JP2013074091A - ドライエッチング方法および装置 - Google Patents
ドライエッチング方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013074091A JP2013074091A JP2011211896A JP2011211896A JP2013074091A JP 2013074091 A JP2013074091 A JP 2013074091A JP 2011211896 A JP2011211896 A JP 2011211896A JP 2011211896 A JP2011211896 A JP 2011211896A JP 2013074091 A JP2013074091 A JP 2013074091A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- plasma
- power
- microwave
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマを発生させるためのマイクロ波をパルス状にパルス変調し、オン時のマイクロ波電力値をカットオフ現象が生じる電力値より高く設定し、デューティー比を65%以下、好ましくは50%以下に変化させることにより、マイクロ波の平均電力を制御する。さらに、パルスのオフ時間が50μs以上になるようにパルスの繰り返し周波数を制御する。
【選択図】図4
Description
102 ウエハ
103 試料台
104 マイクロ波透過窓
105 導波管
106 マグネトロン
107 ソレノイドコイル
108 静電吸着電源
109 高周波電源
110 ウエハ搬入口
111 プラズマ
112 パルスジェネレータ
301 モードジャンプ現象(CW時)
501 ダミーウエハ処理
502 ロット処理
503 クリーニング
504 マイクロ波電力自動スキャン測定
505 モードジャンプ電力識別
506 自動レシピ生成
Claims (8)
- 内部を真空にして反応性ガスを導入できるチャンバと前記チャンバの中に放電プラズマを生成するためのプラズマ生成用電源と前記チャンバ内にウエハを設置する試料台とを備えた半導体素子のドライエッチング装置を用いたドライエッチング方法において、
前記プラズマ生成用電源の出力電力をパルス変調して、かつ、オン時のピーク電力を連続放電にてモードジャンプ領域より十分に高い電力値に設定して、パルス変調のデューティー比を変えることにより電力の時間平均値を制御するステップを備えていることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1記載のドライエッチング方法において、前記プラズマ発生用電源をマイクロ波領域の電磁波として、前記チャンバの外側に電磁コイルを設け、磁場とマイクロ波の相互作用によりプラズマを発生させることを特徴とするドライエッチング方法。
- 請求項2記載のドライエッチング方法において、被処理膜としてシリコン、マスク又は下地に酸化シリコンを有するウエハをエッチングするドライエッチングする際に、デューティー比を65%以下、かつ、オフの時間を50μs以上になるように制御されたエッチングステップを有することを特徴とするドライエッチング方法。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載のドライエッチング方法において、マイクロ波電力を自動的にスキャンしてその期間の発光強度あるいはバイアス電圧など装置パラメータを計測して、その変化率に応じて自動的にプラズマを発生させる電力をパルス変調することを特徴とするドライエッチング方法。
- 内部を真空にして反応性ガスを導入できるチャンバと前記チャンバの中に放電プラズマを生成するためのプラズマ生成用電源と前記チャンバ内にウエハを設置する試料台とを備えた半導体素子のドライエッチング装置において、
前記プラズマ生成用電源の出力電力をパルス変調して、かつ、オン時のピーク電力を連続放電にてモードジャンプ領域より十分に高い電力値に設定して、パルス変調のデューティー比を変えることにより電力の時間平均値を制御する手段を備えていることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項5記載のドライエッチング装置において、前記プラズマ発生用電源をマイクロ波領域の電磁波として、前記チャンバの外側に電磁コイルを設け、磁場とマイクロ波の相互作用によりプラズマを発生させる手段を備えていることを特徴とするドライエッチング装置。
- 請求項6記載のドライエッチング装置において、被処理膜としてシリコン、マスク又は下地に酸化シリコンを有するウエハをエッチングするドライエッチングする際に、デューティー比を65%以下、かつ、オフの時間を50μs以上になるように制御するエッチング手段を備えていることを特徴とするドライエッチング装置。
- 請求項5ないし7のいずれかに記載のドライエッチング装置において、マイクロ波電力を自動的にスキャンしてその期間の発光強度あるいはバイアス電圧など装置パラメータを計測して、その変化率に応じて自動的にプラズマを発生させる電力をパルス変調する手段を備えていることを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011211896A JP5774428B2 (ja) | 2011-09-28 | 2011-09-28 | ドライエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
TW103109036A TWI500066B (zh) | 2011-07-27 | 2011-12-26 | Plasma processing device |
TW100148609A TWI450308B (zh) | 2011-07-27 | 2011-12-26 | Plasma processing method |
TW105138674A TWI620227B (zh) | 2011-07-27 | 2011-12-26 | Plasma processing device and plasma etching method |
TW104120726A TWI581304B (zh) | 2011-07-27 | 2011-12-26 | Plasma etching apparatus and dry etching method |
KR1020120006752A KR101341534B1 (ko) | 2011-07-27 | 2012-01-20 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
US13/363,415 US8828254B2 (en) | 2011-07-27 | 2012-02-01 | Plasma processing method |
KR1020130032752A KR101858047B1 (ko) | 2011-07-27 | 2013-03-27 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
US14/452,578 US9349603B2 (en) | 2011-07-27 | 2014-08-06 | Plasma processing method |
US15/091,730 US10600619B2 (en) | 2011-07-27 | 2016-04-06 | Plasma processing apparatus |
US16/749,180 US11658011B2 (en) | 2011-07-27 | 2020-01-22 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011211896A JP5774428B2 (ja) | 2011-09-28 | 2011-09-28 | ドライエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013074091A true JP2013074091A (ja) | 2013-04-22 |
JP5774428B2 JP5774428B2 (ja) | 2015-09-09 |
Family
ID=48478336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011211896A Active JP5774428B2 (ja) | 2011-07-27 | 2011-09-28 | ドライエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5774428B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076459A (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
JP2017212220A (ja) * | 2017-08-07 | 2017-11-30 | 光洋サーモシステム株式会社 | マイクロ波監視装置、マイクロ波加熱装置、および、マイクロ波監視方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01214122A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Tel Sagami Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH0539578A (ja) * | 1991-08-07 | 1993-02-19 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH0697087A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH06267900A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-09-22 | Nec Corp | プラズマエッチング方法とその装置 |
-
2011
- 2011-09-28 JP JP2011211896A patent/JP5774428B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01214122A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Tel Sagami Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH0539578A (ja) * | 1991-08-07 | 1993-02-19 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH0697087A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH06267900A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-09-22 | Nec Corp | プラズマエッチング方法とその装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076459A (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
US11018014B2 (en) | 2013-10-08 | 2021-05-25 | Hitachi High-Tech Corporation | Dry etching method |
JP2017212220A (ja) * | 2017-08-07 | 2017-11-30 | 光洋サーモシステム株式会社 | マイクロ波監視装置、マイクロ波加熱装置、および、マイクロ波監視方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5774428B2 (ja) | 2015-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11658011B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
US10504697B2 (en) | Particle generation suppresor by DC bias modulation | |
JP6491888B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
CN105702572A (zh) | 等离子体蚀刻方法 | |
JP5774428B2 (ja) | ドライエッチング方法およびプラズマエッチング装置 | |
CN109075068B (zh) | 蚀刻方法 | |
JP2010219198A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6019203B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN113498546B (zh) | 等离子处理装置以及等离子处理方法 | |
JP5846851B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP5774933B2 (ja) | ドライエッチング方法およびプラズマエッチング装置 | |
KR102452098B1 (ko) | 플라스마 처리 방법 및 플라스마 처리 장치 | |
JP5974142B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2006069857A (ja) | プラズマエッチング方法及び装置、並びに得られる物品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150616 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150701 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5774428 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |