JP2013030521A - ドライエッチング方法およびプラズマエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マグネトロン106に取り付けられたパルスジェネレータ112により、プラズマ111をパルス状にオンオフ変調してオン時のピーク電力値を連続放電にて放電不安定が生じる値より大きな値にし、オンオフ変調のデューティー比をウエハ毎に変化させることによりマイクロ波の平均電力を制御し、また、プラズマ111のオフ時間が10ms以下になるようにパルスの繰り返し周波数を制御する。
【選択図】図1
Description
102 ウエハ
103 試料台
104 マイクロ波透過窓
105 導波管
106 マグネトロン
107 ソレノイドコイル
108 静電吸着電源
109 高周波電源
110 ウエハ搬入口
111 プラズマ
112 パルスジェネレータ
201 光ファイバー
202 受光部
203 CD演算部
204,206 データベース
205 レシピ演算部
207 エッチング制御用PC
301 マスク
302 polySi
303 酸化膜
304 Si基板
401 アース面
402 角部分
Claims (10)
- 内部にプラズマを生成する処理室と、前記プラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記処理室内に設けられウエハを載置する試料台とを備え、前記ウエハを前記プラズマによりエッチングするプラズマエッチング装置において、前記プラズマ生成手段は、前記プラズマを生成するための電力を供給する電源を具備し、前記電源の前記電力をオンオフ変調するとともにオン時のピーク電力を連続放電にてプラズマを発生させた場合にプラズマの不安定が生じない値に設定し、前記オンオフ変調のデューティー比を変えることにより前記電力の時間平均値を制御することを特徴とするプラズマエッチング装置。
- 請求項1記載のプラズマエッチング装置において、前記オンオフ変調は、オフ時間が10ms以下となる周波数でオンオフ変調されることを特徴とするプラズマエッチング装置。
- 請求項2記載のプラズマエッチング装置において、前記プラズマ生成手段は、前記処理室内に磁場を生成する磁場生成手段を具備し、前記電源は、マイクロ波を発振するマグネトロンであることを特徴とするプラズマエッチング装置。
- 内部にプラズマを生成する処理室と、前記プラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記処理室内に設けられウエハを載置する試料台とを備え、前記ウエハを前記プラズマによりエッチングするプラズマエッチング装置において、前記ウエハをエッチングする前記プラズマエッチング装置の装置状態をモニタするセンサを備え、前記プラズマ生成手段は、前記プラズマを生成するための電力をオンオフ変調しながら供給し、前記センサにより取得されたモニタ値と予め設定された目標値との差分を前記オンオフ変調のデューティー比をウエハ毎に制御しながら補正することを特徴とするプラズマエッチング装置。
- 内部にプラズマを生成する処理室と、前記プラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記処理室内に設けられウエハを載置する試料台とを備え、前記ウエハを前記プラズマによりエッチングするプラズマエッチング装置において、前記ウエハをエッチングする前記プラズマエッチング装置の装置状態をモニタするセンサと、前記センサにより取得されたモニタ値と予め設定された目標値との差分を演算する演算部と、前記演算部により算出された差分を補正するようにエッチングパラメータを制御する制御部とを備え、前記プラズマ生成手段は、前記プラズマを生成するための電力をオンオフ変調しながら供給し、前記制御部は、前記オンオフ変調のデューティー比をウエハ毎に制御しながら前記差分を補正することを特徴とするプラズマエッチング装置。
- 請求項1ないし請求項5記載のプラズマエッチング装置において、前記処理室の内壁の前記プラズマと接する部分に、直流電流が流れるアース面を形成し、前記処理室の内壁の前記プラズマと接する部分の角部分は、鋭利な凹凸を設けず曲面に形成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
- 内部にプラズマを生成する処理室と、前記プラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記処理室内に設けられウエハを載置する試料台とを備え、前記ウエハを前記プラズマによりエッチングするプラズマエッチング装置を用いたドライエッチング方法において、前記プラズマ生成手段は、前記プラズマを生成するための電力を供給する電源を具備しており、前記電源の前記電力をオンオフ変調するとともにオン時のピーク電力を連続放電にてプラズマを発生させた場合にプラズマの不安定が生じない値に設定するステップと、前記オンオフ変調のデューティー比を変えることにより前記電力の時間平均値を制御するステップを備えていることを特徴とするドライエッチング方法。
- 請求項7記載のドライエッチング方法において、前記オンオフ変調は、オフ時間が10ms以下となる周波数でオンオフ変調されることを特徴とするドライエッチング方法。
- 内部にプラズマを生成する処理室と、前記プラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記処理室内に設けられウエハを載置する試料台とを備え、前記ウエハを前記プラズマによりエッチングするプラズマエッチング装置を用いたドライエッチング方法において、前記ウエハを処理する前記プラズマエッチング装置の装置状態をモニタするセンサを備えており、前記プラズマ生成手段により、前記プラズマを生成するための電力をオンオフ変調しながら供給するステップと、前記センサにより取得されたモニタ値と予め設定された目標値との差分を前記オンオフ変調のデューティー比をウエハ毎に制御しながら補正するステップを備えていることを特徴とするドライエッチング方法。
- 内部にプラズマを生成する処理室と、前記プラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記処理室内に設けられウエハを載置する試料台とを備え、前記ウエハを前記プラズによりエッチングするプラズマエッチング装置を用いたドライエッチング方法において、前記ウエハを処理する前記プラズマ処理装置の装置状態をモニタするセンサと、前記センサにより取得されたモニタ値と予め設定された目標値との差分を演算する演算部と、前記演算部により算出された差分を補正するようにエッチングパラメータを制御する制御部とを備えており、前記プラズマ生成手段により、前記プラズマを生成するための電力をオンオフ変調しながら供給するステップと、前記制御部により、前記オンオフ変調のデューティー比をウエハ毎に制御しながら前記差分を補正するステップを備えていることを特徴とするドライエッチング方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01214122A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Tel Sagami Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH0697087A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH06104097A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | プラズマ生成方法及び装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01214122A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-28 | Tel Sagami Ltd | プラズマ処理方法 |
JPH0697087A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH06104097A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | プラズマ生成方法及び装置 |
JP2002170824A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104103486A (zh) * | 2013-04-09 | 2014-10-15 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理方法以及等离子体处理装置 |
JP2014204050A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
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