とを含み、
前記交番的エッチング工程,保護膜除去工程及び非交番的エッチング工程をそれぞれ1回以上順次実行するようにしたことを特徴とするエッチング方法に係る。
閉塞空間を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバ内の下部側に配設され、シリコン基板が載置される基台と、
前記基台に高周波電力を印加する基台電力供給手段と、
前記処理チャンバ内にエッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスを供給するとともに、該エッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスの供給流量をそれぞれ調整可能に構成されたガス供給手段と、
前記処理チャンバの外部近傍に配設されたコイルと、
前記コイルに高周波電力を印加して前記処理チャンバ内のエッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスをプラズマ化するコイル電力供給手段と、
前記基台電力供給手段,コイル電力供給手段及びガス供給手段を制御する制御手段とを備えたエッチング装置であって、
前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して前記処理チャンバ内に供給される前記エッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスの供給流量を調整することにより、前記エッチングガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板をエッチングするエッチング処理と、前記保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板に保護膜を形成する保護膜形成処理とを交互に繰り返して実行する交番的エッチング工程、前記保護膜除去ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記保護膜を除去する保護膜除去工程、並びに、前記エッチングガス及び保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板をエッチングする非交番的エッチング工程を実行するとともに、少なくとも前記交番的エッチング工程のエッチング処理及び非交番的エッチング工程の実行時に、前記基台電力供給手段によって前記基台に高周波電力を印加するように構成され、
更に、前記交番的エッチング工程,保護膜除去工程及び非交番的エッチング工程をそれぞれ1回以上順次実行するように構成される。
実施例1として、交番的エッチング工程Aのエッチング処理eのとき、その処理時間を9秒と、コイル31に印加する高周波電力を2.5kWと、基台12に印加する高周波電力を40Wと、SF6ガスの供給流量を450ml/minとし、交番的エッチング工程Aの保護膜形成処理dのとき、その処理時間を3秒と、コイル31に印加する高周波電力を2kWと、基台12に印加する高周波電力を0Wと、C4F8ガスの供給流量を200ml/minとして当該交番的エッチング工程Aの処理時間を10分とし、保護膜除去工程Bのとき、その処理時間を1分と、コイル31に印加する高周波電力を2.8kWと、基台12に印加する高周波電力を40Wと、O2ガスの供給流量を100ml/minとし、非交番的エッチング工程Cのとき、その処理時間を5分と、コイル31に印加する高周波電力を2.5kWと、基台12に印加する高周波電力を10Wと、SF6ガスの供給流量を600ml/minと、C4F8ガスの供給流量を75ml/minとした条件で、交番的エッチング工程A,保護膜除去工程B及び非交番的エッチング工程Cを順次行うようにして、マスク開口幅が100μmのシリコン基板Kに深さが200μmの溝や穴Tを形成したところ、傾斜角θが85°と、エッチング速度が15μm/minと、マスク選択比が85以上となり、図7に示すような断面形状が得られた。
参考例1として、交番的エッチング工程Aのエッチング処理eのとき、その処理時間を6秒と、コイル31に印加する高周波電力を2.2kWと、基台12に印加する高周波電力を35Wと、SF6ガスの供給流量を450ml/minとし、交番的エッチング工程Aの保護膜形成処理dのとき、その処理時間を3秒と、コイル31に印加する高周波電力を1.8kWと、基台12に印加する高周波電力を20Wと、C4F8ガスの供給流量を200ml/minとして当該交番的エッチング工程Aの処理時間を20分とし、非交番的エッチング工程Cのとき、その処理時間を25分と、コイル31に印加する高周波電力を1kWと、基台12に印加する高周波電力を30Wと、SF6ガスの供給流量を100ml/minと、C4F8ガスの供給流量を130ml/minと、O2ガスの供給流量を100ml/minとした条件で、交番的エッチング工程A及び非交番的エッチング工程Cを順次行うようにして、マスク開口幅が30μmのシリコン基板Kに深さが230μmの溝や穴Tを形成したところ、傾斜角θが85°と、エッチング速度が5μm/minと、マスク選択比が60以上となり、図8に示すような断面形状が得られた。
実施例2として、第1非交番的エッチング工程Dのとき、その処理時間を3分と、コイル31に印加する高周波電力を1kWと、基台12に印加する高周波電力を30Wと、SF6ガスの供給流量を100ml/minと、C4F8ガスの供給流量を130ml/minと、O2ガスの供給流量を100ml/minとし、交番的エッチング工程Eのエッチング処理eのとき、その処理時間を6秒と、コイル31に印加する高周波電力を2.2kWと、基台12に印加する高周波電力を35Wと、SF6ガスの供給流量を450ml/minとし、交番的エッチング工程Eの保護膜形成処理dのとき、その処理時間を3秒と、コイル31に印加する高周波電力を1.8kWと、基台12に印加する高周波電力を0Wと、C4F8ガスの供給流量を200ml/minとして当該交番的エッチング工程Eの処理時間を18分とし、第2非交番的エッチング工程Gのとき、その処理時間を18分と、コイル31に印加する高周波電力を1kWと、基台12に印加する高周波電力を30Wと、SF6ガスの供給流量を100ml/minと、C4F8ガスの供給流量を130ml/minと、O2ガスの供給流量を100ml/minとした条件で、第1非交番的エッチング工程E,交番的エッチング工程F及び第2非交番的エッチング工程Gを順次行うようにして、マスク開口幅が30μmのシリコン基板Kに深さが200μmの溝や穴Tを形成したところ、傾斜角θが85°と、エッチング速度が5μm/minと、マスク選択比が60以上となり、図9に示すような断面形状が得られた。
