JPH0697087A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0697087A JPH0697087A JP24763892A JP24763892A JPH0697087A JP H0697087 A JPH0697087 A JP H0697087A JP 24763892 A JP24763892 A JP 24763892A JP 24763892 A JP24763892 A JP 24763892A JP H0697087 A JPH0697087 A JP H0697087A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高周波もしくはマイクロ波電力と、磁場とを用
いてプラズマを発生させて処理する装置において、プラ
ズマの不安定領域を狭くし、かつ高密度で均一な処理を
得ること。 【構成】マイクロ波発生器１からのマイクロ波電力と、
コイル８からの磁場とにより、プラズマを効率良く発生
して試料９の処理を行う装置において、マイクロ波発生
器用電源１３によりマイクロ波電力を１０ミリ秒以下の
周期で、かつその最大電力と最小電力との比を４以下で
変化させる。 【効果】不安定領域が減少し、かつ均一で速い速度のプ
ラズマ処理が可能となる。
いてプラズマを発生させて処理する装置において、プラ
ズマの不安定領域を狭くし、かつ高密度で均一な処理を
得ること。 【構成】マイクロ波発生器１からのマイクロ波電力と、
コイル８からの磁場とにより、プラズマを効率良く発生
して試料９の処理を行う装置において、マイクロ波発生
器用電源１３によりマイクロ波電力を１０ミリ秒以下の
周期で、かつその最大電力と最小電力との比を４以下で
変化させる。 【効果】不安定領域が減少し、かつ均一で速い速度のプ
ラズマ処理が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子等の製造時
の各種膜の成膜やエッチング等に使用されるプラズマ処
理装置に関する。
の各種膜の成膜やエッチング等に使用されるプラズマ処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高集積化と試料の大口径化
に伴い、大面積の試料を微細加工する要求がますます増
大している。高周波ないしはマイクロ波と磁場とを用い
たプラズマ処理方法は、低ガス圧で高密度のプラズマを
生成でき、イオン流の指向性に優れ異方性処理が可能と
なる利点があり、半導体集積回路の製造への適用が進め
られている。
に伴い、大面積の試料を微細加工する要求がますます増
大している。高周波ないしはマイクロ波と磁場とを用い
たプラズマ処理方法は、低ガス圧で高密度のプラズマを
生成でき、イオン流の指向性に優れ異方性処理が可能と
なる利点があり、半導体集積回路の製造への適用が進め
られている。
【０００３】図１１はマスクロ波を用いた従来のプラズ
マ処理装置の縦断面模式図である。１はマイクロ波発生
器、２はマイクロ波導入手段、３は石英ベルジャ、４は
金属容器、５はガス導入手段、６はバルブ、７は排気手
段、８はコイル、９は試料、１０は試料台、１１は内部
電極、１２は交流発生器、１３はマイクロ波発生器用電
源である。
マ処理装置の縦断面模式図である。１はマイクロ波発生
器、２はマイクロ波導入手段、３は石英ベルジャ、４は
金属容器、５はガス導入手段、６はバルブ、７は排気手
段、８はコイル、９は試料、１０は試料台、１１は内部
電極、１２は交流発生器、１３はマイクロ波発生器用電
源である。
【０００４】石英ベルジャ３と金属容器４により気密容
器が構成され、ガス導入手段５、バルブ６及び排気手段
７とにより、所定のガスを所定の圧力に設定しながらガ
スを流す。マイクロ波発生器１から発生したマイクロ波
は、導波管等のマイクロ波導入手段２と石英ベルジャ３
を経由して気密容器内に入力される。コイル８の磁界と
マイクロ波との相互作用である電子サクイロトロン共鳴
（Electron CyclotronResonance，ＥＣＲと略す）現象
により、気密容器内のガスは効率よくプラズマ化され
