JP4318581B2 - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents
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本発明は、エッチングとデポジションとを交互に適用して基板を加工する方法であって、デポジションの際、高気圧でかつ低密度のプラズマによりデポジションを行うことを特徴とする基板を加工する方法を提供するものである。特に、高気圧でかつ低密度のプラズマは基板の近傍に生成されることが好ましい。
図1は本発明において用いるエッチング装置を示す概略断面図である。図1において、処理室1内には基板4を載置するステージ5が配置されており、当該ステージ5に設置された図示しないステージ電極に第二の励起源であるRF電源6が接続されている。また、処理室1には第一の励起源であるマイクロ波電源7からマイクロ波を導入するための導波管8が取り付けられている。マイクロ波は、処理室1と真空封止された石英、アルミナセラミクスなどの誘電体からなるマイクロ波導入窓9を介して処理室1へ供給される。処理室1の周囲には、処理室1内に磁場を発生させるためのコイル2が設置されている。さらに、処理室1にはエッチングガスをパルス的に供給するための第一のパルスバルブ10と、デポジションガスをパルス的に供給するための第二のパルスバルブ11とが取り付けられている。導入されたガスは処理室1に設けられた排気口3から、図示しない真空ポンプにより排気される。
上記の構成の装置を用いて、本発明の基板を加工する方法を説明する。まず、プロセスガスを処理室1へパルス的に供給し、このとき第一の励起源であるマイクロ波電源7と、第二の励起源であるRF電源6もパルス的に動作させる。これらのパルス動作のタイミングを、図2を用いて説明する。図2における各々のパルス列において、横軸は時間を表し、それぞれのパルス列は当該時間を共通にしたタイミングチャートである。図2において、(a)はエッチングガス、(b)はデポジションガス、(c)はマイクロ波電源の動作状態、(d)はRF電源の動作状態を表し、さらに、(e)はプロセスの状態を示している。
<装置>
次に、本発明の方法を、図7に示す構成の装置を用いて実施する場合について説明する。図7において、プラズマ室72は仕切り板73を通じて処理室71に連通している。プラズマ室72にはエッチングガスをパルス的に供給するための第一のパルスバルブ710と、プロセスには直接寄与しないガスをパルス的に供給するための第三のパルスバルブ713が取り付けられている。また処理室71にはデポジションガスをパルス的に供給するための第二のパルスバルブ712が取り付けられている。図7においてこれら以外の構成については図1の装置と同一である。
上記の構成の装置において、図8に示すパルス動作のタイミング図によりプロセスの進展を説明する。第一のパルスバルブ710からエッチングガスとしてSF6をプラズマ室72にパルス的に導入する。プラズマ室72に導入されたエッチングガスは、仕切り板73を通じて処理室71に設けられた排気口から、実施形態1と同様に排気される。この場合仕切り板73の開口部は、プラズマ室72の側壁(プラズマ室の直径)より小さくして、プラズマ室72と処理室71に圧力差が生じるように設定される。望ましくはプラズマ室圧力が処理室圧力に対して数倍になるような開口径に設定する。
Claims (10)
- エッチングとデポジションとを交互に適用する半導体装置の製造方法において、
処理室に接続された第一の励起源によりプラズマを生成するとともに、基板を載置するステージの電極に接続された第二の励起源により前記基板にRFバイアスを印加することによって基板のエッチングを行うステップと
前記第二の励起源によりプラズマを生成して基板のデポジションを行うステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - デポジションを行う際に、デポジションガスに希ガスを加えることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 処理室がプラズマ室と処理室とに仕切り板を用いて分離された場合において、プラズマ室にエッチングガスを供給し、処理室にデポジションガスを供給する、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- プラズマ室に希ガスを供給するために設けられたバルブをデポジションの際に動作させて、希ガスをプラズマ室に供給することを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- デポジションの際に印加する第二の励起源の出力は、エッチングの際に印加する第二の励起源の出力より大きいことを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- デポジションの際に印加する第二の励起源の出力は、印加の初期時において、デポジションに必要な最小の出力よりも大きいことを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- デポジションの際の圧力は、エッチングの際の圧力より大きいことを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の近傍に設けられたガス吹出し孔からデポジションガスを供給することを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- ガスを供給して反応を行うための処理室と、
該処理室内に設けられた、電極を備えている、基板を載置するためのステージと、
処理室に接続されたマイクロ波を発生するための第一の励起源と、
ステージの電極に接続された第二の励起源と、
前記処理室内にガスを供給するためのガス供給手段と、を備え、
エッチングを行うために、前記第一の励起源によりプラズマを発生させるとともに、前記第二の励起源により前記基板にRFバイアスを印加し、デポジションを行うために、第二の励起源によりプラズマを発生させることを特徴とする、半導体装置の製造装置。 - エッチングガスを供給して反応を行うためのプラズマ室と、
開口部を有する仕切り板を介して前記プラズマ室と連通する、デポジションガスを供給して反応を行うための処理室と、
該処理室内に設けられた、電極を備えている、基板を載置するためのステージと、
前記プラズマ室に接続されたマイクロ波を発生するための第一の励起源と、
前記ステージの電極に接続された第二の励起源と、を備え、
エッチングを行うために、前記第一の励起源によりプラズマを発生させるとともに、前記第二の励起源により前記基板にRFバイアスを印加し、デポジションを行うために、第二の励起源によりプラズマを発生させることを特徴とする、半導体装置の製造装置。
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