JP2005166827A - プラズマエッチング方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 高い寸法精度で深さの浅い高アスペクト比のトレンチを形成できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 電極150上にシリコン基板150aを載置し、ガス導入口120を介してエッチングガスを供給し、排気口130から排気し、高周波電源110a、110bから誘電コイル140及び電極150にそれぞれ高周波電力を供給してエッチングガスをICP法によりプラズマ化し、活性種を生成させてシリコン基板150aのエッチングを進行させるプラズマエッチング方法であって、エッチングガスとしてCF4ガスを主成分とし、これにArのガスを添加した混合ガスを用いる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、プラズマエッチング方法に関し、特に高い寸法精度で深さの浅い高アスペクト比のトレンチを形成するプラズマエッチング方法に関するものである。
トランジスタ等の半導体装置の素子分離やメモリ・セル容量面積の確保を目的として、シリコン基板等の半導体基板にはトレンチ(溝や穴)が形成されており、半導体基板にトレンチを形成する方法としては、エッチングガスをプラズマ化して生じた活性種(イオンやラジカル)によりエッチングを行うプラズマエッチング方法がある。
図3は、従来のプラズマエッチング装置(例えば、特許文献1参照)の構成を示す図である。
図3に示されるように、従来のプラズマエッチング装置は、真空のエッチングチャンバー300と、半導体基板等の被処理体310aが載置される下部電極310と、上部電極320と、高周波電源330と、ガス導入口340と、排気口350とを備える。
上記プラズマエッチング装置において、被処理体310aのトレンチ加工は、ガス導入口340からエッチングチャンバー300内にエッチングガスを導入し、下部電極310に高周波電力を印加して下部電極310上に陰極降下電圧を発生させ、その直流電圧によりイオンを加速し、被処理体310aのエッチングを進行させることにより行われる。
特開昭62−286227号公報(第2図)
ところで、従来のプラズマエッチング装置において、エッチング処理開始直後にプラズマが安定するまでにトレンチ加工が終了するとトレンチの深さがばらつく。よって、深さの浅い、例えば200nm以下のトレンチを形成する場合には、エッチング速度を遅くしてプラズマが安定するまでにトレンチ加工が終了しないようにする必要がある。しかしながら、従来のプラズマエッチング装置では、エッチング速度を50nm/minより遅くすることができず、深さの浅いトレンチを形成する場合には、プラズマが安定するまでにトレンチ加工が終了してしまうので、高い寸法精度で深さの浅いトレンチを形成することができないという問題がある。例えばエッチングガスとしてSF6とCHF3との混合ガスを用い、酸化シリコンにトレンチを形成する際のエッチング速度は200nm/minであり、50nm/minより速い。このとき、エッチング速度を遅くする方法として下部電極に印加するRFパワーを低くする方法が考えられるが、RFパワーが低くなるとプラズマ密度が低くなるため、所望のラジカル・イオンを得ることが困難となり、また、放電が不安定になるので、この方法では上記問題を解決することはできない。
そこで、本発明は、かかる問題点に鑑み、高い寸法精度で深さの浅い高アスペクト比のトレンチを形成できるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のプラズマエッチング方法は、処理室内においてSiからなる被処理体をプラズマエッチングする方法であって、CF4及び希ガスを含むエッチングガスを前記処理室内に導入し、前記エッチングガスをプラズマ化して前記被処理体をエッチングする。ここで、前記希ガスはArであってもよいし、前記処理室内に導入するArの量は、前記エッチングガスの総流量に対して50〜90%であってもよいし、前記エッチングガスをICP法によりプラズマ化してもよい。
これらによって、反応性を弱め、エッチング速度を遅くすることができるので、高い寸法精度で深さの浅い高アスペクト比のトレンチを形成できる。また、トレンチ内部のガスが外部に追い出されるようなガス流を発生させ、トレンチ内部の反応生成物及び活性種の滞在時間を短くすることができるので、トレンチにサイドエッチングが生じたり、トレンチが先細りしたりするのを抑制することができる。
本発明に係るプラズマエッチング方法によれば、高い寸法精度で深さの浅い高アスペクト比のトレンチを形成できる。また、本発明に係るプラズマエッチング方法によれば、トレンチにサイドエッチングが生じたり、トレンチが先細りしたりするのを抑制することができる。
よって、本発明により、高い寸法精度で深さの浅い高アスペクト比のトレンチを形成できるプラズマエッチング方法を提供することが可能となり、実用的価値は極めて高い。
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマエッチング装置について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本実施の形態のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。
プラズマエッチング装置は、例えばICP(Inductively Coupled Plasma)型エッチング装置であって、真空のエッチングチャンバー100と、高周波電源110a、110bと、ガス導入口120と、排気口130と、スパイラル・アンテナ状の誘電コイル140と、シリコン基板150aが載置される電極150と、石英板等の誘電板160と、ヒータ170と、チャンバーヒータ180とを備える。