る。プラズマ化されたイオン類は、試料台１０と内部電
極１１間に加えられた交流により引き寄せられ、試料面
に方向性よく印加される。なお、図１１の装置構成で、
従来はマイクロ波発生器１からは連続して一定のマイク
ロ波電力が出力されていた。
器が構成され、ガス導入手段５、バルブ６及び排気手段
７とにより、所定のガスを所定の圧力に設定しながらガ
スを流す。マイクロ波発生器１から発生したマイクロ波
は、導波管等のマイクロ波導入手段２と石英ベルジャ３
を経由して気密容器内に入力される。コイル８の磁界と
マイクロ波との相互作用である電子サクイロトロン共鳴
（Electron CyclotronResonance，ＥＣＲと略す）現象
により、気密容器内のガスは効率よくプラズマ化され
る。プラズマ化されたイオン類は、試料台１０と内部電
極１１間に加えられた交流により引き寄せられ、試料面
に方向性よく印加される。なお、図１１の装置構成で、
従来はマイクロ波発生器１からは連続して一定のマイク
ロ波電力が出力されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１１に例示した様な
高周波もしくはマイクロ波と、磁場とを用いてプラズマ
を発生する装置においては、図８に示す様に高周波もし
くはマイクロ波の電力を増大させてゆくと、ある点もし
くは領域でプラズマのモードが変化する現象が見られる
（J.Vac.Sci.Technol. B9,2,PP339-347(91)）。図８で
は縦軸をプラズマ密度にプロットしたものであり、プラ
ズマ密度のジャンプ現象がある。このプラズマモードが
変化する付近の領域は、一般にプラズマが不安定となる
傾向がある。高周波もしくはマイクロ波の入力電力が低
い方のモードを低密度モード、入力電力の高い方を高密
度モードと呼ぶと、低密度モード中の入力電力の高い領
域は、プラズマが均一であるが密度が低い性質が見られ
た。一方高密度モードは、均一性は悪いが密度は高い性
質が見られた。
高周波もしくはマイクロ波と、磁場とを用いてプラズマ
を発生する装置においては、図８に示す様に高周波もし
くはマイクロ波の電力を増大させてゆくと、ある点もし
くは領域でプラズマのモードが変化する現象が見られる
（J.Vac.Sci.Technol. B9,2,PP339-347(91)）。図８で
は縦軸をプラズマ密度にプロットしたものであり、プラ
ズマ密度のジャンプ現象がある。このプラズマモードが
変化する付近の領域は、一般にプラズマが不安定となる
傾向がある。高周波もしくはマイクロ波の入力電力が低
い方のモードを低密度モード、入力電力の高い方を高密
度モードと呼ぶと、低密度モード中の入力電力の高い領
域は、プラズマが均一であるが密度が低い性質が見られ
た。一方高密度モードは、均一性は悪いが密度は高い性
質が見られた。
【０００６】従って、高密度でかつ均一なプラズマを得
ることは、低密度モードを用いても高密度モードを用い
ても、満足させることが困難であった。この現象はＥＣ
Ｒ現象を用いた装置に限定されるものではなく、数百Ｋ
〜数百ＭＨｚの高周波と磁場とを用いた装置でも生じる
（応用物理61,7,PP711-717('92)）。
ることは、低密度モードを用いても高密度モードを用い
ても、満足させることが困難であった。この現象はＥＣ
Ｒ現象を用いた装置に限定されるものではなく、数百Ｋ
〜数百ＭＨｚの高周波と磁場とを用いた装置でも生じる
（応用物理61,7,PP711-717('92)）。
【０００７】また、不安定領域が広く存在するため、利
用できる条件が制限される欠点がある。図９に、図１１
に示す装置で現れる不安定領域の例を示す。縦軸はＥＣ
Ｒ共鳴を生じる部分の高さであり、コイル８の磁場の強
さにより変化する。
用できる条件が制限される欠点がある。図９に、図１１
に示す装置で現れる不安定領域の例を示す。縦軸はＥＣ
Ｒ共鳴を生じる部分の高さであり、コイル８の磁場の強
さにより変化する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記不安定領域を横切っ
て、マイクロ波／高周波の出力電力を所定の周期で変化
