JP5959275B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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前記制御手段は、HighとLowの2値を有するパルスにより前記高周波電力が変調される場合、プラズマ処理パラメータの設定値が記述されたレシピにより規定された前記Highの期間における高周波電力の設定値を前記高周波電源より出力させ、前記高周波電源より出力された出力値を維持するように前記高周波電源の出力をフィードバック制御することを特徴としている。
プラズマ処理パラメータの設定値が記述されたレシピにより規定された前記Highの期間における高周波電力をフィードバック制御により維持し、
前記フィードバック制御により維持されたHighの期間における高周波電力によって生成されたプラズマを用いて前記試料を処理することを特徴としている。
102 シャワープレート
103 誘電体窓
104 処理室
105 カバーリング
106 真空排気口
107 導波管
108 真空排気装置
109 電磁波発生用電源
110 磁場発生コイル
111 ウエハ載置用電極
112 ウエハ
113 マッチング回路
114 高周波電源
115 高周波フィルター回路
116 直流電源
117 ガス供給装置
301 マイクロ波電力曲線
302 マイクロ波電力曲線
303 マイクロ波電力曲線
501 被エッチング材料
502 マスク材料
601 マイクロ波電力曲線
602 マイクロ波電力曲線
603 マイクロ波電力曲線
701 マイクロ波電力曲線
1001 制御装置
1002 高周波電力検出器
1003 アナログ/ディジタル変換器
1004 記録媒体
1101 マイクロ波電圧曲線
1102 マイクロ波電力曲線
Claims (8)
- 試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成させるための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料が載置される試料台と、前記試料台に高周波バイアス電位を印加する高周波バイアス電源と、前記高周波電源と前記高周波バイアス電源とを制御する制御装置と、を備えるプラズマ処理装置において、
前記高周波電力を検出する高周波電力検出器をさらに備え、
前記制御装置は、HighとLowの2値を有するパルスにより前記高周波電力が変調される場合、プラズマ処理パラメータの設定値が記述されたレシピにより規定された前記Highの期間における高周波電力の設定値を前記高周波電源より出力させ、前記高周波電力検出器により検出された高周波電力の値を前記Highの期間における高周波電力の設定値と比較することによって前記高周波電源から出力された出力値を維持するように前記高周波電源を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波電力検出器により検出された高周波電力の値を2Hz以上かつ2MHz未満のサンプリング周波数でディジタル信号に変換するアナログ/ディジタル変換器をさらに備えること特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波電力検出器がショットキーダイオード型高周波電力検出器であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波電力がマイクロ波の電力であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
前記パルスの繰り返し周波数が1Hz以上かつ1MHz未満であること特徴とするプラズマ処理装置。 - HighとLowの2値を有するパルスにより変調され高周波電源から供給された高周波電力によって生成されたプラズマを用いて試料を処理するプラズマ処理方法において、
プラズマ処理パラメータの設定値が記述されたレシピにより規定された前記Highの期間における高周波電力の設定値を前記高周波電源から出力し、
前記高周波電源から出力された出力値を検出し、
前記検出された出力値を前記Highの期間における高周波電力の設定値と比較することによって前記高周波電源から出力された出力値を維持するように前記高周波電源を制御し、
前記制御された高周波電源から供給された高周波電力により生成されたプラズマを用いて前記試料を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項6に記載のプラズマ処理方法において、
前記高周波電力がマイクロ波の電力であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項6または請求項7に記載のプラズマ処理方法において、
前記パルスの繰り返し周波数が1Hz以上かつ1MHz未満であること特徴とするプラズマ処理方法。
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