エッチングチャンバー100は、エッチングが行われる処理室である。
高周波電源110a、110bは、例えば13.57MHzの高周波電圧を誘電コイル140及び電極150に印加する。
ガス導入口120は、エッチングチャンバー100にガスを供給する。
排気口130は、エッチングチャンバー100内のガスを排気する。
次に、トランジスタ等の半導体装置の製造における1工程としての上記プラズマエッチング装置を用いたシリコン基板のトレンチ加工について、以下で順に説明する。
まず、電極150上にシリコン基板150aを載置し、エッチングチャンバー100内を一定の圧力に保ちながら、ガス導入口120を介してエッチングガスを供給し、排気口130から排気する。ここで、エッチングガスは、CF4ガスを主成分とし、これに希ガス、例えばAr等のガスを添加した混合ガスである。また、Ar量は、少ないとCF4ガスのエッチングガス中での占める割合が大きくなってトレンチにサイドエッチングを生じたり、トレンチが先細りしたりし、また、多いとCF4のエッチングガス中での占める割合が小さくなってエッチングが進まないので、総流量に対して50〜90%となるように調節する。なお、希ガスは、He、Xeであってもよい。
次に、高周波電源110a、110bから誘電コイル140及び電極150にそれぞれ高周波電力を供給して、エッチングガスをプラズマ化させる。F+イオン、Fラジカル等のプラズマ中の活性種は、図2に示されるように、シリコン基板のシリコンと反応して、SiFX、Si26等の反応生成物を生成し、シリコン基板をエッチングしてトレンチを形成する。
以上のように本実施の形態のプラズマエッチング装置によれば、SF6に比べラジカルを解離させる度合いの小さなCF4ガスを主成分とし、これにArを添加した混合ガスをエッチングガスに用いてシリコン基板にトレンチを形成する。よって、反応性を弱め、エッチング速度を50nm/minより遅く、例えば12nm/minにすることができるので、本実施の形態のプラズマエッチング装置は、高い寸法精度で例えば200nm以下の深さの浅い高アスペクト比のトレンチを形成できるプラズマエッチング装置を実現することができる。すなわち、2000nm/minのエッチング速度で100nmの深さのトレンチを形成する場合、エッチングは約3secで終了するので、プラズマが安定するまでの時間のサンプル間でのばらつきが約1secであることを考慮に入れると、エッチング深さのばらつきは約30%となり、深さばらつきとして許容される約5%を超えるが、20nm/minのエッチング速度で100nmの深さのトレンチを形成する場合、同様の計算でエッチング深さのばらつきは約0.3%となり、約5%を超えないので、本実施の形態のプラズマエッチング装置は、深さ方向的にかなり高精度な制御を可能とするのである。
また、本実施の形態のプラズマエッチング装置によれば、Arを含むエッチングガスを用いてシリコン基板にトレンチを形成する。よって、トレンチ内部のガスが外部に追い出されるようなガス流を発生させ、トレンチ内部の反応生成物及び活性種の滞在時間を短くすることができるので、本実施の形態のプラズマエッチング装置は、トレンチにサイドエッチングが生じたり、トレンチが先細りしたりするのを抑制することができるプラズマエッチング装置を実現することができる。
本発明は、プラズマエッチング方法に利用でき、特に半導体装置のトレンチ加工に際しての半導体基板のエッチング等に利用することができる。
本発明の実施の形態のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。 同実施の形態のプラズマエッチング装置においてシリコン基板にトレンチが形成される様子を説明するための図である。 従来のプラズマエッチング装置の構成を示す図である。
符号の説明
100、300 エッチングチャンバー
110a、110b、330 高周波電源
120、340 ガス導入口
130、350 排気口
140 誘電コイル
150 電極
150a シリコン基板
160 誘電板
170 ヒータ
180 チャンバーヒータ
310 下部電極
310a 被処理体
320 上部電極

Claims (5)

  1. 処理室内においてSiからなる被処理体をプラズマエッチングする方法であって、
    CF4及び希ガスを含むエッチングガスを前記処理室内に導入し、前記エッチングガスをプラズマ化して前記被処理体をエッチングする
    ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
  2. 前記希ガスは、Arである
    ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
  3. 前記処理室内に導入するArの量は、前記エッチングガスの総流量に対して50〜90%である
    ことを特徴とする請求項2に記載のプラズマエッチング方法。
  4. 前記エッチングガスをICP法によりプラズマ化する
    ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法。
  5. シリコン基板をエッチングする装置であって、
    請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法を用いて前記シリコン基板にトレンチを形成する
    ことを特徴とするエッチング装置。

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