させる（図１０参照）ことにより、不安定領域が減少
し、また密度が高くかつ均一性の良いプラズマが得ら
れ、均一で速い処理速度のプラズマ処理が可能となっ
た。マイクロ波／高周波の出力電力を変化させる周期と
しては、１０ミリ秒より短く、１０マイクロ秒より長い
方が好ましく、マイクロ波／高周波の出力の変化は４倍
以下である方が好ましい。マイクロ波／高周波の変化の
周期が上記の範囲より長いと、２つのモードが独立して
生じるため、上記の効果は少なくなると考えられる。一
方、周期が上記の範囲より短いと時間平均した電力を印
加した場合に近づいてくるため、上記効果は得られな
い。これはプラズマにより発生するイオンやラジカルの
平均寿命が数十マイクロ秒から数ミリ秒のオーダーであ
ることによると考えられる。
て、マイクロ波／高周波の出力電力を所定の周期で変化
させる（図１０参照）ことにより、不安定領域が減少
し、また密度が高くかつ均一性の良いプラズマが得ら
れ、均一で速い処理速度のプラズマ処理が可能となっ
た。マイクロ波／高周波の出力電力を変化させる周期と
しては、１０ミリ秒より短く、１０マイクロ秒より長い
方が好ましく、マイクロ波／高周波の出力の変化は４倍
以下である方が好ましい。マイクロ波／高周波の変化の
周期が上記の範囲より長いと、２つのモードが独立して
生じるため、上記の効果は少なくなると考えられる。一
方、周期が上記の範囲より短いと時間平均した電力を印
加した場合に近づいてくるため、上記効果は得られな
い。これはプラズマにより発生するイオンやラジカルの
平均寿命が数十マイクロ秒から数ミリ秒のオーダーであ
ることによると考えられる。
【０００９】また、マイクロ波／高周波の出力は、不安
定領域をはさんで出力の大きい方と小さい方に変化させ
る。この時の出力の変化は４倍程度以下の比較的小さい
変化をさせる方が２つのモードの融合効果が生じ、密度
が高く均一な処理が可能であった。なお、この出力の変
化幅が大きくなりすぎると、パルス放電に近づき、電子
温度の上昇等が生じ、異方性良くプラズマ処理すること
が難しくなってくる。
定領域をはさんで出力の大きい方と小さい方に変化させ
る。この時の出力の変化は４倍程度以下の比較的小さい
変化をさせる方が２つのモードの融合効果が生じ、密度
が高く均一な処理が可能であった。なお、この出力の変
化幅が大きくなりすぎると、パルス放電に近づき、電子
温度の上昇等が生じ、異方性良くプラズマ処理すること
が難しくなってくる。
【００１０】
【作用】マイクロ波／高周波の出力を所定の周期で変化
させることにより、プラズマ密度を上げ、処理の均一性
を向上すると共に、不安定領域を狭くすることができる
させることにより、プラズマ密度を上げ、処理の均一性
を向上すると共に、不安定領域を狭くすることができる
【００１１】。
【実施例】図１にマイクロ波発生器１として磁電管を用
いて２.４５ＧＨｚのマイクロ波電力を周期的変化する
一実施例を示す。マイクロ波発生器用電源１３は、この
場合、フィラメント電源１３−１，高圧電源１３−２，
電流検出抵抗１３−３，電流制限抵抗１３−４及び１３
−５，電子スイッチ１３−６，パルス源１３−７，誤差
増幅回路１３−８からなる。高速−高耐圧のＭＯＳトラ
ンジスタ等で構成された電子スイッチ１３−６は、パル
ス源１３−７の信号によりオン／オフし、磁電管１の陽
極にながれる陽極電流ＩＡはパルス状に変化する。陽極
電流ＩＡの時間平均化した電流値は、誤差増幅回路１３
−８に入力され、設定信号１３−９との差の値により、
高圧電源１３−２の出力電圧が変化する。このようにし
て平均陽極電流は設定値信号１３−９により設定され、
陽極電流のパルスはパルス源１３−７の設定により変化
する。尚、その他の装置構成は、この場合、図１１と略
同様である。
いて２.４５ＧＨｚのマイクロ波電力を周期的変化する
一実施例を示す。マイクロ波発生器用電源１３は、この
場合、フィラメント電源１３−１，高圧電源１３−２，
電流検出抵抗１３−３，電流制限抵抗１３−４及び１３
−５，電子スイッチ１３−６，パルス源１３−７，誤差
増幅回路１３−８からなる。高速−高耐圧のＭＯＳトラ
ンジスタ等で構成された電子スイッチ１３−６は、パル
