JP5851349B2 - プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明のプラズマエッチング方法を実施するためのプラズマエッチング装置を示す概略断面図であり、プラズマ生成手段にマイクロ波と磁場を利用したECR(Electron Cyclotron Resonance)方式のマイクロ波プラズマエッチング装置である。このプラズマエッチング装置は、内部を真空排気できるチャンバ101と被処理基板であるウエハ102を載置する試料台103とチャンバ101の上面に設けられた石英製のマイクロ波透過窓104と、その上方に設けられた導波管105、マグネトロン106と、チャンバ101の周りに設けられたソレノイドコイル107と、試料台103に接続された静電吸着電源108、高周波電源109とからなる。
本発明のプラズマエッチングで処理される被処理基板のウエハ102は、図2(a)に示すように、シリコン膜(Si)203であるシリコン基板の上方にシリコンゲルマニウム膜(SiGe)202とシリコン膜(Si)203が順次交互に積層され、シリコン酸化膜(SiO2)201をマスクとしてトレンチパターンがシリコンゲルマニウム膜(SiGe)202とシリコン膜(Si)203が順次交互に積層された積層膜に予め形成されている。
7×10+2×24+5×15+1×288=481 ・・・(1)
また、フッ素元素は、SF6ガスとCF4ガスにそれぞれ含有されているため、フッ素元素の相対的な数は、(2)式のように求められる。
6×10+4×15=120 ・・・(2)
従って、エッチングガスを構成する各元素の数の総和に対するフッ素元素の数の割合は、120を481で除した値である0.25となる。よって、表1のステップ2におけるフッ素元素の分圧は、上記の0.25と処理圧力の0.5Paとの積である0.125Paとなる。尚、一般的に分圧は、分子の数の比で求められるが、分子の数の比から求めると、SF6ガスとCF4ガスの1分子から放出されるフッ素元素の数が異なるため、本実施例では、元素の数から分圧を求めている。
X≦0.0375/E ・・・(3)
また、本実施例のブレークスルーステップでは、CF4ガスを用いたが、本発明の効果はこれに限定されない。また、本実施例のシリコンゲルマニウム膜に対するシリコン膜の選択的サイドエッチングを行うステップでは、SF6ガスとH2ガスとCF4ガスとArガスの混合ガスを用いたが、本発明の効果はこれに限定されず、炭素(C)と水素(H)とフッ素(F)を含有する少なくとも一つのガスを用いても良い。さらに本発明は、Arガスの代わりにHeガス、Neガス、Xeガス等の不活性ガスを用いても良い。
102 ウエハ
103 試料台
104 マイクロ波透過窓
105 導波管
106 マグネトロン
107 ソレノイドコイル
108 静電吸着電源
109 高周波電源
110 ウエハ搬入口
111 プラズマ
201 シリコン酸化膜(SiO2)
202 シリコンゲルマニウム膜(SiGe)
203 シリコン膜(Si)
Claims (6)
- シリコン膜とシリコンゲルマニウム膜とが積層され前記積層された各々の膜と垂直方向にトレンチが形成された構造の前記シリコンゲルマニウム膜に対して前記シリコン膜を選択的にサイドエッチングするプラズマエッチング方法において、
炭素元素と水素元素とフッ素元素を含有する少なくとも一つのガスを用い、前記フッ素元素の分圧を1.0Pa未満とすることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - シリコン膜とシリコンゲルマニウム膜とが積層され前記積層された各々の膜と垂直方向にトレンチが形成された構造の前記シリコンゲルマニウム膜に対して前記シリコン膜を選択的にサイドエッチングするプラズマエッチング方法において、
炭素元素と水素元素とフッ素元素を含有する少なくとも一つのガスを用い、前記ガスに含有された各元素の数の和に対する前記炭素元素の数の割合を0.08以下とすることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記ガスに含有された各元素の数の和に対する前記炭素元素の数の割合を0.08以下とすることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法において、
前記ガスは、SF6ガスとH2ガスとCF4ガスとArガスとの混合ガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法において、
前記ガスに含有された各元素の数の和に対する酸素元素の数の割合を0.03以下とすることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理基板がプラズマエッチングされるチャンバと、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、フッ素元素を含有するガスを含むエッチングガスを前記チャンバ内へ供給するエッチングガス供給手段と、前記被処理基板が載置される試料台と、前記試料台に高周波電力を供給する高周波電源と、前記チャンバ内に配置された石英パーツとを備え、請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法が行われるプラズマエッチング装置において、
前記石英パーツの面積は、前記チャンバ内のプラズマに晒される箇所の面積に対する前記石英パーツが占める面積の割合をX、前記フッ素元素の分圧をE(Pa)とする数1式を満たすように規定されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
〔数1〕
X≦0.0375/E
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