JP2005166827A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電極150上にシリコン基板150aを載置し、ガス導入口120を介してエッチングガスを供給し、排気口130から排気し、高周波電源110a、110bから誘電コイル140及び電極150にそれぞれ高周波電力を供給してエッチングガスをICP法によりプラズマ化し、活性種を生成させてシリコン基板150aのエッチングを進行させるプラズマエッチング方法であって、エッチングガスとしてCF4ガスを主成分とし、これにArのガスを添加した混合ガスを用いる。
【選択図】 図1
Description
図3は、従来のプラズマエッチング装置(例えば、特許文献1参照)の構成を示す図である。
上記プラズマエッチング装置において、被処理体310aのトレンチ加工は、ガス導入口340からエッチングチャンバー300内にエッチングガスを導入し、下部電極310に高周波電力を印加して下部電極310上に陰極降下電圧を発生させ、その直流電圧によりイオンを加速し、被処理体310aのエッチングを進行させることにより行われる。
よって、本発明により、高い寸法精度で深さの浅い高アスペクト比のトレンチを形成できるプラズマエッチング方法を提供することが可能となり、実用的価値は極めて高い。
図1は、本実施の形態のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。
プラズマエッチング装置は、例えばICP(Inductively Coupled Plasma)型エッチング装置であって、真空のエッチングチャンバー100と、高周波電源110a、110bと、ガス導入口120と、排気口130と、スパイラル・アンテナ状の誘電コイル140と、シリコン基板150aが載置される電極150と、石英板等の誘電板160と、ヒータ170と、チャンバーヒータ180とを備える。
高周波電源110a、110bは、例えば13.57MHzの高周波電圧を誘電コイル140及び電極150に印加する。
ガス導入口120は、エッチングチャンバー100にガスを供給する。
排気口130は、エッチングチャンバー100内のガスを排気する。
まず、電極150上にシリコン基板150aを載置し、エッチングチャンバー100内を一定の圧力に保ちながら、ガス導入口120を介してエッチングガスを供給し、排気口130から排気する。ここで、エッチングガスは、CF4ガスを主成分とし、これに希ガス、例えばAr等のガスを添加した混合ガスである。また、Ar量は、少ないとCF4ガスのエッチングガス中での占める割合が大きくなってトレンチにサイドエッチングを生じたり、トレンチが先細りしたりし、また、多いとCF4のエッチングガス中での占める割合が小さくなってエッチングが進まないので、総流量に対して50〜90%となるように調節する。なお、希ガスは、He、Xeであってもよい。
110a、110b、330 高周波電源
120、340 ガス導入口
130、350 排気口
140 誘電コイル
150 電極
150a シリコン基板
160 誘電板
170 ヒータ
180 チャンバーヒータ
310 下部電極
310a 被処理体
320 上部電極
Claims (5)
- 処理室内においてSiからなる被処理体をプラズマエッチングする方法であって、
CF4及び希ガスを含むエッチングガスを前記処理室内に導入し、前記エッチングガスをプラズマ化して前記被処理体をエッチングする
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記希ガスは、Arである
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。 - 前記処理室内に導入するArの量は、前記エッチングガスの総流量に対して50〜90%である
ことを特徴とする請求項2に記載のプラズマエッチング方法。 - 前記エッチングガスをICP法によりプラズマ化する
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法。 - シリコン基板をエッチングする装置であって、
請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法を用いて前記シリコン基板にトレンチを形成する
ことを特徴とするエッチング装置。
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2003
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