ス源１３−７の信号によりオン／オフし、磁電管１の陽
極にながれる陽極電流ＩＡはパルス状に変化する。陽極
電流ＩＡの時間平均化した電流値は、誤差増幅回路１３
−８に入力され、設定信号１３−９との差の値により、
高圧電源１３−２の出力電圧が変化する。このようにし
て平均陽極電流は設定値信号１３−９により設定され、
陽極電流のパルスはパルス源１３−７の設定により変化
する。尚、その他の装置構成は、この場合、図１１と略
同様である。
【００１２】磁電管のマイクロ波出力は、陽極電流にほ
ぼ比例しており、パルス的に変化するマイクロ波出力を
得ることができる。マイクロ波出力波形の例を図２〜図
５に示す。図２では低出力電力Ｐ1ｎと高出力電力Ｐ2ｎ
との比を一定にし、平均出力Ｐ0ｎを時間的に上昇して
いった時の波形を示す。比Ｐ2ｎ／Ｐ1ｎは、４以下の値
が好ましい。パルスの周期Ｔは、数十マイクロ秒〜１０
ミリ秒が好ましく、特に１００マイクロ秒から数ミリ秒
の間に最適点が存在した。尚、図２でＰ01＜Ｐ02＜Ｐ03
＜Ｐ04、また、Ｐ11＜Ｐ12＜Ｐ13＜Ｐ14である。
ぼ比例しており、パルス的に変化するマイクロ波出力を
得ることができる。マイクロ波出力波形の例を図２〜図
５に示す。図２では低出力電力Ｐ1ｎと高出力電力Ｐ2ｎ
との比を一定にし、平均出力Ｐ0ｎを時間的に上昇して
いった時の波形を示す。比Ｐ2ｎ／Ｐ1ｎは、４以下の値
が好ましい。パルスの周期Ｔは、数十マイクロ秒〜１０
ミリ秒が好ましく、特に１００マイクロ秒から数ミリ秒
の間に最適点が存在した。尚、図２でＰ01＜Ｐ02＜Ｐ03
＜Ｐ04、また、Ｐ11＜Ｐ12＜Ｐ13＜Ｐ14である。
【００１３】図３はパルスの周期Ｔ及び低出力電力値Ｐ
1と高出力電力値Ｐ2は一定にしてパルス幅ｔ1ｎを変化
させることにより、平均出力Ｐ0ｎを変化している。こ
の時は、図１の回路で誤差増幅器１３−８の出力は一定
鎖線で示した様に、パルス源１３−７に入力され、パル
スの幅を制御する。低出力電力値Ｐ1は、図９の低密度
モード領域に設定し、高出力電力値Ｐ2は図９の高密度
モード領域に設定する。但し、この方法では平均出力電
力の可変幅が狭くなる欠点がある。このため、図４に示
す様に安定な電力領域（Ｐ01，Ｐ02，Ｐ05，Ｐ06）では
パルス変調はせず、不安定もしくはその近くの電力領域
（Ｐ03，Ｐ04）においてのみ、図３のパルス幅制御を行
えば平均出力電力の可変幅は広くなり、プラズマの不安
定領域は減少して、均一でかつ高密度の処理が可能とな
った。比Ｐ2／Ｐ1及びパルス周期Ｔは、図２の場合とほ
ぼ同様であった。尚、図３でＰ01＜Ｐ02＜Ｐ03また、ｔ
11＜ｔ12＜ｔ13である。
1と高出力電力値Ｐ2は一定にしてパルス幅ｔ1ｎを変化
させることにより、平均出力Ｐ0ｎを変化している。こ
の時は、図１の回路で誤差増幅器１３−８の出力は一定
鎖線で示した様に、パルス源１３−７に入力され、パル
スの幅を制御する。低出力電力値Ｐ1は、図９の低密度
モード領域に設定し、高出力電力値Ｐ2は図９の高密度
モード領域に設定する。但し、この方法では平均出力電
力の可変幅が狭くなる欠点がある。このため、図４に示
す様に安定な電力領域（Ｐ01，Ｐ02，Ｐ05，Ｐ06）では
パルス変調はせず、不安定もしくはその近くの電力領域
（Ｐ03，Ｐ04）においてのみ、図３のパルス幅制御を行
えば平均出力電力の可変幅は広くなり、プラズマの不安
定領域は減少して、均一でかつ高密度の処理が可能とな
った。比Ｐ2／Ｐ1及びパルス周期Ｔは、図２の場合とほ
ぼ同様であった。尚、図３でＰ01＜Ｐ02＜Ｐ03また、ｔ
11＜ｔ12＜ｔ13である。
【００１４】図５は、図８に示した様なプラズマがヒス
テリシス特性をもつ場合の出力波形を示す。不安定とな
る領域ないしはその近くでは、正／負の幅（ｔ2）の狭
いパルスを重畳し、低密度モードと高密度モードを短い
周期Ｔ中で変化させることにより、同様な効果が得られ
る。周期Ｔは図２の場合と同様であり、比ｔ2／Ｔとし
ては１／１０程度以下が好ましい。図５に示した電力出
力は図１のＡ−Ｂ間を図６に示す様に、電子スイッチ１
３−２，電流制限抵抗１３−１１，及びパルス源１３−