11 処理チャンバ
11a プラズマ生成室
11b 反応室
12 基台
13 第1高周波電源
14 減圧装置
20 ガス供給装置
22,23,24 ガスボンベ
25,26,27 流量調整機構
30 プラズマ生成装置
31 コイル
32 第2高周波電源
40 制御装置
41 流量制御部
42 基台電力制御部
43 コイル電力制御部
K シリコン基板
Claims (18)
- 処理チャンバ内の基台上に載置されたシリコン基板をエッチングする方法であって、
前記処理チャンバ内にエッチングガスを供給してプラズマ化するとともに、前記基台にバイアス電位を与えて前記シリコン基板をエッチングするエッチング処理と、前記処理チャンバ内に保護膜形成ガスを供給してプラズマ化し、前記シリコン基板に保護膜を形成する保護膜形成処理とを交互に繰り返して実行する交番的エッチング工程と、
前記処理チャンバ内に保護膜除去ガスを供給してプラズマ化し、前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、
前記処理チャンバ内にエッチングガス及び保護膜形成ガスを供給してプラズマ化するとともに、前記基台にバイアス電位を与えて前記シリコン基板をエッチングする非交番的エッチング工程とを含み、
前記交番的エッチング工程,保護膜除去工程及び非交番的エッチング工程をそれぞれ1回以上順次実行するようにしたことを特徴とするエッチング方法。 - 前記非交番的エッチング工程では、前記エッチングガス及び保護膜形成ガスに加えて保護膜除去ガスを前記処理チャンバ内に供給し、該エッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスをプラズマ化するようにしたことを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。
- 前記非交番的エッチング工程では、前記処理チャンバ内に供給する前記エッチングガスの流量を前記保護膜形成ガスの流量よりも多くしたことを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。
- 前記非交番的エッチング工程では、前記処理チャンバ内に供給する前記エッチングガス及び保護膜除去ガスの合計流量を前記保護膜形成ガスの流量よりも多くしたことを特徴とする請求項2記載のエッチング方法。
- 処理チャンバ内の基台上に載置されたシリコン基板をエッチングする方法であって、
前記処理チャンバ内にエッチングガス及び保護膜形成ガスを供給してプラズマ化するとともに、前記基台にバイアス電位を与えて前記シリコン基板をエッチングする第1非交番的エッチング工程と、
前記処理チャンバ内にエッチングガスを供給してプラズマ化するとともに、前記基台にバイアス電位を与えて前記シリコン基板をエッチングするエッチング処理と、前記処理チャンバ内に保護膜形成ガスを供給してプラズマ化し、前記シリコン基板に保護膜を形成する保護膜形成処理とを交互に繰り返して実行する交番的エッチング工程と、
前記処理チャンバ内にエッチングガス及び保護膜形成ガスを供給してプラズマ化するとともに、前記基台にバイアス電位を与えて前記シリコン基板をエッチングする第2非交番的エッチング工程とを含み、
前記第1非交番的エッチング工程,交番的エッチング工程及び第2非交番的エッチング工程をそれぞれ1回以上順次実行するようにしたことを特徴とするエッチング方法。 - 前記交番的エッチング工程から第2非交番的エッチング工程に移行する際に、前記処理チャンバ内に保護膜除去ガスを供給してプラズマ化し、前記保護膜を除去する保護膜除去工程を行うようにしたことを特徴とする請求項5記載のエッチング方法。
- 前記第1非交番的エッチング工程及び/又は第2非交番的エッチング工程では、前記エッチングガス及び保護膜形成ガスに加えて保護膜除去ガスを前記処理チャンバ内に供給し、該エッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスをプラズマ化するようにしたことを特徴とする請求項5又は6記載のエッチング方法。
- 前記第1非交番的エッチング工程及び/又は第2非交番的エッチング工程では、前記処理チャンバ内に供給する前記エッチングガスの流量を前記保護膜形成ガスの流量よりも多くしたことを特徴とする請求項5又は6記載のエッチング方法。
- 前記第1非交番的エッチング工程及び/又は第2非交番的エッチング工程では、前記処理チャンバ内に供給する前記エッチングガス及び保護膜除去ガスの合計流量を前記保護膜形成ガスの流量よりも多くしたことを特徴とする請求項7記載のエッチング方法。
- 閉塞空間を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバ内の下部側に配設され、シリコン基板が載置される基台と、
前記基台に高周波電力を印加する基台電力供給手段と、
前記処理チャンバ内にエッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスを供給するとともに、該エッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスの供給流量をそれぞれ調整可能に構成されたガス供給手段と、
前記処理チャンバの外部近傍に配設されたコイルと、
前記コイルに高周波電力を印加して前記処理チャンバ内のエッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスをプラズマ化するコイル電力供給手段と、
前記基台電力供給手段,コイル電力供給手段及びガス供給手段を制御する制御手段とを備えたエッチング装置であって、
