JP6334296B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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- 被エッチング膜のエッチングを促進させるガスである第一のガスと前記被エッチング膜の側壁に反応層を形成させるガスである第二のガスを用いて前記被エッチング膜を処理室にてプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記第一のガスの流量が所定の流量であるとともに前記第二のガスの流量が第一の流量である第一の期間と、前記第一のガスの流量が前記所定の流量であるとともに前記第二のガスの流量が第二の流量である第二の期間と、を前記被エッチング膜のエッチングの期間、周期的に繰り返し、
前記第二の流量は、前記第一の流量より少なく、
前記第一の流量と前記第二の流量を繰り返す周期に対する前記第一の流量の期間の比と、前記第一の流量と、の積を前記第二のガスの平均流量とするとき、前記第一のガスの流量と前記第二のガスの平均流量との和に対する前記第二のガスの平均流量の比を20%以下とすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の流量は、0であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記和に対する第二のガスの平均流量の比を5%以上とすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記反応層の厚さが1ないし3nmの範囲の厚さとなるように前記第一の流量と前記第一の期間を調整することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項3に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の流量に対する前記第二の流量の比を5%以下とすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項5に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の期間と前記第二の期間を繰り返す周期を10秒以下とすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のガスは、塩素ガスまたは六フッ化硫黄ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二のガスは、炭素含有ガスまたはシリコン含有ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 被エッチング膜のエッチングを促進させるガスである第一のガスと前記被エッチング膜の側壁に反応層を形成させるガスである第二のガスを用いて前記被エッチング膜を処理室にてプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記第二のガスは、複数のガスの混合ガスであり、
流量を変化させずに前記第一のガスを前記処理室へ連続的に供給するとともに前記第二のガスを前記処理室へ流量をパルス変調させながら供給し、
前記複数のガスの各々における流量のパルス変調の位相を全て同位相とする、または少なくとも一つのガスの流量におけるパルス変調の位相を前記一つのガス以外のガスの流量におけるパルス変調の位相に対して逆位相とすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 被エッチング膜のエッチングを促進させるガスである第一のガスと前記被エッチング膜の側壁に反応層を形成させるガスである第二のガスを用いて前記被エッチング膜を処理室にてプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記第二のガスは、第三のガスと第四のガスを含み、
流量を変化させずに前記第一のガスを前記処理室へ連続的に供給するとともに前記第三のガスおよび前記第四のガスの各々を前記処理室へ流量をパルス変調させながら供給し、
前記第三のガスの供給におけるパルス変調の周期は、前記第四のガスの供給におけるパルス変調の周期より短く、
前記第三のガスのパルス変調された供給におけるオン期間は、前記第四のガスのパルス変調された供給におけるオン期間に含まれることを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014138229A JP6334296B2 (ja) | 2014-07-04 | 2014-07-04 | プラズマ処理方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2016018794A JP2016018794A (ja) | 2016-02-01 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP6334296B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10734238B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-08-04 | Lam Research Corporation | Atomic layer deposition and etch in a single plasma chamber for critical dimension control |
JP7220603B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2023-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19706682C2 (de) * | 1997-02-20 | 1999-01-14 | Bosch Gmbh Robert | Anisotropes fluorbasiertes Plasmaätzverfahren für Silizium |
JP2001168086A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
JP2003151960A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-23 | Toyota Motor Corp | トレンチエッチング方法 |
US20070202700A1 (en) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Applied Materials, Inc. | Etch methods to form anisotropic features for high aspect ratio applications |
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2014
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Publication number | Publication date |
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JP2016018794A (ja) | 2016-02-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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