１３を追加することにより得られる。
テリシス特性をもつ場合の出力波形を示す。不安定とな
る領域ないしはその近くでは、正／負の幅（ｔ2）の狭
いパルスを重畳し、低密度モードと高密度モードを短い
周期Ｔ中で変化させることにより、同様な効果が得られ
る。周期Ｔは図２の場合と同様であり、比ｔ2／Ｔとし
ては１／１０程度以下が好ましい。図５に示した電力出
力は図１のＡ−Ｂ間を図６に示す様に、電子スイッチ１
３−２，電流制限抵抗１３−１１，及びパルス源１３−
１３を追加することにより得られる。
【００１５】マイクロ波発生器１として、クライストロ
ン管の様に入力信号を増幅して出力する機構のものを使
用する場合には、図７に示す様に入力変調信号源１３−
１４と直流電源１３−１０とを入力し、所望の出力が得
られる様に入力変調信号源１３−１４から所定の信号を
入力してやれば良い。
ン管の様に入力信号を増幅して出力する機構のものを使
用する場合には、図７に示す様に入力変調信号源１３−
１４と直流電源１３−１０とを入力し、所望の出力が得
られる様に入力変調信号源１３−１４から所定の信号を
入力してやれば良い。
【００１６】これまではプラズマを発生させるパワー源
としてマイクロ波を用いる場合について述べたが、何ら
これに限定されるものでない。
としてマイクロ波を用いる場合について述べたが、何ら
これに限定されるものでない。
【００１７】前に述べた様に、磁場と数百Ｋ〜数百ＭＨ
ｚの高周波とを併用する装置においては、高周波出力を
図２〜図５の出力変化となる様制御してやれば、同様の
効果が得られる。
ｚの高周波とを併用する装置においては、高周波出力を
図２〜図５の出力変化となる様制御してやれば、同様の
効果が得られる。
【００１８】また、出力電力波形の例は図２〜図５に示
したが、何らこれに限定されるものではない。例えば、
正弦波状に出力電力波形が変化する場合も、同様な効果
が得られる。但し、その周期Ｔ，最大と最小の電力比Ｐ
2／Ｐ1は図１０で述べた範囲が好ましい。
したが、何らこれに限定されるものではない。例えば、
正弦波状に出力電力波形が変化する場合も、同様な効果
が得られる。但し、その周期Ｔ，最大と最小の電力比Ｐ
2／Ｐ1は図１０で述べた範囲が好ましい。
【００１９】
【発明の効果】マイクロ波や高周波の出力電力を所定の
周期で変化させることにより、不安定領域が減少し、ま
た密度が高く均一性の良いプラズマが得られ、均一で速
い処理速度のプラズマ処理が可能となった。
周期で変化させることにより、不安定領域が減少し、ま
た密度が高く均一性の良いプラズマが得られ、均一で速
い処理速度のプラズマ処理が可能となった。
【図１】本発明の一実施例を示す装置構成の説明図であ
る。
る。
【図２】不安定領域の説明図である。
【図３】不安定領域の説明図である。
【図４】本発明の高周波出力波形の説明図である。
【図５】本発明を実施するマイクロ波発生器とマイクロ
波発生用電源の説明図である。
波発生用電源の説明図である。
【図６】本発明のマイクロ波出力／高周波出力波形の説
明図である。
明図である。
【図７】本発明のマイクロ波出力／高周波出力波形の説
明図である。
明図である。
【図８】本発明のマイクロ波出力／高周波出力波形の説
明図である。
明図である。
【図９】本発明のマイクロ波出力／高周波出力波形の説
明図である。
明図である。
【図１０】本発明を実施するマイクロ波発生用電源内回
路の説明図である。
路の説明図である。
【図１１】本発明を実施するマイクロ波発生器とマイク
ロ波発生用電源の他の例の説明図である。
ロ波発生用電源の他の例の説明図である。
１…マイクロ波発生器，２…マイクロ波導入手段，３…
石英ベルジャ，４…金属容器，５…ガス導入手段，６…
バルブ，７…排気手段，８…コイル，９…試料，１０…
試料台，１１…内部電極，１２…交流発生器，１３…マ
イクロ波発生器用電源，１３−７及び１３−１３…パル
ス源，１３−４，１３−５及び１３−１１電流制限抵
抗，１３−６及び１３−１２…電子スイッチ，１３−３
…電流検出抵抗。
石英ベルジャ，４…金属容器，５…ガス導入手段，６…
バルブ，７…排気手段，８…コイル，９…試料，１０…