前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して前記処理チャンバ内に供給される前記エッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスの供給流量を調整することにより、前記エッチングガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板をエッチングするエッチング処理と、前記保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板に保護膜を形成する保護膜形成処理とを交互に繰り返して実行する交番的エッチング工程、前記保護膜除去ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記保護膜を除去する保護膜除去工程、並びに、前記エッチングガス及び保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板をエッチングする非交番的エッチング工程を実行するとともに、少なくとも前記交番的エッチング工程のエッチング処理及び非交番的エッチング工程の実行時に、前記基台電力供給手段によって前記基台に高周波電力を印加するように構成され、
更に、前記交番的エッチング工程,保護膜除去工程及び非交番的エッチング工程をそれぞれ1回以上順次実行するように構成されてなることを特徴とするエッチング装置。 - 前記制御手段は、前記非交番的エッチング工程の実行時に、前記ガス供給手段による流量制御の下、前記エッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスを前記処理チャンバ内に供給するように構成されてなることを特徴とする請求項10記載のエッチング装置。
- 前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して、前記非交番的エッチング工程の実行時に前記処理チャンバ内に供給される前記エッチングガスの流量を前記保護膜形成ガスの流量よりも多くするように構成されてなることを特徴とする請求項10記載のエッチング装置。
- 前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して、前記非交番的エッチング工程の実行時に前記処理チャンバ内に供給される前記エッチングガス及び保護膜除去ガスの合計流量を前記保護膜形成ガスの流量よりも多くするように構成されてなることを特徴とする請求項11記載のエッチング装置。
- 閉塞空間を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバ内の下部側に配設され、シリコン基板が載置される基台と、
前記基台に高周波電力を印加する基台電力供給手段と、
前記処理チャンバ内にエッチングガス及び保護膜形成ガスを供給するとともに、該エッチングガス及び保護膜形成ガスの供給流量をそれぞれ調整可能に構成されたガス供給手段と、
前記処理チャンバの外部近傍に配設されたコイルと、
前記コイルに高周波電力を印加して前記処理チャンバ内のエッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化するコイル電力供給手段と、
前記基台電力供給手段,コイル電力供給手段及びガス供給手段を制御する制御手段とを備えたエッチング装置であって、
前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して前記処理チャンバ内に供給される前記エッチングガス及び保護膜形成ガスの供給流量を調整することにより、前記エッチングガス及び保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板をエッチングする第1非交番的エッチング工程、前記エッチングガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板をエッチングするエッチング処理と、前記保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板に保護膜を形成する保護膜形成処理とを交互に繰り返して実行する交番的エッチング工程、並びに、前記エッチングガス及び保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記シリコン基板をエッチングする第2非交番的エッチング工程を実行するとともに、少なくとも前記第1非交番的エッチング工程,交番的エッチング工程のエッチング処理及び第2非交番的エッチング工程の実行時に、前記基台電力供給手段によって前記基台に高周波電力を印加するように構成され、
更に、前記第1非交番的エッチング工程,交番的エッチング工程及び第2非交番的エッチング工程をそれぞれ1回以上順次実行するように構成されてなることを特徴とするエッチング装置。 - 前記ガス供給手段は、前記エッチングガス及び保護膜形成ガスに加えて保護膜除去ガスを前記処理チャンバ内に供給するとともに、該保護膜除去ガスの供給流量を調整可能に構成され、
前記コイル電力供給手段は、前記コイルに高周波電力を印加して前記処理チャンバ内の前記エッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスをプラズマ化するように構成され、
前記制御手段は、前記交番的エッチング工程から第2非交番的エッチング工程に移行する際に、前記ガス供給手段による流量制御の下、前記保護膜除去ガスを前記処理チャンバ内に供給して前記保護膜を除去する保護膜除去工程を実行するように構成されてなることを特徴とする請求項14記載のエッチング装置。 - 前記ガス供給手段は、前記エッチングガス及び保護膜形成ガスに加えて保護膜除去ガスを前記処理チャンバ内に供給するとともに、該保護膜除去ガスの供給流量を調整可能に構成され、
前記コイル電力供給手段は、前記コイルに高周波電力を印加して前記処理チャンバ内の前記エッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスをプラズマ化するように構成され、
前記制御手段は、前記第1非交番的エッチング工程及び/又は第2非交番的エッチング工程の実行時に、前記ガス供給手段による流量制御の下、前記エッチングガス,保護膜形成ガス及び保護膜除去ガスを前記処理チャンバ内に供給するように構成されてなることを特徴とする請求項14又は15記載のエッチング装置。 - 前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して、前記第1非交番的エッチング工程及び/又は第2非交番的エッチング工程の実行時に前記処理チャンバ内に供給される前記エッチングガスの流量を前記保護膜形成ガスの流量よりも多くするように構成されてなることを特徴とする請求項14又は15記載のエッチング装置。
- 前記制御手段は、前記ガス供給手段を制御して、前記第1非交番的エッチング工程及び/又は第2非交番的エッチング工程の実行時に前記処理チャンバ内に供給される前記エッチングガス及び保護膜除去ガスの合計流量を前記保護膜形成ガスの流量よりも多くするように構成されてなることを特徴とする請求項16記載のエッチング装置。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
US11524384B2 (en) | 2017-08-07 | 2022-12-13 | Applied Materials, Inc. | Abrasive delivery polishing pads and manufacturing methods thereof |
US11685014B2 (en) | 2018-09-04 | 2023-06-27 | Applied Materials, Inc. | Formulations for advanced polishing pads |
US11724362B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US11772229B2 (en) | 2016-01-19 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
US11958162B2 (en) | 2014-10-17 | 2024-04-16 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US11964359B2 (en) | 2015-10-30 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
US11986922B2 (en) | 2015-11-06 | 2024-05-21 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US12023853B2 (en) | 2014-10-17 | 2024-07-02 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5135271B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2013-02-06 | Sppテクノロジーズ株式会社 | エッチング方法 |
JPWO2011001778A1 (ja) * | 2009-07-01 | 2012-12-13 | 大陽日酸株式会社 | シリコン構造体の製造方法及びその製造装置並びにその製造プログラム |
JP2013084695A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP6320282B2 (ja) * | 2014-12-05 | 2018-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124194A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング加工構造及びエッチング方法 |
JP2004296474A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | シリコン基板のエッチング方法及びエッチング装置 |
JP2004304029A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
WO2004112119A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | シリコンエッチング方法及び装置並びにエッチングシリコン体 |
JP2005515631A (ja) * | 2002-01-03 | 2005-05-26 | アルカテル | シリコンに高アスペクト比の異方性エッチングを行う方法および機器 |
-
2005
- 2005-07-15 JP JP2005206506A patent/JP4512529B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124194A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング加工構造及びエッチング方法 |
JP2005515631A (ja) * | 2002-01-03 | 2005-05-26 | アルカテル | シリコンに高アスペクト比の異方性エッチングを行う方法および機器 |
JP2004296474A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | シリコン基板のエッチング方法及びエッチング装置 |
JP2004304029A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
WO2004112119A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | シリコンエッチング方法及び装置並びにエッチングシリコン体 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11724362B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US11958162B2 (en) | 2014-10-17 | 2024-04-16 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US12023853B2 (en) | 2014-10-17 | 2024-07-02 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
US11964359B2 (en) | 2015-10-30 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
US11986922B2 (en) | 2015-11-06 | 2024-05-21 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US11772229B2 (en) | 2016-01-19 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
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