試料台，１１…内部電極，１２…交流発生器，１３…マ
イクロ波発生器用電源，１３−７及び１３−１３…パル
ス源，１３−４，１３−５及び１３−１１電流制限抵
抗，１３−６及び１３−１２…電子スイッチ，１３−３
…電流検出抵抗。
Claims (2)
- 【請求項１】低圧のガス又はガス状混合物を内部に蓄え
る気密容器と、該気密容器内にガスを導入する手段及び
該気密容器からガスを排出する手段と、高周波ないしは
マイクロ波を発生する高周波発生器と、該高周波発生器
と前記気密容器間に高周波ないしはマイクロ波電力を伝
達する高周波導入手段と、プラズマの発生効率を高める
ための磁場とを有し、前記気密容器内にプラズマを生成
させるよう構成されたプラズマ処理装置において、前記
高周波発生器の出力を所定の周期で変化させることを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】前記高周波発生器の出力の変化が４倍以下
で、かつ変化の周期が１０ミリ秒以下であることを特徴
とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24763892A JPH0697087A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24763892A JPH0697087A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697087A true JPH0697087A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17166480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24763892A Pending JPH0697087A (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697087A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007126742A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Applied Films Corp | マイクロ波線形放電源の電力機能ランピングのためのシステムおよび方法 |
| JP2013030521A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
| JP2013074091A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライエッチング方法および装置 |
| JP2013089933A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2013214583A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2015222820A (ja) * | 2015-07-02 | 2015-12-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2016076718A (ja) * | 2015-11-20 | 2016-05-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US9349603B2 (en) | 2011-07-27 | 2016-05-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing method |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24763892A patent/JPH0697087A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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